JP2011258655A - 半導体モジュールを備えた半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】冷却フィン22よりも液冷媒出口30b側において、冷媒パイプ32の底面から上方に向かって突出させたダム部35を備える。このように、冷媒パイプ32に対してダム部35を備えると、このダム部35によって液冷媒の流れが堰き止められ、液冷媒がダム部35の高さ以上に溜まってから液冷媒出口30b側に流れることになる。このため、開口部31内にエアが溜まったとしても、液冷媒がダム部35の高さに至るまで液面が上昇させられることになるため、溜まったエアを排出させることが可能となる。また、液冷媒が高い位置まで溜まることになるため、冷却フィン付きプレート20に備えられた冷却フィン22の根元近傍まで液冷媒を接触させることが可能となる。
【選択図】図2
Description
本発明の第1実施形態について説明する。本実施形態では、本発明の一実施形態にかかる半導体モジュールの適用例として、三相モータ駆動用のインバータを例に挙げて説明する。
本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態の半導体モジュール10を備えた半導体装置は、第1実施形態に対してダム部35の構成を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
本発明の第3実施形態について説明する。本実施形態の半導体モジュール10を備えた半導体装置は、第1実施形態に対して半導体装置の設置形態を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
上記実施形態では、三相モータ3を駆動するインバータ1について説明したが、半導体装置としてはインバータ1に限るものではなく、少なくとも半導体モジュール10が備えられるものであれば、どのようなものに対しても第1〜第3実施形態に示した構成を適用することができる。例えば、コンバータなどに対して第1〜第3実施形態に示した構成を適用することができる。
3 三相モータ
4 昇圧回路
5 インバータ出力回路
10 半導体モジュール
11 半導体チップ
12 銅ブロック
16 絶縁材
17 樹脂モールド部
20 冷却フィン付きプレート
22 冷却フィン
30 冷却器
31 開口部
32 冷媒パイプ
35 ダム部
41、51、53、55 上アーム
42、52、54、56 下アーム
Claims (4)
- 裏面側に冷却フィン(22)が備えられた冷却フィン付きプレート(20)と、
半導体パワー素子が形成された半導体チップ(11)とを有し、前記冷却フィン付きプレート(20)の表面側に配置される半導体モジュール(10)と、
液冷媒入口(30a)および液冷媒出口(30b)を有する冷媒通路を構成する冷媒パイプ(32)を備え、該冷媒パイプ(32)に形成された開口部(31)内に前記冷却フィン(22)を挿入した状態で前記半導体モジュール(10)および前記冷却フィン付きプレート(20)を固定することで、前記冷媒パイプ(32)内に流動させられる前記液冷媒により前記冷却フィン付きプレート(20)を冷却する冷却器(30)と、を備えてなる半導体モジュールを備えた半導体装置であって、
前記冷媒パイプ(32)のうち前記開口部(31)が形成された面とは反対側となる底面から上方に向かって突出させられたダム部(35)が備えられており、該ダム部(35)は、前記冷媒パイプ(32)のうち前記冷却フィン(22)よりも前記液冷媒出口(30b)側に備えられていることを特徴とする半導体モジュールを備えた半導体装置。 - 前記ダム部(35)は、前記冷媒パイプ(32)のうち前記冷却フィン(22)よりも前記液冷媒入口(30a)側にも備えられていることを特徴とする請求項1に記載の半導体モジュールを備えた半導体装置。
- 前記半導体モジュール(10)は、前記冷却フィン付きプレート(20)と一体構造とされていることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体モジュールを備えた半導体装置。
- 請求項1ないし3のいずれか1つに記載の半導体モジュールを備えた半導体装置の取り付け構造であって、
前記冷却パイプ(32)の底面は水平方向に対して所定角度(θ)傾斜させた状態で取り付け対象に設置されることで、前記液冷媒入口(30a)よりも前記液冷媒出口(30b)の方が高い位置に配置されていることを特徴とする半導体モジュールを備えた半導体装置の取り付け構造。
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