JP2011253866A - 分割方法 - Google Patents
分割方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011253866A JP2011253866A JP2010125503A JP2010125503A JP2011253866A JP 2011253866 A JP2011253866 A JP 2011253866A JP 2010125503 A JP2010125503 A JP 2010125503A JP 2010125503 A JP2010125503 A JP 2010125503A JP 2011253866 A JP2011253866 A JP 2011253866A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- height position
- surface height
- detection
- line
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 63
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 90
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 37
- 230000001788 irregular Effects 0.000 claims description 9
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 claims description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 85
- 239000011148 porous material Substances 0.000 abstract 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 87
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 22
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 12
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 9
- 230000008859 change Effects 0.000 description 8
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 7
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/04—Automatically aligning, aiming or focusing the laser beam, e.g. using the back-scattered light
- B23K26/046—Automatically focusing the laser beam
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/03—Observing, e.g. monitoring, the workpiece
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
- B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Dicing (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
【解決手段】孔部53を有する半導体ウェーハWに対して分割予定ライン51上の孔部53の形成範囲を検出し、検出光線を半導体ウェーハWの分割予定ライン51上に照射して、孔部53の形成範囲を含む所定区間を除いて半導体ウェーハWからの反射光強度に集光レンズ46を追従させることで半導体ウェーハWの分割予定ライン51上の表面高さ位置を検出し、表面高さ位置に基づいてレーザー光線の焦点を移動させながら半導体ウェーハW内で集光させることによって分割予定ライン51に沿って連続的に改質層を形成する構成とした。
【選択図】図3
Description
2 基台
3 レーザー加工ユニット
4 保持テーブル
8 保持テーブル移動機構
36 加工ヘッド
39 制御部
41 検出用光源
42 発振器
46 集光レンズ
47 検出部
51 分割予定ライン
52 デバイス
53 孔部
57 前方側のエッジ部
58 後方側のエッジ部
W 半導体ウェーハ(ワーク)
Claims (2)
- 分割予定ライン上に凹部又は凸部の少なくとも一方が異形状部として存在するワークを前記分割予定ラインに沿って分割する分割方法であって、
前記異形状部が存在する箇所を検出する異形状部検出工程と、
前記分割予定ラインに沿って前記異形状部が存在する箇所を除いた箇所に高さ位置検出用の検出光線を照射して、異形状部検出工程で検出した前記異形状部が存在する箇所を除いた分割予定ラインの表面高さ位置を検出する表面高さ検出工程と、
ワークを透過する波長のレーザー光線の焦点をワークの内部に合わせ前記表面高さ検出工程で検出された前記分割予定ラインの表面高さ位置に基づいて前記焦点を移動させながら集光することによって、前記分割予定ラインに沿って少なくとも前記異形状部が存在する箇所を除いた箇所に改質層を形成する改質層形成工程と、
前記改質層に外力を加えることによって前記分割予定ラインに沿ってワークを分割する分割工程と、を含むことを特徴とする分割方法。 - 前記異形状部検出工程は、前記分割予定ラインに沿って前記異形状部が存在する箇所も含めて前記検出光線を照射し、前記異形状部が存在する箇所を検出することを特徴とする請求項1に記載の分割方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010125503A JP2011253866A (ja) | 2010-06-01 | 2010-06-01 | 分割方法 |
US13/113,379 US8536486B2 (en) | 2010-06-01 | 2011-05-23 | Method of dividing workpiece using laser beam |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010125503A JP2011253866A (ja) | 2010-06-01 | 2010-06-01 | 分割方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011253866A true JP2011253866A (ja) | 2011-12-15 |
Family
ID=45021221
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010125503A Pending JP2011253866A (ja) | 2010-06-01 | 2010-06-01 | 分割方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8536486B2 (ja) |
JP (1) | JP2011253866A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016139724A (ja) * | 2015-01-28 | 2016-08-04 | 株式会社東京精密 | レーザーダイシング装置 |
JP2018182111A (ja) * | 2017-04-17 | 2018-11-15 | 株式会社ディスコ | 被加工物の加工方法 |
WO2020241138A1 (ja) * | 2019-05-29 | 2020-12-03 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | レーザ加工装置及びそれを用いたレーザ加工方法 |
JPWO2020241136A1 (ja) * | 2019-05-29 | 2020-12-03 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20130037527A1 (en) * | 2011-08-08 | 2013-02-14 | Applied Materials, Inc. | Fixture for Drilling Vias in Back-Contact Solar Cells |
KR101892912B1 (ko) * | 2011-08-24 | 2018-08-29 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 실리콘 태양 전지를 제조하기 위한 고속 레이저 스캐닝 시스템 |
JP7285694B2 (ja) * | 2019-05-23 | 2023-06-02 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置の光軸調整方法 |
WO2022205082A1 (en) * | 2021-03-31 | 2022-10-06 | Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | Laser system for dicing semiconductor structure and operation method thereof |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009283753A (ja) * | 2008-05-23 | 2009-12-03 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハのレーザー加工方法およびレーザー加工装置 |
JP2010046703A (ja) * | 2008-08-25 | 2010-03-04 | Disco Abrasive Syst Ltd | レーザー加工装置及びレーザー加工方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08285524A (ja) * | 1995-04-18 | 1996-11-01 | Nippon Steel Corp | 鋼片の開先位置計測方法 |
FR2765129B1 (fr) * | 1997-06-30 | 1999-10-01 | Peugeot | Procede de soudage de toles revetues par un faisceau d'energie, tel qu'un faisceau laser |
JP3408805B2 (ja) | 2000-09-13 | 2003-05-19 | 浜松ホトニクス株式会社 | 切断起点領域形成方法及び加工対象物切断方法 |
JP4299185B2 (ja) * | 2004-04-27 | 2009-07-22 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
JP5118580B2 (ja) * | 2008-08-22 | 2013-01-16 | 株式会社ディスコ | 高さ位置検出装置および高さ位置検出方法 |
JP5318544B2 (ja) * | 2008-12-01 | 2013-10-16 | 株式会社ディスコ | レーザ加工装置 |
-
2010
- 2010-06-01 JP JP2010125503A patent/JP2011253866A/ja active Pending
-
2011
- 2011-05-23 US US13/113,379 patent/US8536486B2/en active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009283753A (ja) * | 2008-05-23 | 2009-12-03 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハのレーザー加工方法およびレーザー加工装置 |
JP2010046703A (ja) * | 2008-08-25 | 2010-03-04 | Disco Abrasive Syst Ltd | レーザー加工装置及びレーザー加工方法 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016139724A (ja) * | 2015-01-28 | 2016-08-04 | 株式会社東京精密 | レーザーダイシング装置 |
JP2018182111A (ja) * | 2017-04-17 | 2018-11-15 | 株式会社ディスコ | 被加工物の加工方法 |
WO2020241138A1 (ja) * | 2019-05-29 | 2020-12-03 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | レーザ加工装置及びそれを用いたレーザ加工方法 |
JPWO2020241136A1 (ja) * | 2019-05-29 | 2020-12-03 | ||
WO2020241136A1 (ja) * | 2019-05-29 | 2020-12-03 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | レーザ加工装置及びそれを用いたレーザ加工方法 |
JPWO2020241138A1 (ja) * | 2019-05-29 | 2020-12-03 | ||
JP7382552B2 (ja) | 2019-05-29 | 2023-11-17 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | レーザ加工装置及びそれを用いたレーザ加工方法 |
JP7382554B2 (ja) | 2019-05-29 | 2023-11-17 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | レーザ加工装置及びそれを用いたレーザ加工方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20110290769A1 (en) | 2011-12-01 |
US8536486B2 (en) | 2013-09-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2011253866A (ja) | 分割方法 | |
JP5117920B2 (ja) | レーザー加工装置 | |
JP4299185B2 (ja) | レーザー加工装置 | |
US7696014B2 (en) | Method for breaking adhesive film mounted on back of wafer | |
TWI464026B (zh) | Laser processing device | |
JP5243098B2 (ja) | レーザー加工装置 | |
US20050224475A1 (en) | Laser beam processing machine | |
KR101770840B1 (ko) | 레이저 광선 조사 기구 및 레이저 가공 장치 | |
JP2007152355A (ja) | レーザー加工装置 | |
US20090203193A1 (en) | Laser processing method | |
JP4555092B2 (ja) | レーザー加工装置 | |
JP2006159254A (ja) | レーザー加工装置 | |
JP2010029927A (ja) | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 | |
JP2010052014A (ja) | レーザー加工装置 | |
JP2008016577A (ja) | ウエーハのレーザー加工方法 | |
JP5242278B2 (ja) | レーザー加工装置 | |
JP2012156168A (ja) | 分割方法 | |
JP2009297773A (ja) | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 | |
JP2017006930A (ja) | レーザー加工装置 | |
JP5752930B2 (ja) | レーザー加工装置 | |
JP5329199B2 (ja) | レーザ加工装置、レーザ加工制御方法およびレーザ加工用プログラム | |
JP5117954B2 (ja) | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 | |
JP2012134333A (ja) | 測定方法 | |
JP2015225909A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP5441111B2 (ja) | 板状物の加工方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130521 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140317 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140325 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140411 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140701 |