JP2011228337A - Wafer stripping method and wafer stripping device - Google Patents

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JP2011228337A JP2010093971A JP2010093971A JP2011228337A JP 2011228337 A JP2011228337 A JP 2011228337A JP 2010093971 A JP2010093971 A JP 2010093971A JP 2010093971 A JP2010093971 A JP 2010093971A JP 2011228337 A JP2011228337 A JP 2011228337A
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Takafumi Oka
貴郁 岡
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wafer stripping method and a wafer stripping device capable of reducing time required for stripping a wafer, which is attached to a wafer holding member using an adhesive, from the wafer holding member.SOLUTION: A wafer stripping device 1a comprising a solvent bath 8a containing an organic solvent 7 soaks a wafer 2, which is attached onto a wafer holding substrate 6 using an adhesive 3 dissolved by the organic solvent 7, in the organic solvent 7 and strips the wafer 2 from the wafer holding substrate 6. The wafer stripping device 1a also has a wafer stripping jig 11 which adds the force of the stripping direction to the wafer 2 from the wafer holding substrate 6 in the organic solvent 7.

Description

この発明は、ウエハ保持部材上に接着剤を介して貼り付けられたウエハをウエハ保持部材から剥がすウエハ剥がし方法およびウエハ剥がし装置に関するものである。   The present invention relates to a wafer peeling method and a wafer peeling apparatus for peeling off a wafer attached to a wafer holding member via an adhesive from the wafer holding member.

各種電子機器に用いられる半導体デバイスは、小型化、軽量化が進められており、半導体デバイスの製造において、ウエハの表面にデバイスを作製した後、ウエハの裏面を研削してウエハを薄肉化することが行われている。ウエハを研削する際は、ウエハの割れやデバイス作製面であるウエハの表面に傷が付くことを防ぐために、ウエハの表面にウエハ保持部材が接着剤を介して貼り付けられる。よって、研削後は、ウエハをウエハ保持部材から剥がす必要がある。   Semiconductor devices used in various electronic devices are being reduced in size and weight, and in the manufacture of semiconductor devices, after the device is fabricated on the surface of the wafer, the back surface of the wafer is ground to thin the wafer. Has been done. When grinding a wafer, a wafer holding member is attached to the surface of the wafer with an adhesive in order to prevent the wafer from being cracked or scratching the surface of the wafer as a device fabrication surface. Therefore, after grinding, it is necessary to peel off the wafer from the wafer holding member.

従来のウエハ剥がし装置では、複数の貫通穴を有するウエハ保持部材であるウエハ取り付け治具上にウエハが貼り付けられ、このウエハ取り付け治具がホルダーにより保持されて溶剤槽内の有機溶剤に浸漬されていた。そして、有機溶剤が貫通穴から侵入して接着剤を溶解することにより、ウエハはウエハ取り付け治具から剥がれ、剥がれたウエハはホルダー底部に受け止められるようになっていた。(例えば、特許文献1参照)   In a conventional wafer peeling apparatus, a wafer is affixed on a wafer attachment jig which is a wafer holding member having a plurality of through holes, and this wafer attachment jig is held by a holder and immersed in an organic solvent in a solvent tank. It was. Then, when the organic solvent enters from the through hole and dissolves the adhesive, the wafer is peeled off from the wafer mounting jig, and the peeled wafer is received on the bottom of the holder. (For example, see Patent Document 1)

特開平5−82491号公報(第2〜3頁、図1)Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-82491 (pages 2 and 3, FIG. 1)

このようなウエハ剥がし装置にあっては、ウエハの剥離に要する時間は有機溶剤が接着剤を溶解する速さに依存するため、ウエハ保持部材の貫通穴の数を増やして有機溶剤と接着剤との接触面積を大きくすることによりウエハの剥離に要する時間を短縮することができる。しかし、ウエハ保持部材の強度やコストの観点から貫通穴の数を容易に増やすことができないため、ウエハの剥離に要する時間を短縮することが困難であるという問題点があった。   In such a wafer peeling apparatus, since the time required for peeling the wafer depends on the speed at which the organic solvent dissolves the adhesive, the number of through holes in the wafer holding member is increased to increase the number of the organic solvent and the adhesive. By increasing the contact area, the time required for peeling the wafer can be shortened. However, since the number of through holes cannot be easily increased from the viewpoint of the strength and cost of the wafer holding member, there is a problem that it is difficult to shorten the time required for peeling the wafer.

この発明は、上述のような問題を解決するためになされたもので、ウエハ保持部材からウエハを剥離するために要する時間を短縮できるウエハ剥がし方法およびウエハ剥がし装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a wafer peeling method and a wafer peeling apparatus that can reduce the time required for peeling the wafer from the wafer holding member.

この発明に係るウエハ剥がし方法は、溶剤中でウエハにウエハ保持部材から剥がれる方向の力を加える押圧工程を備えたものである。   The wafer peeling method according to the present invention includes a pressing step of applying a force in the direction of peeling from the wafer holding member to the wafer in a solvent.

また、この発明に係るウエハ剥がし装置は、溶剤中でウエハにウエハ保持部材から剥がれる方向の力を加えるウエハ剥離治具を備えたものである。   In addition, the wafer peeling apparatus according to the present invention includes a wafer peeling jig that applies a force in a direction to peel the wafer from the wafer holding member in a solvent.

この発明に係るウエハ剥がし方法によれば、溶剤中でウエハにウエハ保持部材から剥がれる方向の力を加える押圧工程を備えたことにより、ウエハとウエハ保持部材との間への溶剤の侵入が促進され、ウエハ保持部材からウエハを剥離するために要する時間を短縮できる。   According to the wafer peeling method of the present invention, since the pressing process for applying a force in the direction of peeling the wafer from the wafer holding member in the solvent is provided, the penetration of the solvent between the wafer and the wafer holding member is promoted. The time required for peeling the wafer from the wafer holding member can be shortened.

また、この発明に係るウエハ剥がし装置によれば、溶剤中でウエハにウエハ保持部材から剥がれる方向の力を加えるウエハ剥離治具を備えたことにより、ウエハとウエハ保持部材との間への溶剤の侵入が促進され、ウエハ保持部材からウエハを剥離するために要する時間を短縮できる。   In addition, according to the wafer peeling apparatus of the present invention, by providing a wafer peeling jig that applies a force in the direction of peeling from the wafer holding member to the wafer in the solvent, the solvent can be removed between the wafer and the wafer holding member. Intrusion is promoted, and the time required for peeling the wafer from the wafer holding member can be shortened.

この発明の実施の形態1におけるウエハ剥がし装置を示す側断面図である。It is a sectional side view which shows the wafer peeling apparatus in Embodiment 1 of this invention. この発明の実施の形態1におけるウエハがウエハ保持基板に貼り付けられた様子を示す図であり、(a)はウエハ保持基板6側から見た正面図、(b)は(a)のA−A断面図である。It is a figure which shows a mode that the wafer in Embodiment 1 of this invention was affixed on the wafer holding substrate, (a) is the front view seen from the wafer holding substrate 6, (b) is A- of (a). It is A sectional drawing. この発明の実施の形態1におけるウエハ剥離治具を示す図であり、(a)はウエハ剥離治具の上面図、(b)はウエハ剥離治具とウエハおよびウエハ保持基板との位置関係を示す断面図である。It is a figure which shows the wafer peeling jig | tool in Embodiment 1 of this invention, (a) is a top view of a wafer peeling jig, (b) shows the positional relationship of a wafer peeling jig, a wafer, and a wafer holding substrate. It is sectional drawing. この発明の実施の形態1におけるウエハ剥がし方法の各工程を示す図である。It is a figure which shows each process of the wafer peeling method in Embodiment 1 of this invention. この発明の実施の形態2におけるウエハ剥がし装置を示す側断面図である。It is a sectional side view which shows the wafer peeling apparatus in Embodiment 2 of this invention. この発明の実施の形態2におけるウエハ剥離治具とウエハおよびウエハ保持基板との位置関係を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the positional relationship of the wafer peeling jig | tool, a wafer, and a wafer holding substrate in Embodiment 2 of this invention. この発明の実施の形態2における支持収納治具を示す図であり、(a)は支持収納治具の上面図、(b)は支持収納治具とウエハおよびウエハ保持基板との位置関係を示す断面図である。It is a figure which shows the support storage jig in Embodiment 2 of this invention, (a) is a top view of a support storage jig, (b) shows the positional relationship of a support storage jig, a wafer, and a wafer holding substrate. It is sectional drawing. この発明の実施の形態2におけるウエハ剥がし方法の各工程を示す図である。It is a figure which shows each process of the wafer peeling method in Embodiment 2 of this invention. この発明の実施の形態3におけるウエハ剥がし装置を示す側断面図である。It is a sectional side view which shows the wafer peeling apparatus in Embodiment 3 of this invention. この発明の実施の形態3におけるウエハ剥がし方法における給液工程を示す図である。It is a figure which shows the liquid supply process in the wafer peeling method in Embodiment 3 of this invention. この発明の実施の形態3におけるウエハ剥がし方法における排液工程と、排液工程後の給液工程とを示す図である。It is a figure which shows the draining process in the wafer peeling method in Embodiment 3 of this invention, and the liquid supply process after a draining process.

実施の形態1.
まず、この発明の実施の形態1におけるウエハ剥がし装置1aの全体構成を説明する。図1は、この発明の実施の形態1におけるウエハ剥がし装置1aを示す側断面図である。
Embodiment 1 FIG.
First, the overall configuration of the wafer peeling apparatus 1a according to Embodiment 1 of the present invention will be described. 1 is a side sectional view showing a wafer peeling apparatus 1a according to Embodiment 1 of the present invention.

図1において、ウエハ2は接着剤3を介してウエハ保持基板6上に貼り付けられている。有機溶剤7が収容された溶剤槽8aの底部にはウエハ剥離治具11が設置され、ウエハ2が貼り付けられたウエハ保持基板6およびウエハ剥離治具11は、有機溶剤7中に浸漬されている。また、溶剤槽8aはホットプレート(図示せず)上に載置され、接着剤3が溶解し易いように、有機溶剤7の温度が80℃程度になるように加熱されている。   In FIG. 1, a wafer 2 is bonded on a wafer holding substrate 6 with an adhesive 3. A wafer peeling jig 11 is installed at the bottom of the solvent tank 8a containing the organic solvent 7, and the wafer holding substrate 6 and the wafer peeling jig 11 to which the wafer 2 is attached are immersed in the organic solvent 7. Yes. The solvent tank 8a is placed on a hot plate (not shown) and heated so that the temperature of the organic solvent 7 is about 80 ° C. so that the adhesive 3 is easily dissolved.

有機溶剤7としては、例えばイソプロピルアルコールやアセトンなど、接着剤3を溶解できるものが用いられる。   As the organic solvent 7, what can melt | dissolve the adhesive agent 3, such as isopropyl alcohol and acetone, for example is used.

溶剤槽8aは、内部に有機溶剤7を収容したときに、ウエハ2が貼り付けられたウエハ保持基板6およびウエハ剥離治具11を有機溶剤7中に浸漬するために充分な大きさを持つ。材質としては、例えば石英やサファイア、ポリテトラフルオロエチレンなどのように有機溶剤7と熱に対して強いものがよく、透明である石英を用いるのがよい。   The solvent tank 8 a has a size sufficient for immersing the wafer holding substrate 6 and the wafer peeling jig 11 on which the wafer 2 is attached in the organic solvent 7 when the organic solvent 7 is accommodated therein. As a material, for example, quartz, sapphire, polytetrafluoroethylene, or the like that is resistant to the organic solvent 7 and heat is preferable, and transparent quartz is preferably used.

次に、ウエハ2およびウエハ保持基板6について説明する。図2は、この発明の実施の形態1におけるウエハ2がウエハ保持基板6に貼り付けられた様子を示す図であり、(a)はウエハ保持基板6側から見た正面図、(b)は(a)のA−A断面図である。図2において、ウエハ2の表面12に接着剤3を介してウエハ保持基板6が貼り付けられている。   Next, the wafer 2 and the wafer holding substrate 6 will be described. 2A and 2B are views showing a state in which the wafer 2 in the first embodiment of the present invention is attached to the wafer holding substrate 6. FIG. 2A is a front view seen from the wafer holding substrate 6 side, and FIG. It is AA sectional drawing of (a). In FIG. 2, a wafer holding substrate 6 is attached to the surface 12 of the wafer 2 with an adhesive 3 interposed therebetween.

図2において、ウエハ2は、例えばGaAs、SiC、GaN、Si、InPなどのような半導体基板であり、表面12にデバイスが作製されている。表面12にデバイスを作製した後、ウエハの裏面13が研削されてウエハ2の薄肉化が行われるが、この研削の際にウエハ2が割れることや、デバイスが作製された表面12に傷がつくことを防ぐために、表面12にウエハ保持基板6が取り付けられる。また、表面12のうち、ウエハ2の外周から1〜5mm程度の幅の外周部16にはデバイスは形成されず、外周部16より内側のデバイス部17にデバイスが形成されている。   In FIG. 2, a wafer 2 is a semiconductor substrate such as GaAs, SiC, GaN, Si, InP, etc., and a device is formed on the surface 12. After the device is fabricated on the front surface 12, the back surface 13 of the wafer is ground to reduce the thickness of the wafer 2. However, the wafer 2 is cracked during the grinding or the surface 12 on which the device is fabricated is damaged. In order to prevent this, the wafer holding substrate 6 is attached to the surface 12. Further, on the surface 12, no device is formed in the outer peripheral portion 16 having a width of about 1 to 5 mm from the outer periphery of the wafer 2, and the device is formed in the device portion 17 inside the outer peripheral portion 16.

ウエハ2とウエハ保持基板6との貼り付けに用いる接着剤3としては、デバイスに対して影響を与えず、かつ、有機溶剤7によって溶解するもの、例えばワックスやレジストなどが用いられる。また、ウエハ2とウエハ保持基板6とを貼り付ける際にウエハ2の表面12に傷がつくことを防ぐために、予め表面12にレジスト層をスピン塗布などにより形成しておいて、その後接着剤3でウエハ保持基板6と貼り付けてもよい。   As the adhesive 3 used for bonding the wafer 2 and the wafer holding substrate 6, an adhesive that does not affect the device and dissolves with the organic solvent 7, such as wax or resist, is used. Further, in order to prevent the surface 12 of the wafer 2 from being damaged when the wafer 2 and the wafer holding substrate 6 are attached, a resist layer is formed on the surface 12 by spin coating in advance, and then the adhesive 3 is applied. The wafer holding substrate 6 may be attached.

ウエハ保持基板6は、ウエハ2が貼り付けられる部位に貫通穴18を有している。この貫通穴18から有機溶剤7が入り込んで接着剤7を溶解することとなるため、ウエハ保持基板6の強度や作製コスト等を考慮してできるだけ多くの貫通穴18を形成することが望ましい。図2においては、ウエハ2の形状に合わせて円状に等間隔に13個の貫通穴18を配置しているが、貫通穴18の個数および配置は、これに限ることは無い。さらに、図2において、最外周に位置する8個の貫通穴18は、ウエハ2が貼り付けられたときにウエハ2のデバイスが作製されていない部分である外周部16に接するように形成されている。   The wafer holding substrate 6 has a through hole 18 at a portion where the wafer 2 is attached. Since the organic solvent 7 enters through the through holes 18 and dissolves the adhesive 7, it is desirable to form as many through holes 18 as possible in consideration of the strength of the wafer holding substrate 6, production costs, and the like. In FIG. 2, thirteen through holes 18 are arranged at equal intervals in a circular shape in accordance with the shape of the wafer 2, but the number and arrangement of the through holes 18 are not limited to this. Further, in FIG. 2, the eight through holes 18 positioned on the outermost periphery are formed so as to be in contact with the outer peripheral portion 16 which is a portion where the device of the wafer 2 is not manufactured when the wafer 2 is attached. Yes.

ウエハ保持基板6の材質としては、有機溶剤7と熱に対して強いものが望ましく、ウエハ2と貼り付けられるので熱膨張率が小さいものが望ましい。このため、例えば石英やサファイアなどが用いられる。また、ウエハ保持基板6は、ウエハ2の研削の際にウエハ2に割れや傷が生じないように保護するために取り付けるものであるため、寸法は、ウエハ2の寸法と同じ、またはウエハ2より大きくする必要がある。そして、ウエハ2がウエハ保持基板6の外側にはみ出さないようにウエハ保持基板6に取り付けられる。   The material of the wafer holding substrate 6 is preferably a material that is strong against the organic solvent 7 and heat, and is preferably a material that has a low coefficient of thermal expansion because it is attached to the wafer 2. For this reason, for example, quartz or sapphire is used. Further, since the wafer holding substrate 6 is attached to protect the wafer 2 from being cracked or scratched during grinding of the wafer 2, the dimensions are the same as the dimensions of the wafer 2 or from the wafer 2. It needs to be bigger. Then, the wafer 2 is attached to the wafer holding substrate 6 so as not to protrude outside the wafer holding substrate 6.

尚、ここでは、ウエハ保持基板6の方がウエハ2より大きい場合を例に説明する。例えば直径4インチのウエハ2を用いる場合は、ウエハ保持基板6の直径は5インチ程度であることが望ましい。また、図2においては、ウエハ2のオリエンテーションフラットに合わせて、ウエハ保持基板6も円形で直線部分を有する形状としたが、これに限ることは無く、直線部分を有さない通常の円形でもよいし、さらには多角形でもよい。   Here, a case where the wafer holding substrate 6 is larger than the wafer 2 will be described as an example. For example, when a wafer 2 having a diameter of 4 inches is used, the diameter of the wafer holding substrate 6 is preferably about 5 inches. In FIG. 2, the wafer holding substrate 6 is also circular and has a straight portion in accordance with the orientation flat of the wafer 2. However, the present invention is not limited to this and may be a normal circle having no straight portion. Furthermore, it may be a polygon.

次に、ウエハ剥離治具11について説明する。図3は、この発明の実施の形態1におけるウエハ剥離治具11を示す図であり、(a)はウエハ剥離治具11の上面図、(b)はウエハ剥離治具11とウエハ2およびウエハ保持基板6との位置関係を示す断面図である。   Next, the wafer peeling jig 11 will be described. 3A and 3B are diagrams showing the wafer peeling jig 11 according to the first embodiment of the present invention, where FIG. 3A is a top view of the wafer peeling jig 11, and FIG. 3B is the wafer peeling jig 11, the wafer 2, and the wafer. It is sectional drawing which shows the positional relationship with the holding substrate.

図3において、ウエハ剥離治具11は、突起棒21を有し、この突起棒21が上方を向くように設置される。突起棒21は、ウエハ保持基板6の貫通穴18の径よりも細く形成されており、貫通穴18を通してウエハ2を押すことができるようになっている。また、突起棒21は最外周に位置する貫通穴18に対応するように配置されているため、貫通穴18に突起棒21を挿入すると、突起棒21がウエハ2のデバイスが作製されていない部分である外周部16を押すようになっている。   In FIG. 3, the wafer peeling jig 11 has a protruding bar 21 and is installed so that the protruding bar 21 faces upward. The protruding rod 21 is formed to be thinner than the diameter of the through hole 18 of the wafer holding substrate 6 so that the wafer 2 can be pushed through the through hole 18. Further, since the protruding bar 21 is arranged so as to correspond to the through hole 18 located on the outermost periphery, when the protruding bar 21 is inserted into the through hole 18, the protruding bar 21 is a portion where the device of the wafer 2 is not manufactured. The outer peripheral portion 16 is pushed.

尚、図3においては、最外周の8個の貫通穴18に対応して、8本の突起棒21を配置したが、突起棒21の本数は、これに限ることは無い。また、突起棒21の配置は、貫通穴18に対応して配置していれば円状で等間隔である必要は無いが、突起棒21によってウエハ2を均等に押すことができるように、円状に等間隔に配置することが望ましい。   In FIG. 3, eight protruding rods 21 are arranged corresponding to the eight outermost through holes 18, but the number of protruding rods 21 is not limited to this. The protrusions 21 are arranged in circles and do not need to be equally spaced as long as the protrusions 21 are arranged corresponding to the through holes 18. However, the protrusions 21 are arranged so that the wafer 2 can be pressed evenly. It is desirable to arrange them at regular intervals.

また、ウエハ剥離治具11の材質としては、有機溶剤7と熱に強いものがよく、例えば石英やサファイア、ポリテトラフルオロエチレンなどが用いられる。図3においては、ウエハ剥離治具11は円形で、ウエハ保持基板6と同じ大きさの例を示したが、突起棒21を所望の位置に配置できれば、この形状および寸法に限ることは無い。   Further, the material for the wafer peeling jig 11 is preferably a material resistant to the organic solvent 7 and heat, such as quartz, sapphire, and polytetrafluoroethylene. In FIG. 3, the wafer peeling jig 11 is circular and has the same size as the wafer holding substrate 6. However, the shape and size are not limited as long as the protruding bar 21 can be disposed at a desired position.

次に、この発明の実施の形態1におけるウエハ剥がし装置1aを用いたウエハ剥がし方法について説明する。図4は、この発明の実施の形態1におけるウエハ剥がし方法の各工程を示す図である。   Next, a wafer peeling method using the wafer peeling apparatus 1a according to Embodiment 1 of the present invention will be described. FIG. 4 is a diagram showing each step of the wafer peeling method according to Embodiment 1 of the present invention.

まず、浸漬工程について説明する。はじめは、図4(a)に示すように、有機溶剤7を収容した溶剤槽8aの底部に、突起棒21が上方を向くようにウエハ剥離治具11が設置されており、溶剤槽8aはホットプレート(図示せず)によって有機溶剤7の温度が80℃程度になるように加熱されている。そこに、図4(b)に示すように、ウエハ保持基板6よりもウエハ2の方が上側になるようにロボットアーム(図示せず)によってウエハ保持基板6を支持し、ロボットアームを制御して、接着剤3を介してウエハ2が貼り付けられたウエハ保持基板6を有機溶剤7中に浸漬する。そして、図4(c)に示すように、溶剤槽8aの底部に設置されたウエハ剥離治具11の突起棒21が、ウエハ保持基板6の最外周に位置する貫通穴18に入るように引き続きロボットアームによってウエハ保持基板6の位置決めを行い、ウエハ保持基板6を放す。   First, the immersion process will be described. Initially, as shown in FIG. 4A, the wafer peeling jig 11 is installed at the bottom of the solvent tank 8a containing the organic solvent 7 so that the protruding rod 21 faces upward. The temperature of the organic solvent 7 is heated to about 80 ° C. by a hot plate (not shown). 4B, the wafer holding substrate 6 is supported by a robot arm (not shown) so that the wafer 2 is positioned above the wafer holding substrate 6, and the robot arm is controlled. Then, the wafer holding substrate 6 to which the wafer 2 is bonded via the adhesive 3 is immersed in the organic solvent 7. Then, as shown in FIG. 4 (c), the protruding bar 21 of the wafer peeling jig 11 installed at the bottom of the solvent tank 8 a continues so as to enter the through hole 18 located on the outermost periphery of the wafer holding substrate 6. The wafer holding substrate 6 is positioned by the robot arm, and the wafer holding substrate 6 is released.

次に、溶解工程について説明する。図4(b)に示すように有機溶剤7中にウエハ保持基板6が浸漬され、接着剤3に有機溶剤7が接触した時点から接着剤3の溶解が始まる。有機溶剤7はウエハ2の外周部16付近およびウエハ保持基板6の貫通穴18から侵入して接着剤3を溶解し、この溶解工程は接着剤3が完全に溶解するまで続く。   Next, the dissolution process will be described. As shown in FIG. 4B, the dissolution of the adhesive 3 starts when the wafer holding substrate 6 is immersed in the organic solvent 7 and the organic solvent 7 comes into contact with the adhesive 3. The organic solvent 7 enters from the vicinity of the outer peripheral portion 16 of the wafer 2 and the through hole 18 of the wafer holding substrate 6 to dissolve the adhesive 3, and this dissolution process continues until the adhesive 3 is completely dissolved.

次に、押圧工程について説明する。図4(c)に示すようにウエハ剥離治具11の突起棒21がウエハ保持基板6の貫通穴18に入るようにウエハ保持基板6が設置されると、図4(d)に示すように、突起棒21は、貫通穴18を通してウエハ2の外周部16を押し、ウエハ保持基板6よりもウエハ2の方が上側になるように有機溶剤7中でウエハ2を水平に支持する。このとき、ウエハ保持基板6は重力によって下向きの力を受けている。つまり、突起棒21はウエハ2を支持することにより、ウエハ2に対して上向きに、即ち、ウエハ2がウエハ保持基板6から剥がれる方向に力を加えることとなる。突起棒21がウエハ2の外周部16を支持すると、ウエハ保持基板6に働く重力の作用によってウエハ2の外周部16とウエハ保持基板6との間に隙間が生じ、有機溶剤7が侵入し易くなって接着剤3の溶解がさらに進む。   Next, the pressing step will be described. When the wafer holding substrate 6 is installed so that the protruding rod 21 of the wafer peeling jig 11 enters the through hole 18 of the wafer holding substrate 6 as shown in FIG. 4C, as shown in FIG. The protruding rod 21 pushes the outer peripheral portion 16 of the wafer 2 through the through hole 18 and horizontally supports the wafer 2 in the organic solvent 7 so that the wafer 2 is located on the upper side of the wafer holding substrate 6. At this time, the wafer holding substrate 6 receives a downward force due to gravity. In other words, the protruding bar 21 supports the wafer 2 and applies a force upward to the wafer 2, that is, in a direction in which the wafer 2 is peeled off from the wafer holding substrate 6. When the protrusion rod 21 supports the outer peripheral portion 16 of the wafer 2, a gap is generated between the outer peripheral portion 16 of the wafer 2 and the wafer holding substrate 6 due to the action of gravity acting on the wafer holding substrate 6, and the organic solvent 7 is likely to enter. Thus, dissolution of the adhesive 3 further proceeds.

そして、接着剤3の溶解が進むと、図4(e)に示すように、ウエハ2は突起棒21上に支持されたままで、ウエハ保持基板6はウエハ2から剥がれて下に落ちる。接着剤3の溶解が完全に完了した後、ウエハ保持基板6から剥がれて突起棒21上に支持されているウエハ2は、ロボットアームによって有機溶剤7の外に搬出される。以上でウエハ剥がしの工程が完了する。   Then, as the dissolution of the adhesive 3 proceeds, as shown in FIG. 4E, the wafer 2 is supported on the protruding rods 21, and the wafer holding substrate 6 is peeled off from the wafer 2 and falls down. After the dissolution of the adhesive 3 is completely completed, the wafer 2 peeled off from the wafer holding substrate 6 and supported on the protruding rod 21 is carried out of the organic solvent 7 by the robot arm. This completes the wafer peeling process.

ここで、ウエハ2が剥がれて接着剤3が完全に溶解したことは、溶剤槽8aが透明であれば目視で確認できる。また、有機溶剤7への浸漬から接着剤3の溶解完了までに要する時間を予め実験を行って計っておけば、この実験結果をもとに所定時間経過後にウエハ2を取り出せばよい。このようにすれば、溶剤槽8aが透明である必要もない。   Here, the fact that the wafer 2 is peeled and the adhesive 3 is completely dissolved can be visually confirmed if the solvent tank 8a is transparent. If the time required from the immersion in the organic solvent 7 to the completion of dissolution of the adhesive 3 is measured in advance, the wafer 2 may be taken out after a predetermined time based on the result of this experiment. In this way, the solvent tank 8a does not need to be transparent.

そして、突起棒21の長さをウエハ保持基板6の厚さよりも充分長くしておけば、剥がれたウエハ保持基板6を回収することなく、続けて別のウエハ2を剥がす工程に進むことができる。例えば厚さ1mmのウエハ保持基板6に対しては、突起棒21の長さを15mm程度にしておくことが望ましい。複数のウエハ2を剥がし終えた後、ウエハ剥離治具11を溶剤槽8aの外に取り出すことにより、複数のウエハ保持基板6を一度に回収することができる。   If the length of the protruding bar 21 is made sufficiently longer than the thickness of the wafer holding substrate 6, it is possible to proceed to the step of continuously peeling another wafer 2 without collecting the peeled wafer holding substrate 6. . For example, for the wafer holding substrate 6 having a thickness of 1 mm, it is desirable that the length of the protruding bar 21 be about 15 mm. After the plurality of wafers 2 have been peeled off, the plurality of wafer holding substrates 6 can be collected at once by removing the wafer peeling jig 11 from the solvent tank 8a.

この発明の実施の形態1では、以上のような構成としたことにより、ウエハ2とウエハ保持基板6との間への有機溶剤7の侵入が促進され、ウエハ保持基板6からウエハ2を剥離するために要する時間を短縮できるという効果がある。   In the first embodiment of the present invention, with the above configuration, the penetration of the organic solvent 7 between the wafer 2 and the wafer holding substrate 6 is promoted, and the wafer 2 is peeled from the wafer holding substrate 6. Therefore, there is an effect that the time required for this can be shortened.

また、ウエハ保持基板6よりもウエハ2の方が上側になるように、有機溶剤7中でウエハ2をウエハ剥離治具11によって支持したことにより、他の外力を加えなくとも、ウエハ保持基板6に働く重力を利用して、ウエハ保持基板6からウエハ2を剥離するために要する時間を短縮できる。ウエハ保持基板6に働く重力を利用するため、ウエハ保持基板6の厚さや大きさ等を変えて重量を調整することにより、ウエハ2が受けるウエハ保持基板6から剥がれる方向の力の大きさを調整することができる。よって、ウエハ剥離治具11の重量を重くすることにより、ウエハ保持基板6からウエハ2を剥離するために要する時間をさらに短縮できる。さらには、ウエハ保持基板6から剥がれたウエハ2が、ウエハ剥離治具11によって支持されているため、剥離後のウエハ2の取り扱いが容易となり、ロボットアーム等によって取り出すことが容易となる。   Further, since the wafer 2 is supported by the wafer peeling jig 11 in the organic solvent 7 so that the wafer 2 is on the upper side of the wafer holding substrate 6, the wafer holding substrate 6 can be obtained without applying other external force. The time required to peel the wafer 2 from the wafer holding substrate 6 can be shortened by utilizing the gravity acting on the wafer. In order to use the gravity acting on the wafer holding substrate 6, the thickness of the wafer holding substrate 6 is changed and the weight is adjusted to adjust the magnitude of the force that the wafer 2 receives from the wafer holding substrate 6. can do. Therefore, by increasing the weight of the wafer peeling jig 11, the time required for peeling the wafer 2 from the wafer holding substrate 6 can be further shortened. Furthermore, since the wafer 2 peeled off from the wafer holding substrate 6 is supported by the wafer peeling jig 11, the wafer 2 after peeling can be easily handled and taken out by a robot arm or the like.

加えて、ウエハ剥離治具11が、ウエハ保持基板6の貫通穴18を通してウエハ2を押すための突起棒21を備えたことにより、ウエハ2を支持するための装置構成が簡易となる。さらに、剥がれた後のウエハ保持基板6は貫通穴18に突起棒21が入ってウエハ剥離治具11に回収されるため、複数のウエハ2を連続して剥がした場合、ウエハ剥離治具11を溶剤槽8aから取り出すだけで、複数のウエハ保持基板6を一度に溶剤槽8a外へ取り出すことができる。   In addition, since the wafer peeling jig 11 includes the protruding bar 21 for pushing the wafer 2 through the through hole 18 of the wafer holding substrate 6, the apparatus configuration for supporting the wafer 2 is simplified. Furthermore, since the wafer holding substrate 6 after being peeled has a protruding bar 21 in the through hole 18 and is collected by the wafer peeling jig 11, when the plurality of wafers 2 are peeled continuously, the wafer peeling jig 11 is removed. A plurality of wafer holding substrates 6 can be taken out of the solvent tank 8a at a time only by taking out from the solvent tank 8a.

また、ウエハ2の外周部16を突起棒21で支持することにより、デバイス部17に作製されたデバイスに損傷を与えること無くウエハ2を剥がすことができる。さらに、外周部16を支持することによって、ウエハ2の内側を支持する場合と比べて、ウエハ2とウエハ保持基板6との間への有機溶剤7の侵入をより促進できるため、ウエハ保持基板6からウエハ2を剥離するために要する時間をさらに短縮できる。   Further, by supporting the outer peripheral portion 16 of the wafer 2 with the protruding rod 21, the wafer 2 can be peeled off without damaging the device manufactured in the device portion 17. Furthermore, since the outer peripheral portion 16 is supported, the penetration of the organic solvent 7 between the wafer 2 and the wafer holding substrate 6 can be further promoted compared to the case where the inner side of the wafer 2 is supported. The time required for peeling the wafer 2 from the wafer can be further shortened.

尚、この発明の実施の形態1では、溶剤槽8aの底部に突起棒21が上方を向くようにウエハ剥離治具11を設置し、この突起棒21によって、ウエハ保持基板6の貫通穴18を通してウエハ2の下側からウエハ2を支持した。しかし、ウエハ剥離治具11の形態およびウエハ2を支持する方法はこれに限ることは無く、ウエハ2の上側から、即ちウエハ2の裏面13側からウエハ2を例えば吸引などによって支持してもよいし、ウエハ2の側面からウエハ2を挟むようにして支持してもよい。さらには、ウエハ2の外周部16の接着剤3が溶解した後に、接着剤3の溶解によって生じた隙間に例えば板状の部材を挿入してウエハ2を支持してもよい。ただし、ウエハ2を支持する際は、ウエハ2に損傷を与えないようにする必要がある。   In the first embodiment of the present invention, the wafer peeling jig 11 is installed at the bottom of the solvent tank 8a so that the protruding bar 21 faces upward, and the protruding bar 21 passes through the through hole 18 of the wafer holding substrate 6. The wafer 2 was supported from the lower side of the wafer 2. However, the form of the wafer peeling jig 11 and the method for supporting the wafer 2 are not limited to this, and the wafer 2 may be supported from the upper side of the wafer 2, that is, from the back surface 13 side of the wafer 2 by suction or the like. However, the wafer 2 may be supported by being sandwiched from the side surface of the wafer 2. Further, after the adhesive 3 on the outer peripheral portion 16 of the wafer 2 is dissolved, for example, a plate-like member may be inserted into the gap generated by the dissolution of the adhesive 3 to support the wafer 2. However, when supporting the wafer 2, it is necessary not to damage the wafer 2.

また、この発明の実施の形態1では、ウエハ2をウエハ剥離治具11によって支持することにより、ウエハ保持基板6に働く重力を利用した。しかし、ウエハ保持基板6に、ウエハ2から剥がれる方向の重力以外の外力を加えてもよい。こうすることで、ウエハ保持基板6からウエハ2を剥離するために要する時間をさらに短縮できる。ただし、加える外力の大きさはウエハ2に損傷を与えない程度にする必要がある。   In the first embodiment of the present invention, the gravity acting on the wafer holding substrate 6 is utilized by supporting the wafer 2 by the wafer peeling jig 11. However, an external force other than gravity in the direction of peeling from the wafer 2 may be applied to the wafer holding substrate 6. By doing so, the time required to peel the wafer 2 from the wafer holding substrate 6 can be further shortened. However, the magnitude of the external force to be applied needs to be such that the wafer 2 is not damaged.

この発明の実施の形態1では、ウエハ剥離治具11を溶剤槽8aの底部に設置したが、側壁部に固定して設置してもよい。さらに、ウエハ2を水平に支持するようにウエハ剥離治具11を設置したが、必ずしもウエハ2を水平に支持する必要はなく、斜めに傾いて支持してもよい。   In Embodiment 1 of the present invention, the wafer peeling jig 11 is installed at the bottom of the solvent tank 8a, but it may be installed fixed to the side wall. Furthermore, although the wafer peeling jig 11 is installed so as to support the wafer 2 horizontally, it is not always necessary to support the wafer 2 horizontally, and it may be supported obliquely.

尚、この発明の実施の形態1では、平板状のウエハ保持基板6に接着剤3を介して貼り付けられたウエハ2を剥がす場合について説明したが、ウエハ2を保持する部材としては板状のものに限ることはなく、他の形状であっても同様の効果が得られる。   In the first embodiment of the present invention, the case where the wafer 2 attached to the flat wafer holding substrate 6 via the adhesive 3 is peeled off has been described. However, the member for holding the wafer 2 is a plate-like member. It is not restricted to a thing, The same effect is acquired even if it is another shape.

実施の形態2.
図5は、この発明の実施の形態2におけるウエハ剥がし装置1bを示す側断面図である。図5において、図1と同じ符号を付けたものは、同一または相当の構成を示しており、その説明を省略する。この発明の実施の形態1とは、ウエハ保持基板6よりもウエハ2の方が下側になるように有機溶剤7中でウエハ保持基板6を支持し、かつ、剥離後のウエハ2を支持する支持収納治具22を溶剤槽8aの底部に設置し、ウエハ剥離治具11をウエハ2の上側からウエハ2を押せるように設置した構成が相違している。
Embodiment 2. FIG.
FIG. 5 is a side sectional view showing a wafer peeling apparatus 1b according to Embodiment 2 of the present invention. In FIG. 5, the same reference numerals as those in FIG. 1 denote the same or corresponding components, and the description thereof is omitted. In the first embodiment of the present invention, the wafer holding substrate 6 is supported in the organic solvent 7 so that the wafer 2 is lower than the wafer holding substrate 6, and the wafer 2 after peeling is supported. The configuration is different in that the support storage jig 22 is installed at the bottom of the solvent tank 8 a and the wafer peeling jig 11 is installed so that the wafer 2 can be pushed from above the wafer 2.

次に、ウエハ剥離治具11とウエハ2およびウエハ保持基板6との位置関係について説明する。図6は、この発明の実施の形態2におけるウエハ剥離治具11とウエハ2およびウエハ保持基板6との位置関係を示す断面図である。図6において、図3(b)と同じ符号を付けたものは、同一または相当の構成を示しており、その説明を省略する。   Next, the positional relationship between the wafer peeling jig 11, the wafer 2, and the wafer holding substrate 6 will be described. FIG. 6 is a cross-sectional view showing the positional relationship between wafer peeling jig 11, wafer 2 and wafer holding substrate 6 in the second embodiment of the present invention. In FIG. 6, the same reference numerals as those in FIG. 3B denote the same or corresponding components, and the description thereof is omitted.

図6において、ウエハ剥離治具11は突起棒21が下方を向くようにウエハ2の上側に設置され、突起棒21によってウエハ保持基板6の貫通穴18を通してウエハ2の外周部16を押すことができるようになっている。つまり、図3(b)とは、天地が逆転している点のみが相違している。   In FIG. 6, the wafer peeling jig 11 is installed on the upper side of the wafer 2 so that the protruding bar 21 faces downward, and the protruding bar 21 can push the outer peripheral portion 16 of the wafer 2 through the through hole 18 of the wafer holding substrate 6. It can be done. That is, it differs from FIG. 3B only in that the top and bottom are reversed.

次に、支持収納治具22について説明する。図7は、この発明の実施の形態2における支持収納治具22を示す図であり、(a)は支持収納治具22の上面図、(b)は支持収納治具22とウエハ2およびウエハ保持基板6との位置関係を示す断面図である。   Next, the support storage jig 22 will be described. FIGS. 7A and 7B are views showing the support storage jig 22 according to Embodiment 2 of the present invention, in which FIG. 7A is a top view of the support storage jig 22, and FIG. 7B is the support storage jig 22, the wafer 2, and the wafer. It is sectional drawing which shows the positional relationship with the holding substrate.

図7において、支持収納治具22は、支持棒23および収納棒26を有し、これら支持棒23および収納棒26が共に上方を向くように設置される。支持棒23は、ウエハ保持基板6よりもウエハ2の方が下側になるように有機溶剤7中でウエハ保持基板6を支持するものであり、ウエハ保持基板6のウエハ2が貼り付けられた部位よりも外側の部位を支持するように配置されている。また、収納棒26は、ウエハ保持基板6が支持棒23によって支持された状態でウエハ2がウエハ保持基板6から剥がれて下方に落ちたときに、剥がれたウエハ2を支持できるように、支持棒23の内側に配置され、支持棒23の長さよりも短くしている。   In FIG. 7, the support storage jig 22 has a support bar 23 and a storage bar 26, and the support bar 23 and the storage bar 26 are both installed so as to face upward. The support rod 23 supports the wafer holding substrate 6 in the organic solvent 7 so that the wafer 2 is located below the wafer holding substrate 6, and the wafer 2 of the wafer holding substrate 6 is attached thereto. It arrange | positions so that the site | part outside a site | part may be supported. Also, the storage bar 26 is a support bar that can support the peeled wafer 2 when the wafer 2 is peeled off from the wafer holding board 6 with the wafer holding board 6 supported by the support bar 23 and dropped downward. It is arranged inside 23 and is shorter than the length of the support bar 23.

尚、図7においては、8本の収納棒26を円状に等間隔に配置し、収納棒26の外側に4本の支持棒23を同じく円状に等間隔に配置したが、支持棒23および収納棒26の本数は、これに限ることは無い。また、支持棒23および収納棒26の配置についても円状で等間隔である必要は無いが、支持棒23および収納棒26によってウエハ保持基板6およびウエハ2を均等に押すことができるように、円状に等間隔に配置することが望ましい。   In FIG. 7, eight storage rods 26 are arranged in a circle at regular intervals, and four support rods 23 are similarly arranged in a circle at regular intervals on the outside of the storage rod 26. The number of storage bars 26 is not limited to this. Further, the arrangement of the support rods 23 and the storage rods 26 is not necessarily circular and equally spaced, but the wafer holding substrate 6 and the wafer 2 can be evenly pushed by the support rods 23 and the storage rods 26. It is desirable to arrange them at equal intervals in a circular shape.

また、支持収納治具22の材質としては、有機溶剤7と熱に強いものがよく、例えば石英やサファイア、ポリテトラフルオロエチレンなどが用いられる。図7においては、支持収納治具22は円形で、ウエハ保持基板6と同じ大きさの例を示したが、支持棒23および収納棒26を所望の位置に配置できれば、この形状および寸法に限ることは無い。   Moreover, as a material of the support storage jig 22, a material resistant to the organic solvent 7 and heat is preferable, and for example, quartz, sapphire, polytetrafluoroethylene or the like is used. In FIG. 7, the support storage jig 22 is circular and has the same size as the wafer holding substrate 6. However, if the support bar 23 and the storage bar 26 can be arranged at desired positions, the shape and size are limited. There is nothing.

次に、この発明の実施の形態2におけるウエハ剥がし装置1bを用いたウエハ剥がし方法について説明する。図8は、この発明の実施の形態2におけるウエハ剥がし方法の各工程を示す図である。   Next, a wafer peeling method using the wafer peeling apparatus 1b in Embodiment 2 of the present invention will be described. FIG. 8 shows each step of the wafer peeling method according to Embodiment 2 of the present invention.

まず、浸漬工程について説明する。はじめは、図8(a)に示すように、有機溶剤7を収容した溶剤槽8aの底部に、支持棒23および収納棒26が上方を向くように支持収納治具22が設置されており、溶剤槽8aはホットプレート(図示せず)によって有機溶剤7の温度が80℃程度になるように加熱されている。そこに、図8(b)に示すように、ウエハ保持基板6よりもウエハ2の方が下側になるようにロボットアーム(図示せず)によってウエハ保持基板6を支持し、ロボットアームを制御して、接着剤3を介してウエハ2が貼り付けられたウエハ保持基板6を有機溶剤7中に浸漬する。そして、図8(c)に示すように、溶剤槽8aの底部に設置された支持収納治具22の支持棒23がウエハ保持基板6を支持するように、かつ、剥離後のウエハ2を収納棒26が支持できるように引き続きロボットアームによってウエハ保持基板6の位置決めを行い、ウエハ保持基板6を放す。   First, the immersion process will be described. Initially, as shown in FIG. 8 (a), the support storage jig 22 is installed at the bottom of the solvent tank 8a containing the organic solvent 7 so that the support bar 23 and the storage bar 26 face upward. The solvent tank 8a is heated by a hot plate (not shown) so that the temperature of the organic solvent 7 is about 80 ° C. Then, as shown in FIG. 8B, the wafer holding substrate 6 is supported by a robot arm (not shown) so that the wafer 2 is lower than the wafer holding substrate 6, and the robot arm is controlled. Then, the wafer holding substrate 6 to which the wafer 2 is attached via the adhesive 3 is immersed in the organic solvent 7. Then, as shown in FIG. 8C, the wafer 2 after peeling is stored so that the support rod 23 of the support storage jig 22 installed at the bottom of the solvent tank 8a supports the wafer holding substrate 6. The wafer holding substrate 6 is continuously positioned by the robot arm so that the rod 26 can be supported, and the wafer holding substrate 6 is released.

次に、溶解工程について説明する。図8(b)に示すように有機溶剤7中にウエハ保持基板6が浸漬され、接着剤3に有機溶剤7が接触した時点から接着剤3の溶解が始まる。有機溶剤7はウエハ2の外周部16付近およびウエハ保持基板6の貫通穴18から侵入して接着剤3を溶解し、この溶解工程は接着剤3が完全に溶解するまで続く。   Next, the dissolution process will be described. As shown in FIG. 8B, the dissolution of the adhesive 3 starts when the wafer holding substrate 6 is immersed in the organic solvent 7 and the organic solvent 7 comes into contact with the adhesive 3. The organic solvent 7 enters from the vicinity of the outer peripheral portion 16 of the wafer 2 and the through hole 18 of the wafer holding substrate 6 to dissolve the adhesive 3, and this dissolution process continues until the adhesive 3 is completely dissolved.

次に、押圧工程について説明する。ロボットアームから離れたウエハ保持基板6は、図8(c)に示すようにウエハ保持基板6よりもウエハ2の方が下側になるように有機溶剤7中で支持収納治具22の支持棒23によってウエハ保持基板6が支持される。   Next, the pressing step will be described. As shown in FIG. 8C, the wafer holding substrate 6 separated from the robot arm is supported by the support holding jig 22 in the organic solvent 7 so that the wafer 2 is located below the wafer holding substrate 6. The wafer holding substrate 6 is supported by 23.

そして、図8(d)に示すように、ロボットアームによってウエハ剥離治具11を突起棒21が下方を向くように支持し、突起棒21が貫通穴18の位置と合うように位置決めした後、ウエハ剥離治具11を放す。   Then, as shown in FIG. 8D, after the wafer peeling jig 11 is supported by the robot arm so that the protruding bar 21 faces downward, and positioned so that the protruding bar 21 matches the position of the through hole 18, The wafer peeling jig 11 is released.

すると、図8(e)に示すように、ウエハ剥離治具11は、重力によって下向きの力を受けるので、突起棒21が貫通穴18を通してウエハ2の外周部16を押すこととなる。つまり、突起棒21はウエハ2に対して下向きに、即ち、ウエハ2がウエハ保持基板6から剥がれる方向に力を加えている。ウエハ剥離治具11に働く重力の作用により突起棒21がウエハ2の外周部16を押すと、ウエハ2の外周部16とウエハ保持基板6との間に隙間が生じ、有機溶剤7が侵入し易くなって接着剤3の溶解がさらに進む。   Then, as shown in FIG. 8 (e), the wafer peeling jig 11 receives a downward force due to gravity, so that the protruding bar 21 pushes the outer peripheral portion 16 of the wafer 2 through the through hole 18. That is, the protruding bar 21 applies a force downward with respect to the wafer 2, that is, in a direction in which the wafer 2 is peeled off from the wafer holding substrate 6. When the protruding rod 21 presses the outer peripheral portion 16 of the wafer 2 by the action of gravity acting on the wafer peeling jig 11, a gap is generated between the outer peripheral portion 16 of the wafer 2 and the wafer holding substrate 6, and the organic solvent 7 enters. It becomes easy to dissolve the adhesive 3 further.

尚、ウエハ剥離治具11の厚さや大きさ等を変えて重量を調整することにより、またはウエハ剥離治具11に重りを取り付けることによって、突起棒21からウエハ2に働く力の大きさを調整することができる。   The amount of force acting on the wafer 2 from the protruding bar 21 is adjusted by adjusting the weight by changing the thickness or size of the wafer peeling jig 11 or by attaching a weight to the wafer peeling jig 11. can do.

次に、収納工程について説明する。接着剤3の溶解が進むと、図8(f)に示すように、ウエハ2はウエハ保持基板6から剥がれて下に落ち、収納棒26によって支持される。   Next, the storage process will be described. When dissolution of the adhesive 3 proceeds, the wafer 2 is peeled off from the wafer holding substrate 6 and dropped downward as shown in FIG.

接着剤3の溶解が完全に完了した後、ウエハ保持基板6から剥がれて収納棒26上に支持されているウエハ2は、ロボットアームによって有機溶剤7の外に搬出され、ウエハ剥離治具11およびウエハ保持基板6もロボットアームによって搬出される。以上でウエハ剥がしの工程が完了する。   After the dissolution of the adhesive 3 is completely completed, the wafer 2 peeled off from the wafer holding substrate 6 and supported on the storage rod 26 is carried out of the organic solvent 7 by the robot arm, and the wafer peeling jig 11 and The wafer holding substrate 6 is also carried out by the robot arm. This completes the wafer peeling process.

この発明の実施の形態2では、以上のような構成としたことにより、ウエハ2とウエハ保持基板6との間への有機溶剤7の侵入が促進され、ウエハ保持基板6からウエハ2を剥離するために要する時間を短縮できるという効果がある。   In the second embodiment of the present invention, with the above configuration, the penetration of the organic solvent 7 between the wafer 2 and the wafer holding substrate 6 is promoted, and the wafer 2 is peeled from the wafer holding substrate 6. Therefore, there is an effect that the time required for this can be shortened.

また、ウエハ保持基板6よりもウエハ2の方が下側になるように有機溶剤7中でウエハ2を支持収納治具22の支持棒23によって支持し、ウエハの上側からウエハ剥離治具11でウエハ2を押すようにしたことにより、他の外力を加えなくとも、ウエハ剥離治具11に働く重力を利用することができ、ウエハ保持基板6からウエハ2を剥離するために要する時間を短縮できる。さらに、ウエハ剥離治具11の重量を調整することによって、ウエハ2が受けるウエハ保持基板6から剥がれる方向の力の大きさを容易に調整することができる。よって、ウエハ剥離治具11の重量を重くすることにより、ウエハ保持基板6からウエハ2を剥離するために要する時間をさらに短縮できる。   Further, the wafer 2 is supported by the support rod 23 of the support storage jig 22 in the organic solvent 7 so that the wafer 2 is lower than the wafer holding substrate 6, and the wafer peeling jig 11 is used from above the wafer. Since the wafer 2 is pushed, the gravity acting on the wafer peeling jig 11 can be used without applying other external force, and the time required for peeling the wafer 2 from the wafer holding substrate 6 can be shortened. . Furthermore, by adjusting the weight of the wafer peeling jig 11, the magnitude of the force in the direction of peeling from the wafer holding substrate 6 received by the wafer 2 can be easily adjusted. Therefore, by increasing the weight of the wafer peeling jig 11, the time required for peeling the wafer 2 from the wafer holding substrate 6 can be further shortened.

ウエハ2が剥がれた後のウエハ保持基板6は支持収納治具22の支持棒23上に支持されており、ウエハ剥離治具11は貫通穴18に突起棒21が入ってウエハ保持基板6上に載っているため、ロボットアーム等によって容易にウエハ保持基板6とウエハ剥離治具11とを同時に取り出すことができる。   After the wafer 2 is peeled off, the wafer holding substrate 6 is supported on the support rod 23 of the support storage jig 22, and the wafer peeling jig 11 is formed on the wafer holding substrate 6 with the protruding rod 21 in the through hole 18. Therefore, the wafer holding substrate 6 and the wafer peeling jig 11 can be easily taken out simultaneously by a robot arm or the like.

加えて、ウエハ保持基板6から剥がれたウエハ2を支持する支持収納治具22の収納棒26を備えたことにより、剥離後のウエハ2の取り扱いが容易となり、ロボットアーム等によって取り出すことが容易となる。   In addition, since the storage rod 26 of the support storage jig 22 that supports the wafer 2 peeled off from the wafer holding substrate 6 is provided, handling of the wafer 2 after peeling becomes easy, and it can be easily taken out by a robot arm or the like. Become.

また、ウエハ2の外周部16を突起棒21で押すことにより、デバイス部17に作製されたデバイスに損傷を与えること無くウエハ2を剥がすことができる。さらに、外周部16を押すことによって、ウエハ2の内側を押す場合と比べて、ウエハ2とウエハ保持基板6との間への有機溶剤7の侵入をより促進できるため、ウエハ保持基板6からウエハ2を剥離するために要する時間をさらに短縮できる。   Further, by pressing the outer peripheral portion 16 of the wafer 2 with the protruding rod 21, the wafer 2 can be peeled without damaging the device manufactured in the device portion 17. Further, by pushing the outer peripheral portion 16, the penetration of the organic solvent 7 between the wafer 2 and the wafer holding substrate 6 can be further promoted compared with the case where the inner side of the wafer 2 is pushed. The time required for peeling 2 can be further shortened.

尚、この発明の実施の形態2では、ウエハ保持基板6を支持する支持棒23および剥離後のウエハ2を支持する収納棒26を有する支持収納治具22を設置した。しかし、ウエハ保持基板6を支持する支持治具と、剥離後のウエハ2を支持するウエハ収納治具とを別々に設けてもよい。   In the second embodiment of the present invention, the support storage jig 22 having the support bar 23 for supporting the wafer holding substrate 6 and the storage bar 26 for supporting the wafer 2 after peeling is installed. However, a support jig that supports the wafer holding substrate 6 and a wafer storage jig that supports the wafer 2 after separation may be provided separately.

また、この発明の実施の形態2では、溶剤槽8aの底部に支持棒23が上方を向くように支持収納治具22を設置し、この支持棒23によって、ウエハ保持基板6の下側からウエハ保持基板6を支持した。しかし、支持収納治具22の形態およびウエハ保持基板6を支持する方法はこれに限ることは無く、ウエハ保持基板6の上側からウエハ保持基板6を例えば吸引などによって支持してもよいし、ウエハ保持基板6の側面からウエハ保持基板6を挟むようにして支持してもよい。もちろん、ウエハ保持基板6を支持できれば、支持棒23のような棒状の形態に限ることも無い。尚、収納棒26についても同様で、ウエハ2を支持できれば、棒状の形態に限ることは無い。   In the second embodiment of the present invention, the support storage jig 22 is installed at the bottom of the solvent tank 8a so that the support rod 23 faces upward, and the wafer is supported from below the wafer holding substrate 6 by the support rod 23. The holding substrate 6 was supported. However, the form of the support storage jig 22 and the method of supporting the wafer holding substrate 6 are not limited to this, and the wafer holding substrate 6 may be supported from above the wafer holding substrate 6 by suction or the like. The wafer holding substrate 6 may be supported by being sandwiched from the side surface of the holding substrate 6. Of course, as long as the wafer holding substrate 6 can be supported, it is not limited to a rod-like shape like the support rod 23. The same applies to the storage rod 26, and the rod 2 is not limited to a bar shape as long as the wafer 2 can be supported.

この発明の実施の形態2では、ウエハ剥離治具11に働く重力を利用して、ウエハ2にウエハ保持基板6から剥がれる方向の力を加えた。しかし、ウエハ2にウエハ保持基板6から剥がれる方向の重力以外の外力を加えてもよい。こうすることで、ウエハ保持基板6からウエハ2を剥離するために要する時間をさらに短縮できる。   In Embodiment 2 of the present invention, the force in the direction of peeling from the wafer holding substrate 6 is applied to the wafer 2 using the gravity acting on the wafer peeling jig 11. However, an external force other than gravity in the direction of peeling from the wafer holding substrate 6 may be applied to the wafer 2. By doing so, the time required to peel the wafer 2 from the wafer holding substrate 6 can be further shortened.

また、この発明の実施の形態2では、支持収納治具22を溶剤槽8aの底部に設置したが、側壁部に固定して設置してもよい。さらに、ウエハ保持基板6およびウエハ2を水平に支持するように支持収納治具22を設置したが、必ずしも水平に支持する必要はなく、斜めに傾いて支持してもよい。   Moreover, in Embodiment 2 of this invention, although the support accommodation jig | tool 22 was installed in the bottom part of the solvent tank 8a, you may fix and install in the side wall part. Further, the support storage jig 22 is installed so as to support the wafer holding substrate 6 and the wafer 2 horizontally. However, the support storage jig 22 is not necessarily supported horizontally, and may be supported obliquely.

実施の形態3.
図9は、この発明の実施の形態3におけるウエハ剥がし装置1cを示す側断面図である。図9において、図1と同じ符号を付けたものは、同一または相当の構成を示しており、その説明を省略する。この発明の実施の形態1とは、溶剤槽8bが給排液機構27を備えた構成が相違している。
Embodiment 3 FIG.
FIG. 9 is a side sectional view showing a wafer peeling apparatus 1c according to Embodiment 3 of the present invention. 9, the same reference numerals as those in FIG. 1 denote the same or corresponding components, and the description thereof is omitted. This embodiment is different from the first embodiment in that the solvent tank 8b includes a supply / drainage mechanism 27.

次に、溶剤槽8bの給排液機構27について説明する。図9において、溶剤槽8bは、有機溶剤7を溶剤槽8b内に供給するための給液口28および溶剤槽8b内の有機溶剤7を排液するための排液口31を備えており、給液口28および排液口31にはそれぞれを開閉する給液バルブ32および排液バルブ33が設けられている。排液された有機溶剤7はタンク36に溜められ、タンク36からポンプ37によって循環配管38を通って再度給液口28から供給できるようになっている。   Next, the supply / drainage mechanism 27 of the solvent tank 8b will be described. In FIG. 9, the solvent tank 8b includes a liquid supply port 28 for supplying the organic solvent 7 into the solvent tank 8b and a liquid discharge port 31 for discharging the organic solvent 7 in the solvent tank 8b. The liquid supply port 28 and the liquid discharge port 31 are provided with a liquid supply valve 32 and a liquid discharge valve 33 for opening and closing each. The drained organic solvent 7 is stored in the tank 36 and can be supplied again from the liquid supply port 28 through the circulation pipe 38 by the pump 37 from the tank 36.

次に、この発明の実施の形態3におけるウエハ剥がし装置1cを用いたウエハ剥がし方法について説明する。図10は、この発明の実施の形態3におけるウエハ剥がし方法における給液工程を示す図であり、図11は、この発明の実施の形態3におけるウエハ剥がし方法における排液工程と、排液工程後の給液工程とを示す図である。図10および図11において、図4と同じ符号を付けたものは、同一または相当の構成を示しており、その説明を省略する。この発明の実施の形態1におけるウエハ剥がし方法とは、浸漬工程の前に給液工程を、押圧工程の後に排液工程を、排液工程の後に再度給液工程を備えた点が相違している。   Next, a wafer peeling method using the wafer peeling apparatus 1c in Embodiment 3 of the present invention will be described. FIG. 10 is a diagram showing a liquid supply process in the wafer peeling method according to the third embodiment of the present invention, and FIG. 11 is a liquid draining process in the wafer peeling method according to the third embodiment of the present invention, and after the liquid discharging process. It is a figure which shows a liquid supply process. 10 and 11, the same reference numerals as those in FIG. 4 denote the same or corresponding components, and the description thereof is omitted. The wafer peeling method according to the first embodiment of the present invention is different from the wafer peeling method in that a liquid supply process is provided before the dipping process, a liquid discharge process is performed after the pressing process, and a liquid supply process is performed again after the liquid discharge process. Yes.

まず、給液工程について説明する。はじめは、図10(a)に示すように、溶剤槽8bの底部に、突起棒21が上方を向くようにウエハ剥離治具11が設置されている。この時点では、溶剤槽8bには有機溶剤7は収容されておらず、給液バルブ32および排液バルブ33は閉じられている。また、溶剤槽8bを加熱するホットプレート(図示せず)の電源は切られている。ここで、給液バルブ32を開き、ポンプ37を駆動して、タンク36に貯蔵されている有機溶剤7を循環配管38を通して給液口28から溶剤槽8b内へ供給する。そして、図10(b)に示すように、充分な量の有機溶剤7が供給されると、ポンプ37を停止し、給液バルブ32を閉じる。   First, the liquid supply process will be described. Initially, as shown in FIG. 10A, the wafer peeling jig 11 is installed at the bottom of the solvent tank 8b so that the protruding rod 21 faces upward. At this time, the organic solvent 7 is not stored in the solvent tank 8b, and the liquid supply valve 32 and the drain valve 33 are closed. The hot plate (not shown) for heating the solvent tank 8b is turned off. Here, the liquid supply valve 32 is opened, the pump 37 is driven, and the organic solvent 7 stored in the tank 36 is supplied from the liquid supply port 28 into the solvent tank 8 b through the circulation pipe 38. Then, as shown in FIG. 10B, when a sufficient amount of the organic solvent 7 is supplied, the pump 37 is stopped and the liquid supply valve 32 is closed.

その後、溶剤槽8bをホットプレートによって有機溶剤7の温度が80℃程度になるように加熱し、この発明の実施の形態1におけるウエハ剥がし方法と同様に、図4(b)〜図4(e)に示すように、浸漬工程、溶解工程および押圧工程を行う。   Thereafter, the solvent tank 8b is heated by a hot plate so that the temperature of the organic solvent 7 is about 80 ° C., and, similar to the wafer peeling method in the first embodiment of the present invention, FIGS. ), The dipping process, the dissolving process and the pressing process are performed.

次に、排液工程について説明する。図11(a)に示すようにウエハ2がウエハ保持基板6から剥がれて、接着剤3が完全に溶解した後、排液バルブ33を開いて、溶剤槽8b内に収容されている有機溶剤7を排液口31から排液する。排液された有機溶剤7は、フィルター(図示せず)を通って異物等が取り除かれ、タンク36に貯蔵される。図11(b)に示すように、ウエハ2が有機溶剤7に浸からない程度にまで排液が進むと、排液バルブ33を閉じる。   Next, the draining process will be described. As shown in FIG. 11A, after the wafer 2 is peeled off from the wafer holding substrate 6 and the adhesive 3 is completely dissolved, the drain valve 33 is opened and the organic solvent 7 accommodated in the solvent tank 8b is opened. Is drained from the drain port 31. The drained organic solvent 7 passes through a filter (not shown) to remove foreign matters and the like, and is stored in the tank 36. As shown in FIG. 11B, when the drainage proceeds to such an extent that the wafer 2 is not immersed in the organic solvent 7, the drainage valve 33 is closed.

そして、突起棒21上に支持されているウエハ2をロボットアームによって外部に搬出する。ウエハ2の搬出が完了した後、図10(c)に示すように給液工程を再度行い、引き続き別のウエハ2を剥がす工程に進み、以降の工程を繰り返す。   Then, the wafer 2 supported on the protruding bar 21 is carried out to the outside by the robot arm. After the unloading of the wafer 2 is completed, the liquid supply process is performed again as shown in FIG. 10C, and the process proceeds to the process of peeling another wafer 2 and the subsequent processes are repeated.

この発明の実施の形態3では、以上のような構成としたことにより、ウエハ2を溶剤槽8bの外部に搬出する際にウエハ2が有機溶剤7中に浸漬されていない状態で作業ができるので、剥離後のウエハの取り扱いが容易になるという効果がある。   In Embodiment 3 of the present invention, since the above configuration is adopted, when the wafer 2 is carried out of the solvent tank 8b, the operation can be performed in a state where the wafer 2 is not immersed in the organic solvent 7. There is an effect that handling of the wafer after peeling becomes easy.

また、排液工程の後に、給液工程を行うことにより、続けて別のウエハ2を剥がす工程に進むことができる。   Moreover, it can progress to the process of peeling another wafer 2 by performing a liquid supply process after a drainage process.

尚、この発明の実施の形態3では、給液工程の後に浸漬工程を行った。しかし、給液工程の前に、ウエハ剥離治具11の突起棒21がウエハ保持基板6の貫通穴18に入るようにロボットアームによってウエハ保持基板6の位置決めを行い、ウエハ2が貼り付けられたウエハ保持基板6を突起棒21上に置くところまで行っておいて、その後に給液工程を行ってもよい。こうすることで、ウエハ2が貼り付けられたウエハ保持基板6を溶剤槽8b内に搬入する際に、有機溶剤7中に浸漬されていない状態で作業ができるので、作業が容易となる。   In the third embodiment of the present invention, the dipping process is performed after the liquid supply process. However, before the liquid supply process, the wafer holding substrate 6 is positioned by the robot arm so that the protruding rod 21 of the wafer peeling jig 11 enters the through hole 18 of the wafer holding substrate 6, and the wafer 2 is attached. The process may be performed until the wafer holding substrate 6 is placed on the protruding rod 21, and then the liquid supply process may be performed. By doing so, when the wafer holding substrate 6 to which the wafer 2 is bonded is carried into the solvent tank 8b, the work can be performed without being immersed in the organic solvent 7, so that the work is facilitated.

また、この発明の実施の形態3では、排液工程で排液された有機溶剤7をタンク36に貯蔵し、後の給液工程で再利用する構成としたが、給液工程を行うたびに新しい有機溶剤7を供給するようにしてもよい。   In the third embodiment of the present invention, the organic solvent 7 drained in the draining process is stored in the tank 36 and reused in the subsequent liquid feeding process. A new organic solvent 7 may be supplied.

以上、この発明の実施の形態1〜3について説明した。これらの、この発明の実施の形態1〜3で説明した構成は互いに組合せることができる。   The first to third embodiments of the present invention have been described above. These configurations described in the first to third embodiments of the present invention can be combined with each other.

1a〜1c ウエハ剥がし装置
2 ウエハ
3 接着剤
6 ウエハ保持基板
7 有機溶剤
8a、8b 溶剤槽
11 ウエハ剥離治具
18 貫通穴
21 突起棒
22 支持収納治具
23 支持棒
26 収納棒
27 給排液機構
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1a-1c Wafer peeling apparatus 2 Wafer 3 Adhesive 6 Wafer holding board | substrate 7 Organic solvent 8a, 8b Solvent tank 11 Wafer peeling jig 18 Through-hole 21 Protrusion bar 22 Support storage jig 23 Support bar 26 Storage bar 27 Supply / drainage mechanism

Claims (12)

接着剤を介してウエハ保持部材上に貼り付けられたウエハを溶剤中に浸漬する浸漬工程と、
前記接着剤を溶剤により溶解する溶解工程と、
を備えたウエハ剥がし方法において、
前記溶剤中で前記ウエハに前記ウエハ保持部材から剥がれる方向の力を加える押圧工程を備えたことを特徴とするウエハ剥がし方法。
An immersion step of immersing the wafer attached on the wafer holding member via an adhesive in a solvent;
A dissolving step of dissolving the adhesive with a solvent;
In a wafer peeling method comprising:
A wafer peeling method comprising a pressing step of applying a force in a direction in which the wafer is peeled from the wafer holding member in the solvent.
押圧工程では、ウエハ保持部材よりもウエハの方が上側になるように溶剤中で前記ウエハをウエハ剥離治具により支持することを特徴とする請求項1記載のウエハ剥がし方法。   2. The wafer peeling method according to claim 1, wherein, in the pressing step, the wafer is supported by a wafer peeling jig in a solvent so that the wafer is positioned above the wafer holding member. 押圧工程では、ウエハ保持部材よりもウエハの方が下側になるように溶剤中でウエハ保持部材を支持し、前記ウエハの上側からウエハ剥離治具に働く重力を利用して前記ウエハを押すことを特徴とする請求項1記載のウエハ剥がし方法。   In the pressing step, the wafer holding member is supported in a solvent so that the wafer is lower than the wafer holding member, and the wafer is pushed using the gravity acting on the wafer peeling jig from the upper side of the wafer. The wafer peeling method according to claim 1. ウエハ保持部材はウエハが貼り付けられる部位に貫通穴を有し、
ウエハ剥離治具は、前記貫通穴を通して前記ウエハを押すことを特徴とする請求項2または請求項3のいずれかに記載のウエハ剥がし方法。
The wafer holding member has a through hole in a portion where the wafer is attached,
The wafer peeling method according to claim 2, wherein the wafer peeling jig pushes the wafer through the through hole.
ウエハ保持部材から剥がれたウエハを支持するウエハ収納工程を備えたことを特徴とする請求項3記載のウエハ剥がし方法。   4. The wafer peeling method according to claim 3, further comprising a wafer storing step for supporting the wafer peeled off from the wafer holding member. ウエハ保持部材からウエハが剥がれた後に、溶剤槽内に収容した溶剤を排液する排液工程を備えたことを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれか1項に記載のウエハ剥がし方法。   6. The wafer peeling method according to claim 1, further comprising a draining step for draining the solvent stored in the solvent tank after the wafer is peeled off from the wafer holding member. . 溶剤を収容した溶剤槽を備え、前記溶剤により溶解される接着剤を介してウエハ保持部材上に貼り付けられたウエハを前記溶剤中に浸漬して前記ウエハ保持部材から剥がすウエハ剥がし装置において、
前記溶剤中で前記ウエハに前記ウエハ保持部材から剥がれる方向の力を加えるウエハ剥離治具を備えたことを特徴とするウエハ剥がし装置。
In a wafer peeling apparatus comprising a solvent tank containing a solvent, and immersing the wafer attached on the wafer holding member via the adhesive dissolved in the solvent into the solvent and peeling the wafer from the wafer holding member,
A wafer peeling apparatus comprising a wafer peeling jig for applying a force in a direction in which the wafer is peeled from the wafer holding member in the solvent.
ウエハ剥離治具は、ウエハ保持部材よりもウエハの方が上側になるように溶剤中で前記ウエハを支持することを特徴とする請求項7記載のウエハ剥がし装置。   8. The wafer peeling apparatus according to claim 7, wherein the wafer peeling jig supports the wafer in a solvent so that the wafer is positioned above the wafer holding member. ウエハ保持部材よりもウエハの方が下側になるように溶剤中でウエハ保持部材を支持する支持治具を備え、
ウエハ剥離治具は、前記ウエハの上側から前記ウエハ剥離治具に働く重力を利用して前記ウエハを押すことを特徴とする請求項7記載のウエハ剥がし装置。
A support jig for supporting the wafer holding member in the solvent so that the wafer is lower than the wafer holding member,
8. The wafer peeling apparatus according to claim 7, wherein the wafer peeling jig pushes the wafer from above the wafer using gravity acting on the wafer peeling jig.
ウエハ保持部材はウエハが貼り付けられる部位に貫通穴を有し、
ウエハ剥離治具は、前記貫通穴を通して前記ウエハを押す突起棒を備えたことを特徴とする請求項8または請求項9のいずれかに記載のウエハ剥がし装置。
The wafer holding member has a through hole in a portion where the wafer is attached,
The wafer peeling apparatus according to claim 8, wherein the wafer peeling jig includes a protruding bar that pushes the wafer through the through hole.
ウエハ保持部材から剥がれたウエハを支持するウエハ収納治具を備えたことを特徴とする請求項9記載のウエハ剥がし装置。   10. The wafer peeling apparatus according to claim 9, further comprising a wafer storage jig for supporting the wafer peeled off from the wafer holding member. 溶剤槽は、前記溶剤槽内に収容した溶剤の排液を行う機構を備えたことを特徴とする請求項7ないし請求項11のいずれか1項に記載のウエハ剥がし装置。   The wafer peeling apparatus according to claim 7, wherein the solvent tank includes a mechanism for draining the solvent contained in the solvent tank.
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