KR20090018996A - Method of thinning substrate, apparatus for thinning substrate and system having the same - Google Patents

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김상훈
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Abstract

A method for thinning a substrate, an apparatus for thinning the substrate, and a system for thinning the substrate are provided to reduce a thinning cost by controlling an amount of etchant according to the etching target thickness of the substrate. An apparatus(100) for thinning a substrate includes a grip unit(120), an etching chamber(130), and a cleaning unit. A circuit pattern is formed in the front side of the substrate(110). A protective tape(112) is adhered to the front side of the substrate. The grip unit grips the substrate to expose the rear part of the substrate. The grip unit rotates the substrate while gripping the substrate. An etching chamber receives the etchant. The etchant includes at least one of fluorinate salt, nitrate, sulfuric acid and phosphoric acid. The etching chamber receives the substrate precipitated in etchant. The etching chamber has a vent(132) for discharging the etchant. The etchant supply unit supplies the etchant to the etching chamber based on the etching target thickness. The cleaning unit supplies the cleaning solution to the substrate.

Description

기판 박판화 방법, 기판 박판화 장치 및 이를 포함하는 기판 박판화 시스템{METHOD OF THINNING SUBSTRATE, APPARATUS FOR THINNING SUBSTRATE AND SYSTEM HAVING THE SAME}Substrate thinning method, substrate thinning apparatus and substrate thinning system including the same {METHOD OF THINNING SUBSTRATE, APPARATUS FOR THINNING SUBSTRATE AND SYSTEM HAVING THE SAME}

본 발명은 기판 박판화 방법, 기판 박판화 장치 및 이를 포함하는 기판 박판화 시스템에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 웨이퍼 등과 같은 기판의 이면을 식각하여 박판으로 만들기 위한 기판 박판화 방법, 기판 박판화 장치 및 이를 포함하는 기판 박판화 시스템에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate thinning method, a substrate thinning apparatus and a substrate thinning system including the same, and more particularly, to a substrate thinning method, a substrate thinning apparatus and a substrate for etching a back surface of a substrate such as a semiconductor wafer, etc. A substrate thinning system.

최근, 반도체 장치는 처리 능력, 기억 용량 등의 향상을 위하여 다층으로 적층하는 구조로 발전하고 있는 추세에 있다. 그리고, 상기 반도체 장치를 다층으로 적층하기 위해서는 반도체 웨이퍼 즉, 기판을 박판으로 형성해야 한다.In recent years, semiconductor devices have tended to develop in a multilayered structure for improving processing capacity, storage capacity and the like. In addition, in order to stack the semiconductor device in multiple layers, a semiconductor wafer, that is, a substrate must be formed in a thin plate.

상기 기판을 박판으로 형성하는 종래의 방법으로서는 기판의 이면을 기계적으로 연마하는 기술이 있다. 그러나, 상기 기계적 연마를 수행하여 상기 기판을 박판으로 만들 경우에는 상기 기판 자체에 손상이 가해지는 상황이 빈번하게 발생하기 때문에 적합하지 않다.As a conventional method of forming the substrate into a thin plate, there is a technique of mechanically polishing the back surface of the substrate. However, when the mechanical polishing is carried out to make the substrate thin, it is not suitable because damage to the substrate itself occurs frequently.

이에 따라, 최근에는 슬러리를 사용한 화학기계적 연마, 플라즈마 가스를 사 용한 건식 연마 또는 식각액을 이용한 스핀 에칭 등을 적용하고 있다. 그러나, 상기 화학기계적 연마를 수행하여 상기 기판을 박판으로 만들 경우에는 연마율이 저조하고, 약 75㎛ 이하의 박판으로 만들기에 한계가 있기 때문에 상업적으로 적용하기에는 다소 무리가 있다. 또한, 상기 건식 연마를 수행하여 상기 기판을 박판으로 만들 경우에는 고속 마찰 기계적 가공에 의해 열이 발생하여 회로에 열적 손상을 주고 근본적으로 기계적 가공 손상층이 존재하며, 아울러 플라즈마 가스에 의한 손상이 종종 발생하기 때문에 그 적용이 용이하지 못한 실정이다. 또한, 상기 식각액을 이용하여 기판을 박판으로 만드는 방법은 식각액의 재사용이 어렵기 때문에, 식각액 및 그 처리에 대한 비용이 크다는 문제점이 있다.Accordingly, recently, chemical mechanical polishing using a slurry, dry polishing using a plasma gas, or spin etching using an etching solution have been applied. However, when the chemical mechanical polishing is performed to make the substrate thin, the polishing rate is low, and there is a limit to making the thin plate of about 75 μm or less. In addition, when the dry polishing is performed to thin the substrate, heat is generated by high-speed friction mechanical processing, thereby thermally damaging the circuit, and there is a fundamental mechanical damage layer. Since it occurs, the application is not easy. In addition, since the method of making the substrate thin using the etching solution is difficult to reuse the etching solution, there is a problem that the cost of the etching solution and its processing is high.

이에 본 발명의 기술적 과제는 이러한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 기판을 균일하게 박판화할 수 있으며, 식각액의 사용량을 최소화 할 수 있는 기판 박판화 방법을 제공하는데 있다.Accordingly, the technical problem of the present invention is to solve such a conventional problem, and to provide a method for thinning a substrate that can uniformly thin the substrate and minimize the amount of the etchant.

본 발명의 다른 기술적 과제는 상기 기판 박판화 방법을 구현하기 위한 기판 박판화 장치를 제공하는데 있다.Another technical problem of the present invention is to provide a substrate thinning apparatus for implementing the substrate thinning method.

본 발명의 또 다른 기술적 과제는 상기 기판 박판화 장치를 포함하여 일괄 공정이 가능한 기판 박판화 시스템을 제공하는데 있다. Another technical problem of the present invention is to provide a substrate thinning system capable of a batch process including the substrate thinning apparatus.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 박판화 방법에 따르면, 회로 패턴이 형성된 전면에 보호 테이프가 부착된 기판을 그 이면이 노출되도록 수평 상태로 파지한다. 상기 기판의 식각 목표 두께에 근거하여 식각액의 공급량을 결정한다. 상기 기판을 상기 식각액에 침적한다. 상기 기판을 회전시키며 식각한다. 상기 기판을 식각한 후, 상기 식각액을 배출하고, 상기 식각 챔버를 둘러싸는 외부 챔버 내부에서 상기 기판을 세정한다.According to the method of thinning the substrate according to the embodiment of the present invention, the substrate having the protective tape attached to the front surface on which the circuit pattern is formed is gripped in a horizontal state so that the rear surface thereof is exposed. The supply amount of the etchant is determined based on the etching target thickness of the substrate. The substrate is immersed in the etchant. The substrate is rotated and etched. After etching the substrate, the etchant is discharged and the substrate is cleaned inside the outer chamber surrounding the etching chamber.

바람직하게, 상기 식각된 기판은 건조될 수 있다.Preferably, the etched substrate may be dried.

상기 식각액의 공급량은 상기 기판의 식각 목표 두께가 두꺼울수록 상대적으로 증가하며, 상기 기판의 식각 목표 두께가 얇을수록 상대적으로 감소할 수 있다.The supply amount of the etchant is relatively increased as the thickness of the etching target of the substrate is thick, and may be relatively decreased as the thickness of the etching target of the substrate is thin.

상기 기판은, 상기 식각액이 배출될 때, 위로 상승하여 식각액으로부터 분리 될 수 있다.When the etchant is discharged, the substrate may rise upward and be separated from the etchant.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 박판화 장치는 회로 패턴이 형성된 전면에 보호 테이프가 부착된 기판을 그 이면이 노출되도록 수평 상태로 파지하고, 상기 기판을 파지한 상태에서 회전시킬 수 있는 파지부, 불화물염, 질산염, 황산 및 인산으로 이루어진 그룹에서 적어도 하나를 포함하는 식각액 및 상기 식각액에 침적된 기판을 수용하며, 상기 식각액을 배출하기 위한 배출구를 갖는 식각 챔버, 상기 기판의 식각 목표 두께에 근거하여 결정된 소정량의 식각액을 상기 식각 챔버에 공급하기 위한 식각액 공급부 및 상기 기판에 세정액을 공급하기 위한 세정부를 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a substrate thinning apparatus including a gripping part capable of gripping a substrate having a protective tape on a front surface on which a circuit pattern is formed in a horizontal state so as to expose a rear surface thereof, and rotating the substrate by holding the substrate, An etching chamber containing an etchant comprising at least one from the group consisting of fluoride salts, nitrates, sulfuric acid and phosphoric acid and a substrate deposited in the etching solution, the etching chamber having an outlet for discharging the etching solution, based on an etching target thickness of the substrate An etching liquid supply part for supplying the determined predetermined amount of etching liquid to the etching chamber and a cleaning part for supplying a cleaning liquid to the substrate.

바람직하게, 상기 파지부는 상기 기판이 놓여지는 척, 상기 척에 진공을 제공하여 진공 흡입에 의해 상기 기판을 파지하는 진공 흡입 부재 및 구동력에 의해 상기 기판을 회전시키는 회전 부재를 포함할 수 있다.Preferably, the gripping portion may include a chuck on which the substrate is placed, a vacuum suction member for providing a vacuum to the chuck to hold the substrate by vacuum suction, and a rotating member for rotating the substrate by a driving force.

상기 기판 박판화 장치는 상기 식각 챔버를 둘러싸는 외부 챔버를 더 포하할 수 있으며, 상기 세정부는 상기 외부 챔버 내에서 상기 기판에 세정액을 공급할 수 있다. 예를 들어, 상기 식각 챔버와 상기 외부 챔버는 이격되어 상기 식각액 또는 세정액이 이격된 공간으로 배출될 수 있다.The substrate thinning apparatus may further include an outer chamber surrounding the etching chamber, and the cleaning part may supply a cleaning liquid to the substrate in the outer chamber. For example, the etching chamber and the external chamber may be spaced apart and discharged into a space where the etching liquid or the cleaning liquid is spaced apart.

상기 기판 박판화 장치는 상기 식각액의 온도를 조절하기 위한 냉각부를 더 포함할 수 있다.The substrate thinning apparatus may further include a cooling unit for controlling the temperature of the etchant.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 박판화 시스템은 회로 패턴이 형성된 전면에 보호 테이프가 부착된 기판을 그 이면이 노출되게 파지하는 제1 파지부와, 상기 기판의 이면을 그라인딩하여 상기 기판을 박판화하기 위한 그라인더를 포함하는 그라인딩 장치, 상기 기판의 이면이 노출되게 파지하고, 상기 기판을 파지한 상태에서 회전시킬 수 있는 제2 파지부, 불화물염, 질산염, 황산 및 인산으로 이루어진 그룹에서 적어도 하나를 포함하는 식각액 및 상기 식각액에 수용된 기판을 수용하며 상기 식각액을 배출하기 위한 배출구를 갖는 식각 챔버, 상기 기판의 식각 목표 두께에 근거하여 결정된 소정량의 식각액을 상기 식각 챔버에 공급하기 위한 식각액 공급부 및 상기 기판에 세정액을 공급하기 위한 세정부를 포함하는 식각 장치 및 상기 기판을 상기 그라인딩 장치로부터 상기 식각 장치로 이송하기 위한 제1 이송 장치를 포함한다.According to an embodiment of the present invention, a substrate thinning system may include: a first gripping portion that grips a substrate having a protective tape on a front surface on which a circuit pattern is formed; and a rear surface of the substrate to grind the substrate to thin the substrate. Grinding apparatus including a grinder for, including a second gripping portion, a fluoride salt, nitrate, sulfuric acid and phosphoric acid, the second gripping portion capable of gripping to expose the back surface of the substrate, and rotated while holding the substrate An etching chamber having an etching solution and a substrate accommodated in the etching solution and having an outlet for discharging the etching solution, an etching solution supply unit for supplying an etching solution of a predetermined amount determined based on an etching target thickness of the substrate, and the substrate; The etching apparatus and the substrate comprising a cleaning unit for supplying a cleaning liquid to the substrate And a first transfer device for transferring from the grinding device to the etching device.

예를 들어, 상기 제1 및 제2 파지부 각각은 기판이 놓여지는 척, 상기 척에 진공을 제공하여 진공 흡입에 의해 상기 기판을 파지하는 진공 흡입 부재 및 구동력에 의해 상기 기판의 회전시키는 회전 부재를 포함하고, 상기 제1 이송 장치는 진공 흡입에 의해 상기 기판을 파지할 수 있다.For example, each of the first and second gripping portions may include a chuck on which a substrate is placed, a vacuum suction member for providing a vacuum to the chuck to hold the substrate by vacuum suction, and a rotating member for rotating the substrate by a driving force. It includes, The first transfer device may hold the substrate by vacuum suction.

예를 들어, 상기 식각 장치는 상기 기판에 건조 공기 또는 질소 가스를 분사하기 위한 건조부를 더 포함할 수 있다.For example, the etching apparatus may further include a drying unit for injecting dry air or nitrogen gas to the substrate.

바람직하게, 상기 기판 박판화 시스템은 상기 기판의 이면이 노출되게 파지하는 제3 파지부와 상기 제3 파지부에 파지된 기판을 둘러싸게 위치하고, 상기 제3 파지부로부터 탈착이 가능한 링-프레임을 포함하는 링-프레임 마운팅 장치 및 상기 기판을 상기 식각 장치로부터 상기 링-프레임 마운팅 장치로 이송하기 위한 제2 이송 장치를 더 포함할 수 있다.Preferably, the substrate thinning system includes a third gripping portion holding the back surface of the substrate exposed and surrounding the substrate held by the third gripping portion, and including a ring-frame detachable from the third gripping portion. The apparatus may further include a ring-frame mounting apparatus and a second transfer apparatus for transferring the substrate from the etching apparatus to the ring-frame mounting apparatus.

이상에서 설명한 바에 따르면, 기판을 균일하게 박판화할 수 있으며, 기판의 박판화 비용을 감소시킬 수 있다. 또한, 공정의 효율성이 개선될 수 있다.As described above, the substrate can be uniformly thinned, and the cost of thinning the substrate can be reduced. In addition, the efficiency of the process can be improved.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성 요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. As the inventive concept allows for various changes and numerous embodiments, particular embodiments will be illustrated in the drawings and described in detail in the text. However, this is not intended to limit the present invention to a specific disclosed form, it should be understood to include all modifications, equivalents, and substitutes included in the spirit and scope of the present invention. In describing the drawings, similar reference numerals are used for similar elements. In the accompanying drawings, the dimensions of the structures are shown in an enlarged scale than actual for clarity of the invention.

기판 박판화 방법Substrate Thinning Method

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 박판화 방법에 따르면, 회로 패턴이 형성된 전면에 보호 테이프가 부착된 기판을 그 이면이 노출되도록 수평 상태로 파지한다. 상기 기판의 식각 목표 두께에 근거하여 식각액의 공급량을 결정한다. 상기 기판을 상기 식각액에 침적한다. 상기 기판을 회전시켜 기판의 두께를 감소시킨다.According to the method of thinning the substrate according to the embodiment of the present invention, the substrate having the protective tape attached to the front surface on which the circuit pattern is formed is gripped in a horizontal state so that the rear surface thereof is exposed. The supply amount of the etchant is determined based on the etching target thickness of the substrate. The substrate is immersed in the etchant. Rotating the substrate reduces the thickness of the substrate.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 박판화 방법을 나타내는 순서도이다.1 is a flow chart showing a substrate thinning method according to an embodiment of the present invention.

먼저, 보호 테이프가 부착된 기판을 준비한다. 상기 기판은, 예를 들어, 전 면에 회로 패턴이 형성된 반도체 웨이퍼 기판일 수 있으며, 상기 보호 테이프는 상기 회로 패턴을 보호하는 역할을 한다. First, the board | substrate with a protective tape is prepared. The substrate may be, for example, a semiconductor wafer substrate having a circuit pattern formed on a front surface thereof, and the protective tape serves to protect the circuit pattern.

다음으로, 상기 기판을 수평 상태로 파지한다(S 10). 예를 들어, 상기 기판은 진공의 음압을 이용하여 다공성 척 등에 의해 파지될 수 있으며, 구체적으로, 상기 다공성 척은 상기 기판의 보호 테이프와 접촉하여 상기 기판을 파지할 수 있다.Next, the substrate is held in a horizontal state (S 10). For example, the substrate may be gripped by a porous chuck or the like using a negative pressure of vacuum, and specifically, the porous chuck may be in contact with a protective tape of the substrate to hold the substrate.

상기 기판은 식각을 위하여 식각액에 침적된다(S 20). 이를 위하여, 상기 기판은 수납 용기 안에 위치하고, 상기 수납 용기 내부로 식각액이 제공될 수 있다. 상기 기판이 균일하게 식각될 수 있도록, 상기 식각액이 제공되는 동안 상기 기판은 회전하는 것이 바람직하다.The substrate is deposited in an etchant for etching (S 20). To this end, the substrate may be located in a storage container, and an etchant may be provided into the storage container. The substrate is preferably rotated while the etchant is provided so that the substrate can be uniformly etched.

상기 식각액의 공급량은 상기 기판의 식각 목표 두께에 근거하여 결정된다. 식각 목표 두께는 상기 기판에서 식각에 의해 제거되는 부분의 두께를 의미한다. 예를 들어, 상기 식각 목표 두께가 클수록 상대적으로 많은 양의 식각액이 사용될 수 있으며, 상기 식각 목표 두께가 작을수록 상대적으로 적은 양의 식각액이 사용될 수 있다. 상기 식각액의 구체적인 양은 상기 기판의 종류 및 상기 식각액의 식각율 등에 따라 적절하게 선택될 수 있다. 상기 식각액의 예로서는 식각 효율적 측면에서 상대적으로 유리한 불화물염, 질산염, 황산, 인산 등을 들 수 있고, 이들은 단독으로 사용하거나 또는 혼합하여 사용하는 것이 바람직하다.The supply amount of the etchant is determined based on the etching target thickness of the substrate. An etching target thickness refers to a thickness of a portion of the substrate that is removed by etching. For example, a larger amount of the etchant may be used as the etching target thickness is larger, and a smaller amount of the etchant may be used as the etching target thickness is smaller. The specific amount of the etchant may be appropriately selected according to the type of the substrate and the etching rate of the etchant. Examples of the etchant include fluoride salts, nitrates, sulfuric acid, phosphoric acid and the like which are relatively advantageous in terms of etching efficiency, and these are preferably used alone or in combination.

상기 식각액에 침적된 기판은 회전한다(S 30). 이는 식각 속도 및 식각 균일성을 증가시키기 위한 것이다. 예를 들어, 상기 기판은 약 10 내지 약 200rpm으로 회전될 수 있다. 기판의 회전 속도가 10rpm 미만인 경우, 균일한 식각이 어려우며, 200rpm을 초과하는 경우에도 식각액이 가장자리로 몰려 균일한 식각이 어렵다. 기판의 회전이 불안정해질 수 있다. 상기 기판이 식각된 후, 상기 기판에는 세정을 위하여 탈이온수 등과 같은 세정액이 가해질 수 있으며, 건조를 위하여 소정의 기체가 가해질 수 있다(S 40). 상기 기체는 건조 공기 또는 질소 등을 포함할 수 있다. 상기 기판이 세정 또는 건조되는 동안, 상기 기판은 회전하는 것이 바람직하며, 예를 들어, 약 300 내지 약 2000rpm으로 회전될 수 있다.The substrate deposited in the etchant rotates (S30). This is to increase the etching rate and the etching uniformity. For example, the substrate can be rotated at about 10 to about 200 rpm. When the rotational speed of the substrate is less than 10rpm, uniform etching is difficult, and even when it exceeds 200rpm, the etching liquid is driven to the edge and uniform etching is difficult. Rotation of the substrate may become unstable. After the substrate is etched, a cleaning liquid such as deionized water may be applied to the substrate for cleaning, and a predetermined gas may be applied to dry the substrate (S 40). The gas may include dry air or nitrogen. While the substrate is being cleaned or dried, the substrate is preferably rotated, for example, may be rotated at about 300 to about 2000 rpm.

공정 효율을 고려하였을 때, 상기 박판화 및 세정이 수행되는 동안 상기 기판은 수평 상태를 유지하는 것이 바람직하다.In consideration of process efficiency, the substrate is preferably kept horizontal while the thinning and cleaning are performed.

박판화 및 세정이 이루어진 상기 기판은 다이싱 등과 같은 후속 공정의 원활한 수행을 위하여 박판용 테이프(또는, 다이싱 테이프)가 부착될 수 있다.The substrate, which has been thinned and cleaned, may be attached with a thin tape (or dicing tape) to smoothly perform subsequent processes such as dicing.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 박판화 방법은 그라인딩 공정, 링 마운팅 공정 등과 연결되어 연속적으로 수행될 수 있다.Substrate thinning method according to an embodiment of the present invention can be performed continuously in connection with the grinding process, ring mounting process and the like.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 박판화 방법은 기판의 식각 목표 두께에 따라 적절한 양의 식각액을 사용하므로, 식각액의 사용양을 최소화하여 비용을 감소시킬 수 있다. 또한, 기판이 수평인 상태에서 식각이 이루어짐으로써 식각의 균일성 및 공정의 효율성이 개선될 수 있다.Substrate thinning method according to an embodiment of the present invention uses an appropriate amount of the etchant in accordance with the target thickness of the substrate, it is possible to reduce the cost by minimizing the amount of the etchant. In addition, since etching is performed while the substrate is horizontal, the uniformity of etching and the efficiency of the process may be improved.

이하에서는 본 발명의 기판 박판화 장치 및 그 작동에 대하여 도면을 참조로 하여 설명하기로 한다.Hereinafter, the substrate thinning apparatus and its operation of the present invention will be described with reference to the drawings.

기판 박판화 장치Substrate Thinning Device

도 2 내지 도 5는 본 발명의 일 실시예에 다른 기판 박판화 장치 및 그 작동을 나타내는 개략적인 구성도이다.2 to 5 is a schematic configuration diagram showing another substrate thinning apparatus and its operation according to an embodiment of the present invention.

도 2 내지 도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 박판화 장치(100)는 회로 패턴이 형성된 전면에 보호 테이프(112)가 부착된 기판(110)을 그 이면이 노출되도록 수평 상태로 파지하고, 상기 기판(110)을 파지한 상태에서 회전시킬 수 있는 제1 파지부(120), 식각액을 수용하는 식각 챔버(130) 및 상기 기판의 식각 목표 두께에 근거하여 결정된 소정량의 식각액을 공급하기 위한 식각액 공급부(140)를 포함한다.2 to 5, the substrate thinning apparatus 100 according to the exemplary embodiment of the present invention has a horizontal state in which the back surface of the substrate 110 having the protective tape 112 is attached to the front surface on which the circuit pattern is formed is exposed. And a predetermined amount of the etchant determined based on the first gripping portion 120 that can be rotated in the state where the substrate 110 is held, the etching chamber 130 containing the etchant, and the target thickness of the substrate. Etch liquid supply unit 140 for supplying the.

상기 기판(110)은, 예를 들어, 전면에 회로 패턴이 형성된 반도체 웨이퍼 기판일 수 있다. 상기 기판(110)이 식각되는 동안 회로 패턴이 손상되지 않도록, 상기 기판(110)에는 보호 테이프(112)가 부착된다. The substrate 110 may be, for example, a semiconductor wafer substrate having a circuit pattern formed on its entire surface. A protection tape 112 is attached to the substrate 110 so that the circuit pattern is not damaged while the substrate 110 is etched.

상기 제1 파지부(120)는 기판(110)이 놓여지는 척(122), 상기 척(122)에 진공을 제공하는 진공 흡입 부재(124) 및 상기 척(122)에 구동력을 제공하여 회전시키는 회전 부재(126)를 포함할 수 있다. 상기 척(122)에는 진공이 제공되며, 상기 척(122)은 상기 기판(110)의 보호 테이프(112)와 접촉하여 상기 기판(110)을 파지한다. 상기 기판(110)이 용이하게 파지되도록, 상기 척(122)은 다공성 척인 것이 바람직하다. 상기 제1 파지부(120)는 상기 식각 챔버(130) 안팎으로 이동 가능한 것이 바람직하다.The first gripper 120 rotates the chuck 122 on which the substrate 110 is placed, the vacuum suction member 124 for providing a vacuum to the chuck 122, and the driving force for the chuck 122. It may include a rotating member 126. The chuck 122 is provided with a vacuum, and the chuck 122 contacts the protective tape 112 of the substrate 110 to hold the substrate 110. The chuck 122 is preferably a porous chuck so that the substrate 110 is easily gripped. The first gripper 120 may move in and out of the etching chamber 130.

상기 식각 챔버(130)는 식각액을 수용하며, 상기 식각 챔버(130) 안에서 상기 기판(110)의 식각이 이루어진다. The etching chamber 130 accommodates an etchant, and the substrate 110 is etched in the etching chamber 130.

상기 식각 챔버(130)는 상기 식각액을 배출하기 위한 배출구(132)를 더 포함할 수 있다. 식각이 종료된 후, 상기 식각액은 상기 배출구(132)를 통해 식각 챔버(130) 외부로 빠져나간다. 상기 기판 박판화 장치(100)는 상기 배출구(132)의 개폐를 콘트롤하기 위한 개폐 부재(150)를 포함할 수 있다.The etching chamber 130 may further include an outlet 132 for discharging the etching liquid. After the etching is completed, the etchant exits to the outside of the etching chamber 130 through the outlet 132. The substrate thinning apparatus 100 may include an opening and closing member 150 for controlling opening and closing of the outlet 132.

상기 기판 박판화 장치(100)는 상기 기판(110)에 세정액을 공급하기 위한 세정부(160) 및 상기 기판(110)을 건조 기체를 공급하기 위한 건조부(170)를 포함할 수 있다. 상기 세정액 및 건조 기체는 하나의 노즐을 이용하여 분사될 수 있다.The substrate thinning apparatus 100 may include a cleaning unit 160 for supplying a cleaning liquid to the substrate 110 and a drying unit 170 for supplying a drying gas to the substrate 110. The cleaning liquid and the drying gas may be injected using one nozzle.

상기 기판 박판화 장치(100)는 상기 식각 챔버(130)를 둘러싸는 외부 챔버(180)을 더 포함할 수 있다. 상기 외부 챔버(180)는 상기 식각 챔버(130)와 소정의 간격으로 이격될 수 있으며, 상기 외부 챔버(180)와 상기 식각 챔버(130) 사이의 공간으로 상기 세정액 등이 배출 될 수 있다.The substrate thinning apparatus 100 may further include an outer chamber 180 surrounding the etching chamber 130. The outer chamber 180 may be spaced apart from the etching chamber 130 at predetermined intervals, and the cleaning solution may be discharged into a space between the outer chamber 180 and the etching chamber 130.

또한, 기판 박판화 장치(100)는 상기 식각액이 과열되는 것을 방지하기 위한 냉각부(미도시)를 더 포함할 수 있다. 상기 기판이 식각될 때, 상기 식각액은 기판과의 반응 등에 의해 과열될 수 있으며, 이 경우 공정을 안정적으로 콘트롤하기 어렵다. 상기 냉각부는 상기 식각액의 온도를 조절하여 공정의 안정성을 증가시킬 수 있다.In addition, the substrate thinning apparatus 100 may further include a cooling unit (not shown) to prevent the etchant from overheating. When the substrate is etched, the etchant may be overheated by reaction with the substrate, in which case it is difficult to stably control the process. The cooling unit may increase the stability of the process by adjusting the temperature of the etchant.

이하에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 박판화 장치의 작동을 설명하기로 한다.Hereinafter will be described the operation of the substrate thinning apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 먼저 패턴이 형성된 전면에 보호 테이프(112)가 부착된 기판(110)을 그 이면이 노출되도록 수평 상태로 제1 파지부(120)의 척(122) 위에 파 지한다. 구체적으로, 상기 척(122)은 상기 보호 테이프(112)와 접촉하여 상기 기판(110)을 파지한다. 상기 기판(110)이 파지되면, 상기 기판(110)이 식각 챔버(130) 안에 위치하도록 상기 제1 파지부(120)는 상기 척(120)을 식각 챔버(130) 안으로 이동한다.Referring to FIG. 2, first, the substrate 110 having the protective tape 112 attached to the front surface of the pattern is gripped on the chuck 122 of the first gripper 120 in a horizontal state to expose the rear surface thereof. In detail, the chuck 122 contacts the protective tape 112 to hold the substrate 110. When the substrate 110 is gripped, the first gripper 120 moves the chuck 120 into the etching chamber 130 so that the substrate 110 is located in the etching chamber 130.

도 3을 참조하면, 상기 식각 챔버(130) 내부로 식각액을 제공한다. 상기 식각액의 공급량은 상기 기판(110)의 식각 목표 두께에 따라 달라질 수 있으며, 예를 들어, 상기 기판(110)의 식각 목표 두께가 클수록 상대적으로 많은 양의 식각액을 사용한다. 상기 식각액의 예로서는 식각 효율적 측면에서 상대적으로 유리한 불화물염, 질산염, 황산, 인산 등을 들 수 있고, 이들은 단독으로 사용하거나 또는 혼합하여 사용하는 것이 바람직하다. 상기 식각액이 제공될 때, 상기 식각액이 상기 식각 챔버(130)에 채워질 수 있도록 상기 식각 챔버(130)의 배출구(132)는 개폐 부재(150)에 의해 닫혀진다. 바람직하게, 상기 식각액이 제공될 때부터 식각이 종료할 때까지, 상기 기판(110)은 상기 척(122)에 의해 회전된다. 예를 들어, 상기 기판은 약 10 내지 약 200rpm으로 회전될 수 있다. Referring to FIG. 3, an etchant is provided into the etching chamber 130. The supply amount of the etchant may vary according to the etching target thickness of the substrate 110. For example, as the etching target thickness of the substrate 110 is larger, a relatively large amount of etching solution is used. Examples of the etchant include fluoride salts, nitrates, sulfuric acid, phosphoric acid and the like which are relatively advantageous in terms of etching efficiency, and these are preferably used alone or in combination. When the etching solution is provided, the outlet 132 of the etching chamber 130 is closed by the opening / closing member 150 so that the etching solution may be filled in the etching chamber 130. Preferably, the substrate 110 is rotated by the chuck 122 from when the etchant is provided until the etching is completed. For example, the substrate can be rotated at about 10 to about 200 rpm.

도 4를 참조하면, 상기 기판(110)이 식각된 후, 상기 개폐 부재(150)에 의해 상기 배출구(132)가 열리고, 상기 배출구(132)를 통해 식각액이 배출된다. 또한, 상기 척(122)은 위로 이동하여 상기 기판(110)은 상기 식각액으로부터 빠르게 분리된다. Referring to FIG. 4, after the substrate 110 is etched, the outlet 132 is opened by the opening / closing member 150, and the etchant is discharged through the outlet 132. In addition, the chuck 122 is moved upward so that the substrate 110 is quickly separated from the etchant.

상기 기판(110)에는 세정부(160)로부터 탈이온수 등과 같은 세정액이 제공된다. 상기 기판(110)이 세정된 후, 상기 기판(110)에는 건조부(170)로부터 건조 기 체가 제공된다. 상기 세정액은 식각 챔버(130)와 외부 챔버(180) 사이에 위치한 공간으로 배출될 수 있다. 상기 기판(110)이 세정 또는 건조되는 동안, 상기 기판(110)은 회전하는 것이 바람직하며, 예를 들어, 약 300 내지 약 2000rpm으로 회전될 수 있다.The substrate 110 is provided with a cleaning liquid such as deionized water from the cleaning unit 160. After the substrate 110 is cleaned, a dry gas is provided from the drying unit 170 to the substrate 110. The cleaning liquid may be discharged into a space located between the etching chamber 130 and the outer chamber 180. While the substrate 110 is cleaned or dried, the substrate 110 is preferably rotated, for example, may be rotated at about 300 to about 2000 rpm.

도 5를 참조하면, 상기 기판(110)은 제2 파지부(190)에 파지된다. 구체적으로, 상기 기판(110)의 이면이 상기 제2 파지부(190)의 척(192)에 접촉하여 파지된다. 따라서, 상기 기판(110)은 상기 제1 파지부(120)로부터 분리되어 보호 테이프(112)가 드러난다. 상기 제2 파지부(190)는 상기 제1 파지부(120)와 유사하게, 기판(110)과 접촉하는 척(192), 상기 척(192)에 진공을 제공하는 진공 흡입 부재(194) 및 상기 척(192)에 구동력을 제공하여 회전시키는 회전 부재(196)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 5, the substrate 110 is gripped by the second gripper 190. Specifically, the back surface of the substrate 110 is gripped in contact with the chuck 192 of the second gripping portion 190. Thus, the substrate 110 is separated from the first holding part 120 to expose the protective tape 112. Similar to the first gripper 120, the second gripper 190 may include a chuck 192 in contact with the substrate 110, a vacuum suction member 194 for providing a vacuum to the chuck 192, and It may include a rotating member 196 to rotate by providing a driving force to the chuck 192.

상기 기판(110)이 식각되는 동안 상기 보호 테이프(112) 근처에 이물질이 잔류할 수 있다. 따라서, 상기 보호 테이프(112)를 세정 및 건조하는 것이 바람직하며, 이 때, 상기 세정부(160) 및 건조부(170)가 이용될 수 있다. While the substrate 110 is etched, foreign matter may remain near the protection tape 112. Therefore, it is preferable to clean and dry the protective tape 112, and at this time, the cleaning unit 160 and the drying unit 170 may be used.

상기 기판(110)은 세정 및 건조된 후, 상기 제 1 파지부(120)로 옮겨진 후 후속 공정을 위한 장치로 이송될 수 있다. After the substrate 110 is cleaned and dried, the substrate 110 may be transferred to the first gripper 120 and then transferred to an apparatus for subsequent processing.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 박판화 장치는 기판의 식각 목표 두께에 따라 적절한 양의 식각액을 사용하므로, 식각액의 사용양을 최소화하여 비용을 감소시킬 수 있다. 또한, 기판이 수평인 상태에서 식각이 이루어지며, 하나의 챔버내에서 식각, 세정 및 건조가 모두 이루어지므로, 공정의 효율성이 개선될 수 있다.Substrate thinning apparatus according to an embodiment of the present invention uses an appropriate amount of the etchant according to the etching target thickness of the substrate, it is possible to reduce the cost by minimizing the amount of the etchant. In addition, since etching is performed while the substrate is horizontal, and etching, cleaning, and drying are all performed in one chamber, the efficiency of the process may be improved.

이하에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 박판화 시스템에 대하여 도면을 참조하여 설명하기로 한다.Hereinafter, a substrate thinning system according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

기판 박판화 시스템Substrate Lamination System

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 박판화 시스템을 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.6 is a schematic diagram illustrating a substrate thinning system according to an embodiment of the present invention.

도 6을 참조하면, 기판 박판화 시스템(1000)은 그라인딩 장치(200), 제1 이송 장치(300), 식각 장치(400), 제2 이송 장치(500) 및 링-프레임 마운팅 장치(600)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 6, the substrate thinning system 1000 may include a grinding apparatus 200, a first transfer apparatus 300, an etching apparatus 400, a second transfer apparatus 500, and a ring-frame mounting apparatus 600. It may include.

도 7은 도 6에 도시된 그라인딩 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다. 도 7을 참조하면, 상기 그라인딩 장치(200)는 파지부(210)와 그라인더(220)를 포함한다. 여기서, 상기 파지부(210)는 기판(20)이 놓여지는 척(212), 상기 척(212)에 진공을 제공하는 진공 흡입 부재(214) 및 상기 척(212)에 구동력을 제공하여 회전시키는 회전 부재(216)를 포함한다. 상기 기판(20)의 전면에는 회로 패턴이 형성되고, 상기 회로 패턴을 보호하기 위한 보호 테이프(22)가 부착된다. 상기 파지부(210)는 상기 보호 테이프(22)가 부착된 상기 기판(20)의 전면을 진공 흡입에 의해 파지하여 상기 기판(20)의 이면이 드러난다.FIG. 7 is a schematic diagram illustrating the grinding device of FIG. 6. Referring to FIG. 7, the grinding device 200 includes a gripper 210 and a grinder 220. Here, the gripping portion 210 is rotated by providing a driving force to the chuck 212, the substrate 20 is placed, the vacuum suction member 214 for providing a vacuum to the chuck 212 and the chuck 212 A rotating member 216. A circuit pattern is formed on an entire surface of the substrate 20, and a protective tape 22 is attached to protect the circuit pattern. The gripper 210 grips the front surface of the substrate 20 to which the protective tape 22 is attached by vacuum suction to expose the rear surface of the substrate 20.

상기 그라인딩 장치(200)는 상기 기판(20)의 이면을 그라인딩하여 상기 기판(20)을 박판화한다. 상기 기판(20)은 전체적으로 균일한 두께를 갖도록 박판화 될 수 있으며, 이와 달리 두께 변화를 갖도록 박판화될 수 있다. 이는 이후의 식각액을 이용한 식각 공정에서 상기 기판(20)이 불균일하게 식각될 것을 미리 보상하 기 위한 것이다. 예를 들어, 상기 기판(20)은 중심부의 두께가 가장자리보다 얇도록 박판화될 수 있다. 여기서, 상기 기판(20)의 그라인딩 공정은 자체에 손상이 가해지지 않는 범위 내에서 이루어지는 것이 바람직하며, 구체적으로 약 75 내지 약 100㎛의 두께를 갖도록 그라인딩 될 수 있다.The grinding apparatus 200 grinds the back surface of the substrate 20 to thin the substrate 20. The substrate 20 may be thinned to have a uniform thickness as a whole, or may be thinned to have a thickness change. This is to compensate in advance that the substrate 20 is unevenly etched in an etching process using an etching solution. For example, the substrate 20 may be thinned so that the thickness of the central portion is thinner than the edge. Here, the grinding process of the substrate 20 is preferably made within a range that does not damage itself, specifically, may be ground to have a thickness of about 75 to about 100㎛.

상기 그라인딩 장치(200)에 의해 박판화된 기판(20)은 상기 제1 이송 장치(300)에 의해 식각 장치(400)로 이송된다. 상기 제1 이송 장치(300)는 상기 기판(20)을 파지하기 위하여 기판(20)이 놓여지는 척 및 상기 척에 진공을 제공하는 진공 흡입 부재를 포함하는 파지부를 포함할 수 있다.The substrate 20 thinned by the grinding apparatus 200 is transferred to the etching apparatus 400 by the first transfer apparatus 300. The first transfer device 300 may include a gripper including a chuck on which the substrate 20 is placed to hold the substrate 20 and a vacuum suction member for providing a vacuum to the chuck.

식각 장치(400)로 이송된 기판(20)은 식각, 세정 및 건조될 수 있다. 상기 식각 장치(400)는 도 2 내지 도 5를 참조하여 설명된 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 박판화 장치와 실질적으로 동일하므로 그 구성 및 작동에 대한 설명은 생략하기로 한다.The substrate 20 transferred to the etching apparatus 400 may be etched, cleaned and dried. Since the etching apparatus 400 is substantially the same as the substrate thinning apparatus according to the embodiment of the present invention described with reference to FIGS. 2 to 5, the description of the configuration and operation thereof will be omitted.

상기 식각 장치(400)에서 식각된 상기 기판(20)은 제2 이송 장치(500)에 의해 링-프레임 마운팅 장치(600)으로 이송된다.The substrate 20 etched by the etching apparatus 400 is transferred to the ring-frame mounting apparatus 600 by the second transfer apparatus 500.

상기 박판화 및 세정이 이루어진 기판(20)에는 취급 및 후속 공정의 원활한 수행을 위하여 박판용 테이프(또는, 다이싱 테이프)를 부착하는 것이 바람직하다. 상기 링-프레임 마운팅 장치(600)은 상기 기판(20)에 박판용 테이프를 부착하기 위한 장치이다. It is preferable to attach a thin sheet tape (or dicing tape) to the substrate 20 on which the thinning and cleaning are performed, for smooth handling and subsequent processing. The ring-frame mounting apparatus 600 is a device for attaching a thin sheet of tape to the substrate 20.

도 8은 도 6에 도시된 그라인딩 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이며, 도 9는 링-프레임과 결합된 기판을 나타내는 개략적인 구성도이다. 도 8 및 도 9를 참조하면, 상기 링-프레임 마운팅 장치(600)는 상기 제2 이송 장치(500)로부터 상기 기판(20)을 이송받아 파지하는 파지부(610)와, 상기 파지부(610)에 파지된 기판(20)을 둘러싸게 위치하고, 상기 파지부(610)로부터 탈착이 가능한 링-프레임(620)을 구비한다. 상기 링-프레임(620)은 박판용 테이프(622)와 결합되어 있다.FIG. 8 is a schematic diagram illustrating the grinding apparatus shown in FIG. 6, and FIG. 9 is a schematic diagram illustrating a substrate coupled to a ring frame. Referring to FIGS. 8 and 9, the ring-frame mounting apparatus 600 may include a grip part 610 for receiving and holding the substrate 20 from the second transfer device 500, and the grip part 610. A ring-frame 620 is positioned to surround the substrate 20 held in the upper and lower portions of the substrate 20 and is detachable from the holding portion 610. The ring-frame 620 is coupled with the thin tape 622.

상기 파지부(610)는 상기 기판(20)을 파지하기 위하여 기판(20)이 놓여지는 척(612) 및 상기 척(612)에 진공을 제공하는 진공 흡입 부재(614)를 포함할 수 있다. 상기 척(612)은 상기 기판(20)의 보호 테이프(22)와 접촉하여 상기 기판(20)의 이면이 드러나도록 파지한다. 상기 링-프레임 마운팅 장치(600)는 상기 박판 테이프(622)를 상기 기판(20)의 이면에 부착시킴으로써 도 9에서와 같이 상기 링-프레임(620)과 상기 박판용 테이프(622)에 의해 상기 기판(20)이 긴장된(tensive) 상태를 유지하면서 상기 기판(20)을 용이하게 취급할 수 있다. 또한, 상기 기판(20) 전면에 부착된 보호 테이프(22)를 제거하고, 후속 공정을 진행할 수 있다.The gripping portion 610 may include a chuck 612 on which the substrate 20 is placed to hold the substrate 20, and a vacuum suction member 614 for providing a vacuum to the chuck 612. The chuck 612 contacts the protective tape 22 of the substrate 20 and grips the back surface of the substrate 20. The ring-frame mounting apparatus 600 attaches the sheet tape 622 to the back surface of the substrate 20 so that the substrate is formed by the ring frame 620 and the sheet tape 622 as shown in FIG. 9. The substrate 20 can be easily handled while maintaining the tensioned state of the 20. In addition, the protective tape 22 attached to the entire surface of the substrate 20 may be removed and a subsequent process may be performed.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 박판화 시스템에 따르면, 식각액의 사용양을 최소화하여 비용을 감소시킬 수 있으며, 약 5 내지 약 50㎛의 두께를 갖는 반도체 웨이퍼를 연속된 공정으로 제조할 수 있다. According to the substrate thinning system according to an embodiment of the present invention, it is possible to reduce the cost by minimizing the amount of the etchant, it is possible to manufacture a semiconductor wafer having a thickness of about 5 to about 50㎛ in a continuous process.

앞서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술분야에 통상의 지식을 갖는 자라면 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.In the detailed description of the present invention described above with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art or those skilled in the art having ordinary knowledge in the scope of the invention described in the claims to be described later It will be understood that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the scope of the present invention.

본 발명은 기판 박판화 방법 및 기판 박판화 장치에 관한 것으로, 반도체, 표시장치, 전자 부품 등의 제조 분야에서 산업상 이용가능성을 가진다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate thinning method and a substrate thinning apparatus, and has industrial applicability in the field of manufacturing semiconductors, display devices, electronic components and the like.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 박판화 방법을 나타내는 순서도이다.1 is a flow chart showing a substrate thinning method according to an embodiment of the present invention.

도 2 내지 도 5는 본 발명의 일 실시예에 다른 기판 박판화 장치 및 그 작동을 나타내는 개략적인 구성도이다.2 to 5 is a schematic configuration diagram showing another substrate thinning apparatus and its operation according to an embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 박판화 시스템을 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.6 is a schematic diagram illustrating a substrate thinning system according to an embodiment of the present invention.

도 7은 도 6에 도시된 그라인딩 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다. FIG. 7 is a schematic diagram illustrating the grinding device of FIG. 6.

도 8은 도 6에 도시된 그라인딩 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.FIG. 8 is a schematic diagram illustrating the grinding apparatus shown in FIG. 6.

도 9는 링-프레임과 결합된 기판을 나타내는 개략적인 구성도이다. 9 is a schematic diagram illustrating a substrate coupled to a ring-frame.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *

100, 400 : 기판 박판화 장치 200 : 그라인딩 장치100, 400: substrate thinning device 200: grinding device

300 : 제1 이송 장치 500 : 제2 이송 장치300: first transfer device 500: second transfer device

600 : 링-프레임 마운팅 장치600: ring-frame mounting device

Claims (15)

회로 패턴이 형성된 전면에 보호 테이프가 부착된 기판을 그 이면이 노출되도록 수평 상태로 파지하는 단계;Holding a substrate having a protective tape attached to a front surface on which a circuit pattern is formed in a horizontal state such that a rear surface thereof is exposed; 상기 기판의 식각 목표 두께에 근거하여, 불화물염, 질산염, 황산 및 인산으로 이루어진 그룹에서 적어도 하나를 포함하는 식각액의 공급량을 결정하는 단계;Determining a supply amount of an etchant including at least one of a group consisting of fluoride salt, nitrate, sulfuric acid, and phosphoric acid based on an etching target thickness of the substrate; 상기 기판을 식각 챔버에 수용된 식각액에 침적하는 단계; Depositing the substrate in an etchant contained in an etching chamber; 상기 기판을 회전시키며 상기 기판의 이면을 식각하는 단계; Rotating the substrate to etch the back surface of the substrate; 상기 식각액을 배출하는 단계; 및Discharging the etchant; And 상기 식각 챔버를 둘러싸는 외부 챔버 내부에서 상기 기판을 세정하는 단계를 포함하는 기판 박막화 방법.And cleaning the substrate inside an outer chamber surrounding the etch chamber. 제1 항에 있어서, 상기 기판을 건조하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 박막화 방법.The method of claim 1, further comprising drying the substrate. 제1 항에 있어서, 상기 식각액의 공급량을 결정하는 단계는,The method of claim 1, wherein the determining of the supply amount of the etchant, 상기 기판의 식각 목표 두께가 두꺼울수록 상기 식각액의 공급량을 상대적으로 증가시키고, 상기 기판의 식각 목표 두께가 얇을수록 상기 식각액의 공급량을 상대적으로 감소시키는 것을 특징으로 하는 기판 박막화 방법.The thicker the target thickness of the substrate is relatively increased the supply amount of the etchant, the thinner the target thickness of the substrate is thinner substrate, characterized in that for reducing the supply amount of the etchant. 제1 항에 있어서, 상기 식각액이 배출될 때, 상기 기판은 위로 상승하여 식각액으로부터 분리되는 것을 특징으로 하는 기판 박막화 방법.The method of claim 1, wherein when the etchant is discharged, the substrate is raised upward and separated from the etchant. 회로 패턴이 형성된 전면에 보호 테이프가 부착된 기판을 그 이면이 노출되도록 수평 상태로 파지하고, 상기 기판을 파지한 상태에서 회전시킬 수 있는 파지부;A gripping portion capable of gripping the substrate having a protective tape on the front surface having a circuit pattern formed thereon in a horizontal state so as to expose its back surface and rotating the gripping substrate; 불화물염, 질산염, 황산 및 인산으로 이루어진 그룹에서 적어도 하나를 포함하는 식각액 및 상기 식각액에 침적된 기판을 수용하며, 상기 식각액을 배출하기 위한 배출구를 갖는 식각 챔버; An etching chamber containing an etchant comprising at least one from the group consisting of fluoride salts, nitrates, sulfuric acid and phosphoric acid and a substrate deposited on the etchant, the outlet being for discharging the etchant; 상기 기판의 식각 목표 두께에 근거하여 결정된 소정량의 식각액을 상기 식각 챔버에 공급하기 위한 식각액 공급부; 및An etching solution supply unit for supplying an etching solution having a predetermined amount determined based on an etching target thickness of the substrate to the etching chamber; And 상기 기판에 세정액을 공급하기 위한 세정부를 포함하는 기판 박판화 장치.Substrate thinning apparatus comprising a cleaning unit for supplying a cleaning liquid to the substrate. 제5 항에 있어서, 상기 파지부는 상기 기판이 놓여지는 척, 상기 척에 진공을 제공하여 진공 흡입에 의해 상기 기판을 파지하는 진공 흡입 부재 및 구동력에 의해 상기 기판을 회전시키는 회전 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 박판화 장치.6. The apparatus of claim 5, wherein the gripping portion includes a chuck on which the substrate is placed, a vacuum suction member for providing a vacuum to the chuck to hold the substrate by vacuum suction, and a rotating member for rotating the substrate by a driving force. Substrate thinning apparatus characterized by the above-mentioned. 제4 항에 있어서, 상기 식각 챔버를 둘러싸는 외부 챔버를 더 포함하며, 상기 세정부는 상기 외부 챔버 내에서 상기 기판에 세정액을 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 박판화 장치.The apparatus of claim 4, further comprising an outer chamber surrounding the etching chamber, wherein the cleaning part supplies a cleaning liquid to the substrate in the outer chamber. 제7 항에 있어서, 상기 식각 챔버와 상기 외부 챔버는 이격되어 있어, 상기 식각액 또는 세정액이 이격된 공간으로 배출될 수 있는 것을 특징으로 하는 기판 박판화 장치.The apparatus of claim 7, wherein the etching chamber and the external chamber are spaced apart from each other so that the etching liquid or the cleaning liquid may be discharged into the spaced apart space. 제4 항에 있어서, 상기 식각액의 온도를 조절하기 위한 냉각부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 박판화 장치.The apparatus of claim 4, further comprising a cooling unit for controlling the temperature of the etchant. 회로 패턴이 형성된 전면에 보호 테이프가 부착된 기판을 그 이면이 노출되게 파지하는 제1 파지부와, 상기 기판의 이면을 그라인딩하여 상기 기판을 박판화하기 위한 그라인더를 포함하는 그라인딩 장치;A grinding device including a first gripping portion for holding a substrate having a protective tape on the front surface of which a circuit pattern is formed to expose the back surface thereof, and a grinder for grinding the back surface of the substrate to thin the substrate; 상기 기판의 이면이 노출되게 파지하고, 상기 기판을 파지한 상태에서 회전시킬 수 있는 제2 파지부, 불화물염, 질산염, 황산 및 인산으로 이루어진 그룹에서 적어도 하나를 포함하는 식각액 및 상기 식각액에 수용된 기판을 수용하며 상기 식각액을 배출하기 위한 배출구를 갖는 식각 챔버, 상기 기판의 식각 목표 두께에 근거하여 결정된 소정량의 식각액을 상기 식각 챔버에 공급하기 위한 식각액 공급부 및 상기 기판에 세정액을 공급하기 위한 세정부를 포함하는 식각 장치; 및An etchant including at least one of a second gripping portion, a fluoride salt, nitrate, sulfuric acid, and phosphoric acid, which are gripped so that the back surface of the substrate is exposed and rotated while the substrate is held, and the substrate accommodated in the etchant An etching chamber having an outlet for discharging the etching liquid, an etching liquid supply part for supplying an etching liquid of a predetermined amount determined based on an etching target thickness of the substrate, and a cleaning part for supplying a cleaning liquid to the substrate; Etching apparatus comprising a; And 상기 기판을 상기 그라인딩 장치로부터 상기 식각 장치로 이송하기 위한 제1 이송 장치를 포함하는 기판 박판화 시스템.And a first transfer device for transferring said substrate from said grinding device to said etching device. 제10 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 파지부 각각은 기판이 놓여지는 척, 상기 척에 진공을 제공하여 진공 흡입에 의해 상기 기판을 파지하는 진공 흡입 부재 및 구동력에 의해 상기 기판의 회전시키는 회전 부재를 포함하고, 상기 제1 이송 장치는 진공 흡입에 의해 상기 기판을 파지하는 것을 특징으로 하는 기판 박판화 시스템.11. The apparatus of claim 10, wherein each of the first and second gripping portions is a chuck on which a substrate is placed, a vacuum suction member for providing a vacuum to the chuck to grip the substrate by vacuum suction, and rotating the substrate by a driving force. And a rotating member, wherein said first transfer device grips said substrate by vacuum suction. 제10 항에 있어서, 상기 식각 장치는 상기 기판에 건조 공기 또는 질소 가스를 분사하기 위한 건조부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 박판화 시스템.The substrate thinning system of claim 10, wherein the etching apparatus further comprises a drying unit for spraying dry air or nitrogen gas onto the substrate. 제10 항에 있어서, 상기 기판의 이면이 노출되게 파지하는 제3 파지부와 상기 제3 파지부에 파지된 기판을 둘러싸게 위치하고, 상기 제3 파지부로부터 탈착이 가능한 링-프레임을 포함하는 링-프레임 마운팅 장치; 및The ring of claim 10, wherein the ring comprises a third gripping portion that exposes the back surface of the substrate and surrounds the substrate held by the third gripping portion, and includes a ring-frame detachable from the third gripping portion. A frame mounting device; And 상기 기판을 상기 식각 장치로부터 상기 링-프레임 마운팅 장치로 이송하기 위한 제2 이송 장치를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 박판화 시스템.And a second transfer device for transferring said substrate from said etching device to said ring-frame mounting device. 제10 항에 있어서, 상기 식각 장치는 상기 식각 챔버를 둘러싸는 외부 챔버를 포함하며, 상기 식각 챔버와 상기 외부 챔버는 이격되어 있어, 상기 식각액 또는 세정액이 이격된 공간으로 배출될 수 있는 것을 특징으로 하는 기판 박판화 시스템.The etching apparatus of claim 10, wherein the etching apparatus includes an outer chamber surrounding the etching chamber, and the etching chamber and the outer chamber are spaced apart from each other so that the etching liquid or the cleaning liquid may be discharged into the space. Substrate thinning system. 제14 항에 있어서, 상기 세정부는 상기 외부 챔버 내에서 상기 기판에 세정액을 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 박판화 시스템.The substrate thinning system according to claim 14, wherein the cleaning part supplies a cleaning liquid to the substrate in the outer chamber.
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CN116097397A (en) * 2020-09-09 2023-05-09 信越工程株式会社 Workpiece cleaning device, workpiece cleaning method and paddle clamp

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