JP2011216694A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011216694A5 JP2011216694A5 JP2010083990A JP2010083990A JP2011216694A5 JP 2011216694 A5 JP2011216694 A5 JP 2011216694A5 JP 2010083990 A JP2010083990 A JP 2010083990A JP 2010083990 A JP2010083990 A JP 2010083990A JP 2011216694 A5 JP2011216694 A5 JP 2011216694A5
- Authority
- JP
- Japan
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010083990A JP5496745B2 (ja) | 2010-03-31 | 2010-03-31 | 薄膜電界効果型トランジスタおよびその製造方法 |
| TW100108322A TWI515909B (zh) | 2010-03-31 | 2011-03-11 | 薄膜場效電晶體及其製造方法 |
| KR1020110028906A KR101811257B1 (ko) | 2010-03-31 | 2011-03-30 | 박막 전계 효과형 트랜지스터 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010083990A JP5496745B2 (ja) | 2010-03-31 | 2010-03-31 | 薄膜電界効果型トランジスタおよびその製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2011216694A JP2011216694A (ja) | 2011-10-27 |
| JP2011216694A5 true JP2011216694A5 (ja) | 2012-09-06 |
| JP5496745B2 JP5496745B2 (ja) | 2014-05-21 |
Family
ID=44946134
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010083990A Active JP5496745B2 (ja) | 2010-03-31 | 2010-03-31 | 薄膜電界効果型トランジスタおよびその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5496745B2 (ja) |
| KR (1) | KR101811257B1 (ja) |
| TW (1) | TWI515909B (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0716292B2 (ja) * | 1988-08-12 | 1995-02-22 | 株式会社テック | ワイヤ駆動装置 |
| US9082861B2 (en) * | 2011-11-11 | 2015-07-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor with oxide semiconductor channel having protective layer |
| TWI483344B (zh) * | 2011-11-28 | 2015-05-01 | Au Optronics Corp | 陣列基板及其製作方法 |
| KR20130117558A (ko) | 2012-04-18 | 2013-10-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터 표시판 및 박막 트랜지스터 표시판 제조 방법 |
| KR20140043526A (ko) | 2012-09-21 | 2014-04-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
| TWI620323B (zh) * | 2012-11-16 | 2018-04-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
| TWI600157B (zh) * | 2012-11-16 | 2017-09-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
| TWI582993B (zh) | 2012-11-30 | 2017-05-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
| KR102169571B1 (ko) * | 2014-03-31 | 2020-10-23 | 동우 화인켐 주식회사 | 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법 |
| JP6607013B2 (ja) | 2015-12-08 | 2019-11-20 | 株式会社リコー | 電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置、及びシステム |
| US10424672B2 (en) | 2016-02-19 | 2019-09-24 | Silicon Display Technology | Oxide semiconductor transistor |
| CN109478560B (zh) | 2016-07-20 | 2022-03-15 | 株式会社理光 | 场效应晶体管及其制作方法，显示元件，图像显示装置和*** |
| JP2018022879A (ja) | 2016-07-20 | 2018-02-08 | 株式会社リコー | 電界効果型トランジスタ、及びその製造方法、並びに表示素子、画像表示装置、及びシステム |
| CN111725238B (zh) * | 2019-03-19 | 2023-08-15 | 群创光电股份有限公司 | 具有晶体管元件的工作模块 |
| CN112234072B (zh) * | 2020-09-30 | 2024-05-14 | 福建华佳彩有限公司 | 一种柔性tft阵列基板结构及其制作方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100785038B1 (ko) * | 2006-04-17 | 2007-12-12 | 삼성전자주식회사 | 비정질 ＺｎＯ계 ＴＦＴ |
| JPWO2009034953A1 (ja) | 2007-09-10 | 2010-12-24 | 出光興産株式会社 | 薄膜トランジスタ |
| JP5489446B2 (ja) | 2007-11-15 | 2014-05-14 | 富士フイルム株式会社 | 薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置 |
| JP2009130209A (ja) * | 2007-11-26 | 2009-06-11 | Fujifilm Corp | 放射線撮像素子 |
| JP5250322B2 (ja) * | 2008-07-10 | 2013-07-31 | 富士フイルム株式会社 | 金属酸化物膜とその製造方法、及び半導体装置 |
| JP5345456B2 (ja) | 2008-08-14 | 2013-11-20 | 富士フイルム株式会社 | 薄膜電界効果型トランジスタ |
-
2010
- 2010-03-31 JP JP2010083990A patent/JP5496745B2/ja active Active
-
2011
- 2011-03-11 TW TW100108322A patent/TWI515909B/zh active
- 2011-03-30 KR KR1020110028906A patent/KR101811257B1/ko active IP Right Grant