JP2011187880A - 半導体装置および測定方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体装置は、n-層6およびp-層7と、ガードリング12と、チャネルストッパ領域14と、等電位アルミ15と、コレクタ電極8とを備える。チャネルストッパ領域14は、ガードリング12の外周側に位置するように、半導体基板の主表面に形成される。等電位アルミ15は、チャネルストッパ領域14に電気的に接続される。コレクタ電極8は、半導体基板の裏面上に形成される。半導体基板は、p-層7とn-層6とを含む。p-層7は、コレクタ電極8と電気的に接続される。n-層6は、p-層7と直接接触し、チャネルストッパ領域14と直接接触する。等電位アルミ15はチャネルストッパ電極16を含む。
【選択図】図1
Description
図1〜図3を参照して、本発明による半導体装置の実施の形態1を説明する。
図8および図9を参照して、本発明による半導体装置の実施の形態2を説明する。
Claims (7)
- 主表面を有し、前記主表面に素子形成領域を有する半導体基板と、
平面視において前記素子形成領域を取り囲むように前記半導体基板の前記主表面に形成されたガードリングと、
前記ガードリングの外周側に位置するように、前記半導体基板の前記主表面に形成されたチャネルストッパ領域と、
前記半導体基板の前記主表面上に形成され、前記チャネルストッパ領域に電気的に接続された等電位導電体と、
前記半導体基板において、前記主表面と反対側の裏面上に形成された裏面電極とを備え、
前記半導体基板は、
前記裏面電極と電気的に接続され、導電型が第1導電型である第1導電型領域と、
前記第1導電型領域と直接接触し、導電型が前記第1導電型とは異なる第2導電型であって前記チャネルストッパ領域と直接接触する第2導電型領域とを含み、
前記等電位導電体は測定用電極部を含む、半導体装置。 - 少なくとも前記等電位導電体を覆う被覆膜を備え、
前記被覆膜には、前記等電位導電体の表面の一部を露出させる開口部が形成され、
前記測定用電極部は、前記開口部から露出した前記等電位導電体の部分である、請求項1に記載の半導体装置。 - 少なくとも前記等電位導電体を覆う被覆膜を備え、
前記被覆膜には、前記等電位導電体の表面の一部を露出させる開口部が形成され、
前記等電位導電体は、前記開口部を介して前記被覆膜の表面上にまで延在する延在部を含み、
前記測定用電極部は前記延在部を含む、請求項1に記載の半導体装置。 - 平面視において、前記測定用電極部の平面形状は多角形状である、請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 平面視において、前記測定用電極部の外形は四角形状であり、
前記四角形状の縦方向の長さおよび横方向の長さがそれぞれ100μm以上である、請求項4に記載の半導体装置。 - 前記測定用電極部は前記等電位導電体において複数箇所に形成されている、請求項1〜5のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 請求項1〜6のいずれか1項に記載の半導体装置の特性の測定方法であって、
測定用の絶縁ゲートバイポーラトランジスタのコレクタ電極を前記半導体装置の前記裏面電極に電気的に接続するとともに、誘導性負荷を前記裏面電極と前記測定用電極部との間をつなぐように接続する工程と、
前記絶縁ゲートバイポーラトランジスタのゲート電極とエミッタ電極との間に複数のパルス電圧を入力したときに、前記半導体装置の前記第1導電型領域と前記第2導電型領域とを流れる電流値を測定する工程とを備える、測定方法。
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