JP2011181883A - 有機発光表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の実施形態に係る有機発光表示装置は、基板本体と、前記基板本体上の同一層に形成され、それぞれ不純物がドーピングされた多結晶シリコン膜を含む半導体層及び第1キャパシタ電極と、前記半導体層及び前記第1キャパシタ電極上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜を介在して前記半導体層上に形成されたゲート電極と、前記ゲート絶縁膜を介在して前記第1キャパシタ電極上に形成され、前記ゲート電極と同一層に形成された第2キャパシタ電極とを含む。前記第2キャパシタ電極は、相対的に厚い厚さを有する電極凸部と、相対的に薄い厚さを有する電極凹部とを含む。前記第2キャパシタ電極の電極凹部は前記ゲート電極より相対的に薄い厚さを有する。
【選択図】図3
Description
キャパシタは、通常、薄膜トランジスタと同時に形成することができる。例えば、キャパシタの両電極は、それぞれ薄膜トランジスタの半導体層及びゲート電極と同時に形成することができる。この時、半導体層とキャパシタの一電極は、不純物がドーピングされた多結晶シリコン膜を含む。
また、上記有機発光表示装置の製造工程を単純化させた製造方法を提供することを目的とする。
前記不純物はホウ素(boron)を含むことができる。
前記不純物は、ホウ素(boron)を含むことができる。
前記不純物は、30keV以上のエネルギーと、1.0e12atoms/cm2以上のドーズ(dose)量でイオン注入することができる。
また、上記の有機発光表示装置の製造方法を単純化することができる。
また、図面における各構成の大きさ及び厚さは、説明の便宜のために任意で示したので、本発明の実施形態が必ずしも示されたものに限られことではない。
図面において、種々の層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。なお、図面において、説明の便宜のために一部層及び領域の厚さを誇張して示した。層、膜、領域、板などの部分が、他の部分の上に、または上にあるという時、これは他の部分のすぐ上にある場合だけでなく、その中間にまた他の部分がある場合も含む。
このような画素(PE)の構成は上述したものに限定されず、当該技術分野の当業者が容易に実施できる範囲内で多様に変形可能である。
また、有機発光層720は、発光層と、正孔注入層(hole-injection layer、HIL)、正孔輸送層(hole-transporting layer、HTL)、電子輸送層(electron-transportiong layer、ETL)、及び電子注入層(electron-injection layer、EIL)のいずれか一つ以上を含む多重膜に形成される。有機発光層720が、これら全てを含む場合、正孔注入層がアノード電極の画素電極710上に配置され、その上に正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層が順に積層される。また、有機発光層720は必要に応じて他の層をさらに含むこともできる。
次に、先に図3に示したように、ソース電極177及びドレイン電極176上に平坦化膜180を形成する。この時、平坦化膜180はドレイン電極176を露出するアノードコンタクトホール186を有する。
70 有機発光素子
80 キャパシタ
101 有機発光表示装置
111 基板本体
120 バッファ層
135 半導体層
138 第1キャパシタ電極
158 第2キャパシタ電極
160 層間絶縁膜
180 平坦化膜
190 画素定義膜
1581 電極凸部
1582 電極凹部
CL キャパシタライン
DA 表示領域
DD、GD 駆動回路
DL データライン
GL ゲートライン
NA 非表示領域
PE 画素領域
VDD 共通電源ライン
Claims (26)
- 基板本体;
前記基板本体上の同一層に形成され、それぞれ不純物がドーピングされた多結晶シリコン膜を含む半導体層及び第1キャパシタ電極;
前記半導体層及び前記第1キャパシタ電極上に形成されたゲート絶縁膜;
前記ゲート絶縁膜を介在して前記半導体層上に形成されたゲート電極;及び
前記ゲート絶縁膜を介在して前記第1キャパシタ電極上に形成され、前記ゲート電極と同一層に形成された第2キャパシタ電極;
を含み、
前記第2キャパシタ電極は、相対的に厚い厚さを有する電極凸部と、相対的に薄い厚さを有する電極凹部とを含み、
前記第2キャパシタ電極の電極凹部は、前記ゲート電極より相対的に薄い厚さを有する有機発光表示装置。 - 前記ゲート電極及び前記第2キャパシタ電極は互いに同一の金属物質を含み、前記金属物質はモリブデン(Mo)、クロム(Cr)、及びタングステン(W)のいずれか一つ以上を含む、請求項1に記載の有機発光表示装置。
- 前記ゲート電極は170nm以上の厚さを有し、
前記第2キャパシタ電極の前記電極凹部は、前記ゲート電極の厚さの75%以下の厚さを有する、請求項2に記載の有機発光表示装置。 - 前記第2キャパシタ電極の前記電極凸部は前記ゲート電極と同一の厚さを有する、請求項3に記載の有機発光表示装置。
- 前記第1キャパシタ電極及び前記半導体層にそれぞれドーピングされた不純物は、P型不純物及びN型不純物のいずれか一つである、請求項2に記載の有機発光表示装置。
- 前記不純物はホウ素(boron)を含む、請求項5に記載の有機発光表示装置。
- 前記半導体層は、前記ゲート電極と重畳したチャネル領域と、前記チャネル領域の両側に形成されたソース領域及びドレイン領域に区分され、
前記半導体層の前記チャネル領域は、真性半導体(intrinsic semiconductor)であり、前記半導体層の前記ソース領域及び前記ドレイン領域と前記第1キャパシタ電極は不純物半導体(impurity semiconductor)である、請求項2に記載の有機発光表示装置。 - 前記第1キャパシタ電極に前記不純物がドーピングされた領域は、前記第2キャパシタ電極の前記電極凹部と重畳した注入領域と、前記注入領域の周辺に位置する拡張注入領域に区分され、
前記拡張注入領域は、前記注入領域から側面方向に成長(lateral straggling)する、請求項1乃至7のいずれか一項に記載の有機発光表示装置。 - 前記第2キャパシタ電極の前記電極凸部は、一つの前記注入領域から前記拡張注入領域が前記第1キャパシタ電極と平行な一方向に成長した距離の2倍より小さいか同一の幅を有する、請求項8に記載の有機発光表示装置。
- 前記第2キャパシタ電極の電極凹部は、10nm乃至140nm範囲内に属する厚さを有する、請求項8に記載の有機発光表示装置。
- 前記第2キャパシタ電極の前記電極凹部と前記電極凸部はストライプパターンに配列される、請求項9に記載の有機発光表示装置。
- 前記第2キャパシタ電極の前記電極凹部と前記電極凸部は格子パターンに配列される、請求項9に記載の有機発光表示装置。
- 基板本体上に多結晶シリコン膜を形成する段階;
前記多結晶シリコン膜をパターニングして半導体層の中間体と第1キャパシタ電極の中間体を形成する段階;
前記半導体層の中間体及び前記第1キャパシタ電極の中間体上にゲート絶縁膜を形成する段階;
前記ゲート絶縁膜上に前記半導体層の中間体の一部と重畳するようにゲート電極を形成し、前記第1キャパシタ電極の中間体と重畳するように第2キャパシタ電極を形成する段階;及び
前記半導体層の中間体及び前記第1キャパシタ電極の中間体に不純物をドーピングして半導体層及び第1キャパシタ電極を形成する段階;
を含み、
前記第2キャパシタ電極は、相対的に厚い厚さを有する電極凸部と、相対的に薄い厚さを有する電極凹部とを含み、前記電極凹部は前記ゲート電極より相対的に薄い厚さを有し、前記不純物は前記第2キャパシタ電極を透過して前記第1キャパシタ電極にドーピングされる有機発光表示装置の製造方法。 - 前記ゲート電極及び前記第2キャパシタ電極は互いに同一の金属物質を含み、
前記金属物質は、モリブデン(Mo)、クロム(Cr)、及びタングステン(W)のいずれか一つ以上を含む、請求項13に記載の有機発光表示装置の製造方法。 - 前記ゲート電極は170nm以上の厚さを有し、
前記第2キャパシタ電極の前記電極凹部は、前記ゲート電極の厚さの75%以下の厚さを有する、請求項14に記載の有機発光表示装置の製造方法。 - 前記第2キャパシタ電極の前記電極凸部は前記ゲート電極と同一の厚さを有する、請求項15に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記第2キャパシタ電極の前記電極凹部は10nm乃至140nm範囲内に属する厚さを有する、請求項15に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記半導体層は、前記ゲート電極と重畳したチャネル領域と、前記チャネル領域の両側に形成されたソース領域及びドレイン領域に区分され、
前記半導体層の前記チャネル領域は真性半導体(intrinsic semiconductor)であり、前記半導体層の前記ソース領域及び前記ドレイン領域と前記第1キャパシタ電極は不純物半導体(impurity semiconductor)である、請求項13に記載の有機発光表示装置の製造方法。 - 前記第1キャパシタ電極に前記不純物がドーピングされる領域は、前記第2キャパシタ電極の前記電極凹部と重畳する注入領域と、前記注入領域の周辺に位置する拡張注入領域に区分され、
前記拡張注入領域は、前記不純物がドーピングされる過程で、前記注入領域から側面方向に成長(lateral straggling)する、請求項13乃至18のいずれか一項に記載の有機発光表示装置の製造方法。 - 前記第2キャパシタ電極の前記電極凸部は、一つの前記注入領域から前記拡張注入領域が前記第1キャパシタ電極と平行な一方向に成長する距離の2倍より小さいか同一の幅を有する、請求項19に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記不純物は、P型不純物及びN型不純物のいずれか一つである、請求項20に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記不純物はホウ素(boron)を含む、請求項21に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記不純物は、30keV以上のエネルギーと、1.0e12atoms/cm2以上のドーズ(dose)量でイオン注入される、請求項22に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記ゲート電極と前記第2キャパシタ電極は、前記ゲート絶縁膜上にゲート金属膜を形成した後、前記ゲート金属膜を感光膜パターンを利用したフォトエッチング工程によってパターニングして形成され、
前記感光膜パターンは、前記ゲート電極上に位置する第1部分と、前記第2キャパシタ電極上に位置する第2部分とを含み、
前記感光膜の第2部分は、前記第1部分と同一の厚さを有する凸部と、前記凸部より相対的に薄い厚さを有する凹部に区分される、請求項21に記載の有機発光表示装置の製造方法。 - 前記感光膜パターンを通じて前記ゲート金属膜をエッチングして、前記ゲート電極と第1キャパシタ電極の中間体を形成した後、前記感光膜パターンの第2部分の凹部を除去し、さらに前記第1キャパシタ電極の中間体を一部エッチングして前記キャパシタ電極を形成する、請求項24に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記感光膜パターンは、ハーフトーン(halftone)露光法または二重露光法を用いて形成される、請求項24に記載の有機発光表示装置の製造方法。
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