JP2011176001A - 発光素子及び発光素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】発光素子1は、半導体基板10と、発光部20と、反射部210と、電流分散層240と、表面電極30と、裏面電極35とを備え、反射部210がペア層を複数有して形成され、第2の電流分散層244が、第1の電流分散層242のキャリア濃度又は不純物濃度より高いキャリア濃度又は不純物濃度を有すると共に表面に凹凸部250を有し、表面電極30が、複数の表面電極層を有し、複数の表面電極層のうち、第2の電流分散層244に接する表面電極層が、100nm以上600nm以下の厚さを有する。
【選択図】図1A
Description
半導体基板と、第1導電型の第1クラッド層と、前記第1導電型とは異なる第2導電型の第2クラッド層とに挟まれる活性層を有する発光部と、前記半導体基板と前記発光部との間に設けられ、前記活性層が発する光を反射する反射部と、前記発光部の前記反射部の反対側に設けられ、キャリア濃度又は不純物濃度が互いに異なる第1の電流分散層と第2の電流分散層とを有する電流分散層と、前記第2の電流分散層の表面に設けられる表面電極と、前記半導体基板の前記発光部の反対側に設けられる裏面電極とを備える発光素子において、前記反射部が、第1の半導体層と、前記第1の半導体層とは異なる第2の半導体層とからなるペア層を複数有して形成され、前記第1の半導体層が、前記活性層が発する光のピーク波長をλp、前記第1の半導体層の屈折率をnA、前記第2の半導体層の屈折率をnB、前記第1クラッド層の屈折率をnIn、前記第2の半導体層への光の入射角をθとした場合に、式(1)で定められる厚さTAを有し、前記第2の半導体層が、式(2)で定められる厚さTBを有し、前記第2の電流分散層が、前記第1の電流分散層より前記半導体基板から離れた位置に設けられ、前記第1の電流分散層の前記キャリア濃度又は前記不純物濃度より高い前記キャリア濃度又は前記不純物濃度を有すると共に表面に凹凸部を有し、前記表面電極が、複数の表面電極層を有し、前記複数の表面電極層のうち、前記第2の電流分散層に接する表面電極層が、100nm以上600nm以下の厚さを有する発光素子が提供される。
図1Aは、本発明の第1の実施の形態に係る発光素子の模式的な断面を示し、図1Bは、本発明の第1の実施の形態に係る発光素子が備える反射部の模式的な断面を示す。また、図1Cは、本発明の第1の実施の形態に係る発光素子が備える表面電極の模式的な断面を示す。
第1の実施の形態に係る発光素子1は、一例として、赤色光を放射する半導体発光素子としての発光ダイオード(Light Emitting Diode:LED)である。具体的に、発光素子1は、第1導電型としてのn型の半導体基板10と、半導体基板10の上に設けられるn型のバッファ層200と、バッファ層200の上に設けられるn型の化合物半導体の多層構造を有する反射部210と、反射部210の上に設けられるn型の第1クラッド層220と、第1クラッド層220の上に設けられる活性層222と、活性層222の上に設けられる第1導電型とは異なる第2導電型としてのp型の第2クラッド層224と、第2クラッド層224の上に設けられるp型の介在層230と、介在層230の上に設けられ、キャリア濃度又は不純物濃度が互いに異なる第1の電流分散層242と第2の電流分散層244とを有する電流分散層240とを備える。
半導体基板10としては、例えば、所定の導電型のキャリアを含み、所定のキャリア濃度を有するGaAs基板を用いることができる。また、半導体基板10としては、所定のオフ角度を有するオフ基板、又は、オフ角度を有さないジャスト基板を用いることができる。なお、半導体基板10上に形成する複数の化合物半導体層の種類に応じて、半導体基板10を構成する化合物半導体材料を適宜、代えることもできる。
反射部210は、半導体基板10と発光部20との間に設けられ、活性層222が発する光を反射する。具体的に、反射部210は、図1Bに示すように、複数の化合物半導体層の積層構造から形成される。そして、反射部210は、第1の半導体層210aと、第1の半導体層210aとは異なる屈折率を有する第2の半導体層210bとからなるペア層を複数有して形成される。第1の半導体層210a及び第2の半導体層210bは、活性層222から発せられる光に対して透明であり、活性層222を構成する半導体のバンドギャップより大きなバンドギャップを有するAlGaAs系半導体(例えば、AlxGa1−xAs(ただし、0≦x≦1))から形成される。更に、第1の半導体層210aを構成する半導体のAl組成と、第2の半導体層210bを構成する半導体のAl組成とが異なるように第1の半導体層210a及び第2の半導体層210bは形成される。
発光部20は、第1クラッド層220、活性層222、及び第2クラッド層224を有する。まず、バッファ層200は、半導体基板10に接して設けられる。バッファ層200は、半導体基板10上に設けられ、例えば、所定の導電型のキャリアを含み、所定のキャリア濃度を有する化合物半導体から形成することができる。例えば、バッファ層200は、半導体基板10がn型のGaAs基板から形成される場合、n型のGaAsから形成される。また、第1クラッド層220と、活性層222と、第2クラッド層224とはそれぞれ、例えば、(AlxGa1−x)yIn1−yP(ただし、0≦x≦1、0≦y≦1)で表される三元系、又は四元系のIII−V族化合物半導体材料から形成される。なお、第1の実施の形態に係る活性層222は、例えば、ノンドープのGaxIn1−xP単層(ただし、0≦x≦1)から形成することもできる。
介在層230は、第2クラッド層224を構成する半導体材料と電流分散層240を構成する半導体材料とが互いに異なる場合に、第2クラッド層224と電流分散層240とのヘテロ界面の電位障壁を低減する半導体材料から形成される。具体的に、介在層230は、第2クラッド層224と電流分散層240(より詳細には、第1の電流分散層242)との間に設けられる。より具体的に、介在層230は、第2クラッド層224の活性層222の反対側に設けられると共に、第2クラッド層224を構成する半導体のバンドギャップエネルギーと電流分散層240(すなわち、第1の電流分散層242及び第2の電流分散層244)を構成する半導体のバンドギャップエネルギーとの間のバンドギャップエネルギーを有する半導体材料から形成される。例えば、介在層230は、p型のGazIn1−zP(ただし、zは、一例として、0.6≦z≦0.9)から形成される。発光素子1が介在層230を備えることにより、発光素子1から製造される発光素子の順方向電圧を低減できる。
電流分散層240は、発光部20の反射部210の反対側に設けられ、発光素子1に電流が供給された場合に、活性層222に略均一に電流が供給されるように当該電流を分散させる。また、電流分散層240は、活性層222が発する光を透過する半導体材料から形成される。例えば、電流分散層240は、p型のGaP、p型のGaAsP、又はp型のAlGaAsから形成することができる。更に、本実施の形態に係る電流分散層240は、半導体基板10の側から順に第1の電流分散層242と第2の電流分散層244とを有する。
凹凸部250は、第2の電流分散層244の発光部20の反対側の表面を粗面化して形成される。凹凸部250は、当該表面を所定のエッチャントでエッチングすることによりランダムな形状を有して形成される。また、凹凸部250は、当該表面に予め定められたパターンを有して形成することもできる。更に、凹凸部250は、発光素子1から製造される発光素子の光取り出し効率を向上させることを目的として、最大高さRyが1.0μm以上3.0μm以下であることが好ましい。
表面電極30は、第2の電流分散層244にオーミック接触する材料から形成される。具体的に、表面電極30は、Be、Zn、Ni、Ti、Pt、Al、Au等の金属材料から選択される少なくとも1つのp型電極用の金属材料を含んで形成される。例えば、表面電極30は、第2の電流分散層244側から第1の表面電極層305としてのAuBe層(又はAuZn層)、第2の表面電極層310としてのNi層、第3の表面電極層315としてのAu層の順に積層された積層構造を有して形成することができる。なお、表面電極30は、電流分散層240の介在層230の反対側の面、つまり、発光素子1の光取り出し面の一部に設けられる。
第1の実施の形態に係る発光素子1は、例えば、以下のようにして製造することができる。まず、半導体基板10を準備する。そして、半導体基板10上に、例えば、有機金属気相成長法(Metal Organic Vapor Phase Epitaxy:MOVPE法)によって複数の化合物半導体層(すなわち、バッファ層200、反射部210、第1クラッド層220、活性層222、第2クラッド層224、介在層230、第1の電流分散層242、第2の電流分散層244)を含むIII−V族化合物半導体の半導体積層構造を形成する(成長工程)。これにより、凹凸部250を備えていないエピタキシャルウエハが製造される。
第1の実施の形態に係る発光素子1は、半導体基板10上にバッファ層200を備えるが、第1の実施の形態の変形例に係る発光素子は、バッファ層200を備えずに形成することができる。
第1の実施の形態に係る発光素子1は、第2の電流分散層244の表面に複数の表面電極層からなる表面電極30を形成すると共に、第2の電流分散層244に接触する第1の表面電極層305の厚さを所定の厚さにすることにより、発光素子1の順方向電圧を低減させることができる。
図2は、本発明の第2の実施の形態に係る発光素子の模式的な断面の概要を示す。
図3は、本発明の第3の実施の形態に係る発光素子の模式的な断面の概要を示す。
図5Aは、実施例1に係る発光素子が備える反射部の簡易的な構造を示し、図5Bは、実施例1に係る発光素子が備える反射部の簡易的な構造における反射スペクトルを示す。
次に、実施例1に係る凹凸部250を備えていないエピタキシャルウエハをMOVPE装置から搬出した後、劈開により4分割して、1/4のサイズの小片を作製した。そして、実施例1に係る凹凸部250を備えていないエピタキシャルウエハから作製した1/4サイズの4枚の小片それぞれについて、第2の電流分散層244の表面に凹凸化処理(粗面化処理)を施した。
図6は、比較例1に係る発光素子の模式的な断面の概要を示す。
3 発光素子
4 エピタキシャルウエハ
5 発光素子
10 半導体基板
20、20a 発光部
30 表面電極
35 裏面電極
40 光取り出し層
200 バッファ層
210 反射部
212 反射部
210a 第1の半導体層
210b、210c 第2の半導体層
220 第1クラッド層
221 第1アンドープ層
222 活性層
223 第2アンドープ層
224 第2クラッド層
230 介在層
240 電流分散層
242 第1の電流分散層
244 第2の電流分散層
250 凹凸部
305 第1の表面電極層
310 第2の表面電極層
315 第3の表面電極層
Claims (15)
- 半導体基板と、
第1導電型の第1クラッド層と、前記第1導電型とは異なる第2導電型の第2クラッド層とに挟まれる活性層を有する発光部と、
前記半導体基板と前記発光部との間に設けられ、前記活性層が発する光を反射する反射部と、
前記発光部の前記反射部の反対側に設けられ、キャリア濃度又は不純物濃度が互いに異なる第1の電流分散層と第2の電流分散層とを有する電流分散層と、
前記第2の電流分散層の表面に設けられる表面電極と、
前記半導体基板の前記発光部の反対側に設けられる裏面電極と
を備え、
前記反射部が、第1の半導体層と、前記第1の半導体層とは異なる第2の半導体層とからなるペア層を複数有して形成され、
前記第1の半導体層が、前記活性層が発する光のピーク波長をλp、前記第1の半導体層の屈折率をnA、前記第2の半導体層の屈折率をnB、前記第1クラッド層の屈折率をnIn、前記第2の半導体層への光の入射角をθとした場合に、式(1)で定められる厚さTAを有し、
前記第2の半導体層が、式(2)で定められる厚さTBを有し、
前記第2の電流分散層が、前記第1の電流分散層より前記半導体基板から離れた位置に設けられ、前記第1の電流分散層の前記キャリア濃度又は前記不純物濃度より高い前記キャリア濃度又は前記不純物濃度を有すると共に表面に凹凸部を有し、
前記表面電極が、複数の表面電極層を有し、前記複数の表面電極層のうち、前記第2の電流分散層に接する表面電極層が、100nm以上600nm以下の厚さを有する発光素子。
- 前記電流分散層が、複数の電流分散層を有し、
前記第2の電流分散層が、前記複数の電流分散層の中で最もキャリア濃度又は不純物濃度が高い請求項1に記載の発光素子。 - 前記反射部は、ペア層を少なくとも3つ含み、
当該複数のペア層の厚さはそれぞれ、前記式(1)及び前記式(2)のθの値がペア層ごとに異なることにより互いに異なり、少なくとも1つのペア層は、θの値が50°以上の値で規定される前記第1の半導体層及び前記第2の半導体層を含む請求項2に記載の発光素子。 - 前記第2の電流分散層が、1.0μm以上3.0μm以下の厚さを有する請求項3に記載の発光素子。
- 前記凹凸部が、1.0μm以上3.0μm以下の最大高さRyを有する請求項4に記載の発光素子。
- 前記第2クラッド層と前記電流分散層との間に設けられる介在層
を更に備え、
前記介在層は、前記第2クラッド層を構成する半導体のバンドギャップエネルギーと、前記電流分散層を構成する半導体のバンドギャップエネルギーとの間のバンドギャップエネルギーを有する半導体から形成される請求項5に記載の発光素子。 - 前記第1の半導体層及び前記第2の半導体層は、前記活性層から発せられる光に対して透明であり、前記活性層を構成する半導体のバンドギャップより大きなバンドギャップを有するAlGaAs系半導体から形成され、かつ、前記第1の半導体層を構成する半導体のAl組成と、前記第2の半導体層を構成する半導体のAl組成とが異なる請求項6に記載の発光素子。
- 前記反射部の前記半導体基板側から1つ目のペア層、又は1つ目及び2つ目のペア層の第1の半導体層若しくは第2の半導体層のいずれか一方が、前記活性層が発する光に対して不透明、又は前記活性層のバンドギャップエネルギーより小さなバンドギャップエネルギーを有する半導体材料から形成される請求項7に記載の発光素子。
- 前記電流分散層が、2.0μm以上10.0μm以下の厚さを有する請求項8に記載の発光素子。
- 前記介在層が、GazIn1−zP(ただし、0.6≦z≦0.9)からなる請求項9に記載の発光素子。
- 前記第2の電流分散層に接する前記表面電極層が、Be濃度が1%以下のAuBe合金、又はZn濃度が5%以上15%以下のAuZn合金からなる請求項10に記載の発光素子。
- 前記表面電極が設けられている領域を除く前記第2の電流分散層の前記表面に、前記活性層が発する光に対して透明であり、前記電流分散層を構成する半導体の屈折率と空気の屈折率との間の屈折率を有する材料からなる光取り出し層
を更に備える請求項11に記載の発光素子。 - 前記光取り出し層が、前記活性層が発する光の波長をλp、前記光取り出し層を構成する材料の屈折率をn、定数A(ただし、Aは奇数)とした場合に、A×λp/(4×n)で規定される値の±30%の範囲内の厚さdを有する請求項12に記載の発光素子。
- 前記光取り出し層が、絶縁体、第1導電型若しくは第2導電型の酸化物、又は、第1導電型若しくは第2導電型の窒化物を含んで形成される請求項13に記載の発光素子。
- 半導体基板上に、第1の半導体層と、前記第1の半導体層とは異なる第2の半導体層とからなる複数のペア層を有して形成される反射部と、第1導電型の第1クラッド層と、前記第1導電型とは異なる第2導電型の第2クラッド層とに挟まれる活性層を有する発光部と、前記発光部上に形成され、キャリア濃度又は不純物濃度が互いに異なる第1の電流分散層と第2の電流分散層とを有する電流分散層とを形成する成長工程と、
前記第2の電流分散層の表面に凹凸部を形成する凹凸部形成工程と、
前記凹凸部形成工程の後に、前記第2の電流分散層の表面に表面電極を形成する表面電極形成工程と
を備え、
前記第1の半導体層が、前記活性層が発する光のピーク波長をλp、前記第1の半導体層の屈折率をnA、前記第2の半導体層の屈折率をnB、前記第1クラッド層の屈折率をnIn、前記第2半導体層への光の入射角をθとした場合に、式(1)で定められる厚さTAを有し、
前記第2の半導体層が、式(2)で定められる厚さTBを有し、
前記第2の電流分散層が、前記第1の電流分散層より前記半導体基板から離れた位置に設けられ、前記第1の電流分散層の前記キャリア濃度又は前記不純物濃度より高い前記キャリア濃度又は前記不純物濃度を有し、
前記表面電極が、複数の表面電極層を有し、前記複数の表面電極層のうち、前記第2の電流分散層に接する表面電極層が、100nm以上600nm以下の厚さを有する発光素子の製造方法。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013179150A (ja) * | 2012-02-28 | 2013-09-09 | Showa Denko Kk | 発光ダイオードの製造方法 |
WO2016032193A1 (ko) * | 2014-08-27 | 2016-03-03 | 서울바이오시스 주식회사 | 발광 소자 및 이의 제조 방법 |
US9847458B2 (en) | 2014-08-27 | 2017-12-19 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode and method of fabricating the same |
Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0690020A (ja) * | 1992-07-02 | 1994-03-29 | Showa Denko Kk | 発光ダイオード |
JPH0766455A (ja) * | 1993-08-24 | 1995-03-10 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体発光装置 |
JPH0786638A (ja) * | 1993-09-16 | 1995-03-31 | Toshiba Corp | 半導体発光装置 |
JP2000150954A (ja) * | 1998-11-13 | 2000-05-30 | Sharp Corp | 半導体発光素子 |
JP2004111648A (ja) * | 2002-09-18 | 2004-04-08 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体発光素子 |
JP2004179613A (ja) * | 2002-05-17 | 2004-06-24 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 発光素子の製造方法及び発光素子 |
JP2005136033A (ja) * | 2003-10-29 | 2005-05-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光素子 |
JP2006032667A (ja) * | 2004-07-16 | 2006-02-02 | Hitachi Cable Ltd | 半導体発光素子の製造方法 |
JP2007317913A (ja) * | 2006-05-26 | 2007-12-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光素子およびその製造方法 |
JP2008021845A (ja) * | 2006-07-13 | 2008-01-31 | Sony Corp | 半導体発光装置及びその製造方法 |
JP2008060410A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-03-13 | Hitachi Cable Ltd | 半導体発光素子 |
JP2008091789A (ja) * | 2006-10-04 | 2008-04-17 | Hitachi Cable Ltd | 発光ダイオード |
JP2008159626A (ja) * | 2006-12-20 | 2008-07-10 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子 |
JP2009252860A (ja) * | 2008-04-03 | 2009-10-29 | Hitachi Cable Ltd | 半導体発光素子 |
-
2010
- 2010-02-23 JP JP2010037106A patent/JP2011176001A/ja active Pending
Patent Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0690020A (ja) * | 1992-07-02 | 1994-03-29 | Showa Denko Kk | 発光ダイオード |
JPH0766455A (ja) * | 1993-08-24 | 1995-03-10 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体発光装置 |
JPH0786638A (ja) * | 1993-09-16 | 1995-03-31 | Toshiba Corp | 半導体発光装置 |
JP2000150954A (ja) * | 1998-11-13 | 2000-05-30 | Sharp Corp | 半導体発光素子 |
JP2004179613A (ja) * | 2002-05-17 | 2004-06-24 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 発光素子の製造方法及び発光素子 |
JP2004111648A (ja) * | 2002-09-18 | 2004-04-08 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体発光素子 |
JP2005136033A (ja) * | 2003-10-29 | 2005-05-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光素子 |
JP2006032667A (ja) * | 2004-07-16 | 2006-02-02 | Hitachi Cable Ltd | 半導体発光素子の製造方法 |
JP2007317913A (ja) * | 2006-05-26 | 2007-12-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光素子およびその製造方法 |
JP2008021845A (ja) * | 2006-07-13 | 2008-01-31 | Sony Corp | 半導体発光装置及びその製造方法 |
JP2008060410A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-03-13 | Hitachi Cable Ltd | 半導体発光素子 |
JP2008091789A (ja) * | 2006-10-04 | 2008-04-17 | Hitachi Cable Ltd | 発光ダイオード |
JP2008159626A (ja) * | 2006-12-20 | 2008-07-10 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子 |
JP2009252860A (ja) * | 2008-04-03 | 2009-10-29 | Hitachi Cable Ltd | 半導体発光素子 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013179150A (ja) * | 2012-02-28 | 2013-09-09 | Showa Denko Kk | 発光ダイオードの製造方法 |
WO2016032193A1 (ko) * | 2014-08-27 | 2016-03-03 | 서울바이오시스 주식회사 | 발광 소자 및 이의 제조 방법 |
US9847458B2 (en) | 2014-08-27 | 2017-12-19 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode and method of fabricating the same |
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