JP2011162879A - Conductive material - Google Patents

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    • G01N27/403—Cells and electrode assemblies
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electrode material and a circuit material mainly having metal conductivity and electric conductivity, further having a nanoscale-uniformly defined structure, and having high stability to heat and corrosion. <P>SOLUTION: The conductive material involves cores (1) from specified metal or metal mixture selected from the A group. The cores (1) are at least partially surrounded by the oxides (2a, 2b, 2c) of the specified metal or metal mixture selected from the B group. The cores (1) have the average particle diameter of ≤100 nm. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、導電性材料、殊に電極材料及び／又は回路材料、及びそのような材料の製造法に関する。   The present invention relates to conductive materials, in particular electrode materials and / or circuit materials, and methods for producing such materials.

技術的な適用において、熱及び腐食に対して高安定性の電極材料及び回路材料が必要とされ、該材料は、主として金属伝導性且つ電気伝導性であり、並びにナノスケールの且つ一様に定義された構造を有する。   In technical applications, electrode materials and circuit materials that are highly stable against heat and corrosion are required, which materials are primarily metallic and electrically conductive, as well as nanoscale and uniformly defined Has a structured.

ＵＳ２００７／０２５１８２２Ａ１は、化学クロミックなナノ粒子を記載し、それらは顔料、着色剤、コーティング及びインキとして使用されることができる。   US 2007/0251822 A1 describes chemically chromic nanoparticles, which can be used as pigments, colorants, coatings and inks.

ＵＳ２００７／０２５１８２２Ａ１US2007 / 0251822A1

本発明の課題は、上記記載の欠点を回避することである。   The object of the present invention is to avoid the drawbacks described above.

本発明の目的は、導電性材料、殊に電極材料及び／又は回路材料及び又は導電性、化学的感受性、殊にガス感受性の材料であって、該材料は、
− 白金、ロジウム、金、パラジウム、銀、銅、イリジウム、ルテニウム、オスミウム、レニウム及びそれらの混合物から成るＡ群から選択された金属又は金属混合物からのコアを包含し、
− その際、該コアは、ケイ素、ゲルマニウム、錫、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウム、ベリリウム、マグネシウム、スカンジウム、イットリウム、ランタン、ランタニド、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、タングステン、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、亜鉛及びそれらの混合物から成るＢ群から選択された金属又は金属混合物の酸化物により少なくとも部分的に取り囲まれており、且つ
該コアは、１００ｎｍ以下の、殊に≧０．４ｎｍ〜≦１００ｎｍの、例えば≧０．５ｎｍ〜≦４０ｎｍの、例として挙げれば≧１ｎｍ〜≦７ｎｍの平均粒径を有することを特徴としている。 The object of the present invention is a conductive material, in particular an electrode material and / or a circuit material and / or a conductive, chemically sensitive, in particular gas sensitive material,
-Including a core from a metal or metal mixture selected from the group A consisting of platinum, rhodium, gold, palladium, silver, copper, iridium, ruthenium, osmium, rhenium and mixtures thereof;
The core is made of silicon, germanium, tin, boron, aluminum, gallium, indium, beryllium, magnesium, scandium, yttrium, lanthanum, lanthanide, titanium, zirconium, hafnium, niobium, tantalum, chromium, molybdenum, tungsten, Surrounded at least partly by an oxide of a metal or metal mixture selected from the group B consisting of manganese, iron, cobalt, nickel, zinc and mixtures thereof, and the core is not more than 100 nm, in particular ≧ It is characterized by having an average particle diameter of 0.4 nm to ≦ 100 nm, for example ≧ 0.5 nm to ≦ 40 nm, for example, ≧ 1 nm to ≦ 7 nm.

本発明の範囲内で、"導電性材料"とは、殊に、少なくとも１０Ｓｍ-1の比導電率を有する材料と解される。 Within the scope of the present invention, “conductive material” is in particular understood as a material having a specific conductivity of at least 10 Sm −1 .

本発明に従って、"ランタニド"とは、殊に元素：セリウム、プラセオジム、ネオジム、プロメチウム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム及びルテチウムと解される。   According to the invention, “lanthanides” are understood in particular as the elements: cerium, praseodymium, neodymium, promethium, samarium, europium, gadolinium, terbium, dysprosium, holmium, erbium, thulium, ytterbium and lutetium.

本発明の範囲内で、半金属（ホウ素、ケイ素、ゲルマニウム）は金属に含まれる。   Within the scope of the present invention, metalloids (boron, silicon, germanium) are included in the metal.

殊に該コアは、Ｂ群の金属又は金属混合物の酸化物により、本質的に完全に取り囲まれていてよい。その際、"本質的に完全に取り囲まれて"とは、殊に、下記：
− 該酸化物が、少なくともガス透過性である細孔、例えば≧０．１ｎｍ〜≦５ｎｍの平均孔径を有すること、及び／又は
− ２つ以上のコアが互いに接触すること、及び／又は
− １つ又は複数のコアが基体表面に接触すること
に拠る逸脱が包含されていると解される。 In particular, the core may be essentially completely surrounded by an oxide of a group B metal or metal mixture. In this context, “essentially completely surrounded” means in particular:
The oxide has at least gas permeable pores, for example an average pore size of ≧ 0.1 nm to ≦ 5 nm, and / or two or more cores contact each other, and / or It is understood that deviations due to the contact of one or more cores with the substrate surface are included.

殊に導電性材料は、後述の方法によって製造されることができる。   In particular, the conductive material can be manufactured by the method described below.

殊に酸化環境に基づき、導電性材料は、好ましくは耐腐食性及び／又は温度安定性であり得る。その際、"耐腐蝕性"とは、該材料が、酸素１０．０００００体積パーセント、水蒸気１０．０００００体積パーセント、一酸化窒素０．００１００パーセント、二酸化硫黄０．００００５パーセント及び窒素７９．９９８９５パーセントからのガス混合物中で、１０時間後に４００℃にて、走査型電子顕微鏡法によって検出可能な程度にまで変化しないことと解される。その際、殊に、"温度安定性"とは、該材料が、空気中で１０時間後に４００℃にて、走査型電子顕微鏡法によって検出可能な程度にまで変化しないことと解される。更に該材料は多孔性であってよい。そのうえ該コアと酸化物は、該材料中で本質的に均一に分散して存在してよい。更になお該導電性材料は、ナノメートル領域の一様に定義された構造を有してよい。   In particular, based on the oxidizing environment, the conductive material can preferably be corrosion resistant and / or temperature stable. In this context, “corrosion resistance” means that the material is composed of 10.000 volume percent oxygen, 10.000 volume percent water vapor, 0.00100 percent nitrogen monoxide, 0.00005 percent sulfur dioxide and 79.99895 percent nitrogen. It is understood that the gas mixture does not change to a level detectable by scanning electron microscopy at 400 ° C. after 10 hours. In particular, “temperature stability” is understood to mean that the material does not change to an extent detectable by scanning electron microscopy at 400 ° C. after 10 hours in air. Furthermore, the material may be porous. Moreover, the core and oxide may be present in an essentially uniformly dispersed manner in the material. Furthermore, the conductive material may have a uniformly defined structure in the nanometer range.

加えて本発明による導電性材料からの電極、回路もしくは層は、好ましくは低電圧傾向、高い耐腐食性及び／又は温度安定性並びに接触及び方法の利点を有し得る。殊に高い耐腐蝕性及び温度安定性に基づき、５００℃を上回る温度で、化学的に攻撃性の、殊に酸化性の雰囲気における適用のために、これらの条件下で劣化し、殊に収縮し、且つ亀裂を生じる可能性のある、例えば純白金からのものより薄い電極、回路もしくは層を、本発明による導電性材料から製造することができる。そのうえ本発明による導電性材料は、殊に接触及び方法の利点を、本発明による導電性材料からの電極又は層が、本発明による導電性材料からの回路と接触される場合に有し得る。   In addition, electrodes, circuits or layers from conductive materials according to the present invention may preferably have the advantages of low voltage tendency, high corrosion resistance and / or temperature stability and contact and method advantages. Due to the particularly high corrosion resistance and temperature stability, it deteriorates under these conditions and in particular shrinks for applications in chemically aggressive, especially oxidizing atmospheres at temperatures above 500 ° C. However, thinner electrodes, circuits or layers can be produced from the conductive material according to the invention, for example, than those from pure platinum, which can crack. Moreover, the conductive material according to the invention can have the advantages of contacts and methods in particular when an electrode or layer from the conductive material according to the invention is contacted with a circuit from the conductive material according to the invention.

好ましくは、該材料は、１０時間後にも、５００℃にて、殊に６００℃にて、酸素１０．０００００体積パーセント、水蒸気１０．０００００体積パーセント、一酸化窒素０．００１００体積パーセント、二酸化硫黄０．００００５体積パーセント及び窒素７９．９９８９５体積パーセントからのガス混合物中で、走査型電子顕微鏡法によって検出可能ではない。好ましくは、該材料の導電性は、酸素１０．０００００体積パーセント、水蒸気１０．０００００体積パーセント、一酸化窒素０．００１００体積パーセント、二酸化硫黄０．００００５体積パーセント及び窒素７９．９９８９５パーセントからのガス混合物中での処理に際して、２オーダーを超えて下がらず、又は空気中で２オーダーを超えて下がらず、好ましくは、１オーダーを超えて、殊に５０％を超えて下がらない。   Preferably, even after 10 hours, the material is at 10.degree. C., in particular at 600.degree. C., oxygen 10.000 volume percent, water vapor 10.000 volume percent, nitrogen monoxide 0.00100 volume percent, sulfur dioxide 0. It is not detectable by scanning electron microscopy in a gas mixture from 0.0005 volume percent and 79.9895 volume percent nitrogen. Preferably, the conductivity of the material is a gas mixture from 10.000 volume percent oxygen, 10.000 volume percent water vapor, 0.00100 volume percent nitrogen monoxide, 0.00005 volume percent sulfur dioxide and 79.99895 percent nitrogen. During processing in, it does not drop below 2 orders, or it does not drop below 2 orders in air, preferably it does not exceed 1 order, in particular not more than 50%.

殊に該材料は、そのつどＡ群の金属又は金属混合物からのコアを有する粒子を有してよく、該コアは、少なくとも部分的に、殊に本質的に完全に、Ｂ群の金属又は金属混合物の酸化物層で取り囲まれている。   In particular, the material may comprise particles each having a core from a Group A metal or metal mixture, which core is at least partly, in particular essentially completely, a Group B metal or metal. Surrounded by an oxide layer of the mixture.

該酸化物層の範囲内でも、殊に、"本質的に完全に取り囲まれて"とは、下記：
− 該酸化物層が、少なくともガス透過性である細孔、例えば≧０．１ｎｍ〜≦５ｎｍの平均孔径を有すること、及び／又は
− ２つ以上のコアが互いに接触すること、及び／又は
− １つ又は複数のコアが基体表面に接触すること
に拠る逸脱が包含されていると解される。 Even within the scope of the oxide layer, in particular, “essentially completely surrounded” means:
The oxide layer has pores that are at least gas permeable, for example an average pore size of ≧ 0.1 nm to ≦ 5 nm, and / or two or more cores contact each other, and / or It is understood that deviations from contacting one or more cores with the substrate surface are included.

該材料の一実施形態の範囲内で、該材料は、粒子間に細孔を有する互いに結合された粒子から構成されており、その際、該粒子は、そのつどＡ群の金属又は金属混合物からのコアを有し、該コアは、少なくとも部分的に、殊に本質的に完全に、Ｂ群の金属又は金属混合物の酸化物層で取り囲まれている。これは、該コアが該酸化物層によって安定化されるという本質的な利点を有する。殊に該コアは、それによって本質的に、熱的に誘起された粗大化及び融着から保護される。更になお、該コアは、環境的影響、殊に腐食媒体から保護されることができる。この保護にも関わらず、該材料は多孔性に基づき触媒活性であり得て、このことは、例えばセンサー領域における相当数の適用のために好ましい。この実施形態の範囲内で、該材料は、一方では粒子間にある細孔と、且つ他方では少なくともガス透過性であり、例えば≧０．１ｎｍ〜≦５ｎｍの平均孔径を有する酸化物層中の細孔を包含してよい。   Within one embodiment of the material, the material is made up of particles bonded to each other with pores between the particles, each time from a group A metal or metal mixture. The core is at least partly, in particular essentially completely, surrounded by an oxide layer of a group B metal or metal mixture. This has the essential advantage that the core is stabilized by the oxide layer. In particular, the core is thereby essentially protected from thermally induced coarsening and fusion. Furthermore, the core can be protected from environmental influences, in particular from corrosive media. Despite this protection, the material can be catalytically active based on porosity, which is preferred for a considerable number of applications, for example in the sensor area. Within the scope of this embodiment, the material is on the one hand between pores between the particles and on the other hand at least gas permeable, for example in an oxide layer having an average pore size of ≧ 0.1 nm to ≦ 5 nm. It may include pores.

該粒子は、走査電子顕微鏡法によって測定して、１１０ｎｍ以下の平均粒径、例えば５０ｎｍ以下の、殊に２５ｎｍ以下の、例として挙げれば１５ｎｍ以下の平均粒径を有してよい。   The particles may have an average particle size of 110 nm or less, for example 50 nm or less, in particular 25 nm or less, by way of example, 15 nm or less as measured by scanning electron microscopy.

該材料の更なる一実施形態の範囲内で、走査電子顕微鏡法によって測定して、該粒子は、≧０．５ｎｍ〜≦１１０ｎｍ、例えば≧１ｎｍ〜≦５０ｎｍ、殊に≧１ｎｍ〜≦２５ｎｍ、例として挙げれば≧２ｎｍ〜≦１５ｎｍの平均粒径を有する。   Within a further embodiment of the material, the particles are ≧ 0.5 nm to ≦ 110 nm, such as ≧ 1 nm to ≦ 50 nm, in particular ≧ 1 nm to ≦ 25 nm, as measured by scanning electron microscopy. As an average particle diameter of ≧ 2 nm to ≦ 15 nm.

粒子間にある細孔は、走査電子顕微鏡法によって測定して、５０ｎｍ以下の平均孔径、例えば２５ｎｍ以下の、殊に１５ｎｍ以下の、例として挙げれば１０ｎｍ以下の平均粒径を有してよい。   The pores between the particles may have an average pore diameter of 50 nm or less, for example 25 nm or less, in particular 15 nm or less, for example, an average particle diameter of 10 nm or less as measured by scanning electron microscopy.

該材料の更なる一実施形態の範囲内で、走査電子顕微鏡法によって測定して、粒子間にある細孔は、≧０．１ｎｍ〜≦５０ｎｍ、例えば≧０，２ｎｍ〜≦２０ｎｍ、殊に≧０．３ｎｍ〜≦１０ｎｍ、例として挙げれば≧０．５ｎｍ〜≦５ｎｍの平均孔径を有する。   Within a further embodiment of the material, the pores between the particles, as measured by scanning electron microscopy, are ≧ 0.1 nm to ≦ 50 nm, such as ≧ 0, 2 nm to ≦ 20 nm, in particular ≧ It has an average pore diameter of 0.3 nm to ≦ 10 nm, for example, ≧ 0.5 nm to ≦ 5 nm.

該材料は、１０3Ｓｍ-1以上の、殊に１０6Ｓｍ-1の伝導率を有し得る。そのうえ該材料は、１０ｍ2／ｇ以上のＢＥＴ表面積を有し得る。 The material may have a conductivity of 10 3 Sm −1 or more, in particular 10 6 Sm −1 . Moreover, the material can have a BET surface area of 10 m 2 / g or more.

該材料の更なる一実施形態の範囲内で、該材料は、該材料中の金属原子の全体数に対して：
− Ａ群の金属を、≧６５原子パーセント〜≦９７原子パーセント、殊に≧８０原子パーセント〜≦９５原子パーセント及び
− Ｂ群の金属を、≧３原子パーセント〜≦３５原子パーセント、殊に≧５原子パーセント〜≦２０原子パーセント
包含し、その際、Ａ群及びＢ群を合わせた金属原子の合計は１００原子パーセントになる。 Within a further embodiment of the material, the material is relative to the total number of metal atoms in the material:
-Group A metals ≧ 65 atomic percent to ≦ 97 atomic percent, in particular ≧ 80 atomic percent to ≦ 95 atomic percent, and Group B metals ≧ 3 atomic percent to ≦ 35 atomic percent, in particular ≧ 5 Inclusive of atomic percent to ≦ 20 atomic percent, where the total of the metal atoms combined with Group A and Group B is 100 atomic percent.

Ｂ群の酸化物を形成する金属が少数であることに基づき、該導電性材料は、好ましくは主として金属性である。   Based on the small number of metals that form Group B oxides, the conductive material is preferably primarily metallic.

好ましくは、Ａ群は、白金、ロジウム、パラジウム、イリジウム、ルテニウム、レニウム、金及びそれらの混合物から成る。例えば、Ａ群の金属混合物は、金及びパラジウムを包含する、金属混合物、殊に金属合金であってよい。場合により、金−白金−金属混合物は、ロジウム、イリジウム、ルテニウム及びレニウムから選択された更に少なくとも１つの金属を包含してよい。しかしながら、Ａ群は、白金、ロジウム、パラジウム、イリジウム、ルテニウム、レニウム及びそれらの混合物からのみ成っていてもよい。例えば、Ａ群の金属は、純粋な白金、ロジウム、パラジウム、イリジウム、ルテニウム又はレニウムであってよい。   Preferably, group A consists of platinum, rhodium, palladium, iridium, ruthenium, rhenium, gold and mixtures thereof. For example, the group A metal mixture may be a metal mixture, in particular a metal alloy, including gold and palladium. Optionally, the gold-platinum-metal mixture may further comprise at least one metal selected from rhodium, iridium, ruthenium and rhenium. However, group A may consist only of platinum, rhodium, palladium, iridium, ruthenium, rhenium and mixtures thereof. For example, the group A metal may be pure platinum, rhodium, palladium, iridium, ruthenium or rhenium.

該材料の更なる一実施形態の範囲内で、Ａ群は、白金、ロジウム、レニウム及びそれらの混合物、例えば白金及びロジウムからの混合物から成る。   Within a further embodiment of the material, group A consists of platinum, rhodium, rhenium and mixtures thereof, such as mixtures from platinum and rhodium.

Ａ群の金属又は金属混合物は、該Ａ群の金属原子の全体数に対して、白金、ロジウム、パラジウム、イリジウム、ルテニウム、レニウム、金又はそれらの混合物を、≧３０原子パーセント〜≦１００原子パーセント、及び銀、銅、オスミウム又はそれらの混合物を、≧０原子パーセント〜≦７０原子パーセント包含してよく、その際、白金、ロジウム、金、パラジウム、銀、銅、イリジウム、ルテニウム、オスミウム及びレニウムを合わせた原子の合計は１００原子パーセントになる。   Group A metals or metal mixtures are platinum, rhodium, palladium, iridium, ruthenium, rhenium, gold or mixtures thereof from ≧ 30 atomic percent to ≦ 100 atomic percent relative to the total number of Group A metal atoms. , And silver, copper, osmium or mixtures thereof may include ≧ 0 atomic percent to ≦ 70 atomic percent, wherein platinum, rhodium, gold, palladium, silver, copper, iridium, ruthenium, osmium, and rhenium may be included. The sum of the combined atoms is 100 atomic percent.

代替的に、Ａ群の金属又は金属混合物は、該Ａ群の金属原子の全体数に対して、白金、ロジウム、パラジウム、イリジウム、ルテニウム、レニウム、金又はそれらの混合物を、≧３０原子パーセント〜≦１００原子パーセント、及び銀、銅、オスミウム又はそれらの混合物を、≧０原子パーセント〜≦７０原子パーセント包含してよく、その際、白金、ロジウム、金、パラジウム、銀、銅、イリジウム、ルテニウム、オスミウム及びレニウムを合わせた原子の合計は１００原子パーセントになる。   Alternatively, the Group A metal or metal mixture may comprise platinum, rhodium, palladium, iridium, ruthenium, rhenium, gold, or mixtures thereof from ≧ 30 atomic percent to the total number of Group A metal atoms. ≦ 100 atomic percent and silver, copper, osmium or mixtures thereof may include ≧ 0 atomic percent to ≦ 70 atomic percent, wherein platinum, rhodium, gold, palladium, silver, copper, iridium, ruthenium, The sum of the atoms combined with osmium and rhenium is 100 atomic percent.

好ましくは、Ａ群の金属又は金属混合物は、該Ａ群の金属原子の全体数に対して、白金を、≧４０原子パーセント〜≦１００原子パーセント、例えば≧６５原子パーセント〜≦９５原子パーセント、殊に≧６５原子パーセント〜≦９０原子パーセント及びロジウム、パラジウム、イリジウム、ルテニウム、レニウム又はそれらの混合物を、≧０原子パーセント〜≦６０原子パーセント、例えば≧５原子パーセント〜≦３５原子パーセント、殊に≧１０原子パーセント〜≦３５原子パーセント包含し、その際、白金、ロジウム、パラジウム、イリジウム、ルテニウム及びレニウムを合わせた原子の合計は１００原子パーセントになる。   Preferably, the group A metal or metal mixture is platinum ≧ 40 atomic percent to ≦ 100 atomic percent, such as ≧ 65 atomic percent to ≦ 95 atomic percent, in particular, relative to the total number of group A metal atoms. ≧ 65 atomic percent to ≦ 90 atomic percent and rhodium, palladium, iridium, ruthenium, rhenium or mixtures thereof from ≧ 0 atomic percent to ≦ 60 atomic percent, such as ≧ 5 atomic percent to ≦ 35 atomic percent, especially ≧≧ Inclusive of 10 atomic percent to ≦ 35 atomic percent, where the sum of atoms including platinum, rhodium, palladium, iridium, ruthenium and rhenium is 100 atomic percent.

例として挙げれば、Ａ群の金属又は金属混合物は、該Ａ群の金属原子の全体数に対して、白金を、≧４０原子パーセント〜≦１００原子パーセント、例えば≧６５原子パーセント〜≦９５原子パーセント、殊に≧６５原子パーセント〜≦９０原子パーセント及びロジウム、パラジウム又はそれらの混合物、殊にロジウムを、≧０原子パーセント〜≦６０原子パーセント、例えば≧５原子パーセント〜≦３５原子パーセント、殊に≧１０原子パーセント〜≦３５原子パーセント包含してよく、その際、白金、ロジウム及びルテニウム、殊に白金及びロジウムを合わせた原子の合計は１００原子パーセントになる。   By way of example, a Group A metal or metal mixture may contain platinum in a range of ≧ 40 atomic percent to ≦ 100 atomic percent, such as ≧ 65 atomic percent to ≦ 95 atomic percent, relative to the total number of Group A metal atoms. ≧ 65 atomic percent to ≦ 90 atomic percent and rhodium, palladium or mixtures thereof, in particular rhodium, ≧ 0 atomic percent to ≦ 60 atomic percent, for example ≧ 5 atomic percent to ≦ 35 atomic percent, in particular ≧ From 10 atomic percent to ≦ 35 atomic percent, where the total of platinum, rhodium and ruthenium, especially platinum and rhodium combined, is 100 atomic percent.

好ましくは、Ｂ群は、アルミニウム、ガリウム、マグネシウム、スカンジウム、イットリウム、ランタン、ランタニド、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、ニオブ、タンタル、クロム、タングステン、マンガン、鉄又はそれらの混合物から成る。   Preferably, group B consists of aluminum, gallium, magnesium, scandium, yttrium, lanthanum, lanthanide, titanium, zirconium, hafnium, niobium, tantalum, chromium, tungsten, manganese, iron or mixtures thereof.

該材料の更なる一実施形態の範囲内で、Ｂ群は、アルミニウム、セリウム、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、ニオブ、タンタル、クロム又はそれらの混合物から、殊にイットリウム、セリウム、チタン、ジルコニウム、タンタル又はそれらの混合物から成る。   Within a further embodiment of the material, group B is from aluminum, cerium, titanium, zirconium, hafnium, niobium, tantalum, chromium or mixtures thereof, in particular yttrium, cerium, titanium, zirconium, tantalum or Consist of a mixture of them.

例えば、Ｂ群の金属又は金属混合物及び／又はＢ群の金属又は金属混合物の化合物は、Ａ群の金属原子の全体数に対して、アルミニウム、セリウム、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、ニオブ、タンタル、クロム又はそれらの混合物を、≧７０原子パーセント〜≦１００原子パーセント、及びケイ素、ゲルマニウム、スズ、ホウ素、ガリウム、インジウム、ベリリウム、マグネシウム、スカンジウム、イットリウム、ランタン、プラセオジム、ネオジム、プロメチウム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、ルテチウム、モリブデン、タングステン、マンガン、鉄、コバルト、亜鉛又はそれらの混合物を、≧０原子パーセント〜≦３０原子パーセント包含してよく、その際、アルミニウム、セリウム、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、ニオブ、タンタル、クロム、ケイ素、ゲルマニウム、スズ、ホウ素、ガリウム、インジウム、ベリリウム、マグネシウム、スカンジウム、イットリウム、ランタン、プラセオジム、ネオジム、プロメチウム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、ルテチウム、モリブデン、タングステン、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル及び亜鉛を合わせた原子の合計は１００原子パーセントになる。   For example, the group B metal or metal mixture and / or the group B metal or metal mixture compound may be aluminum, cerium, titanium, zirconium, hafnium, niobium, tantalum, chromium with respect to the total number of group A metal atoms. Or mixtures thereof ≧ 70 atomic percent to ≦ 100 atomic percent, and silicon, germanium, tin, boron, gallium, indium, beryllium, magnesium, scandium, yttrium, lanthanum, praseodymium, neodymium, promethium, samarium, europium, gadolinium Terbium, dysprosium, holmium, erbium, thulium, ytterbium, lutetium, molybdenum, tungsten, manganese, iron, cobalt, zinc or mixtures thereof from ≧ 0 atomic percent to ≦ 30 atomic parcels In this case, aluminum, cerium, titanium, zirconium, hafnium, niobium, tantalum, chromium, silicon, germanium, tin, boron, gallium, indium, beryllium, magnesium, scandium, yttrium, lanthanum, praseodymium, neodymium , Promethium, samarium, europium, gadolinium, terbium, dysprosium, holmium, erbium, thulium, ytterbium, lutetium, molybdenum, tungsten, manganese, iron, cobalt, nickel, and zinc total 100 atomic percent.

コアを少なくとも部分的に取り囲んでいる酸化物は、金属の酸化物でも、２つ以上の金属の酸化物からの混合物もしくは混合酸化物であってもよい。例えば、酸化物は、例えばイットリウム、セリウム、チタン、ジルコニウム及びタンタルから成る群から選択されたＢ群の第一の金属の酸化物と、例えばイットリウム、セリウム、チタン、ジルコニウム及びタンタルから成る群から選択された、Ｂ群の第一の金属とは異なる第二の金属の酸化物とからの混合物であってよい。   The oxide at least partially surrounding the core may be a metal oxide or a mixture or mixed oxide of two or more metal oxides. For example, the oxide is selected from, for example, a group B first metal oxide selected from the group consisting of yttrium, cerium, titanium, zirconium and tantalum, and a group consisting of yttrium, cerium, titanium, zirconium and tantalum, for example. And a mixture of a second metal oxide different from the first metal of group B.

Ａ群の金属原子の全体数に対して、Ｂ群の第一の金属の酸化物とＢ群の第二の金属の酸化物とからの混合物は、第一の金属、例えばジルコニウム又はタンタルを、≧１原子パーセント〜≦９９原子パーセント、例えば≧４５原子パーセント〜≦５５原子パーセント、及び第二の金属、例えばセリウム又はイットリウムを、≧１原子パーセント〜≦９９原子パーセント、例えば≧４５原子パーセント〜≦５５原子パーセント包含してよく、その際、第一の金属及び第二の金属を合わせた金属原子の合計は１００原子パーセントになる。   For a total number of group A metal atoms, the mixture of the first metal oxide of group B and the second metal oxide of group B comprises the first metal, for example zirconium or tantalum, ≧ 1 atomic percent to ≦ 99 atomic percent, such as ≧ 45 atomic percent to ≦ 55 atomic percent, and a second metal such as cerium or yttrium, ≧ 1 atomic percent to ≦ 99 atomic percent, such as ≧ 45 atomic percent to ≦ 55 atomic percent may be included, where the sum of the metal atoms of the first metal and the second metal is 100 atomic percent.

本発明による材料は、例えば、センサー、触媒又は燃料電池用の電極材料及び／又は回路材料及び／又は導電性、化学的感受性、殊にガス感受性の材料であってよい。殊に本発明による材料は、排ガスセンサー、例えばラムダセンサー、電解効果−化学センサーのような化学センサーにおいて、又は、例えば化学的感受性の電解効果トランジスター（−センサー）において、例えばゲート電極もしくはゲート電極材料として及び／又は回路もしくは回路材料として使用されることができる。   The material according to the invention can be, for example, an electrode material and / or a circuit material for a sensor, a catalyst or a fuel cell and / or a conductive, chemically sensitive, in particular gas sensitive material. In particular, the material according to the invention can be used in a chemical sensor such as an exhaust gas sensor, for example a lambda sensor, an electrolytic effect-chemical sensor, or in a chemically sensitive electrolytic transistor (-sensor), for example a gate electrode or a gate electrode material. And / or as a circuit or circuit material.

本発明の更なる目的は、下記の方法工程を包含する、導電性材料、殊に本発明による導電性材料、例えば電極材料及び／又は回路材料及び／又は導電性、化学的感受性、殊にガス感受性の材料の製造法である：
ａ１）白金、ロジウム、金、パラジウム、銀、銅、イリジウム、ルテニウム、オスミウム、レニウム及びそれらの混合物から成るＡ群から選択された金属又は金属混合物、例えば金属合金、及び
ケイ素、ゲルマニウム、錫、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウム、ベリリウム、マグネシウム、スカンジウム、イットリウム、ランタン、ランタニド、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、タングステン、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、亜鉛及びそれらの混合物から成るＢ群から選択された金属又は金属混合物、例えば金属合金
を包含する、ナノ粒子を準備する工程、及び／又は
ａ２） − 白金、ロジウム、金、パラジウム、銀、銅、イリジウム、ルテニウム、オスミウム、レニウム及びそれらの混合物から成るＡ群から選択された金属又は金属混合物、例えば金属合金を包含する、ナノ粒子、及び
− ケイ素、ゲルマニウム、錫、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウム、ベリリウム、マグネシウム、スカンジウム、イットリウム、ランタン、ランタニド、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、タングステン、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、亜鉛及びそれらの混合物から成るＢ群から選択された金属又は金属混合物、例えば金属合金、及び／又は
ケイ素、ゲルマニウム、錫、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウム、ベリリウム、マグネシウム、スカンジウム、イットリウム、ランタン、ランタニド、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、タングステン、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、亜鉛及びそれらの混合物から成るＢ群から選択された金属又は金属混合物の少なくとも１つの化合物
からの均一な混合物を準備する工程、及び
ｂ） 方法工程ａ１）又はａ２）からの材料を、少なくとも２００℃で１０分間、例えば少なくとも５００℃で少なくとも１時間、例として挙げれば少なくとも６００℃で少なくとも２時間、酸化性のガス又はガス混合物で処理する工程。 A further object of the present invention is to provide a conductive material, in particular a conductive material according to the present invention, for example an electrode material and / or a circuit material and / or a conductive chemical sensitivity, in particular a gas, comprising the following method steps: The production method for sensitive materials is:
a1) A metal or metal mixture selected from the group A consisting of platinum, rhodium, gold, palladium, silver, copper, iridium, ruthenium, osmium, rhenium and mixtures thereof, eg metal alloys, and silicon, germanium, tin, boron Aluminum, gallium, indium, beryllium, magnesium, scandium, yttrium, lanthanum, lanthanide, titanium, zirconium, hafnium, niobium, tantalum, chromium, molybdenum, tungsten, manganese, iron, cobalt, nickel, zinc and mixtures thereof Providing a nanoparticle comprising a metal or metal mixture selected from group B, for example a metal alloy, and / or a2)-platinum, rhodium, gold, palladium, silver, copper, iridium, ruthenium, osmium, rhenium as well as A metal or metal mixture selected from group A consisting of a mixture thereof, for example a nanoparticle comprising a metal alloy, and
-Silicon, germanium, tin, boron, aluminum, gallium, indium, beryllium, magnesium, scandium, yttrium, lanthanum, lanthanide, titanium, zirconium, hafnium, niobium, tantalum, chromium, molybdenum, tungsten, manganese, iron, cobalt, nickel A metal or metal mixture selected from the group B consisting of zinc and mixtures thereof, such as metal alloys, and / or
Silicon, germanium, tin, boron, aluminum, gallium, indium, beryllium, magnesium, scandium, yttrium, lanthanum, lanthanide, titanium, zirconium, hafnium, niobium, tantalum, chromium, molybdenum, tungsten, manganese, iron, cobalt, nickel, Providing a homogeneous mixture from at least one compound of a metal or metal mixture selected from group B consisting of zinc and mixtures thereof; and b) a material from process step a1) or a2) of at least 200 ° C. Treating with an oxidizing gas or gas mixture for at least 10 minutes, for example at least 500 ° C. for at least 1 hour, for example at least 600 ° C. for at least 2 hours.

"ナノ粒子"と称されるのは、本発明の範囲内で、殊に、その平均粒径が１００ｎｍ以下、殊に≧０．４ｎｍ〜≦１００ｎｍ、例えば≧０．５ｎｍ〜≦４０ｎｍ、例として挙げれば≧１ｎｍ〜≦７ｎｍである原子又は分子の結合体である。   “Nanoparticles” are referred to within the scope of the present invention, in particular with an average particle size of 100 nm or less, in particular ≧ 0.4 nm to ≦ 100 nm, for example ≧ 0.5 nm to ≦ 40 nm, for example For example, it is a combination of atoms or molecules of ≧ 1 nm to ≦ 7 nm.

"酸化性のガス又はガス混合物"とは、２００℃以上の温度で、Ｂ群の金属又は金属混合物もしくはＢ群の金属又は金属混合物の化合物を酸化するガス又はガス混合物と解され得る。殊に、"酸化性のガス又はガス混合物"とは、５００℃以上の、殊に６００℃以上の温度で、Ｂ群の金属又は金属混合物もしくはＢ群の金属又は金属混合物の化合物を酸化するガス又はガス混合物と解され得る。殊に、Ｂ群の金属又は金属混合物もしくはＢ群の金属又は金属混合物の化合物は完全に酸化されてよい。酸化性のガス又はガス混合物は、例えば、酸素１０体積パーセントと窒素９０体積パーセントとからのガス混合物であってよい。   “Oxidizing gas or gas mixture” can be understood as a gas or gas mixture that oxidizes a group B metal or metal mixture or a group B metal or metal mixture compound at a temperature of 200 ° C. or higher. In particular, an “oxidizing gas or gas mixture” means a gas that oxidizes a group B metal or a metal mixture or a group B metal or a compound of a metal mixture at a temperature of 500 ° C. or higher, in particular 600 ° C. or higher. Or it can be understood as a gas mixture. In particular, the group B metals or metal mixtures or the compounds of the group B metals or metal mixtures may be completely oxidized. The oxidizing gas or gas mixture may be, for example, a gas mixture from 10 volume percent oxygen and 90 volume percent nitrogen.

方法工程ａ１）では、Ａ群の金属又は金属混合物のみならず、Ｂ群の金属又は金属混合物も包含するナノ粒子が使用される。その際、該ナノ粒子は、溶媒中のナノ粒子の懸濁液の形でも使用されることができる。Ｂ群の金属又は金属混合物は、方法工程ａ１）で、金属混合物、殊に金属合金を、Ａ群の金属又は金属混合物と形成してよい。殊に、方法工程ａ１）におけるナノ粒子は、Ａ群の金属又は金属混合物とＢ群の金属又は金属混合物とから成る。   In process step a1), nanoparticles are used which comprise not only the group A metals or metal mixtures but also the group B metals or metal mixtures. The nanoparticles can then be used in the form of a suspension of nanoparticles in a solvent. Group B metals or metal mixtures may form metal mixtures, in particular metal alloys, with Group A metals or metal mixtures in process step a1). In particular, the nanoparticles in process step a1) consist of a group A metal or metal mixture and a group B metal or metal mixture.

方法工程ａ２）で、たしかにＡ群の金属又は金属混合物を包含するナノ粒子も使用されるが、しかしながら、Ｂ群の金属又は金属混合物は、その際、Ａ群のナノ粒子中には含まれておらず、別個の成分として存在する。その際、Ｂ群の金属又は金属混合物は、方法工程ａ２）において、粒子、殊にナノ粒子の形で、又は粒子、殊にナノ粒子の懸濁液の形で、溶媒中で使用されることができる。Ｂ群の金属又は金属混合物の化合物は、方法工程ａ２）で、粒子、殊にナノ粒子の形で、又は粒子、殊にナノ粒子の懸濁液の形で、溶媒中で又は溶媒に溶解して使用されることができる。方法工程ａ２）でも、ナノ粒子はＡ群の金属又は金属混合物から成る。   In process step a2), nanoparticles comprising a group A metal or metal mixture are also used, however, the group B metal or metal mixture is then included in the group A nanoparticles. It exists as a separate component. The group B metal or metal mixture is then used in process step a2) in the form of particles, in particular nanoparticles, or in the form of a suspension of particles, in particular nanoparticles. Can do. The compounds of group B metals or metal mixtures are dissolved in or in the solvent in process step a2) in the form of particles, in particular nanoparticles, or in the form of a suspension of particles, in particular nanoparticles. Can be used. Also in process step a2), the nanoparticles consist of Group A metals or metal mixtures.

方法工程ｂ）によって、好ましくは、Ａ群の金属の周りに、Ｂ群の腐食−及び焼結安定性の金属酸化物が形成され得る。殊に、Ｂ群の金属酸化物で取り囲まれている、Ａ群の金属からの金属骨格を有する材料を製造することができる。このようにして好ましくは、Ａ群の金属又は金属混合物は、考えられる構造変化及び化学的な攻撃から保護されることができる。   By means of process step b), it is possible that a group B corrosion- and sintering-stable metal oxide is preferably formed around the group A metals. In particular, it is possible to produce a material having a metal skeleton from a group A metal surrounded by a group B metal oxide. In this way preferably the Group A metals or metal mixtures can be protected from possible structural changes and chemical attack.

かかる方法によって、好ましくは、上記の特性を有する、上記の導電性材料、殊に電極材料及び／又は回路材料及び／又は導電性、化学的感受性、殊にガス感受性の材料を製造することができる。これは既に述べたように、導電性であるのみならず、主として金属性及び／又は耐腐食性及び／又は温度安定性及び／又は多孔性であってもよい。そのうえ、かかる方法によって製造された導電性材料、殊に電極材料及び／又は回路材料及び／又は導電性、化学的感受性、殊にガス感受性の材料は、ナノメートル領域の一様に定義された構造を有し得る。   Such a method preferably makes it possible to produce the above-mentioned conductive materials, in particular electrode materials and / or circuit materials, and / or conductive, chemically sensitive, in particular gas-sensitive materials having the above-mentioned properties. . As already mentioned, this is not only electrically conductive but may also be primarily metallic and / or corrosion resistant and / or temperature stable and / or porous. Moreover, conductive materials, in particular electrode materials and / or circuit materials and / or electrically conductive, chemically sensitive, in particular gas sensitive materials, produced by such a method have a uniformly defined structure in the nanometer range. Can have.

酸化性のガス又はガス混合物による処理は、殊に≧５００℃〜≦１５００℃、例えば≧５５０℃〜≦１０００℃の温度で、且つ／又は１時間を上回る、例えば２時間を上回る処理時間中ずっと行ってよい。   The treatment with the oxidizing gas or gas mixture is in particular at a temperature of ≧ 500 ° C. to ≦ 1500 ° C., for example ≧ 550 ° C. to ≦ 1000 ° C. and / or for a treatment time of more than 1 hour, for example more than 2 hours. You can go.

酸化性のガス又はガス混合物は、例えば、酸素を≧１体積パーセント〜≦１００体積パーセント、例えば≧１体積パーセント〜≦２０体積パーセント、殊に≧１体積パーセント〜≦１５体積パーセント及び窒素又は１つ以上の希ガス、殊にアルゴン、又は窒素と１つ以上の希ガス、殊にアルゴンの混合物を、≧０体積パーセント〜≦９９体積パーセント、例えば≧８０体積パーセント〜≦９９体積パーセント、殊に≧８５体積パーセント〜≦９９体積パーセント包含してよく、その際、酸素、窒素及び希ガスを合わせた体積パーセントの合計は１００体積パーセントになる。   The oxidizing gas or gas mixture may be, for example, oxygen from ≧ 1 volume percent to ≦ 100 volume percent, such as ≧ 1 volume percent to ≦ 20 volume percent, especially ≧ 1 volume percent to ≦ 15 volume percent and nitrogen or one. ≥0 volume percent to ≦ 99 volume percent, such as ≧ 80 volume percent to ≦ 99 volume percent, in particular ≧ 85 volume percent to ≦ 99 volume percent may be included, where the combined volume percent of oxygen, nitrogen and noble gas is 100 volume percent.

該方法の一実態態様の範囲内で、方法工程ａ２）で、Ｂ群の金属又は金属混合物の化合物が溶媒に溶解されて（溶液として）準備される。このようにして、Ａ群のナノ粒子は実質的に完全に酸化物層で取り囲まれることができる。   Within the scope of one embodiment of the method, in step a2), the group B metal or metal mixture compound is prepared in solution (as a solution). In this way, the Group A nanoparticles can be substantially completely surrounded by the oxide layer.

しかしながら、方法工程ａ２）で、Ｂ群の金属又は金属混合物の化合物はナノ粒子の形でも準備されることができる。Ｂ群の金属又は金属混合物の化合物は、方法工程ａ２）で、同様にナノ粒子の形で準備されることができる。例として挙げれば、ナノ粒子はバルク材料として準備されることができる。   However, in process step a2) the compounds of group B metals or metal mixtures can also be prepared in the form of nanoparticles. The compounds of group B metals or metal mixtures can likewise be prepared in the form of nanoparticles in process step a2). As an example, the nanoparticles can be prepared as a bulk material.

該方法の更なる一実施形態の範囲内で、方法工程ａ１）で、Ｂ群の金属又は金属混合物は溶媒中のナノ粒子の懸濁液の形で、及び／又は方法工程ａ２）で、Ｂ群の金属又は金属混合物は溶媒中のナノ粒子の懸濁液の形で、及び／又は方法工程ａ２）で、Ｂ群の金属又は金属混合物の化合物は溶媒中のナノ粒子の懸濁液の形で準備される。このようにして導電性材料の高い均一性が得られる。   Within a further embodiment of the method, in process step a1), the group B metal or metal mixture is in the form of a suspension of nanoparticles in a solvent and / or in process step a2), B Group metals or metal mixtures are in the form of suspensions of nanoparticles in a solvent and / or in process step a2), Group B metals or compounds of metal mixtures are in the form of suspensions of nanoparticles in a solvent. Prepared at. In this way, high uniformity of the conductive material can be obtained.

有利には、極性プロトン性溶媒、例えばジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド又はプロトン性溶媒、例えばエタノール、エチレングリコール、ヘキサン酸又はトリプロピルアミンが溶媒として使用される。   Advantageously, polar protic solvents such as dimethylformamide, N-methylpyrrolidone, dimethyl sulfoxide or protic solvents such as ethanol, ethylene glycol, hexanoic acid or tripropylamine are used as solvents.

方法工程ａ１）又はａ２）の後、該方法は、方法工程ｂ０１）：方法工程ａ１）及び／又はａ２）からの材料を、担体部材、酸化ジルコニウムからの担体部材又はシリコンウェハの表面に施与する工程、を包含してよい。殊に、方法工程ａ１）及び／又はａ２）からの材料は、方法工程ｂ０１）でまず溶媒中で表面に施与されることができる。次いで該溶媒は、方法工程ｂ０１）に続く方法工程ｂ０２）で除去／乾燥されることができる。   After method step a1) or a2), the method applies method step b01): material from method step a1) and / or a2) to the surface of a support member, a support member from zirconium oxide or a silicon wafer. May include the steps of: In particular, the material from process step a1) and / or a2) can first be applied to the surface in a solvent in process step b01). The solvent can then be removed / dried in method step b02) following method step b01).

該方法の更なる一実施形態の範囲内で、該方法は、方法工程ａ１）／ａ２）、ｂ０１）及び／又はｂ０２）の後、及び／又は方法工程ｂ）の前に方法工程ｂ０３）：少なくとも３５０℃で少なくとも２０分間、殊に少なくとも５００℃で少なくとも１時間、例えば少なくとも５５０℃で少なくとも１．５時間、例として挙げれば少なくとも６００℃で少なくとも２時間、非酸化性、殊に還元性のガス又はガス混合物で該材料を処理する工程、を包含する。このようにして、なかでもＡ群とＢ群の金属との間で合金形成が起こり得る。非酸化性、殊に還元性のガス又はガス混合物による処理は、例えば≧５００℃〜≦１５００℃、例えば≧５５０℃〜≦１０００℃の温度で、且つ／又は１時間を上回る、例えば２時間を上回る処理時間中ずっと行われることができる。   Within a further embodiment of the method, the method comprises method step b03) after method step a1) / a2), b01) and / or b02) and / or before method step b): At least 350 ° C. for at least 20 minutes, in particular at least 500 ° C. for at least 1 hour, for example at least 550 ° C. for at least 1.5 hours, for example at least 600 ° C. for at least 2 hours, non-oxidizing, in particular reducing Treating the material with a gas or gas mixture. In this way, alloy formation can occur between the metals of Group A and Group B, among others. The treatment with a non-oxidizing, in particular reducing gas or gas mixture, for example at a temperature of ≧ 500 ° C. to ≦ 1500 ° C., for example ≧ 550 ° C. to ≦ 1000 ° C. and / or more than 1 hour, for example 2 hours. It can be done throughout the processing time.

その際、"非酸化性のガス又はガス混合物"とは、３５０℃又はそれより高い温度で、Ａ群の金属又は金属混合物及びＢ群の金属又は金属混合物及びＢ群の金属又は金属混合物の化合物が酸化されないガス混合物と解され得る。殊に、"非酸化性のガス又はガス混合物"とは、５００℃又はそれより高い、例えば５５０℃又はそれより高い、例として挙げれば６００℃又はそれより高い温度で、Ａ群の金属又は金属混合物及びＢ群の金属又は金属混合物及びＢ群の金属又は金属混合物の化合物が酸化されないガス混合物と解され得る。例えば、"非酸化性のガス又はガス混合物"とは、水素５体積パーセントと窒素９５体積パーセントとからのガス混合物と解され得る。   In this case, “non-oxidizing gas or gas mixture” means a group A metal or metal mixture and a group B metal or metal mixture and a group B metal or metal mixture compound at a temperature of 350 ° C. or higher. Can be understood as a gas mixture that is not oxidized. In particular, a “non-oxidizing gas or gas mixture” means a group A metal or metal at a temperature of 500 ° C. or higher, such as 550 ° C. or higher, for example 600 ° C. or higher. It can be understood that the mixture and the Group B metal or metal mixture and the Group B metal or metal mixture compound are non-oxidized gas mixtures. For example, "non-oxidizing gas or gas mixture" can be understood as a gas mixture from 5 volume percent hydrogen and 95 volume percent nitrogen.

その際、"還元性のガス又はガス混合物"とは、３５０℃又はそれより高い温度で、０より大きい酸化数を有するＢ群の金属又は金属混合物の化合物、例えば酸化物が少なくとも部分的に還元されるガス混合物と解され得る。殊に、"還元性のガス又はガス混合物"とは、５００℃又はそれより高い、例えば５５０℃又はそれより高い、例として挙げれば６００℃又はそれより高い温度で、０より大きい酸化数を有するＢ群の金属又は金属混合物の化合物、例えば酸化物が少なくとも部分的に還元されるガス混合物と解され得る。場合により、還元性のガス又はガス混合物は、場合により不純物としてナノ粒子中に生じてよく、部分的又は完全に還元する、０より大きい酸化数を有するＡ群の金属又は金属混合物の化合物であってよい。   In this context, “reducing gas or gas mixture” means a group B metal or compound of a metal mixture having an oxidation number greater than 0, such as an oxide, at least partially reduced at a temperature of 350 ° C. or higher. Gas mixture. In particular, a “reducing gas or gas mixture” has an oxidation number greater than 0 at a temperature of 500 ° C. or higher, such as 550 ° C. or higher, for example 600 ° C. or higher. It can be understood as a gas mixture in which the compounds of group B metals or metal mixtures, for example oxides, are at least partially reduced. In some cases, the reducing gas or gas mixture may be a compound of a group A metal or metal mixture having an oxidation number greater than 0, optionally occurring in the nanoparticles as an impurity and partially or fully reduced. It's okay.

非酸化性、殊に還元性のガス又はガス混合物は、例えば、水素又は一酸化炭素又は水素と一酸化炭素とからの混合物を、≧０．００１体積パーセント〜≦１００体積パーセント、例えば≧０．０１体積パーセント〜≦２０体積パーセント、殊に≧０．１体積パーセント〜≦１０体積パーセント、例として挙げれば≧１体積パーセント〜≦５体積パーセント及び窒素又は１つ以上の希ガス、殊にアルゴン、又は窒素と１つ以上の希ガス、殊にアルゴンとの混合物を、≧０体積パーセント〜≦９９．９９９体積パーセント、例えば≧８０体積パーセント〜≦９９．９９体積パーセント、殊に≧９０体積パーセント〜≦９９．９体積パーセント、例として挙げれば≧９５体積パーセント〜≦９９体積パーセント包含してよく、その際、水素、一酸化炭素、窒素及び希ガスを合わせた体積パーセントの合計は１００体積パーセントになる。   Non-oxidizing, in particular reducing gases or gas mixtures are, for example, hydrogen or carbon monoxide or a mixture of hydrogen and carbon monoxide, ≧ 0.001 volume percent to ≦ 100 volume percent, such as ≧ 0. 01 volume percent to ≦ 20 volume percent, in particular ≧ 0.1 volume percent to ≦ 10 volume percent, for example ≧ 1 volume percent to ≦ 5 volume percent and nitrogen or one or more noble gases, in particular argon, Or a mixture of nitrogen and one or more noble gases, in particular argon, ≧ 0 volume percent to ≦ 99.999 volume percent, such as ≧ 80 volume percent to ≦ 99.99 volume percent, in particular ≧ 90 volume percent ≦ 99.9 volume percent, by way of example, may include ≧ 95 volume percent to ≦ 99 volume percent, where hydrogen, monoxide Element, the total volume percent of the combined nitrogen and rare gases up to 100% by volume.

Ｂ群の金属又は金属混合物の化合物は、例えば、Ｂ群の金属又は金属混合物（すなわち２つ以上の金属）の無機塩又は有機塩及び／又は無機錯体又は有機錯体であってよい。   The group B metal or metal mixture compound may be, for example, an inorganic or organic salt and / or inorganic complex or organic complex of the group B metal or metal mixture (ie, two or more metals).

該方法の更なる一実施形態の範囲内で、Ｂ群の金属又は金属混合物の化合物は、Ｂ群の金属又は金属混合物の酸化物、硝酸塩及び／又はハロゲン化物である。   Within a further embodiment of the method, the group B metal or metal mixture compound is an oxide, nitrate and / or halide of the group B metal or metal mixture.

該方法の更なる一実施形態の範囲内で、Ｂ群の金属又は金属混合物の化合物は、Ｂ群の金属又は金属混合物のアルコレート、例えばメトキシレート、エトキシレート、ｎ−プロポキシレート、イソプロポキシレート、ｎ−ブトキシレート又はイソブトキシレート、殊にエトキシレート、イソプロポキシレート又はイソブチレート又は有機酸、例えばアセテートと、Ｂ群の金属又は金属混合物との塩である。例として挙げれば、Ｂ群の金属又は金属混合物の化合物は、タンタルペンタエトキシド、ジルコニウムテトライソプロポキシド、チタンテトライソブトキシレート、セリウムアセテート又はイットリウムアセテートであってよい。   Within a further embodiment of the method, the group B metal or metal mixture compound is an alcoholate of the group B metal or metal mixture, such as methoxylate, ethoxylate, n-propoxylate, isopropoxylate. N-butoxylate or isobutoxylate, in particular ethoxylate, isopropoxylate or isobutyrate or an organic acid such as acetate and a salt of a group B metal or metal mixture. By way of example, the group B metal or metal mixture compound may be tantalum pentaethoxide, zirconium tetraisopropoxide, titanium tetraisobutoxylate, cerium acetate or yttrium acetate.

好ましくは、Ａ群は、白金、ロジウム、パラジウム、イリジウム、ルテニウム、レニウム、金及びそれらの混合物から成る。例えば、Ａ群の金属混合物は、金及びパラジウムを包含する、金属混合物、殊に金属合金であってよい。場合により、金−白金−金属混合物は、ロジウム、イリジウム、ルテニウム及びレニウムから選択された更に少なくとも１つの更なる金属を包含してよい。しかしながら、Ａ群は、白金、ロジウム、パラジウム、イリジウム、ルテニウム、レニウム及びそれらの混合物からのみ成っていてもよい。例えば、Ａ群の金属は、純粋な白金、ロジウム、パラジウム、イリジウム、ルテニウム又はレニウムであってよい。   Preferably, group A consists of platinum, rhodium, palladium, iridium, ruthenium, rhenium, gold and mixtures thereof. For example, the group A metal mixture may be a metal mixture, in particular a metal alloy, including gold and palladium. Optionally, the gold-platinum-metal mixture may include at least one further metal selected from rhodium, iridium, ruthenium and rhenium. However, group A may consist only of platinum, rhodium, palladium, iridium, ruthenium, rhenium and mixtures thereof. For example, the group A metal may be pure platinum, rhodium, palladium, iridium, ruthenium or rhenium.

該方法の更なる一実施形態の範囲内で、Ａ群は、白金、ロジウム、レニウム及びそれらの混合物、例えば白金とロジウムからの混合物から成る。   Within a further embodiment of the method, Group A consists of platinum, rhodium, rhenium and mixtures thereof, such as a mixture of platinum and rhodium.

Ａ群の金属又は金属混合物は、該Ａ群の金属原子の全体数に対して、白金、ロジウム、パラジウム、イリジウム、ルテニウム、レニウム、金又はそれらの混合物を、≧３０原子パーセント〜≦１００原子パーセント、及び銀、銅、オスミウム又はそれらの混合物を、≧０原子パーセント〜≦７０原子パーセント包含してよく、その際、白金、ロジウム、金、パラジウム、銀、銅、イリジウム、ルテニウム、オスミウム及びレニウムを合わせた原子の合計は１００原子パーセントになる。   Group A metals or metal mixtures are platinum, rhodium, palladium, iridium, ruthenium, rhenium, gold or mixtures thereof from ≧ 30 atomic percent to ≦ 100 atomic percent relative to the total number of Group A metal atoms. , And silver, copper, osmium or mixtures thereof may include ≧ 0 atomic percent to ≦ 70 atomic percent, wherein platinum, rhodium, gold, palladium, silver, copper, iridium, ruthenium, osmium, and rhenium may be included. The sum of the combined atoms is 100 atomic percent.

代替的に、Ａ群の金属又は金属混合物は、該Ａ群の金属原子の全体数に対して、白金、ロジウム、パラジウム、イリジウム、ルテニウム、レニウム、金又はそれらの混合物を、≧３０原子パーセント〜≦１００原子パーセント、及び銀、銅、オスミウム又はそれらの混合物を、≧０原子パーセント〜≦７０原子パーセント包含してよく、その際、白金、ロジウム、金、パラジウム、銀、銅、イリジウム、ルテニウム、オスミウム及びレニウムを合わせた原子の合計は１００原子パーセントになる。   Alternatively, the Group A metal or metal mixture may comprise platinum, rhodium, palladium, iridium, ruthenium, rhenium, gold, or mixtures thereof from ≧ 30 atomic percent to the total number of Group A metal atoms. ≦ 100 atomic percent and silver, copper, osmium or mixtures thereof may include ≧ 0 atomic percent to ≦ 70 atomic percent, wherein platinum, rhodium, gold, palladium, silver, copper, iridium, ruthenium, The sum of the atoms combined with osmium and rhenium is 100 atomic percent.

好ましくは、Ａ群の金属又は金属混合物は、該Ａ群の金属原子の全体数に対して、白金を、≧４０原子パーセント〜≦１００原子パーセント、例えば≧６５原子パーセント〜≦９５原子パーセント、殊に≧６５原子パーセント〜≦９０原子パーセント及びロジウム、パラジウム、イリジウム、ルテニウム、レニウム又はそれらの混合物を、≧０原子パーセント〜≦６０原子パーセント、例えば≧５原子パーセント〜≦３５原子パーセント、殊に≧１０原子パーセント〜≦３５原子パーセント包含し、その際、白金、ロジウム、パラジウム、イリジウム、ルテニウム及びレニウムを合わせた原子の合計は１００原子パーセントになる。   Preferably, the group A metal or metal mixture is platinum ≧ 40 atomic percent to ≦ 100 atomic percent, such as ≧ 65 atomic percent to ≦ 95 atomic percent, in particular, relative to the total number of group A metal atoms. ≧ 65 atomic percent to ≦ 90 atomic percent and rhodium, palladium, iridium, ruthenium, rhenium or mixtures thereof from ≧ 0 atomic percent to ≦ 60 atomic percent, such as ≧ 5 atomic percent to ≦ 35 atomic percent, especially ≧≧ Inclusive of 10 atomic percent to ≦ 35 atomic percent, where the sum of atoms including platinum, rhodium, palladium, iridium, ruthenium and rhenium is 100 atomic percent.

例として挙げれば、Ａ群の金属又は金属混合物は、該Ａ群の金属原子の全体数に対して、白金を、≧４０原子パーセント〜≦１００原子パーセント、例えば≧６５原子パーセント〜≦９５原子パーセント、殊に≧６５原子パーセント〜≦９０原子パーセント及びロジウム、レニウム又はそれらの混合物、殊にロジウムを、≧０原子パーセント〜≦６０原子パーセント、例えば≧５原子パーセント〜≦３５原子パーセント、殊に≧１０原子パーセント〜≦３５原子パーセント包含してよく、その際、白金、ロジウム及びルテニウム、殊に白金及びレニウムを合わせた原子の合計は１００原子パーセントになる。   By way of example, a Group A metal or metal mixture may contain platinum in a range of ≧ 40 atomic percent to ≦ 100 atomic percent, such as ≧ 65 atomic percent to ≦ 95 atomic percent, relative to the total number of Group A metal atoms. ≧ 65 atomic percent to ≦ 90 atomic percent and rhodium, rhenium or mixtures thereof, in particular rhodium, ≧ 0 atomic percent to ≦ 60 atomic percent, for example ≧ 5 atomic percent to ≦ 35 atomic percent, in particular ≧ From 10 atomic percent to ≦ 35 atomic percent, where the total of platinum, rhodium and ruthenium, especially platinum and rhenium combined, is 100 atomic percent.

場合により、Ｂ群の金属化合物は、ホウ素の一酸化物又は複数の酸化物から成る。   In some cases, the Group B metal compound comprises a monoxide or a plurality of oxides of boron.

好ましくは、Ｂ群は、アルミニウム、ガリウム、マグネシウム、スカンジウム、イットリウム、ランタン、ランタニド、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、ニオブ、タンタル、クロム、タングステン、マンガン、鉄又はそれらの混合物から成る。   Preferably, group B consists of aluminum, gallium, magnesium, scandium, yttrium, lanthanum, lanthanide, titanium, zirconium, hafnium, niobium, tantalum, chromium, tungsten, manganese, iron or mixtures thereof.

該方法の更なる一実施形態の範囲内で、Ｂ群は、アルミニウム、セリウム、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、ニオブ、タンタル、クロム又はそれらの混合物から、殊にイットリウム、セリウム、チタン、ジルコニウム、タンタル又はそれらの混合物から成る。   Within a further embodiment of the method, group B is from aluminum, cerium, titanium, zirconium, hafnium, niobium, tantalum, chromium or mixtures thereof, in particular yttrium, cerium, titanium, zirconium, tantalum or Consist of a mixture of them.

例えば、Ｂ群の金属又は金属混合物及び／又はＢ群の金属又は金属混合物の化合物は、Ａ群の金属原子の全体数に対して、アルミニウム、セリウム、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、ニオブ、タンタル、クロム又はそれらの混合物を、≧７０原子パーセント〜≦１００原子パーセント、及びケイ素、ゲルマニウム、スズ、ホウ素、ガリウム、インジウム、ベリリウム、マグネシウム、スカンジウム、イットリウム、ランタン、プラセオジム、ネオジム、プロメチウム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、ルテチウム、モリブデン、タングステン、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、亜鉛又はそれらの混合物を、０≧原子パーセント〜≦３０原子パーセント包含してよく、その際、アルミニウム、セリウム、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、ニオブ、タンタル、クロム、ケイ素、ゲルマニウム、スズ、ホウ素、ガリウム、インジウム、ベリリウム、マグネシウム、スカンジウム、イットリウム、ランタン、プラセオジム、ネオジム、プロメチウム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、ルテチウム、モリブデン、タングステン、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル及び亜鉛を合わせた原子の合計は１００原子パーセントになる。   For example, the group B metal or metal mixture and / or the group B metal or metal mixture compound may be aluminum, cerium, titanium, zirconium, hafnium, niobium, tantalum, chromium with respect to the total number of group A metal atoms. Or mixtures thereof ≧ 70 atomic percent to ≦ 100 atomic percent, and silicon, germanium, tin, boron, gallium, indium, beryllium, magnesium, scandium, yttrium, lanthanum, praseodymium, neodymium, promethium, samarium, europium, gadolinium Terbium, dysprosium, holmium, erbium, thulium, ytterbium, lutetium, molybdenum, tungsten, manganese, iron, cobalt, nickel, zinc or mixtures thereof from 0 ≧ atomic percent to ≦ 30 May be included in which case aluminum, cerium, titanium, zirconium, hafnium, niobium, tantalum, chromium, silicon, germanium, tin, boron, gallium, indium, beryllium, magnesium, scandium, yttrium, lanthanum, praseodymium, The total of the combined atoms of neodymium, promethium, samarium, europium, gadolinium, terbium, dysprosium, holmium, erbium, thulium, ytterbium, lutetium, molybdenum, tungsten, manganese, iron, cobalt, nickel and zinc is 100 atomic percent.

方法工程ａ２）で、金属又は金属混合物の２つ以上の化合物も準備されることができる。その際、該化合物は、金属の種類及び／又は結合する粒子、殊に塩形成剤もしくは錯化剤の種類が異なっていてよい。例えば、方法工程ａ２）で、例えばイットリウム、セリウム、チタン、ジルコニウム及びタンタルから成る群から選択された、Ｂ群の第一の金属の化合物、例えばエトキシレート、イソプロポキシレート又はイソブチレート、及び、例えばイットリウム、セリウム、チタン、ジルコニウム及びタンタルから成る群から選択された、Ｂ群の第一の金属と同じか又は異なる、殊に異なる第二の金属の、第一の化合物と同じか又は異なる第二の化合物、例えばエトキシレート、イソプロポキシレート又はイソブチレートが準備されることができる。   In process step a2), two or more compounds of metals or metal mixtures can also be prepared. In this case, the compounds may differ in the type of metal and / or the particles to be bound, in particular the type of salt former or complexing agent. For example, in process step a2) a compound of a first metal of group B, for example selected from the group consisting of yttrium, cerium, titanium, zirconium and tantalum, such as ethoxylate, isopropoxylate or isobutyrate, and for example yttrium A second metal selected from the group consisting of cerium, titanium, zirconium and tantalum, the same as or different from the first metal of group B, in particular a different second metal, the same as or different from the first compound. Compounds such as ethoxylates, isopropoxylates or isobutyrate can be provided.

第一及び第二の化合物のＡ群の金属原子の全体数に対して、第一の化合物、例として挙げればジルコニウムテトライソプロポキシド又はテトラペンタエトキシドを、≧１原子パーセント〜≦９９原子パーセント、例えば≧４５原子パーセント〜≦５５原子パーセント、及び第二の化合物、例として挙げればセリウムアセテート又はイットリウムアセテートを、≧１原子パーセント〜≦９９原子パーセント、例えば≧４５原子パーセント〜≦５５原子パーセント包含してよく、その際、第一及び第二の化合物を合わせた金属原子の合計は１００原子パーセントになる。   With respect to the total number of group A metal atoms of the first and second compounds, the first compound, for example zirconium tetraisopropoxide or tetrapentaethoxide, may be ≧ 1 atomic percent to ≦ 99 atomic percent. Including ≧ 45 atomic percent to ≦ 55 atomic percent, and a second compound, such as cerium acetate or yttrium acetate, for example ≧ 1 atomic percent to ≦ 99 atomic percent, such as ≧ 45 atomic percent to ≦ 55 atomic percent In this case, the sum of the metal atoms of the first and second compounds is 100 atomic percent.

本発明の更なる目的は、本発明による方法によって製造された導電性材料、殊に電極材料及び／又は回路材料及び／又は導電性、化学的感受性、殊にガス感受性の材料、ならびにその使用である。例として挙げれば、本発明による方法によって製造された導電性材料は、センサー、触媒又は燃料電池用の電極材料及び／又は回路材料及び／又は導電性、化学的感受性、殊にガス感受性の材料であってよい。殊に、本発明による方法によって製造された導電性材料は、排ガスセンサー、例えばラムダセンサー、電解効果−化学センサーのような化学センサーにおいて、又は、例えば化学的感受性の電解効果トランジスター（−センサー）において、例えばゲート電極もしくはゲート電極材料として及び／又は回路もしくは回路材料として使用されることができる。   A further object of the present invention is the use of electrically conductive materials, in particular electrode and / or circuit materials and / or electrically conductive, chemically sensitive, in particular gas sensitive materials, and their use produced by the method according to the invention. is there. By way of example, the conductive material produced by the method according to the invention is an electrode material and / or circuit material for sensors, catalysts or fuel cells and / or a conductive, chemically sensitive, in particular gas sensitive material. It may be. In particular, the conductive material produced by the method according to the invention can be used in exhaust gas sensors, for example chemical sensors such as lambda sensors, electrolytic effects-chemical sensors, or, for example, in chemically sensitive field-effect transistors (-sensors). For example as a gate electrode or gate electrode material and / or as a circuit or circuit material.

本発明による目的の更なる利点及び好ましい実施形態は、図面によって具体的に示され、また下記記載において説明される。その際、図面は単に特性を説明するものに過ぎず、本発明を何らかの形で限定するものではないことに留意されたい。   Further advantages and preferred embodiments of the object according to the invention are specifically illustrated by the drawings and explained in the following description. In so doing, it should be noted that the drawings are merely illustrative of the characteristics and do not limit the invention in any way.

本発明による導電性材料の第一の実施形態による、はっきりと図式化された断面を示す図Figure 2 shows a clearly diagrammatic cross section according to a first embodiment of a conductive material according to the invention 本発明による導電性材料の第二の実施形態による、はっきりと図式化された断面を示す図Figure showing a clearly diagrammatic cross section according to a second embodiment of the conductive material according to the invention 本発明による導電性材料の第三の実施形態による、はっきりと図式化された断面を示す図Figure showing a clearly diagrammatic cross section according to a third embodiment of a conductive material according to the invention 本発明による導電性材料の第四の実施形態による、はっきりと図式化された断面を示す図Figure showing a clearly diagrammatic cross section according to a fourth embodiment of a conductive material according to the invention 本発明による導電性材料の第五の実施形態による、はっきりと図式化された断面を示す図Figure showing a clearly diagrammatic cross section according to a fifth embodiment of the conductive material according to the invention 実施例２において製造された材料の走査型電子顕微鏡写真を示す図The figure which shows the scanning electron micrograph of the material manufactured in Example 2 実施例３において製造された材料の走査型電子顕微鏡写真を示す図The figure which shows the scanning electron micrograph of the material manufactured in Example 3 実施例４において製造された材料の走査型電子顕微鏡写真を示す図The figure which shows the scanning electron micrograph of the material manufactured in Example 4

図１は、第一の実施形態の導電性材料が、Ａ群の金属又は金属混合物からのコア１を包含し、その際、該コアは、Ｂ群の金属又は金属混合物の酸化物２ａ／２ｂにより取り囲まれていることを示す。この種の材料は、例えば−方法工程ａ２）に従って−Ａ群及びＢ群の同じ大きさのナノ粒子の使用によって製造されることができる。   FIG. 1 shows that the conductive material of the first embodiment includes a core 1 from a group A metal or metal mixture, wherein the core is an oxide 2a / 2b of a group B metal or metal mixture. Indicates that it is surrounded by This type of material can be produced, for example, by the use of nanoparticles of the same size in groups A and B according to method step a2).

図２は、第二の実施形態の導電性材料が、方法工程ａ２）で、Ａ群のナノ粒子より明らかに小さいＢ群のナノ粒子が使用されるという点で、第一の実施形態の導電性材料とは異なっていることを示す。   FIG. 2 shows that the conductive material of the first embodiment is the conductive material of the first embodiment in that the Group B nanoparticles are clearly smaller than the Group A nanoparticles in method step a2). It shows that it is different from the sex material.

図３ａは−方法工程ａ１）に従って−ナノ粒子の酸化からＡ群の金属もＢ群の金属も結果生ずる粒子３を示す。図３ａは、このようにして製造された粒子３が、Ｂ群の金属又は金属混合物の酸化物層２ｂで完全に取り囲まれている、Ａ群の金属又は金属混合物からのコア１を有することを示す。図３ａは更に、コア１から酸化物層２ｂへの移行が流動的であることを示す。   FIG. 3a shows the particles 3 resulting from the oxidation of the nanoparticles according to method step a1), both of the group A metals and the group B metals. FIG. 3a shows that the particles 3 thus produced have a core 1 from a group A metal or metal mixture, completely surrounded by an oxide layer 2b of the group B metal or metal mixture. Show. FIG. 3a further shows that the transition from core 1 to oxide layer 2b is fluid.

図３ｂは−方法工程ａ２）に従って−Ａ群のナノ粒子とＢ群の金属の化合物からの溶液との反応及び続く酸化から生じる粒子３を示す。図３ｂは、このようにして製造された粒子３が、Ｂ群の金属又は金属混合物の酸化物層２ｃで完全に取り囲まれている、Ａ群の金属又は金属混合物からのコア１を有することを示す。   FIG. 3b shows the particles 3 resulting from the reaction of a group A nanoparticles with a solution from a group B metal compound and subsequent oxidation according to method step a2). FIG. 3b shows that the particles 3 thus produced have a core 1 from a group A metal or metal mixture, completely surrounded by an oxide layer 2c of the group B metal or metal mixture. Show.

図４は、第五の実施形態の導電性材料が、粒子間に細孔４を有する互いに結合された粒子３から構成されており、その際、該粒子３は、そのつどＡ群の金属又は金属混合物からのコア１を有し、該コアは、少なくとも部分的に、殊に本質的に完全に、Ｂ群の金属又は金属混合物の酸化物層２ａ、２ｂで取り囲まれていることを具体的に示す。この種の材料は−方法工程ａ１）に従って−Ａ群の金属もＢ群の金属も包含するナノ粒子の酸化からも、方法工程ａ２）に従って−Ａ群のナノ粒子とＢ群の金属の化合物からの溶液との反応及び続く酸化からも製造されることができる。   FIG. 4 shows that the conductive material of the fifth embodiment is composed of particles 3 bonded to each other having pores 4 between the particles, wherein each particle 3 is a group A metal or With a core 1 from a metal mixture, which core is at least partly, in particular essentially completely, surrounded by an oxide layer 2a, 2b of a group B metal or metal mixture Shown in This type of material can be obtained from the oxidation of nanoparticles including both group A metals and group B metals according to method step a1), or from compounds of group A nanoparticles and group B metals according to method step a2). Can also be prepared from reaction with a solution and subsequent oxidation.

実施例１：
白金８０質量パーセント、ロジウム１０質量％及びチタン１０質量％から成るナノ粒子を、コロイド状で、溶媒に溶解した形で、二酸化ジルコニウム表面に施与し、且つ乾燥させる。結果生じる塗膜状の皮膜をまず、元素状水素を２．５体積パーセント包含する非酸化性雰囲気において６５０℃で５時間、第一の処理に供し、引き続き酸化性雰囲気としての空気中で同様に６５０℃で５時間、第二の処理に供する。 Example 1:
Nanoparticles consisting of 80 weight percent platinum, 10 weight percent rhodium and 10 weight percent titanium are applied to the surface of zirconium dioxide in a colloidal form dissolved in a solvent and dried. The resulting film-like film is first subjected to a first treatment at 650 ° C. for 5 hours in a non-oxidizing atmosphere containing 2.5% by volume of elemental hydrogen, and subsequently similarly in air as an oxidizing atmosphere. Subject to the second treatment at 650 ° C. for 5 hours.

実施例２：
白金９４質量パーセント及びロジウム６質量％から成るナノ粒子、及びチタンテトライソブトキシレートのＮ−メチルピロリドン中での（コロイド状）溶液、その際、白金原子及びロジウム原子の合計に対するチタン原子の比率は１：９である、をシリコンウェハ表面に施与し、且つ乾燥させる。結果生じる塗膜状の皮膜をまず、元素状水素を２．５体積パーセント包含する非酸化性雰囲気において６００℃で２時間、第一の処理に供し、引き続き窒素中の酸素１０体積パーセントからの酸化性雰囲気において同様に６００℃で２時間、第二の処理に供する。このようにして製造した材料の走査型電子顕微鏡写真は、図５に表されている。このようにして製造した材料は、１０6Ｓｍ-1を超える高い導電率を有し、且つ走査型電子顕微鏡によって測定して、５ｎｍ以下の平均粒径を有する粒子から成る。 Example 2:
Nanoparticles consisting of 94 weight percent platinum and 6 weight percent rhodium, and a (colloidal) solution of titanium tetraisobutoxylate in N-methylpyrrolidone, where the ratio of titanium atoms to the sum of platinum and rhodium atoms is 1: 9 is applied to the silicon wafer surface and allowed to dry. The resulting film is first subjected to a first treatment at 600 ° C. for 2 hours in a non-oxidizing atmosphere containing 2.5 volume percent elemental hydrogen, followed by oxidation from 10 volume percent oxygen in nitrogen. In the same atmosphere, the sample is subjected to the second treatment at 600 ° C. for 2 hours. A scanning electron micrograph of the material thus produced is shown in FIG. The material produced in this way consists of particles having a high conductivity exceeding 10 6 Sm −1 and having an average particle size of 5 nm or less as measured by means of a scanning electron microscope.

実施例３：
白金８０質量パーセント及びロジウム２０質量％から成るナノ粒子、及びジルコニウムテトライソプロポキシド及びセリウムアセテートのＮ−メチルピロリドン中での（コロイド状）溶液、その際、セリウム原子に対する及び白金原子及びロジウム原子の合計に対するジルコニウム原子の比率は９：１０：８１である、をシリコンウェハ表面に施与し、且つ乾燥させる。結果生じる塗膜状の皮膜をまず、元素状水素を２．５体積パーセント包含する非酸化性雰囲気において６００℃で１０時間、第一の処理に供し、引き続き酸化性雰囲気としての窒素中の酸素１０体積パーセントにおいて同様に６００℃で２時間、第二の処理に供する。このようにして製造した材料の走査型電子顕微鏡写真は、図６に表されている。このようにして製造した材料は、１０6Ｓｍ-1を超える高い導電率を有し、且つ走査型電子顕微鏡によって測定して、１０ｎｍ以下の平均粒径を有する粒子から成る。 Example 3:
Nanoparticles consisting of 80% by weight of platinum and 20% by weight of rhodium, and a (colloidal) solution of zirconium tetraisopropoxide and cerium acetate in N-methylpyrrolidone, with respect to cerium atoms and of platinum and rhodium atoms A ratio of zirconium atoms to the total is 9:10:81 is applied to the silicon wafer surface and dried. The resulting film-like film was first subjected to a first treatment at 600 ° C. for 10 hours in a non-oxidizing atmosphere containing 2.5% by volume of elemental hydrogen, followed by oxygen 10 in nitrogen as an oxidizing atmosphere. The second treatment is likewise carried out at 600 ° C. for 2 hours in volume percent. A scanning electron micrograph of the material thus produced is represented in FIG. The material thus produced consists of particles having a high conductivity exceeding 10 6 Sm −1 and having an average particle size of 10 nm or less as measured by a scanning electron microscope.

実施例４：
白金８１質量パーセント及びロジウム１９質量％から成るナノ粒子、及びタンタルペンタエトキシド及びイットリウムアセテートのＮ−メチルピロリドン中での（コロイド状）溶液、その際、イットリウム原子に対する及び白金原子及びロジウム原子の合計に対するタンタル原子の比率は８：８：８４である、をシリコンウェハ表面に施与し、且つ乾燥させる。結果生じる塗膜状の皮膜をまず、元素状水素を２．５体積パーセント包含する非酸化性雰囲気において６００℃で１０時間、第一の処理に供し、引き続き酸化性雰囲気としての窒素中の酸素１０体積パーセントにおいて同様に６００℃で２時間、第二の処理に供する。引き続き、該試験体を８００℃で１００ｈ、窒素中の酸素１０体積パーセントにおいて調温した。このようにして製造した材料の走査型電子顕微鏡写真は、図７に表されている。このようにして製造した材料は、１０6Ｓｍ-1を超える高い導電率を有し、且つ走査型電子顕微鏡によって測定して、２５ｎｍ以下の平均粒径を有する粒子から成る。 Example 4:
Nanoparticles consisting of 81 weight percent platinum and 19 weight percent rhodium, and a (colloidal) solution of tantalum pentaethoxide and yttrium acetate in N-methylpyrrolidone, with respect to yttrium atoms and the sum of platinum and rhodium atoms A ratio of tantalum atoms to 8: 8: 84 is applied to the silicon wafer surface and dried. The resulting film-like film was first subjected to a first treatment at 600 ° C. for 10 hours in a non-oxidizing atmosphere containing 2.5% by volume of elemental hydrogen, followed by oxygen 10 in nitrogen as an oxidizing atmosphere. The second treatment is likewise carried out at 600 ° C. for 2 hours in volume percent. The specimen was subsequently conditioned at 800 ° C. for 100 h and 10 volume percent oxygen in nitrogen. A scanning electron micrograph of the material thus produced is represented in FIG. The material produced in this way consists of particles having a high conductivity exceeding 10 6 Sm −1 and having an average particle size of 25 nm or less as measured by means of a scanning electron microscope.

Claims (12)

− 白金、ロジウム、金、パラジウム、銀、銅、イリジウム、ルテニウム、オスミウム、レニウム及びそれらの混合物から成るＡ群から選択された金属又は金属混合物からのコア（１）を包含し、
− その際、前記コアは、ケイ素、ゲルマニウム、錫、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウム、ベリリウム、マグネシウム、スカンジウム、イットリウム、ランタン、ランタニド、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、タングステン、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、亜鉛及びそれらの混合物から成るＢ群から選択された金属又は金属混合物の酸化物（２ａ、２ｂ、２ｃ）により少なくとも部分的に取り囲まれている導電性材料において、前記コア（１）が、１００ｎｍ以下の平均粒径を有することを特徴とする導電性材料。
-Including a core (1) from a metal or metal mixture selected from the group A consisting of platinum, rhodium, gold, palladium, silver, copper, iridium, ruthenium, osmium, rhenium and mixtures thereof;
The core is made of silicon, germanium, tin, boron, aluminum, gallium, indium, beryllium, magnesium, scandium, yttrium, lanthanum, lanthanide, titanium, zirconium, hafnium, niobium, tantalum, chromium, molybdenum, tungsten, In a conductive material at least partially surrounded by a metal or oxide of a metal mixture (2a, 2b, 2c) selected from group B consisting of manganese, iron, cobalt, nickel, zinc and mixtures thereof, The conductive material, wherein the core (1) has an average particle diameter of 100 nm or less.
前記材料が、互いに結合された粒子（３）と、前記粒子間にある細孔（４）とから構成されており、その際、前記粒子（３）が、そのつどＡ群の金属又は金属混合物からのコア（１）を有し、前記コアが、少なくとも部分的にＢ群の金属又は金属混合物の酸化物層（２ｂ、２ｃ）で取り囲まれていることを特徴とする、請求項１記載の材料。   The material is composed of particles (3) bonded to each other and pores (4) between the particles, wherein the particles (3) are each a group A metal or metal mixture 2. The core according to claim 1, characterized in that the core is at least partially surrounded by an oxide layer (2 b, 2 c) of a group B metal or metal mixture. material. 前記粒子（３）が、走査電子顕微鏡法によって測定して、≧０．５ｎｍ〜≦１１０ｎｍの平均粒径を有することを特徴とする、請求項２記載の材料。   3. Material according to claim 2, characterized in that the particles (3) have an average particle size of ≧ 0.5 nm to ≦ 110 nm as measured by scanning electron microscopy. 前記粒子（３）間にある細孔（４）が、走査電子顕微鏡法によって測定して、≧０．１ｎｍ〜≦５０ｎｍの平均孔径を有することを特徴とする、請求項２又は３記載の材料。   4. Material according to claim 2 or 3, characterized in that the pores (4) between the particles (3) have an average pore size of ≧ 0.1 nm to ≦ 50 nm as measured by scanning electron microscopy. . 前記材料が、前記材料中の金属原子の全体数に対して：
− Ａ群の金属を≧６５原子パーセント〜≦９７原子パーセント及び
− Ｂ群の金属を≧３原子パーセント〜≦３５原子パーセント
包含し、その際、Ａ群及びＢ群を合わせた金属原子の合計が１００原子パーセントになることを特徴とする、請求項１から４までのいずれか１項記載の材料。 For the total number of metal atoms in the material:
-Group A metals ≧ 65 atomic percent to ≦ 97 atomic percent; and Group B metals ≧ 3 atomic percent to ≦ 35 atomic percent, where the sum of the metal atoms of Group A and Group B together is 5. A material according to claim 1, characterized in that it is 100 atomic percent. − 前記Ａ群が、白金、ロジウム、レニウム又はそれらの混合物から成り、及び／又は
− 前記Ｂ群が、アルミニウム、セリウム、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、ニオブ、タンタル、クロム又はそれらの混合物、殊に、イットリウム、セリウム、チタン、ジルコニウム、タンタル又はそれらの混合物から成ることを特徴とする、請求項１から５までのいずれか１項記載の材料。 The group A consists of platinum, rhodium, rhenium or mixtures thereof; and / or the group B is aluminum, cerium, titanium, zirconium, hafnium, niobium, tantalum, chromium or mixtures thereof, in particular, 6. The material according to claim 1, wherein the material consists of yttrium, cerium, titanium, zirconium, tantalum or mixtures thereof. 以下の方法工程
ａ１）
− 白金、ロジウム、金、パラジウム、銀、銅、イリジウム、ルテニウム、オスミウム、レニウム及びそれらの混合物から成るＡ群から選択された金属又は金属混合物、及び
ケイ素、ゲルマニウム、錫、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウム、ベリリウム、マグネシウム、スカンジウム、イットリウム、ランタン、ランタニド、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、タングステン、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、亜鉛及びそれらの混合物から成るＢ群から選択された金属又は金属混合物
を包含する、ナノ粒子を準備する工程、及び／又は
ａ２）
− 白金、ロジウム、金、パラジウム、銀、銅、イリジウム、ルテニウム、オスミウム、レニウム及びそれらの混合物から成るＡ群から選択された金属又は金属混合物を包含する、ナノ粒子及び
− ケイ素、ゲルマニウム、錫、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウム、ベリリウム、マグネシウム、スカンジウム、イットリウム、ランタン、ランタニド、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、タングステン、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、亜鉛及びそれらの混合物から成るＢ群から選択された金属又は金属混合物、及び／又は
− ケイ素、ゲルマニウム、錫、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウム、ベリリウム、マグネシウム、スカンジウム、イットリウム、ランタン、ランタニド、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、タングステン、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、亜鉛及びそれらの混合物から成るＢ群から選択された金属又は金属混合物の少なくとも１つの化合物
からの均一な混合物を準備する工程、及び
ｂ）方法工程ａ１）又はａ２）からの材料を、少なくとも２００℃で１０分間、酸化性のガス又はガス混合物で処理する工程を包含する、導電性材料の製造法。 The following method steps a1)
-A metal or metal mixture selected from the group A consisting of platinum, rhodium, gold, palladium, silver, copper, iridium, ruthenium, osmium, rhenium and mixtures thereof; and silicon, germanium, tin, boron, aluminum, gallium, Selected from group B consisting of indium, beryllium, magnesium, scandium, yttrium, lanthanum, lanthanide, titanium, zirconium, hafnium, niobium, tantalum, chromium, molybdenum, tungsten, manganese, iron, cobalt, nickel, zinc and mixtures thereof Preparing a nanoparticle comprising a metal or a metal mixture, and / or a2)
-A nanoparticle comprising a metal or metal mixture selected from the group A consisting of platinum, rhodium, gold, palladium, silver, copper, iridium, ruthenium, osmium, rhenium and mixtures thereof;-silicon, germanium, tin, From boron, aluminum, gallium, indium, beryllium, magnesium, scandium, yttrium, lanthanum, lanthanide, titanium, zirconium, hafnium, niobium, tantalum, chromium, molybdenum, tungsten, manganese, iron, cobalt, nickel, zinc and mixtures thereof A metal or metal mixture selected from group B and / or silicon, germanium, tin, boron, aluminum, gallium, indium, beryllium, magnesium, scandium, yttrium, lanthanum, lanthanum Uniform from at least one compound of a metal or metal mixture selected from the group B consisting of titanium, zirconium, hafnium, niobium, tantalum, chromium, molybdenum, tungsten, manganese, iron, cobalt, nickel, zinc and mixtures thereof And b) a method for producing a conductive material comprising the steps of b) treating the material from method step a1) or a2) with an oxidizing gas or gas mixture at least at 200 ° C. for 10 minutes . 前記方法工程ａ２）で、前記Ｂ群の金属又は金属混合物の化合物を溶媒に溶解して準備することを特徴とする、請求項７記載の方法。   8. The method according to claim 7, wherein, in the method step a2), the compound of the group B metal or metal mixture is prepared by dissolving in a solvent. − 前記方法工程ａ１）で、前記Ｂ群の金属又は金属混合物を溶媒中にナノ粒子の懸濁液の形で準備し、及び／又は
− 前記方法工程ａ２）で、前記Ｂ群の金属又は金属混合物を溶媒中にナノ粒子の懸濁液の形で準備し、及び／又は
− 前記方法工程ａ２）で、Ｂ群の金属又は金属混合物の化合物を溶媒中にナノ粒子の懸濁液の形で準備することを特徴とする、請求項７又は８記載の方法。 In step a1) the group B metal or metal mixture is prepared in the form of a suspension of nanoparticles in a solvent and / or in step a2) the group B metal or metal Preparing the mixture in the form of a suspension of nanoparticles in a solvent, and / or in said method step a2) the metal of group B or the compound of the metal mixture in the form of a suspension of nanoparticles in a solvent. 9. A method according to claim 7 or 8, characterized in that it is prepared. 前記方法工程ｂ）の前に、方法工程ｂ０３）：前記材料を少なくとも３５０℃で少なくとも２０分間、非酸化性のガス又はガス混合物で処理する工程を包含することを特徴とする、請求項７から９までのいずれか１項記載の方法。   Before the method step b), the method step b03): comprising treating the material with a non-oxidizing gas or gas mixture at least at 350 ° C. for at least 20 minutes. 10. The method according to any one of up to 9. − 前記Ａ群が、白金、ロジウム、レニウム又はそれらの混合物から成り、及び／又は
− 前記Ｂ群が、アルミニウム、セリウム、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、ニオブ、タンタル、クロム又はそれらの混合物、殊に、イットリウム、セリウム、チタン、ジルコニウム、タンタル又はそれらの混合物から成ることを特徴とする、請求項７から１０までのいずれか１項記載の方法。 The group A consists of platinum, rhodium, rhenium or mixtures thereof; and / or the group B is aluminum, cerium, titanium, zirconium, hafnium, niobium, tantalum, chromium or mixtures thereof, in particular, 11. Process according to any one of claims 7 to 10, characterized in that it consists of yttrium, cerium, titanium, zirconium, tantalum or mixtures thereof. 前記Ｂ群の金属又は金属混合物の化合物が
− 前記Ｂ群の金属又は金属混合物の酸化物、硝酸塩及び／又はハロゲン化物、及び／又は
− 前記Ｂ群の金属又は金属混合物のアルコレート又は有機酸と前記Ｂ群の金属又は金属混合物との塩であることを特徴とする、請求項７から１１までのいずれか１項記載の方法。 The group B metal or metal mixture compound is an oxide, nitrate and / or halide of the group B metal or metal mixture, and / or an alcoholate or organic acid of the group B metal or metal mixture, and / or 12. A process according to any one of claims 7 to 11, characterized in that it is a salt with said group B metal or metal mixture.
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013047465A1 (en) * 2011-09-27 2013-04-04 田中貴金属工業株式会社 Conductive particles, metal paste, and electrode
WO2013108942A1 (en) * 2012-01-19 2013-07-25 Kim Young Sang Composite prepared by adhering nano-tin to metal and nonmetal powders
JP2013149616A (en) * 2012-01-17 2013-08-01 Robert Bosch Gmbh Conductive material
CN104480346A (en) * 2014-12-25 2015-04-01 春焱电子科技（苏州）有限公司 Tantalum contained copper alloy for electronic material
JP2016535847A (en) * 2013-11-07 2016-11-17 ヘレーウス ドイチュラント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー コマンディートゲゼルシャフトＨｅｒａｅｕｓ Ｄｅｕｔｓｃｈｌａｎｄ ＧｍｂＨ＆Ｃｏ．ＫＧ Probe needle and method of manufacturing probe needle
WO2017150010A1 (en) * 2016-02-29 2017-09-08 エヌ・イー ケムキャット株式会社 Catalyst for electrode, composition for forming gas diffusion electrode, gas diffusion electrode, membrane electrode assembly, and fuel cell stack
WO2017150009A1 (en) * 2016-02-29 2017-09-08 エヌ・イー ケムキャット株式会社 Catalyst for electrode, composition for forming gas diffusion electrode, gas diffusion electrode, membrane electrode assembly, and fuel cell stack

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013145258A1 (en) * 2012-03-30 2013-10-03 株式会社応用ナノ粒子研究所 Composite nanometal paste containing copper filler and bonding method
JP5189705B1 (en) 2012-09-25 2013-04-24 田中貴金属工業株式会社 Sensor electrode, manufacturing method thereof, and metal paste for electrode formation
CN102994855B (en) * 2012-11-28 2016-03-30 太仓市天合新材料科技有限公司 The metal that a kind of ductility is good
CN103205593A (en) * 2013-04-19 2013-07-17 苏州昊迪特殊钢有限公司 Formula of platinum alloy composite material
CN105112718A (en) * 2015-09-08 2015-12-02 张超 Copper-rare earth alloy
CN106119594A (en) * 2016-08-31 2016-11-16 裴秀琴 A kind of silver alloy new material
CN106449094A (en) * 2016-09-30 2017-02-22 安徽鑫利源电子有限公司 Thin film capacitor terminal
CN107447125A (en) * 2017-08-30 2017-12-08 太仓天润新材料科技有限公司 The highly conductive environmental friendly material of one Albatra metal
CN107586994B (en) * 2017-10-16 2019-03-05 南京工程学院 A kind of high conductivity copper alloy and preparation method thereof
CN107946271B (en) * 2017-11-14 2020-01-21 汕头市骏码凯撒有限公司 Silver alloy wire for semiconductor packaging and manufacturing method thereof
CN110972343A (en) * 2018-09-29 2020-04-07 中新三三仁智科技江苏有限公司 Intelligent densified metal nanometer negative ion heat source conductor
CN111394606B (en) * 2020-05-06 2021-03-16 贵研铂业股份有限公司 Gold-based high-resistance alloy, alloy material and preparation method thereof
CN113106286B (en) * 2021-03-15 2022-07-01 江阴金湾合金材料有限公司 High-conductivity beryllium copper alloy rod for 5G communication and preparation process thereof
CN114433862B (en) * 2022-02-10 2022-10-14 西安交通大学 Molybdenum-rhenium-lanthanum prealloyed powder and preparation method thereof

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004179139A (en) * 2002-09-30 2004-06-24 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd Conductive particles and conductive adhesive material containing it and paint for forming transparent conductive film, and transparent conductive film as well as display device using it
JP2006193796A (en) * 2005-01-14 2006-07-27 Ishifuku Metal Ind Co Ltd Noble metal powder for electrically conductive paste and its production method
JP2007100214A (en) * 2005-09-30 2007-04-19 Samsung Sdi Co Ltd Conductive powder for forming electrode, method for producing the same, method for forming electrode in plasma display panel utilizing the same and plasma display panel comprising the same

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070251822A1 (en) 2005-09-02 2007-11-01 William Hoagland Visual hydrogen sensors using nanoparticles
CN100448540C (en) * 2005-11-08 2009-01-07 财团法人工业技术研究院 Metal nanometer photocatalyst compound material and preparation method thereof
ATE541811T1 (en) * 2005-12-06 2012-02-15 Lg Chemical Ltd PRODUCTION PROCESS FOR CORE SHELL NANOPARTICLES
EP1978072A4 (en) * 2006-01-27 2009-04-08 Konica Minolta Med & Graphic Semiconductor nanoparticle having core/shell structure and process for producing the same
US20070227300A1 (en) * 2006-03-31 2007-10-04 Quantumsphere, Inc. Compositions of nanometal particles containing a metal or alloy and platinum particles for use in fuel cells
JP5151993B2 (en) * 2007-01-22 2013-02-27 コニカミノルタエムジー株式会社 Core / shell type semiconductor nanoparticles and manufacturing method thereof
CN100482385C (en) * 2007-06-15 2009-04-29 北京化工大学 Method for preparing silver/silicon dixoide nucleocapsid structure nano particles
DE102007041027A1 (en) * 2007-08-29 2009-03-05 Eckart Gmbh Effect pigments based on substrates formed from inorganic-organic mixed phases, their preparation and use
TWI353269B (en) * 2007-12-07 2011-12-01 Nat Univ Tsing Hua Process for preparing aldehyde or ketone by oxidat
US20090261305A1 (en) * 2008-04-21 2009-10-22 Quantumsphere, Inc. Composition of and method of using nanoscale materials in hydrogen storage applications
WO2010007803A1 (en) * 2008-07-17 2010-01-21 コニカミノルタエムジー株式会社 Nanoparticle labeling and system using the nanoparticle labeling
CN101362200A (en) * 2008-09-20 2009-02-11 大连理工大学 Synthesis method of metallic oxide coated dissimilar metal 'core/shell'nano-particles
CN101623634A (en) * 2009-08-04 2010-01-13 厦门大学 Nuclear shell nanometer catalyst packaged with noble metal nanometer grains and method thereof

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004179139A (en) * 2002-09-30 2004-06-24 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd Conductive particles and conductive adhesive material containing it and paint for forming transparent conductive film, and transparent conductive film as well as display device using it
JP2006193796A (en) * 2005-01-14 2006-07-27 Ishifuku Metal Ind Co Ltd Noble metal powder for electrically conductive paste and its production method
JP2007100214A (en) * 2005-09-30 2007-04-19 Samsung Sdi Co Ltd Conductive powder for forming electrode, method for producing the same, method for forming electrode in plasma display panel utilizing the same and plasma display panel comprising the same

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013047465A1 (en) * 2011-09-27 2013-04-04 田中貴金属工業株式会社 Conductive particles, metal paste, and electrode
JP2013073713A (en) * 2011-09-27 2013-04-22 Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk Conductive particle, metal paste and electrode
KR20140069229A (en) * 2011-09-27 2014-06-09 다나카 기킨조쿠 고교 가부시키가이샤 Conductive particles, metal paste, and electrode
KR101581602B1 (en) 2011-09-27 2015-12-30 다나카 기킨조쿠 고교 가부시키가이샤 Electroconductive particle and metal paste, and electrode
US9245660B2 (en) 2011-09-27 2016-01-26 Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. Electroconductive particle and metal paste, and electrode
JP2013149616A (en) * 2012-01-17 2013-08-01 Robert Bosch Gmbh Conductive material
WO2013108942A1 (en) * 2012-01-19 2013-07-25 Kim Young Sang Composite prepared by adhering nano-tin to metal and nonmetal powders
JP2016535847A (en) * 2013-11-07 2016-11-17 ヘレーウス ドイチュラント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー コマンディートゲゼルシャフトＨｅｒａｅｕｓ Ｄｅｕｔｓｃｈｌａｎｄ ＧｍｂＨ＆Ｃｏ．ＫＧ Probe needle and method of manufacturing probe needle
CN104480346A (en) * 2014-12-25 2015-04-01 春焱电子科技（苏州）有限公司 Tantalum contained copper alloy for electronic material
WO2017150010A1 (en) * 2016-02-29 2017-09-08 エヌ・イー ケムキャット株式会社 Catalyst for electrode, composition for forming gas diffusion electrode, gas diffusion electrode, membrane electrode assembly, and fuel cell stack
WO2017150009A1 (en) * 2016-02-29 2017-09-08 エヌ・イー ケムキャット株式会社 Catalyst for electrode, composition for forming gas diffusion electrode, gas diffusion electrode, membrane electrode assembly, and fuel cell stack

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