JP2011159657A - Soiウェハの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】支持基板10と活性層基板20の少なくとも一方の貼合わせ側の基板表面に、基板端まで到達し、埋め込み酸化膜の膜厚に応じた深さを有する複数のトレンチ12,22を形成する。トレンチ形成後に、支持基板10の貼合わせ側の基板表面と活性層基板20の貼合わせ側の基板表面を対向して当接させた状態で支持基板10と活性層基板20を熱酸化させて貼り合わせる。トレンチ内に露出する半導体層が熱酸化されることによって埋め込み酸化膜が形成される。
【選択図】図2
Description
Claims (3)
- 埋め込み酸化膜上にSOI層が配置されているSOIウェハの製造方法であり、
支持基板と活性層基板の少なくとも一方の貼合わせ側の基板表面に、基板端まで到達する複数のトレンチを形成するトレンチ形成工程と、
トレンチ形成工程後に、支持基板の貼合わせ側の基板表面と活性層基板の貼合わせ側の基板表面を対向して当接させた状態で支持基板と活性層基板を熱酸化させて貼り合わせる熱酸化工程と、を備えており、
前記トレンチ形成工程では、前記埋め込み酸化膜の膜厚に応じた深さのトレンチが形成されており、
前記熱酸化工程では、トレンチ内に露出する半導体層が熱酸化されることによって前記埋め込み酸化膜が形成されることを特徴とするSOIウェハの製造方法。 - 前記トレンチ形成工程では、基板の端部から中心部に向かってトレンチの幅が狭くなるようにトレンチを形成することを特徴とする請求項1に記載のSOIウェハの製造方法。
- 前記トレンチ形成工程では、支持基板と活性層基板のそれぞれの貼合わせ側の基板表面にトレンチが形成され、
支持基板に形成されたトレンチの深さと、活性層基板に形成されたトレンチの深さの和が、前記埋め込み酸化膜の膜厚に応じた深さとなることを特徴とする請求項1又は2に記載のSOIウェハの製造方法。
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2010
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