JP2011144412A - プラズマ成膜装置 - Google Patents

プラズマ成膜装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2011144412A
JP2011144412A JP2010005021A JP2010005021A JP2011144412A JP 2011144412 A JP2011144412 A JP 2011144412A JP 2010005021 A JP2010005021 A JP 2010005021A JP 2010005021 A JP2010005021 A JP 2010005021A JP 2011144412 A JP2011144412 A JP 2011144412A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plasma
raw material
film
path
film forming
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2010005021A
Other languages
English (en)
Inventor
Shunichi Mantani
俊一 萬谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Honda Motor Co Ltd
Original Assignee
Honda Motor Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Honda Motor Co Ltd filed Critical Honda Motor Co Ltd
Priority to JP2010005021A priority Critical patent/JP2011144412A/ja
Priority to US12/983,707 priority patent/US8573154B2/en
Priority to CN201110004266XA priority patent/CN102127754B/zh
Priority to EP11150804.0A priority patent/EP2345751B1/en
Publication of JP2011144412A publication Critical patent/JP2011144412A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45512Premixing before introduction in the reaction chamber
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45517Confinement of gases to vicinity of substrate
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563Gas nozzles
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45587Mechanical means for changing the gas flow
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45593Recirculation of reactive gases
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52Controlling or regulating the coating process

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)

Abstract

【課題】プラズマ成膜を行う際、成膜用原材料を効率よく使用して材料コストの低廉化及び省資源化を図る。
【解決手段】プラズマ用ノズル16と、基材10の成膜部位12との間に、整流用治具14を配置する。この整流用治具14には、プラズマ供給路20と、原材料供給路22と、これらプラズマ供給路20と原材料供給路22が合流した成膜用合流路24と、成膜部位12を通過したプラズマ放電ガス及び未反応の原材料を排出するための排出路26と、排出路26中の未反応の原材料をプラズマ供給路20に戻すための回収路28とが形成される。プラズマ放電ガスとともに排出路26の立ち上がり通路34に流通した未反応の原材料は、冷却管38を流通する冷却媒体によって冷却されることで凝縮し、液相となって回収路28から成膜用合流路24の鉛直通路30に導入される。その後、プラズマ放電ガスによって揮発・再活性化された原材料は、成膜部位12に再供給される。
【選択図】図1

Description

本発明は、成膜用原材料を活性化して基材の表面に堆積させることで成膜を行うプラズマ成膜装置に関する。
プラスチックや金属、又はセラミックスからなる基材の表面に対し、保護膜や機能膜等の皮膜を形成することが一般的に行われている。この種の成膜形成、換言すれば、成膜を行う手法の1つとして、プラズマを用いるプラズマ成膜が知られている。
ここで、プラズマ成膜は、従来、チャンバに高真空ポンプ等を付設したプラズマ成膜装置にて実施されている。すなわち、基材を収容したチャンバ内を高真空ポンプで排気し、極低圧下とした雰囲気中に発生させたプラズマによって成膜用原材料を活性化する。これにより成膜用原料に由来する物質が基材に堆積することで、基材の表面に対する成膜が行われる。
しかしながら、この場合、高真空ポンプ自体が高価である。しかも、チャンバを耐圧仕様にしなければならないため、該チャンバも高価なものとなる。結局、従来からのプラズマ成膜には、設備投資が高騰するという課題が顕在化している。さらに、成膜対象が、チャンバ内に収容することが可能な基材に限られてしまう。
この観点から、特許文献1において、大気圧下でプラズマ成膜を行い得るプラズマ装置が提案されている。この装置構成によれば、高真空ポンプを設けたり、チャンバを耐圧仕様にしたりする必要がないので、設備投資が低廉化すると考えられる。しかも、この場合、基材の形状や寸法に制約を受けることもない。
しかしながら、この装置には、発生したプラズマ放電ガスに空気等の不純物が混入し、このために得られた皮膜が不純物を多く含むものとなってしまうという不具合がある。すなわち、膜品質が低下し、このために皮膜が所定の機能を営むことが困難となる。
そこで、特許文献2において提案されているように、基材の表面の成膜部位に向かう方向にプラズマ放電ガスと原材料ガスの連続的な流れを起こさせることが想起される。この場合、前記の流れによってプラズマ放電ガス及び原材料ガスが空気等から遮断される。すなわち、いわゆるブロック機能が発現し、これによりプラズマ放電ガス及び原材料ガスに対して不純物が混入することが回避される。従って、膜品質が向上し、所定の機能を充分に営む皮膜を得ることができると推察されるからである。
特開平6−2149号公報 特開2003−173899号公報
特許文献2記載の従来技術では、プラズマ放電ガスと原材料ガスとを各々の供給源から基材の成膜部位に送り、さらに、成膜部位を通過したプラズマ放電ガス及び未反応の原材料ガスを、成膜部位への送り方向とは別の方向に向かわせて排出することで連続的な流れを生じさせるようにしている。このことから諒解されるように、この従来技術では、未反応の原材料ガスがプラズマ放電ガスに同伴されて系外に排出される。
従って、この場合、成膜に要する量を大きく上回る原材料ガスを使用する必要が生じる。すなわち、材料コストが高騰する。
本発明は上記した問題を解決するためになされたもので、成膜用原材料を効率よく使用することが可能であり、このために材料コストの低廉化及び省資源化を図ることが可能で、しかも、基材の寸法・形状に制約を受けることなく成膜を行うことが可能なプラズマ成膜装置を提供することを目的とする。
前記の目的を達成するために、本発明は、プラズマ放電ガスにより活性化した成膜用原材料を用いて基材の表面に成形を行うプラズマ成膜装置であって、
プラズマ放電ガスを導出するプラズマ用ノズルと、
前記プラズマ用ノズルと前記基材の間に介在され、且つ基材の表面における成膜部位を覆う整流用治具と、
を備え、
前記整流用治具に、前記プラズマ用ノズルから吐出された前記プラズマ放電ガスを前記成膜部位に到達させるためのプラズマ供給路と、
成形用原材料供給源が連結されるとともに前記プラズマ供給路に合流し、前記成形用原材料供給源から供給された成膜用原材料を前記プラズマ放電ガスと混合させる原材料供給路と、
前記プラズマ供給路と前記原材料供給路が合流して形成されるとともに、前記プラズマ放電ガスと前記成膜用原材料の混合物を前記成膜部位に接触させるための成膜用合流路と、
前記成膜部位を通過したプラズマ放電ガス及び未反応の前記成膜用原材料を排出するための排出路と、
前記排出路から分岐して前記プラズマ供給路又は前記成膜用合流路に延在し、前記排出路中の未反応の前記成膜用原材料を前記プラズマ供給路又は前記成膜用合流路に戻すための回収路と、
が形成されたことを特徴とする。
このような構成においては、未反応の成膜用原材料が排出路から回収路を経由してプラズマ供給路又は成膜用合流路に戻され、その後、成膜部位に到達することになる。すなわち、本発明では、未反応の成膜用原材料を成膜部位に効率よく循環再供給することができる。このため、成膜用原材料の使用効率が向上する。従って、材料コストが低廉化するとともに、省資源化を図ることが容易となる。
また、この構成では、プラズマ成膜を行うためのチャンバや、該チャンバ内を排気するための高真空ポンプが不要である。従って、設備投資が高騰することもない。
しかも、成膜用合流路よりも広範囲にわたって成膜を行う場合には、整流用治具を、次回に成膜しようとする部位に移動させればよい。また、基材の成膜部位の形状に対応した形状で成膜用合流路を設けることにより、様々な形状の部位に成膜を行うことが可能となる。このことから諒解されるように、本発明においては、基材の寸法や形状に制約を受けることなく成膜を行うことができる。
結局、本発明によれば、低コストで、しかも、様々な寸法・形状の成膜部位に対応して成膜を行うことが可能となる。
以上の構成に対し、前記排出路又は前記回収路の少なくともいずれか一方に流通する未反応の前記成膜用原材料を冷却して該原材料を凝縮する冷却手段を設けることが望ましい。
この場合、成膜部位を通過して排出路ないし回収路に到達した未反応の成膜用原材料を冷却して凝縮し、液相とすることが可能である。すなわち、未反応の成膜用原材料を液相に変態させることで一層効率よく捕集することができる。
なお、凝縮して液相となった成膜用原材料は、上記と同様に、回収路を経てプラズマ供給路又は成膜用合流路に戻される。その後、プラズマ用ノズルから導出された新たなプラズマ放電ガスに接触することで揮発・活性化され、この状態で、成膜部位に再供給される。
さらに、回収路に不純物除去手段を設けることが好ましい。場合によっては、凝縮した原材料中に、該原材料の重合体である粒子や粘性体が含まれることもある。原材料に含まれる粒子や粘性体は、皮膜の表面粗さが大きくなる一因となるが、不純物除去手段を設けることにより、これらの粒子や粘性体が除去される。従って、表面粗さが小さい皮膜を成形することが容易となる。
また、成膜用原材料供給源は、成膜用原材料として常温・常圧下で液相であるものを供給するものであってもよい。この場合、未反応の成膜用原材料が容易に凝縮する。凝縮点が比較的高いからである。
従って、成膜用原材料の凝縮(捕集)が一層容易となるので、成膜用原材料の使用効率が一層向上する。これにより、材料コストのさらなる低廉化、及びさらなる省資源化が可能となる。
本発明においては、成膜部位を通過して排出路ないし回収路に到達した未反応の成膜用原材料を冷却して凝縮し、液相に変態させた後、回収路を経由してプラズマ供給路又は成膜用合流路に戻して揮発・活性化して成膜部位に再供給するようにしている。これにより、未反応の成膜用原材料を成膜部位に効率よく循環再供給して成膜に寄与させることができる。その結果、成膜用原材料の使用効率が向上し、これに伴って材料コストが低廉化するとともに、省資源化を図ることが容易となる。
その上、プラズマ成膜を行うためのチャンバや、該チャンバ内を排気するための高真空ポンプが不要であるので、設備投資が高騰することもない。
しかも、整流用治具を移動させたり、基材の成膜部位の形状に対応した形状で成膜用合流路を設けたりすることにより、成膜部位が如何なる寸法や形状であっても対応すること、すなわち、成膜を行うことが可能である。換言すれば、基材の寸法や形状に制約を受けることがない。
要するに、本発明によれば、低コストで、しかも、様々な寸法・形状の成膜部位に対応して成膜を行うことが可能となる。
本発明の実施の形態に係るプラズマ成膜装置の要部正面断面図である。 回収路が形成されていない治具を具備するプラズマ成膜装置(比較例)の要部正面断面図である。
以下、本発明に係るプラズマ成形装置につき好適な実施の形態を挙げ、添付の図面を参照して詳細に説明する。
図1は、本実施の形態に係るプラズマ成膜装置の要部正面断面図である。このプラズマ成膜装置は、基材10に対して成膜を行うためのものであり、該基材10の成膜部位12を覆う整流用治具14と、該整流用治具14に連結されるプラズマ用ノズル16とを有する。なお、図1から諒解されるように、整流用治具14は、基材10とプラズマ用ノズル16との間に介在され、その高さ方向寸法Hは、例えば10mmに設定される。
成膜対象である基材10は、この場合、その上端面が平坦面として形成された平板形状材であり、例えば、プラスチック、金属、セラミックス等からなる。なお、基材10の材質は、木材や石等であってもよい。基材10の材料の好適な具体例としては、ポリカーボネートが挙げられる。
整流用治具14は、基材10の成膜部位12を覆い、且つ該成膜部位12に対してプラズマ放電ガス及び成膜用原材料(以下、単に原材料ともいう)を到達させるとともに、プラズマ放電ガス及び未反応の原材料を該成膜部位12から離間させる流れを設けるためのものである。このため、整流用治具14は、プラズマ放電ガス及び原材料を流通させるための通路を有する。具体的には、整流用治具14には、流れの上流側から、プラズマ供給路20、原材料供給路22、これらプラズマ供給路20及び原材料供給路22が合流して形成される成膜用合流路24、排出路26、回収路28が形成されている。
プラズマ供給路20には、前記プラズマ用ノズル16が連結される。勿論、このプラズマ用ノズル16には、不活性ガスを源としてプラズマ放電ガスを生成するプラズマ放電ガス生成機構(図示せず)が連結され、従って、プラズマ用ノズル16は、プラズマ放電ガスを吐出する等して導出することが可能である。なお、この種のプラズマ放電ガス生成機構は公知であり、このため、詳細な説明を省略する。
すなわち、プラズマ供給路20は、プラズマ用ノズル16から吐出されたプラズマ放電ガスを流通させるための通路である。なお、本実施の形態では、プラズマ供給路20は、整流用治具14の上端面から下端面に指向して直線状に、換言すれば、図1における鉛直方向に沿って形成されている。
一方、原材料供給路22は、整流用治具14の図1における左方側面で開口している。この開口には、管継手を介して供給管(いずれも図示せず)が連結される。この供給管には、さらに、図示しない原材料供給源(例えば、液体容器やガスボンベ)が連結される。勿論、この原材料供給源には、成膜部位12に堆積して皮膜を形成するための原材料が収容されている。
この場合、原材料供給路22は、開口からプラズマ供給路20との合流点に至るまで、鉛直下方に若干傾斜するようにして延在している。従って、原材料が液体である場合には、プラズマ供給路20に向かって原材料が流通し易い。
なお、原材料供給路22の先端は、プラズマ供給路20の内方に突出して開口している。このため、原材料供給路22を通過した原材料は、プラズマ供給路20の内方でプラズマ放電ガスに合流する。プラズマ用ノズル16の先端と原材料供給路22の先端との距離Dは、例えば、1mmに設定される。
成膜用合流路24は、上記したように、プラズマ供給路20及び原材料供給路22が合流して形成される。この成膜用合流路24は、プラズマ供給路20の下流側に連なって図1における鉛直方向に延在する鉛直通路30と、この鉛直通路30に直交して水平方向に延在し且つ成膜部位12に臨む成膜用通路32とからなる。成膜用通路32は、成膜部位12の全体を覆う。
排出路26は、成膜用通路32から略垂直に立ち上がった立ち上がり通路34と、該立ち上がり通路34から整流用治具14の右方側面側に延在して開口した外部放出用通路36とからなる。すなわち、外部放出用通路36の端部は開放端であり、この開放端からはプラズマ放電ガスが放出される。
立ち上がり通路34は、略T字状に分岐し、整流用治具14の図1における右方側面に向かう側の通路が前記外部放出用通路36となる。一方、左方側面側に延在する通路は回収路28である。
すなわち、回収路28は、排出路26を形成する立ち上がり通路34から分岐し、整流用治具14の図1における左方側に向かって延在する。そして、この場合、回収路28は、成膜用合流路24の鉛直通路30に合流する。
後述するように、回収路28には、成膜用合流路24を通過して排出路26に到達した未反応の原材料が導入される。従って、この原材料は、成膜用合流路24を経由して成膜部位12に再供給される。
立ち上がり通路34における外部放出用通路36と回収路28の分岐点から、外部放出用通路36、回収路28の各終点に至るまでには、冷却手段としての冷却媒体を流通するための冷却管38が設けられる。すなわち、立ち上がり通路34からの外部放出用通路36、回収路28との分岐点近傍、及び回収路28は、冷却管38を流通する冷却媒体によって冷却される。これに伴い、前記分岐点に到達した原材料、及び該回収路28を流通する原材料が冷却され、その結果、該原材料が凝縮する。
この場合、排出路26及び回収路28は、プラズマ供給路20(ないし成膜用合流路24)に向かうにつれて、鉛直下方に若干傾斜するようにして延在している。このため、排出路26や回収路28内で凝縮した原材料がプラズマ供給路20(成膜用合流路24)に向かって流通し易くなる。
回収路28の途中には、不純物除去手段であるフィルタ40が介在される。凝縮した原材料中に粒子や粘性体(原材料の重合体)が含まれる場合、これら粒子及び粘性体は、このフィルタ40によって除去される。
本実施の形態に係るプラズマ成膜装置は、基本的には以上のように構成される整流用治具14を具備するものであり、次に、その作用効果につき、整流用治具14との関係で説明する。なお、以下においては、原材料として常温・常圧下で液相であるものを使用する場合を例示する。
基材10の成膜部位12に対して成膜を行う場合、先ず、ヘリウムやアルゴン等の不活性ガスを源としてプラズマ放電ガス発生機構で発生され、且つ乾燥処理が施されることによって水分が除去されたプラズマ放電ガスをプラズマ用ノズル16から吐出する。
その一方で、原材料供給源から原材料を供給する。原材料としては、上記したように常温・常圧下で液相であるものが使用され、その具体例としては、ジメチルシロキサン、ヘキサメチルジシロキサン、環状シロキサン、シルセスキオキサン、Si−H結合を有するシロキサンや、メタノール、低分子チオール等が挙げられる。又は、特表2004−510571号公報の段落[0011]に記載された物質や、特表2008−518109号公報の段落[0024]、[0025]に記載された有機ケイ素化合物を用いるようにしてもよい。
なお、液相である原材料を整流用治具14に移送するためには、例えば、キャリアガスで原材料のバブリングを行い、これにより該キャリアガスに原材料を同伴させるようにすればよい。又は、加熱することで原材料を気化させるようにしてもよい。さらには、ポンプ等の適切な移送機構や、超音波等の適切な移送媒体によって原材料(液相)を整流用治具14に導くようにしてもよい。
プラズマ供給路20を流通したプラズマ放電ガスと、原材料供給路22を流通した原材料とは、成膜用合流路24の鉛直通路30で合流する。このようにしてプラズマ放電ガスと混ざり合った原材料は、プラズマ放電ガスによって活性化される。ここで、上記したような原材料は蒸気圧が高く、このために揮発し易い。すなわち、効率よく気化する。また、プラズマ放電ガスから熱を奪取することでも気化が起こる。以上のようにして、原材料が気相に変態する。
活性化された原材料は、次に、プラズマ放電ガスとともに成膜用合流路24の成膜用通路32に到達する。そして、該成膜用通路32に臨む成膜部位12に堆積し、原材料を源とする皮膜を形成する。例えば、原材料が上記したようなシロキサンである場合、Si−O結合を有する重合体からなる皮膜が形成される。
ここで、原材料は、成膜部位12に到達した全量が成膜に寄与するのではなく、一部は未反応のままで成膜部位12を通過する。従って、排出路26の立ち上がり通路34には、プラズマ放電ガスと、未反応の原材料とが導入される。
プラズマ放電ガス及び未反応の原材料は、立ち上がり通路34に沿って上昇し、外部放出用通路36と回収路28との分岐点に到達する。プラズマ放電ガス(アルゴン等)は、凝縮点が著しく高いために凝縮することはない。すなわち、気相の状態を保ちながら立ち上がり通路34から外部放出用通路36に流通し、整流用治具14の右方側面から該整流用治具14の外部に排出される。
なお、プラズマ放電ガスの一部が回収路28に導入され、該回収路28を通過した後、成膜用合流路24(鉛直通路30)にて、プラズマ供給路20を通過した新たなプラズマ放電ガスと、原材料供給路22を通過した新たな原材料とに合流するような状況であっても差し支えは特にない。
一方、未反応の原材料は、前記分岐点が冷却媒体によって冷却されているために凝縮して液相に戻る。なお、冷却媒体としては、該原材料を凝縮し得る温度に冷却可能なものを選定すればよい。例えば、原材料がヘキサメチルジシロキサンであるときには、整流用治具14における回収路28が形成された部位の温度を−20〜15℃に冷却し得る物質が選定される。冷却媒体は、液体であってもよいし、ガスであってもよい。
凝縮した原材料には、場合によって固相、すなわち、粒子や粘性体が含まれることがある。これら粒子や粘性体は、回収路28の途中に設置されたフィルタ40によって捕集される。従って、フィルタ40からは、原材料が、固相を含まない液相として導出される。この場合、表面粗さが小さい平滑な皮膜が得られる。
フィルタ40から導出された原材料(液相)は、回収路28から成膜用合流路24の鉛直通路30に移送される。そして、鉛直通路30にて、自身の揮発性の高さに基づいて揮発したり、プラズマ放電ガスから熱を奪取して揮発したりすることで再び気相となる。同時に、プラズマ放電ガスによって活性化され、この状態で、成膜部位12に再供給される。
以上のように、本実施の形態によれば、整流用治具14によって、未反応の原材料を成膜部位12に縦貫再供給する流れを生じさせるようにしている。このため、未反応の原材料を成膜に再寄与させることが可能となる。しかも、上記から諒解されるように、未反応の原材料の大部分が凝縮されて回収されるので、未反応の原材料が外部放出用通路36に向かうことが回避される。このため、原材料の使用効率が著しく向上する。従って、材料コストが低廉化するとともに、省資源化を図ることが容易となる。
さらに、この実施の形態では、プラズマ成膜を実施するためのチャンバや、該チャンバ内を排気するための高真空ポンプを必要としない。従って、設備投資が高騰することもない。
基材10の別部位に対して成膜を行う場合、整流用治具14を新たな成膜部位12に移動させ、成膜用合流路24の成膜用通路32が新たな成膜部位12に臨むようにすればよい。本実施の形態では、このようにして成膜を繰り返すことで、基材10の所望の部位に対して成膜を行うことが可能である。すなわち、基材10の形状や寸法に制約を受けることなく、成膜を行うことができる。
なお、本発明は、上記した実施の形態に特に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
例えば、上記した実施の形態では、冷却管38に冷却媒体を流通することで回収路28に流通する原材料を冷却するようにしているが、冷却手段は特にこれに限定されるものではなく、原材料を凝縮させることが可能であれば如何なる構成のものであってもよい。具体的には、ペルチェ素子を冷却手段としてもよい。
また、原材料供給路22の先端をプラズマ供給路20の内方に突出させることは必須ではない。さらに、回収路28を、プラズマ供給路20と原材料供給路22との合流点よりも上流側でプラズマ供給路20に合流させるようにしてもよい。
さらにまた、原材料は、凝縮可能なものであれば気体であってもよい。
そして、成膜用合流路24や排出路26は、上記した形状(図1参照)に特に限定されるものではない。例えば、基材10に対して傾斜するようにプラズマ放電ガス及び原材料を導出する場合には、成膜用合流路24を傾斜させればよい。また、基材における成膜部位が湾曲面であるようなときには、成膜用通路32を、成膜部位の形状に対応させて湾曲したものとして形成すればよい。
図1に示す構成であり、且つH=10mm、D=1mmである整流用治具14を具備するプラズマ成膜装置を用いて成膜を行った。なお、基材10及び原材料としては、それぞれ、ポリカーボネート製基板、ヘキサメチルジシロキサンを使用した。また、HeとO2を体積比で98:2の割合で混合した混合ガスを源とし、プラズマコンセプト東京社製のプラズマ発生装置によってプラズマ放電ガスを得、プラズマ用ノズル16からの吐出流速を100cm/秒とした。
その一方で、冷却管38に冷却水を流通させるとともに、外部放出用通路36の開口に冷却トラップを設置した。この冷却トラップは、外部放出用通路36の開口から放出されるプラズマ放電ガスを冷却し、この中に含まれる原材料を凝縮ないし凝固させて捕集するためのものである。
回収路28にフィルタ40を設置しなかった場合、成膜速度は1.2μm/分であり、冷却トラップに捕集された原材料は3g/分であった。また、形成された皮膜の表面粗さは、0.25μmであった。
一方、回収路28にフィルタ40を設置した場合、成膜速度、及び冷却トラップに捕集された原材料の単位時間当たりの重量はフィルタ40を設置しなかった場合と略同一であったが、形成された皮膜の表面粗さは0.05μmであり、上記に比して著しく小さくなった。この理由は、表面粗さを大きくする因子の1つである粒子が、フィルタ40によって効果的に捕集されたためであると推察される。
以上とは別に、冷却管38に冷却媒体を何ら流通することなく、また、フィルタ40を設置することなく上記と同一の条件下で成膜を行ったところ、成膜速度は0.7μm/分、冷却トラップに捕集された原材料は6.1g/分であった。なお、形成された皮膜の表面粗さは0.15μmであった。
比較のため、図2に示す治具50を具備するプラズマ成膜装置を用いて成膜を行った。なお、図2中、図1に示される構成要素と同一の構成要素には同一の参照符号を付している。
ここで、この治具50においては、成膜部位12を覆う通路が成膜用通路と排出路を兼ねる。以下においては、この通路を成膜・排出兼用路と指称し、その参照符号を52とする。
この図2から了解されるように、該治具50では、プラズマ供給路20を通過したプラズマ放電ガスと、原材料供給路22を通過した原材料とが成膜用合流路24で合流し、成膜・排出兼用路52に到達する。プラズマ放電ガスによって活性化した原材料の一部は、成膜部位12に対する成膜に寄与し、残余の原材料は、未反応のまま成膜・排出兼用路52の外部に排出される。
この治具50を用い、上記と同様に、HeとO2を体積比で98:2の割合で混合した混合ガスを源とするプラズマ放電ガスによってヘキサメチルジシロキサンを活性化し、ポリカーボネート製基板に対して成膜を行った。勿論、プラズマ用ノズル16からの吐出速度は100cm/秒に設定した。その結果、成膜速度は僅かに0.3μm/分であり、原材料の循環再供給を行う場合の1/2未満となった。一方、冷却トラップに捕集された原材料は8.4g/分であった。
以上の結果から、未反応の原材料を回収して成膜用合流路24等に導くことにより、成膜速度を向上させることができるとともに、原材料を有効に循環再供給することができることが明らかである。なお、治具50を用いた場合、形成された皮膜の表面粗さは0.15μmであった。
10…基材 12…成膜部位
14…整流用治具 16…プラズマ用ノズル
20…プラズマ供給路 22…原材料供給路
24…成膜用合流路 26…排出路
28…回収路 30…鉛直通路
32…成膜用通路 34…立ち上がり通路
36…外部放出用通路 38…冷却管
40…フィルタ

Claims (4)

  1. プラズマ放電ガスにより活性化した成膜用原材料を用いて基材の表面に成膜を行うプラズマ成膜装置であって、
    プラズマ放電ガスを導出するプラズマ用ノズルと、
    前記プラズマ用ノズルと前記基材の間に介在され、且つ基材の表面における成膜部位を覆う整流用治具と、
    を備え、
    前記整流用治具に、前記プラズマ用ノズルから吐出された前記プラズマ放電ガスを前記成膜部位に到達させるためのプラズマ供給路と、
    成膜用原材料供給源が連結されるとともに前記プラズマ供給路に合流し、前記成膜用原材料供給源から供給された成膜用原材料を前記プラズマ放電ガスと混合させる原材料供給路と、
    前記プラズマ供給路と前記原材料供給路が合流して形成されるとともに、前記プラズマ放電ガスと前記成膜用原材料の混合物を前記成膜部位に接触させるための成膜用合流路と、
    前記成膜部位を通過したプラズマ放電ガス及び未反応の前記成膜用原材料を排出するための排出路と、
    前記排出路から分岐して前記プラズマ供給路又は前記成膜用合流路に延在し、前記排出路中の未反応の前記成膜用原材料を前記プラズマ供給路又は前記成膜用合流路に戻すための回収路と、
    が形成されたことを特徴とするプラズマ成膜装置。
  2. 請求項1記載のプラズマ成膜装置において、前記排出路又は前記回収路の少なくともいずれか一方に流通する未反応の前記成膜用原材料を冷却して該原材料を凝縮する冷却手段を有することを特徴とするプラズマ成膜装置。
  3. 請求項1又は2記載のプラズマ成膜装置において、前記回収路に不純物除去手段が設けられたことを特徴とするプラズマ成膜装置。
  4. 請求項1〜3のいずれか1項に記載のプラズマ成膜装置において、前記成膜用原材料供給源が、前記成膜用原材料として常温・常圧下で液相であるものを供給することを特徴とするプラズマ成膜装置。
JP2010005021A 2010-01-13 2010-01-13 プラズマ成膜装置 Withdrawn JP2011144412A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010005021A JP2011144412A (ja) 2010-01-13 2010-01-13 プラズマ成膜装置
US12/983,707 US8573154B2 (en) 2010-01-13 2011-01-03 Plasma film forming apparatus
CN201110004266XA CN102127754B (zh) 2010-01-13 2011-01-10 等离子体成膜装置
EP11150804.0A EP2345751B1 (en) 2010-01-13 2011-01-13 Plasma film forming apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010005021A JP2011144412A (ja) 2010-01-13 2010-01-13 プラズマ成膜装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2011144412A true JP2011144412A (ja) 2011-07-28

Family

ID=43570711

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010005021A Withdrawn JP2011144412A (ja) 2010-01-13 2010-01-13 プラズマ成膜装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8573154B2 (ja)
EP (1) EP2345751B1 (ja)
JP (1) JP2011144412A (ja)
CN (1) CN102127754B (ja)

Families Citing this family (266)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
JP2011144412A (ja) * 2010-01-13 2011-07-28 Honda Motor Co Ltd プラズマ成膜装置
JP5697389B2 (ja) * 2010-09-27 2015-04-08 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング用の電極板及びプラズマエッチング処理装置
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
JP5865916B2 (ja) * 2011-10-31 2016-02-17 京セラ株式会社 ガスノズル、これを用いたプラズマ装置およびガスノズルの製造方法
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) * 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
USD876504S1 (en) 2017-04-03 2020-02-25 Asm Ip Holding B.V. Exhaust flow control ring for semiconductor deposition apparatus
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
WO2019103613A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. A storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace
TWI791689B (zh) 2017-11-27 2023-02-11 荷蘭商Asm智慧財產控股私人有限公司 包括潔淨迷你環境之裝置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 沈積方法
US11482412B2 (en) 2018-01-19 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
CN111699278B (zh) 2018-02-14 2023-05-16 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR20190128558A (ko) 2018-05-08 2019-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
TW202349473A (zh) 2018-05-11 2023-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
WO2020002995A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
KR20210027265A (ko) 2018-06-27 2021-03-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 막 및 구조체
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR20200002519A (ko) 2018-06-29 2020-01-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的***及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP2020096183A (ja) 2018-12-14 2020-06-18 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Asm Ip 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
JP2020136677A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
KR102638425B1 (ko) 2019-02-20 2024-02-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 내에 형성된 오목부를 충진하기 위한 방법 및 장치
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
JP2021019198A (ja) 2019-07-19 2021-02-15 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー トポロジー制御されたアモルファスカーボンポリマー膜の形成方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Asm Ip控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
TW202115273A (zh) 2019-10-10 2021-04-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
KR20210045930A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
CN113555279A (zh) 2020-04-24 2021-10-26 Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR20210145080A (ko) 2020-05-22 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
TW202212623A (zh) 2020-08-26 2022-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
CN114639631A (zh) 2020-12-16 2022-06-17 Asm Ip私人控股有限公司 跳动和摆动测量固定装置
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02123891U (ja) * 1989-03-24 1990-10-11
JPH0549624U (ja) * 1991-12-05 1993-06-29 豊裕 川沢 抽出口装置
JPH0699979A (ja) * 1991-11-12 1994-04-12 Original Ideas Inc 飲料水用容器の蓋体
JPH10139075A (ja) * 1996-09-12 1998-05-26 Watanabegumi:Kk ミックス容器
JP2007176547A (ja) * 2005-12-27 2007-07-12 Asahi Breweries Ltd 缶蓋及び缶

Family Cites Families (57)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4786352A (en) * 1986-09-12 1988-11-22 Benzing Technologies, Inc. Apparatus for in-situ chamber cleaning
US4834020A (en) * 1987-12-04 1989-05-30 Watkins-Johnson Company Atmospheric pressure chemical vapor deposition apparatus
US4996077A (en) * 1988-10-07 1991-02-26 Texas Instruments Incorporated Distributed ECR remote plasma processing and apparatus
US5136975A (en) * 1990-06-21 1992-08-11 Watkins-Johnson Company Injector and method for delivering gaseous chemicals to a surface
US5082517A (en) * 1990-08-23 1992-01-21 Texas Instruments Incorporated Plasma density controller for semiconductor device processing equipment
US5122391A (en) * 1991-03-13 1992-06-16 Watkins-Johnson Company Method for producing highly conductive and transparent films of tin and fluorine doped indium oxide by APCVD
JP2837993B2 (ja) 1992-06-19 1998-12-16 松下電工株式会社 プラズマ処理方法およびその装置
US5413671A (en) * 1993-08-09 1995-05-09 Advanced Micro Devices, Inc. Apparatus and method for removing deposits from an APCVD system
US5688359A (en) * 1995-07-20 1997-11-18 Micron Technology, Inc. Muffle etch injector assembly
US6137231A (en) * 1996-09-10 2000-10-24 The Regents Of The University Of California Constricted glow discharge plasma source
US5938851A (en) * 1997-04-14 1999-08-17 Wj Semiconductor Equipment Group, Inc. Exhaust vent assembly for chemical vapor deposition systems
JP4151862B2 (ja) * 1998-02-26 2008-09-17 キヤノンアネルバ株式会社 Cvd装置
US6406590B1 (en) * 1998-09-08 2002-06-18 Sharp Kaubushiki Kaisha Method and apparatus for surface treatment using plasma
DE69929271T2 (de) * 1998-10-26 2006-09-21 Matsushita Electric Works, Ltd., Kadoma Apparat und Verfahren zur Plasmabehandlung
US6220286B1 (en) * 1999-01-29 2001-04-24 Michael L. Davenport Gas blanket distributor
US6143080A (en) * 1999-02-02 2000-11-07 Silicon Valley Group Thermal Systems Llc Wafer processing reactor having a gas flow control system and method
US6206973B1 (en) * 1999-04-23 2001-03-27 Silicon Valley Group Thermal System Llc Chemical vapor deposition system and method
JP4726369B2 (ja) * 1999-06-19 2011-07-20 エー・エス・エムジニテックコリア株式会社 化学蒸着反応炉及びこれを利用した薄膜形成方法
DE60041341D1 (de) * 1999-08-17 2009-02-26 Tokyo Electron Ltd Gepulstes plasmabehandlungsverfahren und vorrichtung
ES2214444T5 (es) 2000-10-04 2008-02-16 Dow Corning Ireland Limited Metodo y aparato para formar un recubrimiento.
EP1421606A4 (en) * 2001-08-06 2008-03-05 Genitech Co Ltd PLASMA ACTIVE ATOMIC LAYER (PEALD) DEPOSITION APPARATUS AND METHOD OF FORMING THIN FILM USING SAID APPARATUS
US6820570B2 (en) * 2001-08-15 2004-11-23 Nobel Biocare Services Ag Atomic layer deposition reactor
JP3793451B2 (ja) 2001-12-05 2006-07-05 積水化学工業株式会社 放電プラズマ処理装置
US6869641B2 (en) * 2002-07-03 2005-03-22 Unaxis Balzers Ltd. Method and apparatus for ALD on a rotary susceptor
US6821563B2 (en) * 2002-10-02 2004-11-23 Applied Materials, Inc. Gas distribution system for cyclical layer deposition
US20040065255A1 (en) * 2002-10-02 2004-04-08 Applied Materials, Inc. Cyclical layer deposition system
US7819081B2 (en) * 2002-10-07 2010-10-26 Sekisui Chemical Co., Ltd. Plasma film forming system
JP4549866B2 (ja) * 2003-02-05 2010-09-22 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の製造方法
KR101145350B1 (ko) * 2003-02-06 2012-05-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치 및 표시장치의 제조 방법
US7408225B2 (en) * 2003-10-09 2008-08-05 Asm Japan K.K. Apparatus and method for forming thin film using upstream and downstream exhaust mechanisms
US20050103265A1 (en) * 2003-11-19 2005-05-19 Applied Materials, Inc., A Delaware Corporation Gas distribution showerhead featuring exhaust apertures
US20050221618A1 (en) * 2004-03-31 2005-10-06 Amrhein Frederick J System for controlling a plenum output flow geometry
US7521653B2 (en) * 2004-08-03 2009-04-21 Exatec Llc Plasma arc coating system
KR20070072900A (ko) * 2004-10-29 2007-07-06 다우 글로벌 테크놀로지스 인크. 플라즈마 강화 화학 기상 증착에 의한 내마모성 코팅
KR20060076714A (ko) * 2004-12-28 2006-07-04 에이에스엠지니텍코리아 주식회사 원자층 증착기
US7608549B2 (en) * 2005-03-15 2009-10-27 Asm America, Inc. Method of forming non-conformal layers
KR101272321B1 (ko) * 2005-05-09 2013-06-07 한국에이에스엠지니텍 주식회사 복수의 기체 유입구를 가지는 원자층 증착 장치의 반응기
JP5069427B2 (ja) * 2006-06-13 2012-11-07 北陸成型工業株式会社 シャワープレート、並びにそれを用いたプラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び電子装置の製造方法
CN101467498A (zh) * 2006-06-13 2009-06-24 东京毅力科创株式会社 喷淋板及其制造方法、和使用了它的等离子体处理装置、处理方法及电子装置的制造方法
KR101355638B1 (ko) * 2006-11-09 2014-01-29 한국에이에스엠지니텍 주식회사 원자층 증착 장치
EP2100485B1 (en) * 2006-12-28 2013-05-29 Exatec, LLC. Apparatus and method for plasma arc coating
US20080241384A1 (en) * 2007-04-02 2008-10-02 Asm Genitech Korea Ltd. Lateral flow deposition apparatus and method of depositing film by using the apparatus
CN101808937A (zh) * 2007-06-07 2010-08-18 琳德有限公司 硅烷的再循环和再利用
KR101046520B1 (ko) * 2007-09-07 2011-07-04 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 내부 챔버 상의 부산물 막 증착을 제어하기 위한 pecvd 시스템에서의 소스 가스 흐름 경로 제어
US8282735B2 (en) * 2007-11-27 2012-10-09 Asm Genitech Korea Ltd. Atomic layer deposition apparatus
US8092606B2 (en) * 2007-12-18 2012-01-10 Asm Genitech Korea Ltd. Deposition apparatus
JP5202050B2 (ja) * 2008-03-14 2013-06-05 東京エレクトロン株式会社 シャワーヘッド及び基板処理装置
JP2011144412A (ja) * 2010-01-13 2011-07-28 Honda Motor Co Ltd プラズマ成膜装置
JP2011252085A (ja) * 2010-06-02 2011-12-15 Honda Motor Co Ltd プラズマ成膜方法
US7939363B1 (en) * 2010-10-27 2011-05-10 General Electric Company Systems and methods of intermixing cadmium sulfide layers and cadmium telluride layers for thin film photovoltaic devices
US20120225207A1 (en) * 2011-03-01 2012-09-06 Applied Materials, Inc. Apparatus and Process for Atomic Layer Deposition
US20120225204A1 (en) * 2011-03-01 2012-09-06 Applied Materials, Inc. Apparatus and Process for Atomic Layer Deposition
US20120222620A1 (en) * 2011-03-01 2012-09-06 Applied Materials, Inc. Atomic Layer Deposition Carousel with Continuous Rotation and Methods of Use
US20120225203A1 (en) * 2011-03-01 2012-09-06 Applied Materials, Inc. Apparatus and Process for Atomic Layer Deposition
US20120225191A1 (en) * 2011-03-01 2012-09-06 Applied Materials, Inc. Apparatus and Process for Atomic Layer Deposition
US20120269967A1 (en) * 2011-04-22 2012-10-25 Applied Materials, Inc. Hot Wire Atomic Layer Deposition Apparatus And Methods Of Use
US20130164445A1 (en) * 2011-12-23 2013-06-27 Garry K. Kwong Self-Contained Heating Element

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02123891U (ja) * 1989-03-24 1990-10-11
JPH0699979A (ja) * 1991-11-12 1994-04-12 Original Ideas Inc 飲料水用容器の蓋体
JPH0549624U (ja) * 1991-12-05 1993-06-29 豊裕 川沢 抽出口装置
JPH10139075A (ja) * 1996-09-12 1998-05-26 Watanabegumi:Kk ミックス容器
JP2007176547A (ja) * 2005-12-27 2007-07-12 Asahi Breweries Ltd 缶蓋及び缶

Also Published As

Publication number Publication date
US8573154B2 (en) 2013-11-05
EP2345751B1 (en) 2013-07-03
EP2345751A1 (en) 2011-07-20
US20110168094A1 (en) 2011-07-14
CN102127754A (zh) 2011-07-20
CN102127754B (zh) 2012-10-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2011144412A (ja) プラズマ成膜装置
US8132793B2 (en) Method and apparatus for liquid precursor atomization
TW583334B (en) CVD apparatus having cleaning mechanism adopting fluorine gas and cleaning method adopting fluorine gas for CVD apparatus
KR100590307B1 (ko) Cvd장치 및 그것을 이용한 cvd장치의 클리닝 방법
Raballand et al. Deposition of carbon-free silicon dioxide from pure hexamethyldisiloxane using an atmospheric microplasma jet
WO2003107409A1 (ja) 酸化膜形成方法及び酸化膜形成装置
KR102010992B1 (ko) 나노 분말의 제조 장치 및 이 제조 장치를 이용한 제조 방법
US20070221635A1 (en) Plasma synthesis of nanopowders
CN103924215B (zh) 向表面施用材料的方法和设备
US11142822B2 (en) Method for depositing a coating by DLI-MOCVD with direct recycling of the precursor compound
US20220178617A1 (en) Heat exchanger with multistaged cooling
KR20170026531A (ko) 다수의 액체 또는 고체 소스 재료들로부터 cvd 또는 pvd 디바이스에 대한 증기를 생성하기 위한 디바이스 및 방법
JP2019057530A (ja) 製造装置及び排出ガス処理装置
JPWO2019124099A1 (ja) 成膜装置
Shahien et al. Fabrication of AlN coatings by reactive atmospheric plasma spray nitriding of Al powders
Reuter et al. Effect of N2 dielectric barrier discharge treatment on the composition of very thin SiO2-like films deposited from hexamethyldisiloxane at atmospheric pressure
JP5254279B2 (ja) トラップ装置及び基板処理装置
JP5133923B2 (ja) トラップ装置
JP2011252085A (ja) プラズマ成膜方法
JP2003213422A (ja) 薄膜の形成装置及びその形成方法
JP3182075B2 (ja) エピタキシャル層の生成方法
KR101387632B1 (ko) 증기 응결 및 회수를 위한 방법 및 장치
TW201219104A (en) Process for condensation of chalcogen vapour and apparatus to carry out the process
KR20120106964A (ko) Cu(in,ga)x₂박막을 증착시키는 캐소드 스퍼터
CN107431015B (zh) 气化器、成膜装置和温度控制方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20121127

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20131011