JP2011142129A - パワーモジュール - Google Patents
パワーモジュール Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011142129A JP2011142129A JP2010000594A JP2010000594A JP2011142129A JP 2011142129 A JP2011142129 A JP 2011142129A JP 2010000594 A JP2010000594 A JP 2010000594A JP 2010000594 A JP2010000594 A JP 2010000594A JP 2011142129 A JP2011142129 A JP 2011142129A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive sheet
- power module
- heat conductive
- boron nitride
- scaly boron
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】3μm以上50μm以下の平均長径を有する鱗片状窒化ホウ素を30体積%以上80体積%以下の割合でマトリックス樹脂中に含む熱伝導性シートを具備するパワーモジュールであって、前記熱伝導性シートに接する部材の前記熱伝導性シート側の面に、前記鱗片状窒化ホウ素の平均長径の1/3以上且つ前記熱伝導性シートの厚みの1/2以下の十点平均高さRzを有する凹凸が形成されていることを特徴とするパワーモジュールとする。
【選択図】図1
Description
シート厚み方向の熱伝導性を向上させた熱伝導性シートとしては、マトリックス樹脂中に鱗片状窒化ホウ素の二次凝集粒子を含む熱伝導性シートが提案されている(例えば、特許文献1及び2参照)。
すなわち、熱伝導性シートは、一般に、プレス成形法、射出成形法、押出成形法、カレンダー成形法、ロール成形法、ドクターブレード成形法などの様々な成形法を用いて、形成されると共にパワーモジュールに組み込まれるが、これらの成形法は、熱伝導性シート中の鱗片状窒化ホウ素の配向に影響を与えることがある。例えば、熱伝導性シートを形成する際の材料の流動や、熱伝導性シートをパワーモジュールへ組み込む際に加えられる圧力などの様々な要因によって、図3に示すように、熱伝導性シートに接する部材との界面付近において熱伝導性シート中の鱗片状窒化ホウ素が倒れた状態、すなわち、鱗片状窒化ホウ素の長径方向がシート面方向に配向され易いという傾向がある。その結果、このような熱伝導性シートではシート厚み方向の熱伝導性が十分に向上しないため、放熱特性に優れたパワーモジュールが得られないという問題がある。
すなわち、本発明は、3μm以上50μm以下の平均長径を有する鱗片状窒化ホウ素を30体積%以上80体積%以下の割合でマトリックス樹脂中に含む熱伝導性シートを具備するパワーモジュールであって、前記熱伝導性シートに接する部材の前記熱伝導性シート側の面に、前記鱗片状窒化ホウ素の平均長径の1/3以上且つ前記熱伝導性シートの厚みの1/2以下の十点平均高さRzを有する凹凸が形成されていることを特徴とするパワーモジュールである。
本実施の形態のパワーモジュールは、鱗片状窒化ホウ素をマトリックス樹脂中に含む熱伝導性シートを具備し、熱伝導性シートに接する部材の熱伝導性シート側の面に所定の凹凸が形成されている。
以下、本実施の形態のパワーモジュールにつき、図面を用いて説明する。
図1は、本実施の形態のパワーモジュールの断面図である。
図1において、パワーモジュールは、熱伝導性シート1と、熱伝導性シート1を狭持する金属板2及びヒートシンク3と、ヒートシンク3上に配置された電力半導体素子4と、外部配線との接続を行うリードフレーム5とを備えている。そして、電力半導体素子4の間、及び電力半導体素子4とリードフレーム5との間は、金属線6によって接続されており、リードフレーム5の外部接続部、及び金属板2の外部放熱部以外は、封止樹脂7によって封止されている。この実施の形態のパワーモジュールにおいて、熱伝導性シート1に接する部材とは、金属板2及びヒートシンク3である。なお、熱伝導性シート1及び熱伝導性シート1に接する部材以外は、特に限定されることはなく、当該技術分野において公知のものを用いることができる。
Rz=((R1+R3+R5+R7+R9)−(R2+R4+R6+R8+R10))/5
上記式中、R1+R3+R5+R7+R9は、最高から5番目までの山頂の標高を意味し、R2+R4+R6+R8+R10は、最深から5番目までの谷底の標高を意味する。
例えば、図4に示す別の構成形態のパワーモジュールは、熱伝導性シート1と、熱伝導性シート1を狭持するヒートシンク3及びリードフレーム5と、リードフレーム5上に配置された電力半導体素子4とを備えている。そして、電力半導体素子4の間、及び電力半導体素子4とリードフレーム5との間は、金属線6によって接続されており、リードフレーム5の外部接続部、及びヒートシンク3の外部放熱部以外は、封止樹脂7によって封止されている。この形態のパワーモジュールにおいて、熱伝導性シート1に接する部材とは、ヒートシンク3及びリードフレーム5である。
熱伝導性シート1の厚みは、特に限定されることはなく、熱伝導性シート1に要求される特性などにあわせて適宜調整すればよいが、一般に50μm以上500μm以下である。
鱗片状窒化ホウ素9の平均長径は、3μm以上50μm以下である。鱗片状窒化ホウ素9の平均長径が3μm未満であると、鱗片状窒化ホウ素9の短径と長径とのアスペクト比が小さくなり、熱伝導性シート1に接する部材の凹凸によって、鱗片状窒化ホウ素9の長径方向をシート厚み方向と概ね一致するように配向させることが難しくなる。加えて、鱗片状窒化ホウ素9とマトリックス樹脂8との界面が増大するため、界面抵抗によって所望の熱伝導性が得られない。逆に、鱗片状窒化ホウ素9の平均長径が50μmを超えると、シート厚み方向に加わる圧力によって鱗片状窒化ホウ素9がシート面方向と一致するように配向する傾向が大きくなり、所望の熱伝導性が得られない。
なお、二次焼結粒子の形状は、球状に限定されることはなく、鱗片状等の他の形状であってもよい。ただし、球状以外の他の形状の場合、平均粒径は当該形状における長辺の長さを意味する。
エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、脂環脂肪族エポキシ樹脂、グリシジル−アミノフェノール系エポキシ樹脂が挙げられる。これらの樹脂は、単独又は2種以上を組み合わせて用いることができる。
熱伝導性シート1を与える樹脂組成物における硬化剤の含有量は、使用する熱硬化性樹脂や硬化剤の種類等にあわせて適宜調整すればよく、一般的に、100質量部の熱硬化性樹脂に対して0.1質量部以上200質量部以下である。
熱伝導性シート1を与える樹脂組成物におけるカップリング剤の含有量は、使用する熱硬化性樹脂やカップリング剤の種類などにあわせて適宜設定すればよく、一般的に、100質量部の熱硬化性樹脂に対して0.01質量部以上5質量部以下である。
熱伝導性シート1を与える樹脂組成物における溶剤の含有量は、混練が可能な量であれば特に限定されることはなく、一般に、熱硬化性樹脂及びフィラーとの合計100質量部に対して40質量部以上85質量部以下である。
なお、上記では、トランスファーモールド法による封止方法を説明したが、それ以外の公知の方法(例えば、プレス成形法、射出成形法、押出成形法)などを用いてもよい。
(実施例1)
液状のビスフェノールA型エポキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン株式会社製エピコート828)100質量部と、硬化剤である1−シアノエチル−2−メチルイミダゾール(四国化成工業株式会社製キュアゾール2PN−CN)1質量部とを混合した後、この混合物に溶媒であるメチルエチルケトン166重量部を添加し、攪拌混合した。次に、この混合物に、平均長径5μmの鱗片状窒化ホウ素を、樹脂組成物の固形分(熱伝導性シート)において60体積%となるように添加し、予備混合した。この予備混合物を、三本ロールを用いて混練し、鱗片状窒化ホウ素が均一に分散した樹脂組成物を得た。
平均長径5μmの鱗片状窒化ホウ素の代わりに平均長径13.4μmの鱗片状窒化ホウ素を用いたこと以外は実施例1と同様にしてパワーモジュールを得た。
(実施例3)
平均長径5μmの鱗片状窒化ホウ素の代わりに平均長径27μmの鱗片状窒化ホウ素を用いたこと以外は実施例1と同様にしてパワーモジュールを得た。
平均長径5μmの鱗片状窒化ホウ素の代わりに平均長径48μmの鱗片状窒化ホウ素を用いたこと、ヒートシンクとして、十点平均粗さRzが15μmの凹凸を有するCu板の代わりに十点平均粗さRzが48μmの凹凸を有するCu板を用いたこと以外は実施例1と同様にしてパワーモジュールを得た。ここで、十点平均粗さRzが48μmの凹凸を有するCu板は、約10μm間隔の開口部有するマスクをCu板(厚さ2mm)に貼り付け、塩化第二鉄水溶液(塩化第二鉄の濃度:38%)に25分間浸漬させることによって作製した。
平均長径5μmの鱗片状窒化ホウ素の代わりに平均長径13.4μmの鱗片状窒化ホウ素を用いたこと、及び平均長径13.4μmの鱗片状窒化ホウ素を、樹脂組成物の固形分(熱伝導性シート)において36体積%となるように添加したこと以外は、実施例1と同様にしてパワーモジュールを得た。
平均長径5μmの鱗片状窒化ホウ素の代わりに、平均長径13.4μmの鱗片状窒化ホウ素、及び平均粒径58μmの二次焼結粒子を用い、これらを樹脂組成物の固形分(熱伝導性シート)においてそれぞれ30体積%となるように添加したしたこと以外は、実施例1と同様にしてパワーモジュールを得た。ここで、二次焼結粒子は、平均長径3μmの鱗片状窒化ホウ素をスプレードライによって凝集させた後、約2,000℃で焼成して焼結(粒成長)させることにより作製した。
平均長径5μmの鱗片状窒化ホウ素の代わりに平均長径1.1μmの鱗片状窒化ホウ素を用いたこと以外は実施例1と同様にしてパワーモジュールを得た。
(比較例2)
平均長径5μmの鱗片状窒化ホウ素の代わりに平均長径13.4μmの鱗片状窒化ホウ素を用いたこと、熱伝導性シートの厚みを150μmから80μmに変更したこと、ヒートシンクとして、十点平均粗さRzが15μmの凹凸を有するCu板の代わりに十点平均粗さRzが42μmの凹凸を有するCu板を用いたこと以外は、実施例1と同様にしてパワーモジュールを得た。ここで、ここで、十点平均粗さRzが42μmの凹凸を有するCu板は、約10μm間隔の開口部有するマスクをCu板(厚さ2mm)に貼り付け、塩化第二鉄水溶液(塩化第二鉄の濃度:38%)に20分間浸漬させることによって作製した。
平均長径5μmの鱗片状窒化ホウ素の代わりに平均長径48μmの鱗片状窒化ホウ素を用いたこと以外は実施例1と同様にしてパワーモジュールを得た。
(比較例4)
平均長径5μmの鱗片状窒化ホウ素の代わりに平均長径62μmの鱗片状窒化ホウ素を用いたこと、及び、ヒートシンクとして、十点平均粗さRzが15μmの凹凸を有するCu板の代わりに十点平均粗さRzが28μmの凹凸を有するCu板を用いたこと以外は、実施例1と同様にしてパワーモジュールを得た。ここで、ここで、十点平均粗さRzが28μmの凹凸を有するCu板は、約10μm間隔の開口部有するマスクをCu板(厚さ2mm)に貼り付け、塩化第二鉄水溶液(塩化第二鉄の濃度:38%)に12分間浸漬させることによって作製した。
(比較例5)
平均長径5μmの鱗片状窒化ホウ素の代わりに平均長径13.4μmの鱗片状窒化ホウ素を用いたこと、及び平均長径13.4μmの鱗片状窒化ホウ素を、樹脂組成物の固形分(熱伝導性シート)において27体積%となるように添加したこと以外は、実施例1と同様にしてパワーモジュールを得た。
一方、比較例1及び4では、鱗片状窒化ホウ素の平均長径が所定の範囲から外れるため、熱伝導率が低くなった。これは、回折ピークの強度比の結果から明らかなように、鱗片状窒化ホウ素の長径方向がシート面方向と平行に配向してしまったためであると考えられる。すなわち、鱗片状窒化ホウ素の平均長径が小さすぎると、長径と短径とのアスペクト比が小さくなり、鱗片状窒化ホウ素の長径方向がシート面方向と平行に配向し易くなると考えられる。また、鱗片状窒化ホウ素とマトリックス樹脂との界面が増大し、界面抵抗によって熱伝導性が低下すると考えられる。逆に、鱗片状窒化ホウ素の平均長径が大きすぎると、シート厚み方向に加わる圧力によって鱗片状窒化ホウ素がシート面方向と一致するように配向する傾向が大きくなると考えられる。
さらに、比較例5では、熱伝導性シートにおける鱗片状窒化ホウ素の含有量が少なすぎるため、熱伝導率が低くなった。従って、熱伝導性シートの熱伝導性を高めるためには、熱伝導性シートにおける鱗片状窒化ホウ素の含有量を所定の範囲に規定する必要があると考えられる。
Claims (4)
- 3μm以上50μm以下の平均長径を有する鱗片状窒化ホウ素を30体積%以上80体積%以下の割合でマトリックス樹脂中に含む熱伝導性シートを具備するパワーモジュールであって、
前記熱伝導性シートに接する部材の前記熱伝導性シート側の面に、前記鱗片状窒化ホウ素の平均長径の1/3以上且つ前記熱伝導性シートの厚みの1/2以下の十点平均高さRzを有する凹凸が形成されていることを特徴とするパワーモジュール。 - 前記熱伝導性シートに接する部材は、ヒートシンク、ヒートスプレッダ、リードフレーム及び金属板からなる群より選択される少なくとも1つであることを特徴とする請求項1に記載のパワーモジュール。
- 前記熱伝導性シートの厚み方向にX線を照射して得られるX線回折図において、<100>面に対する<002>面の回折ピークの強度比(I<002>/I<100>)が6以上200以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載のパワーモジュール。
- 前記熱伝導性シートは、鱗片状窒化ホウ素の二次焼結粒子をさらに含むことを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載のパワーモジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010000594A JP5063710B2 (ja) | 2010-01-05 | 2010-01-05 | パワーモジュール |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010000594A JP5063710B2 (ja) | 2010-01-05 | 2010-01-05 | パワーモジュール |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011142129A true JP2011142129A (ja) | 2011-07-21 |
JP5063710B2 JP5063710B2 (ja) | 2012-10-31 |
Family
ID=44457796
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010000594A Expired - Fee Related JP5063710B2 (ja) | 2010-01-05 | 2010-01-05 | パワーモジュール |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5063710B2 (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013220971A (ja) * | 2012-04-17 | 2013-10-28 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 絶縁放熱シート及び窒化ホウ素の造粒方法 |
JP2014027226A (ja) * | 2012-07-30 | 2014-02-06 | Nhk Spring Co Ltd | 回路基板用積層板及び金属ベース回路基板 |
JP2014107519A (ja) * | 2012-11-30 | 2014-06-09 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2014531109A (ja) * | 2011-08-29 | 2014-11-20 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ | 柔軟な照明アセンブリ、照明器具、及び柔軟層を製造する方法。 |
JP2014236142A (ja) * | 2013-06-04 | 2014-12-15 | 株式会社デンソー | 発熱モジュールおよび熱伝導性シート |
KR101477359B1 (ko) * | 2012-12-27 | 2014-12-29 | 삼성전기주식회사 | 전력 반도체 모듈 |
KR20150073950A (ko) | 2012-10-31 | 2015-07-01 | 나믹스 코포레이션 | 반도체 장치 |
KR20180081322A (ko) * | 2017-01-06 | 2018-07-16 | 엘지이노텍 주식회사 | 방열기판 |
CN108461484A (zh) * | 2018-04-09 | 2018-08-28 | 黄山学院 | 一种高可靠性igbt模块的封装结构及加工工艺 |
JP2019145536A (ja) * | 2018-02-15 | 2019-08-29 | 三菱電機株式会社 | 高周波デバイスおよび空中線 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1160216A (ja) * | 1997-08-04 | 1999-03-02 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 熱伝導性窒化ホウ素フィラー及び絶縁放熱シート |
JP2003060134A (ja) * | 2001-08-17 | 2003-02-28 | Polymatech Co Ltd | 熱伝導性シート |
JP2008101227A (ja) * | 2007-12-27 | 2008-05-01 | Mitsubishi Electric Corp | 熱伝導性樹脂シートおよびこれを用いたパワーモジュール |
JP2008153430A (ja) * | 2006-12-18 | 2008-07-03 | Mitsubishi Electric Corp | 放熱基板並びに熱伝導性シートおよびこれらを用いたパワーモジュール |
-
2010
- 2010-01-05 JP JP2010000594A patent/JP5063710B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1160216A (ja) * | 1997-08-04 | 1999-03-02 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 熱伝導性窒化ホウ素フィラー及び絶縁放熱シート |
JP2003060134A (ja) * | 2001-08-17 | 2003-02-28 | Polymatech Co Ltd | 熱伝導性シート |
JP2008153430A (ja) * | 2006-12-18 | 2008-07-03 | Mitsubishi Electric Corp | 放熱基板並びに熱伝導性シートおよびこれらを用いたパワーモジュール |
JP2008101227A (ja) * | 2007-12-27 | 2008-05-01 | Mitsubishi Electric Corp | 熱伝導性樹脂シートおよびこれを用いたパワーモジュール |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014531109A (ja) * | 2011-08-29 | 2014-11-20 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ | 柔軟な照明アセンブリ、照明器具、及び柔軟層を製造する方法。 |
JP2013220971A (ja) * | 2012-04-17 | 2013-10-28 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 絶縁放熱シート及び窒化ホウ素の造粒方法 |
JP2014027226A (ja) * | 2012-07-30 | 2014-02-06 | Nhk Spring Co Ltd | 回路基板用積層板及び金属ベース回路基板 |
KR20150073950A (ko) | 2012-10-31 | 2015-07-01 | 나믹스 코포레이션 | 반도체 장치 |
JP2014107519A (ja) * | 2012-11-30 | 2014-06-09 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
KR101477359B1 (ko) * | 2012-12-27 | 2014-12-29 | 삼성전기주식회사 | 전력 반도체 모듈 |
JP2014236142A (ja) * | 2013-06-04 | 2014-12-15 | 株式会社デンソー | 発熱モジュールおよび熱伝導性シート |
KR20180081322A (ko) * | 2017-01-06 | 2018-07-16 | 엘지이노텍 주식회사 | 방열기판 |
KR102676650B1 (ko) * | 2017-01-06 | 2024-06-20 | 엘지이노텍 주식회사 | 방열기판 |
JP2019145536A (ja) * | 2018-02-15 | 2019-08-29 | 三菱電機株式会社 | 高周波デバイスおよび空中線 |
CN108461484A (zh) * | 2018-04-09 | 2018-08-28 | 黄山学院 | 一种高可靠性igbt模块的封装结构及加工工艺 |
CN108461484B (zh) * | 2018-04-09 | 2023-09-15 | 黄山学院 | 一种igbt模块的封装结构及加工工艺 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5063710B2 (ja) | 2012-10-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5063710B2 (ja) | パワーモジュール | |
JP5036696B2 (ja) | 熱伝導性シート及びパワーモジュール | |
JP5184543B2 (ja) | 熱伝導性シート及びパワーモジュール | |
JP5340202B2 (ja) | 熱硬化性樹脂組成物、bステージ熱伝導性シート及びパワーモジュール | |
JP5208060B2 (ja) | 熱硬化性樹脂組成物、熱伝導性樹脂シート及びその製造方法、並びにパワーモジュール | |
JP4089636B2 (ja) | 熱伝導性樹脂シートの製造方法およびパワーモジュールの製造方法 | |
JP6022061B2 (ja) | 熱硬化性樹脂組成物、熱伝導性シートの製造方法、及びパワーモジュール | |
JP4046120B2 (ja) | 絶縁シートの製造方法およびパワーモジュールの製造方法 | |
JP2008153430A (ja) | 放熱基板並びに熱伝導性シートおよびこれらを用いたパワーモジュール | |
JP5225303B2 (ja) | 熱伝導性シートの製造方法 | |
WO2012070289A1 (ja) | 熱伝導性シート及びパワーモジュール | |
JP5791488B2 (ja) | 熱伝導性シート用樹脂組成物、熱伝導性シート及びパワーモジュール | |
JP2008255186A (ja) | 熱伝導性樹脂シート及びパワーモジュール | |
JP2011178894A (ja) | 熱硬化性樹脂組成物、熱伝導性シート及びパワーモジュール | |
JP2014152299A (ja) | 熱硬化性樹脂組成物、熱伝導性樹脂シート、その製造方法及びそれを備えるパワーモジュール | |
JP6025966B2 (ja) | 熱伝導性絶縁シート、パワーモジュール及びその製造方法 | |
JP2016155946A (ja) | 熱硬化性樹脂組成物、熱伝導性樹脂シート、回路基板及びパワーモジュール | |
JP5653280B2 (ja) | 熱伝導性シート用樹脂組成物、熱伝導性シート及びパワーモジュール | |
JP2015196823A (ja) | 熱硬化性樹脂組成物、熱伝導性樹脂シート及びその製造方法、並びにパワーモジュール | |
JP5274007B2 (ja) | 熱伝導性樹脂シートおよびこれを用いたパワーモジュール | |
JP2008308576A (ja) | 熱伝導性樹脂シートの製造方法、熱伝導性樹脂シート及びこれを用いたパワーモジュール | |
JP2008010897A (ja) | 絶縁シートおよびこれを用いたパワーモジュール | |
KR101839697B1 (ko) | 흑연 및 산화아연을 포함하는 열전도성 접착제 및 이의 제조방법 | |
WO2017086474A1 (ja) | 金属ベース基板、回路基板および発熱体搭載基板 | |
WO2015159720A1 (ja) | 熱伝導性シート用コンパウンドの製造方法、熱伝導性シートの製造方法、熱伝導性シート用コンパウンド、熱伝導性シート及びパワーモジュール |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20111026 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120706 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120710 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120807 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5063710 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150817 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |