JP2011130424A5 - - Google Patents

Claims (5)

1. 負荷と、スイッチとして機能するトランジスタとを有し、
   前記トランジスタは、水素濃度が５×１０^１９／ｃｍ^３以下である酸化物半導体層を有し、
   前記トランジスタのチャネル幅１μｍあたりにおけるオフ電流は、−３０℃以上１２０℃以下の温度範囲において１×１０ ^−１６ Ａ以下であることを特徴とする変調回路。
2. 負荷と、スイッチとして機能するトランジスタとを有し、
   前記トランジスタは、ソースまたはドレインの一方が前記負荷を介してアンテナの一端に電気的に接続され、ソースまたはドレインの他方がアンテナの他端に電気的に接続され、
   前記トランジスタは、水素濃度が５×１０^１９／ｃｍ^３以下である酸化物半導体層を有し、
   前記トランジスタのチャネル幅１μｍあたりにおけるオフ電流は、−３０℃以上１２０℃以下の温度範囲において１×１０ ^−１６ Ａ以下であることを特徴とする変調回路。
3. 負荷と、スイッチとして機能するトランジスタと、ダイオードとを有し、
   前記負荷、前記トランジスタ、及び前記ダイオードは、アンテナの両端間に直列に接続されており、
   前記トランジスタは、水素濃度が５×１０^１９／ｃｍ^３以下である酸化物半導体層を有し、
   前記トランジスタのチャネル幅１μｍあたりにおけるオフ電流は、−３０℃以上１２０℃以下の温度範囲において１×１０ ^−１６ Ａ以下であることを特徴とする変調回路。
4. 請求項１乃至３のいずれか一において、
   前記負荷は、抵抗、容量、または抵抗及び容量であることを特徴とする変調回路。
5. 請求項１乃至４のいずれか一に記載の変調回路を有する半導体装置。