JP2011109674A - パルス化インテリジェントrf変調コントローラ - Google Patents

パルス化インテリジェントrf変調コントローラ Download PDF

Info

Publication number
JP2011109674A
JP2011109674A JP2010276122A JP2010276122A JP2011109674A JP 2011109674 A JP2011109674 A JP 2011109674A JP 2010276122 A JP2010276122 A JP 2010276122A JP 2010276122 A JP2010276122 A JP 2010276122A JP 2011109674 A JP2011109674 A JP 2011109674A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
signal
output
amplitude
waveform
modulation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2010276122A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5635384B2 (ja
Inventor
Kevin P Nasman
ピー、ナスマン ケヴィン
Daniel J Vona Jr
ジェイ、ヴォナ、ジュニア ダニエル
Aaron T Radomski
ティー、ラドムスキー アーロン
Jr William R Pulhamus
アール、プルハムス、ジュニア ウィリアム
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
MKS Instruments Inc
Original Assignee
MKS Instruments Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by MKS Instruments Inc filed Critical MKS Instruments Inc
Publication of JP2011109674A publication Critical patent/JP2011109674A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5635384B2 publication Critical patent/JP5635384B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32137Radio frequency generated discharge controlling of the discharge by modulation of energy
    • H01J37/32146Amplitude modulation, includes pulsing
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05BCONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B19/00Programme-control systems
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082Radio frequency generated discharge
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32174Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03CMODULATION
    • H03C1/00Amplitude modulation
    • H03C1/36Amplitude modulation by means of semiconductor device having at least three electrodes
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05HPLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24Generating plasma
    • H05H1/46Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00Details of apparatus for conversion
    • H02M1/0003Details of control, feedback or regulation circuits
    • H02M1/0012Control circuits using digital or numerical techniques

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Amplitude Modulation (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

【課題】発生器の出力を制御する制御方法を提供する。
【解決手段】発生器の出力(22)は,あるインピーダンスをもつ負荷に対し,あるセトリング時間をもつ出力信号(12)を供給する。この出力信号について,そのセトリング時間を決定する。出力信号は,変調波形で振幅変調する(20)。この変調した出力信号について,これを表すセンス信号を発生する(26)。そのセンス信号を,出力信号のセトリング時間に基づくサンプリング時点にてサンプリングし(28),このサンプリングしたセンス信号のデジタル表現を発生する。サンプリングしたセンス信号のこのデジタル表現に基づき,上記出力の振幅変調を制御する(14)。
【選択図】図1

Description

本発明は,一般的には電力出力を提供する発生器(generator)に関し,そして詳細には変調した出力波形を供給する電力発生器に関するものである。
変調された出力を提供する発生器は,その出力を制御するのに使用する波形センス/制御技術によって種々の面で制約を受ける。代表的には,在来の発生器は,その出力波形を表すセンス信号の正に向かう傾斜を追跡する制御法を用いている。このセンス信号の立ち上がりエッジは,電荷ダンプ−ホールド回路(CDH(charge-dump-hold)回路)によって追跡する。このCDH回路は,波形の追跡を続け,そしてこれは,プラントのセトリング時間を考慮した所定量の時間後にセンス信号の値を測定するまで,行う。ホールド回路は,出力変調のディスエーブルと同時に活性化して,これにより,変調パラメータに拘わらずに有効な連続DC出力を提供する。伝達電力のような出力特性は,上記測定したパラメータにパルス化出力デューティー比を乗算することによって計算する。例えば,50%のデューティー比で1000ワットのピーク電力測定値の場合,計算した伝達出力電力は500ワットとなる。
上述のセンス/制御技法の制約には,プラントのセトリング時間を予め測定しておく必要があることが含まれ,CDH回路応答は,システムの帯域幅を制限し,したがってこの技術は,出力波形の正のエッジと負のエッジの両方を追跡することができず,このため任意の振幅出力波形を制御することができない。セトリング時間は,一般には,研究室での実験に基づき得られるものであり,そしてこれは,システム稼働の間において使用するために記憶させる。プラントのセトリング時間は,駆動中の負荷インピーダンスに基づき,多くのシステムで変動することになる。単一の負荷インピーダンスに基づくセトリング時間を使用すれば,計算した出力パラメータの確度は,負荷インピーダンスに依存して変化する場合があり,これは,整合したシステムに対して,または出力特性の計算における高いレベルの不正確さに耐えることができるシステムに対してこの制御技術の使用を制限する。
CDH回路の応答時間により課されるシステム帯域幅に対する制約は,出力波形の最小パルス幅を決定する際における制限ファクタとなることがある。測定システム(すなわち,CDH回路)に発生器システムの速度を制限させることは,通常のエンジニアリング手法と逆のこととなる。正エッジおよび負エッジの両方を追跡できないことは,パルスが変調用波形のローのサイクルの間においてゼロにリターンするような出力波形を制御することに対し,この制御技術を制限する。両方のエッジを追跡する能力なしで任意に振幅の変調波形を制御することは,一般的に達成することが不可能である。したがって,在来の発生器制御技術は,通常は,発生器システムが出力特性の不正確な生成および測定を許容することができない限り,パルス化出力波形を制御することに制限される。
在来の発生器制御技術は,制限された稼働条件の下で変調した出力波形を提供するのに使用できるが,これら技術は,センサ/測定回路によって制限されない発生器を提供する能力をもつことは判明していない。
発生器の出力を制御する方法およびシステムを提供する。前記出力は,あるインピーダンスをもつ負荷に対し,あるセトリング時間をもつ出力信号を供給する。この出力信号の前記セトリング時間を決定する。前記出力信号は,変調波形によって振幅変調する。この変調した出力信号を表すセンス信号を発生する。前記出力信号の前記セトリング時間に基づくサンプリング時点にて,前記センス信号をサンプリングする。このサンプリングしたセンス信号のデジタル表現を発生する。サンプリングした前記センス信号の前記デジタル表現に基づき,前記出力の振幅変調を制御する。
本発明の更に別の応用領域は,以下の詳細な説明から明かとなる。理解されるべきであるが,この詳細な説明および特定の例は,本発明の好ましい実施形態を示すものであるが,例示のためのみであって,本発明の範囲を限定する意図のものではない。
図1は,本発明の現在好ましい実施形態を示すブロック図。 図2は,本発明の教示内容に従う,パルス・コントローラに結合した出力検出器を示すブロック図。 図3Aは,本発明の教示内容に従う,発生器電力出力を制御するためのプロセスを示すフロー図。 図3Bは,その電力出力のタイミング関係を示す波形図。 図4は,本発明の教示内容に従う,遅延時間を決定するためのプロセスを示すフロー図。 図5Aは,本発明の教示内容に従う,過駆動形増幅器回路の実施形態を示す。 図5Bは,本発明の教示内容に従う,リニアRF増幅器回路の実施形態を示す。 図6は,プラズマ発生器出力の包絡線を示す種々の波形図を示す。
好ましい実施形態の以下の説明は,性質上単なる例示であり,本発明,その応用または使用をいかなる方法でも限定することを意図したものではない。図1を参照すると,これには,プラズマ処理システム(不図示)に対し電力出力12を供給するプラズマ発生器10を示している。本発明の範囲は,電力出力12を供給することを含み,これにおいては,その制御する特性は,出力電圧,出力電流,出力正方向電力,出力反射電力,出力エネルギとすることができる。プラズマ発生器10は,システム・コントローラ14を備え,これは,制御信号を発生し,処理監視信号および障害信号を発生するためのものである。外部インターフェース16は,システム・コントローラ14に対し,外部機器またはユーザとの通信インターフェースのためのインターフェース・バスを介して接続する。システム・コントローラ14に接続したドライバ18は,上記制御信号に対応するバッファされた駆動信号を発生する。これら駆動信号は,変調器20を駆動し,そしてこの変調器は,整流されたライン電力を未フィルタ処理の出力に変換する。未フィルタ処理のこの出力は,出力アセンブリ22に結合し,そしてこのアセンブリは,出力フィルタ24と検出器26とを備えている。未フィルタ処理出力は,出力フィルタ24でフィルタ処理することによって,電力出力12を発生する。検出器26は,センス信号を発生し,この信号は,出力電圧12の少なくとも1つの信号特性に対応する。好ましくは,V/Iプローブは,検出器26として用いるが,本発明の範囲には,ミクサまたは方向性結合器のような他の検出器も含まれる。パルス・コントローラ28は,センス信号をデジタル化したセンス信号に変換し,そして出力電圧信号特性を処理する。パルス・コントローラ28は,変調信号30と振幅制御信号32とを発生する。変調信号30は,単一ライン信号であって,これは,ドライバ出力の振幅および周波数を制御するためにドライバ18に結合している。デジタル化したフィードバック信号32は,システム・コントローラ14に対しデジタル・バス34を介して結合するデジタル化信号である。デジタル化フィードバック信号32が供給する情報は,システム・コントローラ14が使用することによって,電力出力12の振幅を制御する。パルス・コントローラ28は,特にプラズマ発生器に組み込むのに適しているが,理解されるように,このパルス・コントローラは,変調出力を提供する種々の発生器において使用することもできる。
図2を参照すると,これには,パルス・コントローラ28の現在好ましい実施形態の詳細なブロック図を示している。パルス・コントローラ28は,サンプラ30を備え,これは,出力検出器26に結合している。サンプラ30は,出力検出器26からのセンス信号をサンプリングし,そしてデジタル化センス信号に変換する。好ましくは,サンプラは,低速のアナログ−デジタル変換器である。プロセッサ32は,サンプラ30を制御し,そしてデジタル化センス信号を処理する。プロセッサ32は,好ましくは,マイクロコントローラであるが,マイクロプロセッサ,デジタル信号プロセッサ,フィールド・プログラマブル・ゲートアレイ,およびプログラマブル・ロジック・デバイスのような他のプロセッサも本発明の範囲内である。好ましい実施形態においては,別々のプロセッサを,パルス・コントローラ28およびシステム・コントローラ14に対し使用し,これによって,パルス・コントローラ28が検出器26の近くに配置できるようにする。メモリ34は,プロセッサ32のためのデータ記憶機能を提供する。
図3Aおよび図3Bを参照すると,これには,プラズマ発生器10の出力を制御するためのプロセスと,発生器出力の出力波形42とをそれぞれ示している。ステップ40においては,遅延時間を決定し,これは,発生器出力の変化をポイント44で指令した時から始まり,そして出力波形42が,出力セトリング時間後の安定化したレベルのような所定のレベルに達するまでである。この遅延時間を決定する方法には,ルックアップ・テーブルの使用,外部入力の受け取り,並びに本明細書の後の部分で詳細に説明する繰り返しプロシージャ(procedure)を走らせることによる遅延時間の動的な決定,が含まれる。ルックアップ・テーブルは,遅延時間を含み,これは,セトリング時間,初期出力電圧レベル,最終出力電圧レベルおよび温度のような種々の動作パラメータの関数となる。それら動作パラメータに対応する遅延時間は,好ましくは,発生器10の実際の動作状態に対応するセトリング時間を測定することによって決定する。しかし,遅延時間を計算すること,コンピュータ・シミュレーションを走らせること,ベースラインの発生器に関連した遅延時間を測定すること,によってルックアップ・テーブルの遅延時間を決定することは,本発明の範囲内である。ステップ48においては,出力電圧変調をポイント44でイネーブルする。ステップ50では,パルス・コントローラ28は,発生器出力を測定するまでに所定の遅延時間の間待機する。ステップ52では,パルス・コントローラ28は,発生器出力をサンプリングする(ポイント46)。ステップ54でサンプリングされた発生器出力がデジタル化信号に変換される。遅延時間を評価することにより,発生器出力のレベルを判定するのに,状態変化後の出力の単一のサンプルしかデジタル化することを要しない。したがって,サンプリングした出力をデジタル化信号に変換するためには,比較的遅いアナログ−デジタル変換器を,好ましくは使用する。加えて,サンプリングした信号のデジタル化信号へのこの変換は,好ましくは,検出器26の物理的に近いところで行うことにより,このサンプリングした信号へのノイズ結合を最小限にする。これとは逆に,在来の発生器は,非常に高速のサンプラとデジタル変換器との組み合わせを使用し,そしてこれは,その発生器出力を,その出力の変調がイネーブルされた時からその出力が安定化するまでの期間に渡って継続してサンプリングし変換する。非常に高速のサンプラとデジタル変換器の組み合わせは,大変高価であり,そして出力の測定値に対し,高速動作の結果であるサンプラ内におけるスイッチング・ノイズおよび誤差に起因して,誤差を導入する。ステップ56においては,デジタル化信号に応答して,変調レベルを調節することにより,発生器出力と基準電圧との間の誤差を低減する。
図4を参照すると,これには,変調の開始から発生器出力が安定となる時までの時間の長さを決定するプロセスを示している。ステップ60において,発生器出力の波形特性を選択する。この選択可能な波形特性には,初期電圧レベル,最終電圧レベル,周波数,立ち上がり時間,立ち下がり時間,パルス時間周期が含まれる。ステップ62では,出力変調を開始する。この変調波形は,好ましくは,単一パルスにセットするが,幅広く離間したパルスのバースト,および幅広く離間したパルスの連続したストリングのような他の波形も,本発明の範囲内である。ステップ64において,評価遅延時間を,二進探索またはシーケンシャル探索のような探索規準に基づき選択する。この評価遅延時間は,変調の開始から発生器出力が安定となるまでに経過すると予測される評価時間を表す。ステップ66では,その評価遅延時間が経過したときに,1つのサンプルを出力から取得する。好ましくは,出力の遷移当たりたった1つのサンプルのみを取得し,これによって,低速で低コストのD/Aを用いることができるようにする。ステップ68では,そのサンプリングした出力をデジタル化信号に変換する。ステップ70では,デジタル化信号を評価することによって,出力が遷移を通過しそして安定化したかどうか判定する。出力が安定化していない場合,制御はステップ62に戻り,そして別の変調パルスを送る。もし出力が安定化している場合,ステップ72において,その遅延時間および波形パラメータを,後での参照のためにルックアップ・テーブルに格納する。
図5Aおよび図5Bを参照すると,これには,プラズマ発生器出力を振幅変調する2つの方法を示している。振幅変調した出力を使用することにより,プラズマ発生器を使用している最中のプロセスをもっと緊密に制御するようにする。DCを含む任意の周波数で動作しているプラズマ処理システム発生器の出力は,任意の波形形状または周波数の第2の波形で振幅変調することにより,どのような任意の出力包絡線も発生する。この発生器出力の周波数スペクトルを制御することにより,元の入力に存在していない追加の周波数を発生することもできる。加えて,入力の振幅,入力周波数,導関数は,変調用の信号の振幅およびDCオフセットの関数として変化する。
図5Aにおいて,過駆動増幅器82の電源電圧80を変調することによって,印加される電圧包絡線の二乗であるである電力包絡線を発生する。固定ドライブ84は,増幅器82を過駆動するための信号を提供する。電源電圧80は,リニア電力源およびスイッチ・モード電力源のような変調器86が生成する。変調器86は,周期的なまたは非周期的な波形形状をもつ入力信号88で駆動する。100kHzよりも大きい帯域幅は,増幅器82では実現可能である。この波形形状の複製は,電源電圧80を変化させる変調器により,発生器出力の包絡線において生成される。
図5Bを参照すると,これには,本発明の原理による別の振幅変調の実施形態を示している。固定ドライブ90は,入力信号92と乗算することによって,リニアRF増幅器96に対し変調した入力信号94を発生する。リニアRF増幅器96は,その変調入力信号94を増幅器することによって,プラズマ発生器出力を変調するための信号を発生する。図5Bのリニア増幅器実施形態は,有利にも,図5Aの電源電圧変調と同じ振幅変調出力を,より広い変調帯域幅で発生する。図示にはプラズマ発生器出力を振幅変調するたった2つの技術しか示していないが,本発明の範囲には,プラズマ発生器出力を振幅変調するための他の方法を使用することも含まれる。
図6を参照すると,これには,本発明の原理による振幅変調出力をもつプラズマ発生器からの波形形状のいくつかの例を示している。第1の波形100は発生器出力を示しており,この出力においては,予め選択した周波数の正弦波で矩形パルスを変調することにより,矩形パルスのエッジの角を制御した方法で丸めている。より低い周波数の正弦波を選択することにより,パルス・エッジのより大きな丸めが実現される。
波形102は,より高度に複雑な形状を複製した,振幅変調発生器出力の1つの実施形態の出力信号の例を示している。
波形104および106は,振幅およびオフセットが発生器のダイナミックレンジ内のいたるところで変化した,振幅変調発生器出力の1つの実施形態の出力信号を示している。
波形108は,多数の周波数を生成した,振幅変調発生器の1つの実施形態の出力信号を示している。有利にも,この出力信号を発生するためには,出力信号の異なった周波数成分を各々発生する多数の発生器ではなく,たった1つの振幅変調形発生器が必要なだけである。
本発明の以上の説明は,単なる例示であり,したがって本発明の要旨から逸脱しない変更例は,本発明の範囲内に入るものであることを意図している。このような変更例は,本発明の要旨および範囲から逸脱するものとみなされるべきではない。
10 プラズマ発生器
12 電力出力
14 システム・コントローラ
16 外部インターフェース
18 ドライバ
20 変調器
22 出力アセンブリ
24 出力フィルタ
26 検出器
28 パルス・コントローラ

Claims (22)

  1. 発生器の出力を制御する制御方法であって,前記出力が,あるインピーダンスをもつ負荷に対し出力信号を供給し,前記出力信号がセトリング時間を有し,前記制御方法が,
    前記出力信号の前記セトリング時間を決定するステップと,
    前記出力信号を変調波形で振幅変調するステップと,
    前記の変調した出力信号を表すセンス信号を発生するステップと,
    前記出力信号の前記セトリング時間に基づくサンプリング時点にて,前記センス信号をサンプリングするステップと,
    前記のサンプリングしたセンス信号のデジタル表現を発生するステップと,
    前記サンプリングしたセンス信号の前記デジタル表現に基づき,前記出力信号の前記振幅変調を制御するステップと,
    前記出力信号をプラズマ室に加えるステップと,
    を含むことを特徴とする制御方法。
  2. 請求項1記載の方法において,前記出力信号は,出力電圧,出力電流,出力正方向電力,出力反射電力,出力エネルギのグループから選択されることを特徴とする制御方法。
  3. 請求項1記載の方法において,前記セトリング時間は,前記負荷インピーダンスに依存し,
    前記の決定するステップは,前記負荷インピーダンスに対応する前記セトリング時間を決定することを含むことを特徴とする制御方法。
  4. 請求項1記載の方法において,前記のセトリング時間を決定するステップは,
    前記出力を駆動するための振幅を有する変調波形を発生するステップと,
    前記センス信号をサンプリングする前にある時間の間遅延させるステップと,
    前記出力が,前記変調波形に対応するレベルに安定化したかどうか決定するステップと,
    を含むことを特徴とする制御方法。
  5. 請求項4記載の方法において,前記変調波形は,パルス化信号であることを特徴とする制御方法。
  6. 請求項4記載の方法において,前記センス信号をサンプリングする前に遅延させるべき前記時間を決定するため,探索アルゴリズムを使用することを特徴とする制御方法。
  7. 請求項6記載の方法において,前記探索アルゴリズムは,二進探索アルゴリズムであること,を特徴とする制御方法。
  8. 請求項1記載の方法において,前記のセトリング時間を決定するステップは,ルックアップ・テーブルから前記セトリング時間を選択するステップを含むことを特徴とする制御方法。
  9. 請求項8記載の方法であって,さらに,発生器動作パラメータに対応する前記出力信号のセトリング時間をもつルックアップ・テーブルを発生するステップを含むことを特徴とする制御方法。
  10. 負荷に印加すべき振幅変調した出力を発生するプラズマ発生器であって,
    変調信号を発生する振幅変調増幅器と,
    駆動信号を供給するため前記振幅変調増幅器に結合した固定ドライブと,
    ある波形形状を持つ入力信号を発生し,該波形形状を変化させるパルス・コントローラとを含み,
    前記振幅変調増幅器は,前記駆動信号を,前記入力信号と組み合わせることによって,前記入力信号に対応する波形形状をもつ前記変調信号を発生し,該変調信号をプラズマ室に入力することを特徴とするプラズマ発生器。
  11. 請求項10記載の発生器であって,前記振幅変調増幅器は,
    前記振幅変調した出力を表すセンス信号を発生するセンサと,
    前記センス信号をデジタル化信号に変換するため前記センサに結合したアナログ−デジタル変換器とを含み,
    前記アナログ−デジタル変換器に結合した前記パルス・コントローラが,前記変調信号の前記振幅を前記デジタル化信号に基づき制御することによって,前記振幅変調した出力が基準波形を追跡するよう制御されるようにすることを特徴とするプラズマ発生器。
  12. 請求項10記載の発生器において,前記振幅変調増幅器は,
    前記入力信号に応答して,前記入力信号の波形形状に対応する波形形状をもつ電源電圧を発生するよう動作可能な変調器と,
    前記固定ドライブと出力アセンブリとの間に結合され,前記電源電圧と過駆動RF増幅器を過駆動する駆動信号とに基づいて前記変調信号を発生する過駆動RF増幅器であって,前記電源電圧を受けるため,前記変調器に結合した電源入力を有する,前記の過駆動RF増幅器と,
    を含むことを特徴とするプラズマ発生器。
  13. 請求項12記載の発生器において,前記変調器は,スイッチ・モード電力源であることを特徴とするプラズマ発生器。
  14. 請求項12記載の発生器において,前記変調器は,リニア電力源であることを特徴とするプラズマ発生器。
  15. 請求項10記載の発生器において,前記振幅変調増幅器は,
    前記駆動信号と入力信号を組み合わせることによって合成信号を形成する乗算器と,
    前記変調信号を発生するため前記乗算器と出力アセンブリとの間に結合したリニア増幅器であって,前記変調信号が前記合成信号に対応する,前記のリニア増幅器と,
    を含むことを特徴とするプラズマ発生器。
  16. プラズマ発生器の出力を制御する制御方法であって,前記出力があるインピーダンスをもつ負荷に対し出力信号を供給し,前記出力信号がセトリング時間を有し,前記制御方法が,
    a)前記出力信号の前記セトリング時間を決定するステップであって,
    1)前記出力を駆動するための振幅を有する第1の変調波形を発生するステップと,
    2)前記センス信号をサンプリングする前にある時間の間遅延させるステップと,
    3)前記出力が,前記第1の変調波形に対応するレベルに安定化したかどうか決定するステップと,
    を含む,前記の決定するステップと,
    b)前記出力信号を第2の変調波形で振幅変調するステップと,
    c)前記の変調した出力信号を表すセンス信号を発生するステップと,
    d)前記出力信号の前記セトリング時間に基づくサンプリング時点にて,前記センス信号をサンプリングするステップと,
    e)前記のサンプリングしたセンス信号のデジタル表現を発生するステップと,
    f)前記サンプリングしたセンス信号の前記デジタル表現に基づき,前記出力の前記振幅変調を制御するステップと,
    g)前記振幅変調信号をプラズマ室に加えるステップと,
    を含むことを特徴とする制御方法。
  17. 請求項16記載の方法であって,さらに,
    前記セトリング時間をルックアップ・テーブルに格納するステップと,
    前記セトリング時間に対応する前記プラズマ発生器の動作パラメータを,前記ルックアップ・テーブルに格納するステップと,
    を含むことを特徴とする制御方法。
  18. 請求項17記載の方法において,前記動作パラメータは,初期出力信号レベル,最終出力信号レベル,出力信号周波数,出力信号立ち上がり時間,出力信号立ち下がり時間のグループから選択したことを特徴とする制御方法。
  19. 請求項16記載の方法において,さらに,前記第2の変調波形に対し動作パラメータを選択するステップを含むことを特徴とする制御方法。
  20. 請求項16記載の方法において,V/Iプローブを使用して前記出力を検知することを特徴とする制御方法。
  21. 請求項16記載の方法において,前記の遅延させるステップは,さらに,探索アルゴリズムを使用して前記所定の時間を選択するステップを含むことを特徴とする制御方法。
  22. 請求項10記載の発生器において,前記入力信号は,周期的または非周期的な波形形状を有している,プラズマ発生器。
JP2010276122A 2001-04-06 2010-12-10 パルス化インテリジェントrf変調コントローラ Expired - Lifetime JP5635384B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US827880 2001-04-06
US09/827,880 US6459067B1 (en) 2001-04-06 2001-04-06 Pulsing intelligent RF modulation controller

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002039884A Division JP5177928B2 (ja) 2001-04-06 2002-02-18 パルス化インテリジェントrf変調コントローラ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011109674A true JP2011109674A (ja) 2011-06-02
JP5635384B2 JP5635384B2 (ja) 2014-12-03

Family

ID=25250402

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002039884A Expired - Fee Related JP5177928B2 (ja) 2001-04-06 2002-02-18 パルス化インテリジェントrf変調コントローラ
JP2010276122A Expired - Lifetime JP5635384B2 (ja) 2001-04-06 2010-12-10 パルス化インテリジェントrf変調コントローラ

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002039884A Expired - Fee Related JP5177928B2 (ja) 2001-04-06 2002-02-18 パルス化インテリジェントrf変調コントローラ

Country Status (6)

Country Link
US (2) US6459067B1 (ja)
EP (1) EP1248353A2 (ja)
JP (2) JP5177928B2 (ja)
KR (1) KR20020077646A (ja)
CN (2) CN1223088C (ja)
TW (1) TW512650B (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013179047A (ja) * 2012-02-22 2013-09-09 Lam Research Corporation インピーダンスに基づいた電力および周波数の調整
JP2014220059A (ja) * 2013-05-07 2014-11-20 株式会社ダイヘン 高周波電源
JP2016051542A (ja) * 2014-08-29 2016-04-11 株式会社ダイヘン 高周波電源
JP2018528574A (ja) * 2015-07-13 2018-09-27 エムケーエス インストゥルメンツ,インコーポレイテッド 連続的およびパルスモード動作のための一体化されたrf電力供給単一入力複数出力制御

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6459067B1 (en) * 2001-04-06 2002-10-01 Eni Technology, Inc. Pulsing intelligent RF modulation controller
US20050011611A1 (en) * 2002-07-12 2005-01-20 Mahoney Leonard J. Wafer probe for measuring plasma and surface characteristics in plasma processing environments
US6995545B2 (en) * 2003-08-18 2006-02-07 Mks Instruments, Inc. Control system for a sputtering system
EP1691481B1 (de) 2005-02-12 2014-04-02 TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG Amplitudenmodulator
US9011633B2 (en) * 2005-11-17 2015-04-21 Mks Instruments, Inc. Broadband techniques to reduce the effects of impedance mismatch in plasma chambers
JP2007227201A (ja) * 2006-02-24 2007-09-06 Noritsu Koki Co Ltd プラズマ発生装置及びワーク処理装置
US20080204036A1 (en) * 2007-02-28 2008-08-28 Agilent Technologies, Inc. Pulse-generating apparatus and a method for adjusting levels of pulses outputted from pulse-generating apparatus
DK2139302T3 (da) * 2007-03-28 2014-01-13 Mitsui Shipbuilding Eng Højspændings-Plasmagenereringsapparat
US7570028B2 (en) * 2007-04-26 2009-08-04 Advanced Energy Industries, Inc. Method and apparatus for modifying interactions between an electrical generator and a nonlinear load
KR100975631B1 (ko) * 2008-06-10 2010-08-17 주식회사 져스텍 펄스변조용 커넥터 및 모션 제어 펄스의 실시간 변조방법
US7872523B2 (en) * 2008-07-01 2011-01-18 Mks Instruments, Inc. Radio frequency (RF) envelope pulsing using phase switching of switch-mode power amplifiers
US8716984B2 (en) 2009-06-29 2014-05-06 Advanced Energy Industries, Inc. Method and apparatus for modifying the sensitivity of an electrical generator to a nonlinear load
SG175695A1 (en) 2009-08-07 2011-12-29 Kyosan Electric Mfg Pulse-modulated high-frequency power control method and pulse-modulated high-frequency power source device
JP5848529B2 (ja) * 2011-06-14 2016-01-27 株式会社ダイヘン 高周波電源装置及びその制御方法
US8773019B2 (en) 2012-02-23 2014-07-08 Mks Instruments, Inc. Feedback control and coherency of multiple power supplies in radio frequency power delivery systems for pulsed mode schemes in thin film processing
JP6116176B2 (ja) * 2012-09-28 2017-04-19 株式会社ダイヘン 高周波電源装置及びその制御方法
JP5963632B2 (ja) * 2012-09-28 2016-08-03 株式会社ダイヘン 高周波電源装置及びその制御方法
US8736377B2 (en) * 2012-10-30 2014-05-27 Mks Instruments, Inc. RF pulse edge shaping
US9136093B2 (en) * 2013-02-07 2015-09-15 Mks Instruments, Inc. Synchronization of RF pulsing with RF metrology, processing, and control
CN104281185B (zh) * 2013-07-12 2016-04-20 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 射频控制***及方法、反应腔室、等离子体加工设备
DE102014220094A1 (de) * 2014-10-02 2016-04-07 TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG Verfahren zum Betrieb eines MF-Leistungsgenerators und MF-Leistungsgenerator
US10049857B2 (en) * 2014-12-04 2018-08-14 Mks Instruments, Inc. Adaptive periodic waveform controller
CN108141949B (zh) * 2015-10-12 2019-11-12 通快激光与***工程有限公司 高频激励脉冲产生等离子或激光脉冲方法设备和控制单元
US9577516B1 (en) * 2016-02-18 2017-02-21 Advanced Energy Industries, Inc. Apparatus for controlled overshoot in a RF generator
TWI680367B (zh) * 2016-07-05 2019-12-21 台達電子工業股份有限公司 具功率因數校正之微波產生裝置及其適用之控制方法
EP3340746B1 (de) * 2016-12-22 2021-05-05 Technische Hochschule Mittelhessen Steuerungseinheit zur steuerung eines hochfrequenzgenerators
US11094505B2 (en) * 2017-07-07 2021-08-17 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus, storage medium and substrate processing method
US11615943B2 (en) * 2017-07-07 2023-03-28 Advanced Energy Industries, Inc. Inter-period control for passive power distribution of multiple electrode inductive plasma source
EP3616235A4 (en) * 2017-07-07 2021-02-24 Advanced Energy Industries, Inc. INTER-PERIODIC CONTROL SYSTEM FOR PLASMA POWER SUPPLY SYSTEM AND ITS OPERATING PROCESS
US11651939B2 (en) * 2017-07-07 2023-05-16 Advanced Energy Industries, Inc. Inter-period control system for plasma power delivery system and method of operating same
US11342159B2 (en) * 2017-12-07 2022-05-24 Lam Research Corporation RF pulsing within pulsing for semiconductor RF plasma processing

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06338476A (ja) * 1993-03-31 1994-12-06 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理方法
WO2001024221A1 (en) * 1999-09-30 2001-04-05 Lam Research Corporation Voltage control sensor and control interface for radio frequency power regulation in a plasma reactor
JP2002324698A (ja) * 2001-04-06 2002-11-08 Eni Technologies Inc パルス化インテリジェントrf変調コントローラ
JP2003505828A (ja) * 1999-07-20 2003-02-12 東京エレクトロン株式会社 プラズマを含む開放共振器に固定されたマイクロ波発振器を用いた電子密度の測定及びプラズマ処理制御システム

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2620321C2 (de) * 1976-05-07 1983-01-20 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Hochlaufgeber für einen drehzahlgeregelten Elektromotor
JP2598274B2 (ja) * 1987-09-14 1997-04-09 三菱電機株式会社 プラズマ応用装置
JPH0623935B2 (ja) * 1988-02-09 1994-03-30 大日本スクリーン製造株式会社 再現性を高めた熱処理制御方法
CA2004317C (en) * 1988-12-07 1993-11-30 Noriyuki Tokuhiro Successive comparison type analog-to-digital converting apparatus
JPH07169590A (ja) * 1993-09-16 1995-07-04 Fujitsu Ltd 電子密度の測定方法及びその装置及び電子密度の制御装置及びプラズマ処理装置
JPH07142453A (ja) * 1993-11-16 1995-06-02 Kokusai Electric Co Ltd プラズマエッチング装置
JPH07249614A (ja) * 1994-03-10 1995-09-26 Kokusai Electric Co Ltd プラズマエッチング方法及びその装置
US5471212A (en) * 1994-04-26 1995-11-28 Texas Instruments Incorporated Multi-stage transponder wake-up, method and structure
JP3093572B2 (ja) * 1994-07-07 2000-10-03 株式会社半導体エネルギー研究所 ドライエッチング方法
KR0170709B1 (ko) * 1995-12-11 1999-03-30 윤종용 아날로그 입력 신호의 인터페이스 회로
JPH09170079A (ja) * 1995-12-18 1997-06-30 Asahi Glass Co Ltd スパッタリング方法および装置
KR0183844B1 (ko) * 1996-04-30 1999-05-15 김광호 알에프 발생 장치 및 이를 이용한 펄스 플라즈마 형성 방법
JP3220383B2 (ja) * 1996-07-23 2001-10-22 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びその方法
US5714917A (en) * 1996-10-02 1998-02-03 Nokia Mobile Phones Limited Device incorporating a tunable thin film bulk acoustic resonator for performing amplitude and phase modulation
US5973782A (en) * 1997-01-09 1999-10-26 Southwest Sciences Incorporated Phaseless wavelength modulation spectroscopy
US5808415A (en) * 1997-03-19 1998-09-15 Scientific Systems Research Limited Apparatus for sensing RF current delivered to a plasma with two inductive loops
KR19990085524A (ko) * 1998-05-19 1999-12-06 윤종용 펄스폭 변조 방식 컨버터용 디지털 전류 제어기
US6126778A (en) * 1998-07-22 2000-10-03 Micron Technology, Inc. Beat frequency modulation for plasma generation
US5985375A (en) * 1998-09-03 1999-11-16 Micron Technology, Inc. Method for pulsed-plasma enhanced vapor deposition
KR100317915B1 (ko) * 1999-03-22 2001-12-22 윤종용 플라즈마 식각 장치
US6172492B1 (en) * 1999-03-26 2001-01-09 Sarnoff Corporation Fixed off time and zero voltage switching dual mode power factor correcting converter
US6563076B1 (en) * 1999-09-30 2003-05-13 Lam Research Corporation Voltage control sensor and control interface for radio frequency power regulation in a plasma reactor
US6472822B1 (en) * 2000-04-28 2002-10-29 Applied Materials, Inc. Pulsed RF power delivery for plasma processing

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06338476A (ja) * 1993-03-31 1994-12-06 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理方法
JP2003505828A (ja) * 1999-07-20 2003-02-12 東京エレクトロン株式会社 プラズマを含む開放共振器に固定されたマイクロ波発振器を用いた電子密度の測定及びプラズマ処理制御システム
WO2001024221A1 (en) * 1999-09-30 2001-04-05 Lam Research Corporation Voltage control sensor and control interface for radio frequency power regulation in a plasma reactor
JP2002324698A (ja) * 2001-04-06 2002-11-08 Eni Technologies Inc パルス化インテリジェントrf変調コントローラ

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013179047A (ja) * 2012-02-22 2013-09-09 Lam Research Corporation インピーダンスに基づいた電力および周波数の調整
JP2014220059A (ja) * 2013-05-07 2014-11-20 株式会社ダイヘン 高周波電源
JP2016051542A (ja) * 2014-08-29 2016-04-11 株式会社ダイヘン 高周波電源
JP2018528574A (ja) * 2015-07-13 2018-09-27 エムケーエス インストゥルメンツ,インコーポレイテッド 連続的およびパルスモード動作のための一体化されたrf電力供給単一入力複数出力制御

Also Published As

Publication number Publication date
US6459067B1 (en) 2002-10-01
CN1691505A (zh) 2005-11-02
US20030024907A1 (en) 2003-02-06
JP5635384B2 (ja) 2014-12-03
CN1380747A (zh) 2002-11-20
TW512650B (en) 2002-12-01
US20020144983A1 (en) 2002-10-10
KR20020077646A (ko) 2002-10-12
US6700092B2 (en) 2004-03-02
EP1248353A2 (en) 2002-10-09
JP2002324698A (ja) 2002-11-08
CN1223088C (zh) 2005-10-12
CN1691505B (zh) 2011-06-22
JP5177928B2 (ja) 2013-04-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5635384B2 (ja) パルス化インテリジェントrf変調コントローラ
Brannon Sampled systems and the effects of clock phase noise and jitter
JP2814362B2 (ja) 高精度電圧測定装置
WO2000036389A3 (en) Sensing device and method for measuring emission time delay during irradiation of targeted samples utilizing variable phase tracking
JP2000009409A (ja) インダクタンス変化検出回路
JPS62209369A (ja) サンプリングによる電圧測定装置
TWM609659U (zh) 時序誤差的偵測電路
EP0191478A2 (en) Measurement circuit for evaluating a digital-to-analog converter
CN114112913B (zh) 一种红外光源加权调制***及方法
US4801874A (en) Method and apparatus for measuring electricity
Hatsenko et al. Investigation of Measurement Errors of Electrical Signals Characteristics of Energy Supply Systems
JP3323121B2 (ja) 半導体装置の測定方法及び測定装置
RU2800843C2 (ru) Генератор высокочастотных сигналов произвольной формы
JP2004510987A (ja) Rf電力測定
JP2021067593A (ja) 測定装置及び測定方法
SU785802A1 (ru) Способ измерени коэффициента шума приемной системы и устройство дл его осуществлени
JP4445836B2 (ja) サンプリング回路及び試験装置
JPH09269373A (ja) 光波距離計
Nastase et al. Evaluation method of the average pulse amplitude in a high-speed signal integrity test system
JPH07260850A (ja) サーボアナライザ
JPS62136923A (ja) A/d変換器試験装置
FR2666152A1 (fr) Installation de generation et d'emission d'une onde de puissance modulee en amplitude.
JPH0119548B2 (ja)
KR20010106989A (ko) 펄스 폭 변조기 및 전압 레벨 검출기를 이용하여 가변가능한 기준 전압을 생성하는 마이크로 콘트롤러 유니트
JPH09211104A (ja) パルス幅測定装置

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120904

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20121204

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20121207

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20121225

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20130628

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20131028

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20131202

A912 Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20140404

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20141016

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5635384

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term