JP2011101516A - 多出力スイッチング電源装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】昇圧チョッパ回路を用いず安価で複数の出力電圧を安定化できる多出力スイッチング電源装置。
【解決手段】直流電源2の出力両端に接続され、第1スイッチング素子Q1と第2スイッチング素子Q2との直列回路、第1スイッチング素子と第2スイッチング素子とを交互にオン/オフさせて直流電源の直流電圧を交流電圧に変換する制御回路10a、第1スイッチング素子又は第2スイッチング素子の両端に接続され、リアクトルLrとトランスT1の一次巻線P1と電流共振コンデンサCriとの直列回路、トランスの第1の二次巻線S1に発生する電圧を整流平滑して第1出力電圧Vo1を出力する第1整流平滑回路D1,C1、トランスの第2の二次巻線S2に発生する電圧を整流平滑して第2出力電圧Vo2を出力する第2整流平滑回路D2,C2を備え、制御回路は第1出力電圧に基づき第1スイッチング素子のオン期間を制御し、第2出力電圧に基づき第2スイッチング素子のオン期間を制御する。
【選択図】図2

Description

本発明は、複数の出力を有する多出力スイッチング電源装置に関する。
図1は従来の多出力スイッチング電源装置を示す回路構成図である。この多出力スイッチング電源装置は、出力電圧Vo1からの帰還信号に基づき制御回路10によりスイッチング素子Q1とスイッチング素子Q2とのデューティを制御し、出力電圧Vo2からの帰還信号に基づき制御回路11aにより昇圧チョッパー回路の出力電圧を制御することにより、出力電圧Vo2を制御する。
制御回路10は、帰還回路5からの出力電圧Vo1の検出信号に基づきスイッチング素子Q1とスイッチング素子Q2とを交互にオン/オフさせる。即ち、制御回路10は、帰還回路5からの出力電圧Vo1の検出信号に基づきスイッチング素子Q1又はスイッチング素子Q2をPWM制御又は周波数制御することにより、電流共振コンデンサCriの充電電圧を変え、スイッチング素子Q2のオン期間に出力電圧Vo1へ送るエネルギー量の制御を行う。ここでは、制御回路10は、帰還回路5からの出力電圧Vo1に基づきスイッチング素子Q1のオン幅を制御する。
帰還回路6は、平滑コンデンサC2とダイオードD2との接続点に接続され、平滑コンデンサC2の出力電圧Vo2を検出し、検出電圧を制御回路11aに出力する。制御回路11aは、帰還回路6からの検出電圧に基づき、昇圧チョッパー回路内の平滑コンデンサC3の両端電圧を制御することにより、出力電圧Vo2を制御する。
制御回路11aは、帰還回路6からの検出電圧と全波整流回路2からの全波整流電圧を抵抗R11と抵抗R12とで分圧した分圧電圧とを乗算し、得られた乗算出力電圧と電流検出抵抗R13で検出された入力電流に比例した電圧との誤差電圧を増幅して誤差電圧信号を生成する。制御回路11aは、生成された誤差電圧信号と三角波信号とを比較することによりパルス信号を生成し、パルス信号をスイッチング素子Q3に印加する。
このように従来の多出力スイッチング電源装置によれば、逆極性で巻回された2つの二次巻線S1,S2から取り出される2つの出力のそれぞれの帰還信号により、スイッチング素子Q1とスイッチング素子Q2とのデューティと前段の昇圧チョッパー回路の出力電圧をそれぞれ制御することにより、一方の出力電圧又は両方の出力電圧の可変があっても複数の出力の安定化を図ることができる。
特開2007−28751号公報
しかしながら、従来の多出力スイッチング電源装置においては、出力電圧Vo1と出力電圧Vo2とを制御するために、DC−DCコンバータの制御回路10と昇圧チョッパ回路の制御回路11aとが必要であった。このため、多出力スイッチング電源装置が高価であった。
また、昇圧チョッパ回路は、力率改善機能を有している。この力率を改善するためには、昇圧チョッパ回路の出力電圧に対する応答、即ち、位相補償は交流電源1の交流電源周波数に対して充分に遅くしなければならない。
一方、出力電圧Vo2の電圧変動に連動して昇圧チョッパ回路の出力電圧変動に対する応答を早めることにより出力電圧Vo2の安定化が図られている。しかし、昇圧チョッパ回路の出力電圧変動に対する応答を早めることは、力率を悪化させるという問題がある。
本発明は、昇圧チョッパ回路を用いることなく安価で複数の出力電圧を安定化させることができる多出力スイッチング電源装置を提供することにある。
上記課題を解決するために、本発明は、直流電源と、前記直流電源の出力両端に接続され、第1スイッチング素子と第2スイッチング素子とが直列に接続された第1直列回路と、前記第1スイッチング素子と前記第2スイッチング素子とを交互にオン/オフさせることにより前記直流電源の直流電圧を交流電圧に変換する制御回路と、一次巻線と第1の二次巻線と第2の二次巻線とを有するトランスと、前記第1スイッチング素子又は前記第2スイッチング素子の両端に接続され、リアクトルと前記トランスの前記一次巻線と電流共振コンデンサとが直列に接続された第2直列回路と、前記トランスの前記第1の二次巻線に発生する電圧を整流平滑して第1出力電圧を出力する第1整流平滑回路と、前記トランスの前記第2の二次巻線に発生する電圧を整流平滑して第2出力電圧を出力する第2整流平滑回路とを備え、前記制御回路は、前記第1整流平滑回路からの前記第1出力電圧に基づき前記第1スイッチング素子のオン期間を制御し、前記第2整流平滑回路からの前記第2出力電圧に基づき前記第2スイッチング素子のオン期間を制御する。
本発明によれば、制御回路は、第1整流平滑回路からの第1出力電圧に基づき第1スイッチング素子のオン期間を制御し、第2整流平滑回路からの第2出力電圧に基づき第2スイッチング素子のオン期間を制御するので、昇圧チョッパ回路を用いることなく安価で複数の出力電圧を安定化させることができる。
従来の多出力スイッチング電源装置を示す回路構成図である。 本発明の実施例1の多出力スイッチング電源装置を示す回路構成図である。 本発明の実施例1の多出力スイッチング電源装置内の制御回路を示す回路構成図である。 本発明の実施例1の多出力スイッチング電源装置において第1出力電圧のための設定電圧を上昇させる時の各部の動作を示すタイミングチャートである。 本発明の実施例1の多出力スイッチング電源装置において第2出力電圧のための設定電圧を上昇させる時の各部の動作を示すタイミングチャートである。 本発明の実施例1の多出力スイッチング電源装置において第2出力電圧を上昇させる時に電流共振コンデンサの振幅電圧のボトム電圧が低くなるようにスイッチング素子Q2のオン期間を制御する様子を示すタイミングチャートである。 本発明の実施例1の多出力スイッチング電源装置において第1出力電圧を上昇させる時に電流共振コンデンサの振幅電圧が高くなるようにスイッチング素子Q1のオン期間を制御する様子を示すタイミングチャートである。 本発明の実施例2の多出力スイッチング電源装置を示す回路構成図である。 本発明の実施例3の多出力スイッチング電源装置を示す回路構成図である。 本発明の実施例3の変形例の多出力スイッチング電源装置を示す回路構成図である。
以下、本発明の多出力スイッチング電源装置の実施例を図面を参照しながら詳細に説明する。
図2は実施例1の多出力スイッチング電源装置を示す回路構成図である。実施例1のスイッチング電源装置は、制御回路10aによりスイッチング素子Q1のオン期間とスイッチング素子Q2のオン期間とを変化させて、電流共振コンデンサCriの共振電圧振幅及び直流重畳電圧を変えることにより、トランスの一次側から二次側に送るエネルギー量を制御することを特徴とする。
具体的には、制御回路10aを除けば、本発明は、従来のスイッチング電源装置の構成に対して大幅に変更されていないが、本発明は、電流共振コンデンサCri容量を従来の容量よりも充分に小さくすることで、電流共振コンデンサCriの共振電圧振幅及び直流重畳電圧を容易に変化させる点が異なっている。
実施例1の多出力スイッチング電源装置において、交流電源1は交流電圧を整流器2に出力する。整流器2は、交流電源1の交流電圧を整流する。交流電源1と整流器2とで直流電源を構成する。なお、交流電源1と整流器2とを用いる代わりに、直流電源を用いても良い。
整流器2の出力両端には、平滑コンデンサC3が接続されるとともに、スイッチング素子Q1(第1スイッチング素子)とスイッチング素子Q2(第2スイッチング素子)との直列回路が接続されている。スイッチング素子Q1とスイッチング素子Q2とは、例えば、MOSFETからなる。スイッチング素子Q1のドレインは整流器2の正極に接続され、スイッチング素子Q2のソースは整流器2の負極に接続されている。
スイッチング素子Q2のドレイン−ソース間には、電圧共振コンデンサCrvが接続されるとともに、リアクトルLrとトランスT1の一次巻線P1と電流共振コンデンサCriとの直列回路が接続されている。
トランスT1は、一次巻線P1(巻数がN1)と第1の二次巻線S1(巻数がN2)と第2の二次巻線S2(巻数がN3)とを有している。
トランスT1の第1の二次巻線S1の両端にはダイオードD1と平滑コンデンサC1との直列回路が接続されている。ダイオードD1と平滑コンデンサC1とは、第1整流平滑回路を構成し、トランスT1の第1の二次巻線S1の両端に発生する電圧を整流平滑して出力電圧Vo1(第1出力電圧)を出力する。
トランスT1の第2の二次巻線S2の両端にはダイオードD2と平滑コンデンサC2との直列回路が接続されている。ダイオードD2と平滑コンデンサC2とは、第2整流平滑回路を構成し、トランスT1の第2の二次巻線S2の両端に発生する電圧を整流平滑して出力電圧Vo2(第2出力電圧)を出力する。
トランスT1の第1の二次巻線S1及び第2の二次巻線S2は、スイッチング素子Q1がオンした時にトランスT1の一次側のエネルギーが第2の二次巻線S2に伝達され且つスイッチング素子Q2がオンした時に一次側のエネルギーが第1の二次巻線S1に伝達されるように巻回されている。
即ち、図2に示す例では、トランスT1の一次巻線P1に対して第1の二次巻線S1が逆相に巻回され、トランスT1の一次巻線P1に対して第2の二次巻線S2が同相に巻回されている。
帰還回路5は、平滑コンデンサC1の両端電圧である出力電圧Vo1と第1設定電圧との誤差電圧を第1帰還信号FBLとして制御回路10aに出力する。帰還回路6は、平滑コンデンサC2の両端電圧である出力電圧Vo2と第2設定電圧との誤差電圧を第2帰還信号FBHとして制御回路10aに出力する。
制御回路10aは、帰還回路5からの第1帰還信号FBLと帰還回路6からの第2帰還信号FBHとに基づきスイッチング素子Q1とスイッチング素子Q2とを交互にオン/オフさせることにより整流器2の整流電圧をパルス信号に変換する。また、制御回路10aは、帰還回路5からの第1帰還信号FBLに基づきスイッチング素子Q1のオン期間を制御し、帰還回路6からの第2帰還信号FBHに基づきスイッチング素子Q2のオン期間を制御する。
さらに、制御回路10aは、出力電圧Vo1を上昇させる時、電流共振コンデンサCriの上限電圧が上昇するようにスイッチング素子Q1のオン期間を長くさせる。制御回路10aは、出力電圧Vo2を上昇させる時、電流共振コンデンサCriの下限電圧が下降するようにスイッチング素子Q2のオン期間を長くさせる。
図3は本発明の実施例1の多出力スイッチング電源装置内の制御回路を示す回路構成図である。図3において、抵抗R1の一端は、帰還回路6からの第2帰還信号FBHを入力し、抵抗R2の一端は、帰還回路5からの第1帰還信号FBLを入力する。抵抗R1の他端は、抵抗R3の一端に接続され、抵抗R2の他端は、抵抗R4の一端に接続されている。
カレントミラー回路101は、トランジスタQ4とトランジスタQ5とから構成されている。トランジスタQ4のベースとコレクタとトランジスタQ5のベースとは、抵抗R1の他端と抵抗R3の一端に接続されている。トランジスタQ4のエミッタとトランジスタQ5のエミッタとは、電源Vrefの正極に接続されている。トランジスタQ5のコレクタは、コンパレータCP2(第2比較手段)の非反転端子とコンデンサC4(第2コンデンサ)の一端とMOSFETQ8のドレインとに接続されている。
カレントミラー回路102は、トランジスタQ6とトランジスタQ7とから構成されている。トランジスタQ6のベースとコレクタとトランジスタQ7のベースとは、抵抗R2の他端と抵抗R4の一端に接続されている。トランジスタQ6のエミッタとトランジスタQ7のエミッタとは、電源Vrefの正極に接続されている。トランジスタQ7のコレクタは、コンパレータCP1(第1比較手段)の非反転端子とコンデンサC5(第1コンデンサ)の一端とMOSFETQ9のドレインとに接続されている。
電源Vrefの負極と抵抗R3の他端と抵抗R4の他端とコンデンサC4の他端とコンデンサC5の他端とMOSFETQ8のソースとMOSFETQ9のソースとは、接地されている。コンパレータCP1の反転端子とコンパレータCP2の反転端子とは、基準電源Vthの正極が接続され、基準電源Vthの負極は接地されている。
コンパレータCP2は、コンデンサC4に充電された充電電圧と基準電源Vthの基準電圧とを比較し、充電電圧が基準電圧未満である時にはLレベルをフリップフロップ回路FF1のセット端子Sに出力し、充電電圧が基準電圧以上である時にはHレベルをフリップフロップ回路FF1のセット端子Sに出力することにより、第1パルス信号を生成する。
コンパレータCP1は、コンデンサC5に充電された充電電圧と基準電源Vthの基準電圧とを比較し、充電電圧が基準電圧未満である時にはLレベルをフリップフロップ回路FF1のリセット端子Rに出力し、充電電圧が基準電圧以上である時にはHレベルをフリップフロップ回路FF1のリセット端子Rに出力することにより、第2パルス信号を生成する。
フリップフロップ回路FF1は、コンパレータCP2からセット端子Sに入力した第1パルス信号を出力端子Qから遅延回路103とMOSFETQ8のゲートとに出力する。フリップフロップ回路FF1は、コンパレータCP1からリセット端子Rに入力した第2パルス信号を反転出力端子Qbから遅延回路104とMOSFETQ9のゲートとに出力する。
MOSFETQ8(第2放電手段)は、フリップフロップ回路FF1の出力端子QからHレベルの第1パルス信号を入力した時、コンデンサC4の電荷を放電させる。MOSFETQ9(第1放電手段)は、フリップフロップ回路FF1の反転出力端子QbからHレベルの第2パルス信号を入力した時、コンデンサC5の電荷を放電させる。
遅延回路103は、フリップフロップ回路FF1の出力端子Qから第1パルス信号を第1所定時間遅延させ、ドライバDR1を介して第1遅延パルス信号Houtをスイッチング素子Q1のゲートに出力する。
遅延回路103において、フリップフロップ回路FF1の出力端子Qにバッファ回路BF1の入力端子が接続され、バッファ回路BF1の出力端子にはダイオードD4のカソードと抵抗R5の一端とが接続されている。ダイオードD4のアノードと抵抗R5の他端とは、コンデンサC6の一端とバッファ回路BF2の一端に接続され、バッファ回路BF2の他端はドライバDR1の入力端子に接続されている。
遅延回路104は、フリップフロップ回路FF1の反転出力端子Qbから第2パルス信号を第2所定時間遅延させ、ドライバDR2を介して第2遅延パルス信号Loutをスイッチング素子Q2のゲートに出力する。
遅延回路104において、フリップフロップ回路FF1の反転出力端子Qbにバッファ回路BF3の入力端子が接続され、バッファ回路BF3の出力端子にはダイオードD5のカソードと抵抗R6の一端とが接続されている。ダイオードD5のアノードと抵抗R6の他端とは、コンデンサC7の一端とバッファ回路BF4の一端に接続され、バッファ回路BF4の他端はドライバDR2の入力端子に接続されている。
スイッチング素子Q1とスイッチング素子Q2とが同時にオンしないように、遅延回路103の時定数R5,C6と遅延回路104の時定数R6,C7とを決定している。
次にこのように構成された実施例1の多出力スイッチング電源装置の動作を図2を参照しながら説明する。
まず、スイッチング素子Q1のオン期間において、トランスT1の一次巻線P1の励磁インダクタンスとリアクトルLr(トランスT1の一次二次間のリーケージインダクタンス)を介して電流共振コンデンサCriにエネルギーが蓄えられる。また、リアクトルLrと電流共振コンデンサCriによる共振電流が出力電圧Vo2に送られる。
また、スイッチング素子Q1のオン期間において、一次巻線P1には、整流器2の出力電圧から電流共振コンデンサCriの電圧を差し引いた電圧を一次巻線P1の励磁インダクタンスとリアクトルLrとのインダクタンス比で分圧された一次巻線P1の励磁インダクタンス比分の電圧が印加される。
そして、一次巻線P1の電圧は(Vo2+Vf)×N1/N3となったところでクランプされ、電流共振コンデンサCriとリアクトルLrとによる共振電流が二次側に送出される。ここで、VfはダイオードD2の順方向電圧である。一次巻線P1の電圧が(Vo2+Vf)×N1/N3未満のときには、トランスT1の二次側へのエネルギーは伝達されず、トランスT1の一次側のみの共振動作となる。
次に、スイッチング素子Q2のオン期間において、電流共振コンデンサCriに蓄えられたエネルギーによりリアクトルLrと電流共振コンデンサCriによる共振電流がトランスT1の二次巻線S1を介して出力電圧Vo1に送られる。また、一次巻線P1の励磁インダクタンスの励磁エネルギーがリセットされる。
また、スイッチング素子Q2のオン期間において、一次巻線P1には、電流共振コンデンサCriの電圧を一次巻線P1の励磁インダクタンスとリアクトルLrとのインダクタンス比で分圧された一次巻線P1の励磁インダクタンス比分の電圧が印加される。
そして、一次巻線P1の電圧が(Vo1+Vf)×N1/N2となったところでクランプされ、電流共振コンデンサCriとリアクトルLrとによる共振電流が二次巻線S1を介して二次側に送出される。ここで、VfはダイオードD1の順方向電圧である。
一次巻線P1の電圧が(Vo1+Vf)×N1/N2未満のときには、トランスT1の二次側へはエネルギーは伝達されず、トランスT1の一次側のみの共振動作となる。
次に、図3乃至図5を参照しながら、実施例1の多出力スイッチング電源装置の特徴である制御回路10aの動作を説明する。
まず、図4のタイミングチャートを参照しながら、出力電圧Vo1のための設定電圧を上昇させる時の各部の動作を説明する。
なお、図4において、Vr1は出力電圧Vo1のための設定電圧、Vr2は出力電圧Vo2のための設定電圧、IFBLはカレントミラー回路102に流れる電流、IFBHはカレントミラー回路101に流れる電流、VC4はコンデンサC4の両端電圧、VC5はコンデンサC5の両端電圧、Qはフリップフロップ回路FF1の出力端子Qからの第1パルス信号、Qbはフリップフロップ回路FF1の反転出力端子Qbからの第1パルス信号、LoutはドライバDR2からの第2遅延パルス信号、HoutはドライバDR1からの第1遅延パルス信号を示している。
また、設定電圧Vr1は、帰還回路5内の基準電圧であり、設定電圧Vr2は、帰還回路6内の基準電圧であり、これらの基準電圧は可変されるようになっている。
まず、時刻t0において、フリップフロップ回路FF1の出力端子QからHレベルの第1パルス信号が遅延回路103に出力されると、遅延回路103は第1パルス信号を遅延させて第1遅延パルス信号Houtをスイッチング素子Q1に出力する。このため、スイッチング素子Q1がオンする。Hレベルの第1パルス信号によりMOSFETQ8はオンし、コンデンサC4の電荷が放電され、電圧VC4は、ゼロとなる。
時刻t1において、出力電圧Vo1を上昇させるために、設定電圧Vr1を一定値だけ上昇させると、カレントミラー回路102を流れる電流IFBLが一定値だけ減少する。
時刻t2において、電圧VC5が基準電圧Vthに到達すると、フリップフロップ回路FF1の反転出力端子Qbからの第2パルス信号はHレベルとなり、Hレベルの第2パルス信号によりMOSFETQ9がオンするので、コンデンサC5の電荷が放電され、電圧VC5はゼロとなる。
また、フリップフロップ回路FF1の反転出力端子Qbからの第2パルス信号はHレベルとなる。遅延回路104は、第2パルス信号を遅延させて第2遅延パルス信号Loutをスイッチング素子Q2に出力するため、スイッチング素子Q2がオンする。ここで、Lレベルの第1パルス信号によりMOSFETQ8はオフし、コンデンサC4の電圧VC4は直線的に上昇していく。
時刻t3において、電圧VC4が基準電圧Vthに到達すると、フリップフロップ回路FF1の出力端子Qからの第1パルス信号はHレベルとなり、Hレベルの第1パルス信号によりMOSFETQ8がオンするので、コンデンサC4の電荷は放電され、電圧VC4はゼロとなる。
また、フリップフロップ回路FF1の反転出力端子Qbからの第2パルス信号はLレベルとなる。このため、MOSFETQ9はオフし、コンデンサC5の電圧VC5は直線的に上昇していく。
このとき、カレントミラー回路102を流れる電流IFBLが減少しているため、コンデンサC5に流れる電流も減少する。このため、コンデンサC5の電圧VC5がゼロから基準電圧Vthに到達する時間は、(時刻t4−時刻t3)であり、(時刻t2−時刻t0)よりも長くなる。このため、第1遅延パルス信号Houtも長くなるので、スイッチング素子Q1のオン期間が長くなる。
なお、図5は出力電圧Vo2のための設定電圧を上昇させる時の各部の動作を示すタイミングチャートである。図5に示す出力電圧Vo2のための設定電圧を上昇させる時の各部の動作も、図4に示す出力電圧Vo1のための設定電圧を上昇させる時の各部の動作と同様であるので、主な動作のみを説明する。
時刻t11において、出力電圧Vo2を上昇させるために、設定電圧Vr2を一定値だけ上昇させると、カレントミラー回路101を流れる電流IFBHが一定値だけ減少する。
時刻t12において、電圧VC5が基準電圧Vthに到達すると、フリップフロップ回路FF1の反転出力端子Qbからの第2パルス信号はHレベルとなり、MOSFETQ9はオンし、コンデンサC5の電圧VC5はゼロとなる。また、フリップフロップ回路FF1の出力端子Qからの第1パルス信号はLレベルとなる。このため、コンデンサC4の電圧VC4はゼロから上昇していく。
このとき、カレントミラー回路101を流れる電流IFBHが減少しているため、コンデンサC4に流れる電流も減少する。このため、コンデンサC4の電圧VC4がゼロから基準電圧Vthに到達する時間は、(時刻t13−時刻t12)であり、(時刻t10−時刻t9)よりも長くなる。このため、第2遅延パルス信号Loutも長くなるので、スイッチング素子Q2のオン期間が長くなる。
次に、図6(a)〜図6(b)のタイミングチャートを参照しながら、出力電圧Vo2を上昇させる時に電流共振コンデンサCriの振幅電圧のボトム電圧が低くなるようにスイッチング素子Q2のオン期間を制御する方法について説明する。図6(a)は出力電圧Vo2を上昇させないときの各部の動作を示し、図6(b)は出力電圧Vo2を上昇させたときの各部の動作を示す。
なお、図6において、Vcr2は電流共振コンデンサCriの両端電圧、Q2dsはスイッチング素子Q2のドレイン−ソース間電圧、Q2idはスイッチング素子Q2のドレイン電流、Q1idはスイッチング素子Q1のドレイン電流である。
出力電圧Vo2側の出力電流の増加、あるいは出力電圧の可変により、図6(b)に示すように、出力電圧Vo2を上昇させるとき、スイッチング素子Q1のオン期間にトランスT1の第2の二次巻線S2にエネルギーが伝達される。
即ち、スイッチング素子Q1のオン期間(スイッチング素子Q2のオフ期間)に、トランスT1の一次巻線P1に印加する電圧を上昇させることになる。また、出力電圧Vo1側の電圧は変化してはならないので、電流共振コンデンサCriの充電電圧は一定としなければならない。
このため、制御回路10aは、電流共振コンデンサCriの両端電圧Vcr2の上限電圧をそのままの状態とし、下限電圧(ボトム電圧)VL2を図6(a)に示す下限電圧VL1よりも低くなるように、スイッチング素子Q2のオン期間を長くする。図6では、スイッチング素子Q2に流れる電流Q2idの期間が長くなっていることがわかる。これにより、出力電圧Vo2を上昇させることができる。
また、出力電圧Voを一定に保つため、スイッチング素子 Q1のオン期間を短くして、電流共振コンデンサCriの両端電圧Vcr2の上限電圧を抑えている。
次に、図7(a)〜図7(b)のタイミングチャートを参照しながら、出力電圧Vo1を上昇させる時に電流共振コンデンサCriの振幅電圧の上限電圧が高くなるようにスイッチング素子Q1のオン期間を制御する方法について説明する。図7(a)は出力電圧Vo1を上昇させないときの各部の動作を示し、図7(b)は出力電圧Vo1を上昇させたときの各部の動作を示す。
出力電圧Vo1側の出力電流の増加、あるいは出力電圧の可変により、図7(b)に示すように、出力電圧Vo1を上昇させるとき、トランスT1の一次巻線P1に印加される電圧を大きくする必要がある。この場合、スイッチング素子Q2のオン期間にトランスT1の第1の二次巻線S1にエネルギーが伝達される。
このため、制御回路10aは、電流共振コンデンサCriの両端電圧Vcr1の上限電圧VH2を、図7(a)に示す上限電圧VH1よりも大きくなるように、スイッチング素子Q1のオン期間を長くする。図7では、スイッチング素子Q1に流れる電流Q1idの期間が長くなっていることがわかる。これにより、出力電圧Vo1を上昇させることができる。
ここで、電流共振コンデンサCriの両端電圧Vcr2の下限電圧VLは、出力電圧Vo2側の出力電圧設定を変えていないため、変化させない。
図8は本発明の実施例2の多出力スイッチング電源装置を示す回路構成図である。実施例1の多出力スイッチング電源装置では、リアクトルLrとトランスT1の一次巻線P1と電流共振コンデンサCriとの直列回路は、スイッチング素子Q2のドレイン−ソース間に接続されている。
これに対して、実施例2の多出力スイッチング電源装置は、リアクトルLrとトランスT1の一次巻線P1と電流共振コンデンサCriとの直列回路をスイッチング素子Q1に接続したことを特徴とする。
この場合には、トランスT1の第1の二次巻線S1及び第2の二次巻線S2は、スイッチング素子Q1がオンした時にトランスT1の一次側のエネルギーが第1の二次巻線S1に伝達され且つスイッチング素子Q2がオンした時に一次側のエネルギーが第2の二次巻線S2に伝達されるように巻回されている。
即ち、トランスT1の一次巻線P1に対して第1の二次巻線S1が逆相に巻回され、トランスT1の一次巻線P1に対して第2の二次巻線S2が同相に巻回されている。
また、帰還回路6からの第2帰還信号FBHは出力電圧Vo1の帰還信号となり、帰還回路5からの第1帰還信号FBLは出力電圧Vo2の帰還信号となるため、各々の帰還回路5,6の接続を入れ替えて接続されている。
このように実施例2の多出力スイッチング電源装置によっても、実施例1の多出力スイッチング電源装置の効果と同様な効果が得られる。
図9は本発明の実施例3の多出力スイッチング電源装置を示す回路構成図である。図9に示す実施例3の多出力スイッチング電源装置は、図2に示す実施例1の多出力スイッチング電源装置に対して、さらに、出力電圧Vo1端子とグランドGND端子との間に論理回路などの負荷RLが接続され、出力電圧Vo2端子とグランドGND端子との間に直列に接続された複数の発光ダイオードLEDからなる負荷が接続されている。第2の二次巻線S2とコンデンサC2との接続点とグランドGND端子との間には電流検出抵抗Rsが接続されている。
帰還回路5は、出力電圧Vo端子から論理回路などの負荷RLの両端電圧を入力し、この負荷RLの両端電圧に応じた帰還信号FBLを制御回路10aに出力する。制御回路10aは、負荷RLの両端電圧に応じた帰還信号FBLに基づき定電圧制御を行い、負荷RLに一定電圧を印加する。このため、負荷RLを安定に動作させることができる。
帰還回路6は、電流検出抵抗Rsに流れる電流を入力し、入力された電流に応じた帰還信号FBHを制御回路10aに出力する。制御回路10aは、入力された電流に応じた帰還信号FBHに基づき定電流制御を行い、複数の発光ダイオードLEDに一定電流を流す。このため、発光ダイオードLEDの輝度ムラがなくなる。
また、実施例3の変形例として、例えば、発光ダイオードLEDなどの負荷の場合には、図10に示すような回路を用いても良い。この場合には、図9に示す構成に、さらに、フォトカプラPC、オペアンプOP1、帰還抵抗Rf、帰還コンデンサCfが設けられている。
電流検出抵抗Rsと発光ダイオードLEDとの接続点にはオペアンプOP1の反転端子と帰還抵抗Rfの一端とが接続され、オペアンプOP1の非反転端子には基準電圧Vref−ccが接続されている。帰還抵抗Rfの他端は、帰還コンデンサCfを介してオペアンプOP1の出力端子に接続されている。オペアンプOP1の出力端子は、抵抗RoとフォトカプラPCのダイオードを介して出力電圧Vo2端子に接続されている。フォトカプラPCのフォトトランジスタは帰還回路6に接続されている。
このように構成によれば、発光ダイオードLEDに流れる電流が増加すると、電流検出抵抗Rsの電圧が上昇し、オペアンプOP1の反転端子の電圧が上昇する。このため、オペアンプOP1の出力は減少するため、フォトカプラPCのダイオードと抵抗Roとに流れる電流が増加する。このため、フォトカプラPCのフォトトランジスタに流れる電流も増加する。即ち、電流検出抵抗Rsに流れる電流に応じた電流が帰還回路6に入力されるので、帰還回路6を介する制御回路10aにより発光ダイオードLEDの定電流制御を行うことができる。
本発明は、DC−DCコンバータ、AC−DCコンバータ等のスイッチング電源装置に適用可能である。
1 交流電源
2 全波整流回路
5,6 帰還回路
10,10a,11a 制御回路
101,102 カレントミラー回路
103,104 遅延回路
D1〜D5 ダイオード
C1〜C3 平滑コンデンサ
R1〜R6,R11〜R13 抵抗
Q1,Q2,Q3 スイッチング素子
Q4〜Q7 トランジスタ
Q8,Q9 MOSFET
CP1,CP2 コンパレータ
FF1 フリップフロップ回路
BF1〜BF4 バッファ回路
DR1,DR2 ドライバ回路
Cri 電流共振コンデンサ
Crv 電圧共振コンデンサ
Lr リアクトル
T1 トランス
P1 一次巻線
S1 第1の二次巻線
S2 第2の二次巻線
LED 発光ダイオード
RL 負荷
Rs 電流検出抵抗
PC フォトカプラ
OP1 オペアンプ
Rf 帰還抵抗
Cf 帰還コンデンサ

Claims (6)

  1. 直流電源と、
    前記直流電源の出力両端に接続され、第1スイッチング素子と第2スイッチング素子とが直列に接続された第1直列回路と、
    前記第1スイッチング素子と前記第2スイッチング素子とを交互にオン/オフさせることにより前記直流電源の直流電圧を交流電圧に変換する制御回路と、
    一次巻線と第1の二次巻線と第2の二次巻線とを有するトランスと、
    前記第1スイッチング素子又は前記第2スイッチング素子の両端に接続され、リアクトルと前記トランスの前記一次巻線と電流共振コンデンサとが直列に接続された第2直列回路と、
    前記トランスの前記第1の二次巻線に発生する電圧を整流平滑して第1出力電圧を出力する第1整流平滑回路と、
    前記トランスの前記第2の二次巻線に発生する電圧を整流平滑して第2出力電圧を出力する第2整流平滑回路とを備え、
    前記制御回路は、前記第1整流平滑回路からの前記第1出力電圧に基づき前記第1スイッチング素子のオン期間を制御し、前記第2整流平滑回路からの前記第2出力電圧に基づき前記第2スイッチング素子のオン期間を制御する多出力スイッチング電源装置。
  2. 前記制御回路は、前記第1出力電圧を上昇させる時、前記電流共振コンデンサの上限電圧が上昇するように前記第1スイッチング素子の前記オン期間を長くさせる請求項1記載の多出力スイッチング電源装置。
  3. 前記制御回路は、前記第2出力電圧を上昇させる時、前記電流共振コンデンサの下限電圧が下降するように前記第2スイッチング素子の前記オン期間を長くさせる請求項2記載の多出力スイッチング電源装置。
  4. 前記制御回路は、前記第1出力電圧により充電する第1コンデンサと、
    前記第1コンデンサに充電された充電電圧と基準電圧とを比較することにより第2パルス信号を生成し、前記第2パルス信号を前記第2スイッチング素子に出力する第1比較手段と、
    前記第1比較手段からの前記第2パルス信号により前記第1コンデンサの電荷を放電させる第1放電手段と、
    前記第2出力電圧により充電する第2コンデンサと、
    前記第2コンデンサに充電された充電電圧と前記基準電圧とを比較することにより第1パルス信号を生成し、前記第1パルス信号を前記第1スイッチング素子に出力する第2比較手段と、
    前記第2比較手段からの第1パルス信号により前記第2コンデンサの電荷を放電させる第2放電手段と、
    前記第1コンデンサに充電された充電電圧と基準電圧との比較により得られる充電時間に基づき前記第2比較手段からの前記第1パルス信号のオン時間を決定し、前記第2コンデンサに充電された充電電圧と前記基準電圧との比較により得られる充電時間に基づき前記第1比較手段からの第2パルス信号のオン時間を決定するオン時間決定手段と、
    を備える請求項3記載の多出力スイッチング電源装置。
  5. 前記トランスの前記第1の二次巻線及び前記第2の二次巻線は、前記第1スイッチング素子がオンした時に前記トランスの一次側のエネルギーが前記第2の二次巻線に伝達され且つ前記第2スイッチング素子がオンした時に前記一次側のエネルギーが前記第1の二次巻線に伝達されるように巻回されている請求項4記載の多出力スイッチング電源装置。
  6. 前記第1整流平滑回路の出力端子に接続される負荷及び前記第2整流平滑回路の出力端子に接続される負荷の各々について、前記負荷の種類に応じて、前記負荷の両端電圧を検出又は前記負荷に流れる電流を検出する検出手段を有し、
    前記制御回路は、前記検出手段により前記負荷の両端電圧が検出された場合には前記負荷の定電圧制御を行い、前記検出手段により前記負荷に流れる電流が検出された場合には前記負荷の定電流制御を行う請求項1乃至5のいずれか1記載の多出力スイッチング電源装置。
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