JP2011098864A - Catalyst member, apparatus for manufacturing carbon nanotube, method for manufacturing carbon nanotube, and carbon nanotube - Google Patents

Catalyst member, apparatus for manufacturing carbon nanotube, method for manufacturing carbon nanotube, and carbon nanotube Download PDF

Info

Publication number
JP2011098864A
JP2011098864A JP2009254959A JP2009254959A JP2011098864A JP 2011098864 A JP2011098864 A JP 2011098864A JP 2009254959 A JP2009254959 A JP 2009254959A JP 2009254959 A JP2009254959 A JP 2009254959A JP 2011098864 A JP2011098864 A JP 2011098864A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
iron
carbon
catalyst member
filament
carbon nanotube
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2009254959A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP5499643B2 (en
Inventor
Takeshi Hikata
威 日方
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Electric Industries Ltd filed Critical Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority to JP2009254959A priority Critical patent/JP5499643B2/en
Publication of JP2011098864A publication Critical patent/JP2011098864A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5499643B2 publication Critical patent/JP5499643B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a catalyst member which improves the decomposition efficiency of a carbon material gas and improves the growth rate of a carbon nanotube, and thereby enables the continuous growth of a high-quality carbon nanotube. <P>SOLUTION: The catalyst member 10 includes a base body 1 that consists of silver or a silver alloy, an iron filament 3 arranged to penetrate inside the base body 1, and an alumina film 7 arranged to contact a part of one end of the iron filament 3. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は触媒部材、カーボンナノチューブの製造装置、カーボンナノチューブの製造方法およびカーボンナノチューブに関するものである。より特定的にはカーボンナノチューブの製造に用いる触媒部材、当該触媒部材を用いたカーボンナノチューブの製造装置、カーボンナノチューブの製造方法、および上記製造方法を用いて形成されたカーボンナノチューブに関するものである。   The present invention relates to a catalyst member, a carbon nanotube production apparatus, a carbon nanotube production method, and a carbon nanotube. More specifically, the present invention relates to a catalyst member used for manufacturing a carbon nanotube, a carbon nanotube manufacturing apparatus using the catalyst member, a carbon nanotube manufacturing method, and a carbon nanotube formed using the manufacturing method.

カーボンナノチューブは、電力の送電やインターネットなどの通信に用いる、次世代の優れた導電材料として期待されている。カーボンナノチューブの製造方法として、従来から触媒CVD法が用いられている。これは具体的には、たとえば鉄のナノ粒子を触媒として用いる方法である。触媒CVD法では、鉄のナノ粒子に炭化水素やアルコールなどの炭素と水素を含有するガス(炭素原料ガス)を供給しながら鉄のナノ粒子を熱処理する。すると鉄のナノ粒子の近傍において炭素原料ガスが炭素原子のガスと水素原子のガスとに分解し、そのうち炭素原子のガスが鉄のナノ粒子の表面に接触する。このとき、炭素原子のガスが接触した鉄のナノ粒子の表面を起点としてカーボンナノチューブが成長する。   Carbon nanotubes are expected as a next-generation excellent conductive material used for power transmission and communication such as the Internet. Conventionally, catalytic CVD is used as a method for producing carbon nanotubes. Specifically, this is a method using, for example, iron nanoparticles as a catalyst. In the catalytic CVD method, iron nanoparticles are heat-treated while supplying a gas containing carbon and hydrogen such as hydrocarbons or alcohol (carbon source gas) to the iron nanoparticles. Then, the carbon source gas is decomposed into a carbon atom gas and a hydrogen atom gas in the vicinity of the iron nanoparticles, and the carbon atom gas contacts the surface of the iron nanoparticles. At this time, carbon nanotubes grow from the surface of the iron nanoparticle in contact with the carbon atom gas.

しかし触媒CVD法を用いた場合、鉄のナノ粒子の表面上に供給される炭素原子がナノ粒子の表面を被覆することがある。すると鉄のナノ粒子が触媒として作用しなくなり、カーボンナノチューブの成長速度が低下し、さらにはカーボンナノチューブの成長が停止することがある。これは具体的には、鉄のナノ粒子の表面上に炭素からなる薄膜が形成されるために、鉄のナノ粒子が直接炭素原料ガスに接触しなくなるためである。鉄のナノ粒子の表面上に炭素原料ガスが接触して分解し、炭素が鉄のナノ粒子の内部に固溶する際に、炭素が鉄のナノ粒子に対して過飽和の状態になると、一部の炭素が鉄の表面上に炭素の薄膜として露呈する。このために上述したような薄膜が形成される現象が起こる。   However, when the catalytic CVD method is used, carbon atoms supplied on the surface of the iron nanoparticles may cover the surface of the nanoparticles. Then, the iron nanoparticles do not act as a catalyst, the growth rate of the carbon nanotubes decreases, and the growth of the carbon nanotubes may stop. Specifically, since a thin film made of carbon is formed on the surface of the iron nanoparticles, the iron nanoparticles do not directly contact the carbon source gas. When the carbon source gas contacts and decomposes on the surface of the iron nanoparticles, and the carbon is solid-solved inside the iron nanoparticles, some of the carbon becomes supersaturated with respect to the iron nanoparticles. Of carbon is exposed as a carbon film on the iron surface. For this reason, a phenomenon in which a thin film as described above is formed occurs.

一方、たとえばJapanese Journal of Applied Physics Vol.46(非特許文献1)に開示されるように、従前より酸化アルミニウム(アルミナ:Al)がカーボンナノチューブを成長させるための触媒として有効であることが知られている。 On the other hand, as disclosed in, for example, Japanese Journal of Applied Physics Vol. 46 (Non-Patent Document 1), aluminum oxide (alumina: Al 2 O 3 ) has been effective as a catalyst for growing carbon nanotubes. It has been known.

Suguru Noda他、Millimeter-Thick Single-Walled Carbon Nanotube Forests:Hidden Role of Catalyst Support、Japanese Journal of Applied Physics、2007年4月20日、Vol.46、No.17、p.L399-L401Suguru Noda et al., Millimeter-Thick Single-Walled Carbon Nanotube Forests: Hidden Role of Catalyst Support, Japanese Journal of Applied Physics, April 20, 2007, Vol. 46, No. 17, p.L399-L401

上述したように、触媒CVD法を用いた場合、カーボンナノチューブの成長速度が途中で低下したり停止したりする可能性がある。しかしこれを抑制するために触媒CVD法を用いてカーボンナノチューブを連続成長させることは容易ではない。たとえば鉄のナノ粒子の表面上に付着する炭素の薄膜の形成を抑制するためには、鉄のナノ粒子の表面上に炭素原料ガスと同時に水を供給する。しかしこの水が、形成されるカーボンナノチューブを破壊させ、当該カーボンナノチューブの品質を劣化させることがある。つまり触媒に対して炭素原料ガスが供給される領域と、カーボンナノチューブが成長する領域とが同一であると、上記のようなトレードオフの関係になる可能性がある。したがって炭素原料ガスを供給する領域と、カーボンナノチューブが成長する領域とは別個(独立)であることが好ましい。   As described above, when the catalytic CVD method is used, there is a possibility that the growth rate of the carbon nanotubes is lowered or stopped midway. However, in order to suppress this, it is not easy to continuously grow carbon nanotubes using the catalytic CVD method. For example, in order to suppress the formation of a carbon thin film adhering to the surface of the iron nanoparticles, water is supplied simultaneously with the carbon source gas onto the surface of the iron nanoparticles. However, this water may destroy the formed carbon nanotubes and deteriorate the quality of the carbon nanotubes. That is, if the region in which the carbon source gas is supplied to the catalyst and the region in which the carbon nanotubes are grown are the same, there is a possibility that the above trade-off relationship is established. Therefore, it is preferable that the region for supplying the carbon source gas and the region for growing the carbon nanotubes are separate (independent).

このため近年、炭素透過法と呼ばれる触媒CVD法に代わるカーボンナノチューブの形成技術が提案されている。炭素透過法とは、炭素原料ガスが供給される領域と、カーボンナノチューブが成長する領域とが、たとえば銀からなるセパレータにより分離されている系を用いてカーボンナノチューブを形成する方法である。セパレータの内部には、当該セパレータの内部を貫通するように長尺形状に形成されたフィラメントが形成されている。フィラメントは触媒としての鉄で形成されている。フィラメントに連続(接触)するように、セパレータの外部表面上に鉄が多少露出した領域が形成されている。この鉄が外部に露出された領域に、上述した炭化水素やアルコールなどの炭素と水素を含有するガス(炭素原料ガス)が供給されると、当該炭素原料ガスの炭素原子と水素原子とが分解される。そして鉄が外部に露出された領域の内部に炭素原子が進入する。すると鉄の内部に固溶された当該炭素原子は拡散現象により鉄フィラメントの内部を貫通して、炭素原料ガスが供給される領域と反対側からセパレータの外部に抜け、カーボンナノチューブとして成長される。   For this reason, in recent years, a technique for forming carbon nanotubes has been proposed in place of the catalytic CVD method called carbon permeation method. The carbon permeation method is a method of forming carbon nanotubes using a system in which a region to which carbon source gas is supplied and a region in which carbon nanotubes are grown are separated by a separator made of, for example, silver. Inside the separator, a filament formed in an elongated shape so as to penetrate the inside of the separator is formed. The filament is formed of iron as a catalyst. A region where iron is somewhat exposed is formed on the outer surface of the separator so as to be continuous (contact) with the filament. When a gas containing carbon and hydrogen such as the hydrocarbons and alcohols (carbon source gas) is supplied to the region where the iron is exposed to the outside, the carbon atoms and hydrogen atoms of the carbon source gas are decomposed. Is done. Carbon atoms enter the region where iron is exposed to the outside. Then, the carbon atoms dissolved in the iron penetrate through the iron filament due to the diffusion phenomenon, escape from the side opposite to the region to which the carbon source gas is supplied, to the outside of the separator and grow as carbon nanotubes.

ところが鉄の、炭素原料ガスを分解する触媒としての作用が強くないという問題がある。このため、鉄が外部に露出された領域において炭素原料ガスが十分に分解されなければ、鉄の内部に拡散される炭素原子の量が少なくなることがある。その結果、カーボンナノチューブの成長速度が低下することがある。したがって炭素原料ガスが分解される効率を高めることが望ましい。   However, there is a problem that the action of iron as a catalyst for decomposing carbon source gas is not strong. For this reason, if carbon source gas is not fully decomposed | disassembled in the area | region where iron was exposed outside, the quantity of the carbon atom diffused inside iron may decrease. As a result, the growth rate of the carbon nanotube may decrease. Therefore, it is desirable to increase the efficiency with which the carbon source gas is decomposed.

本発明は、以上の問題に鑑みなされたものである。その目的は、炭素原料ガスの分解される効率を高め、カーボンナノチューブの成長速度を高めて高品質なカーボンナノチューブの連続成長を可能にする触媒部材を提供することである。また当該触媒部材を備えるカーボンナノチューブの製造装置、カーボンナノチューブの製造方法、および当該カーボンナノチューブの製造方法を用いて形成されたカーボンナノチューブを提供することである。   The present invention has been made in view of the above problems. The object is to provide a catalyst member that increases the efficiency with which carbon source gas is decomposed and increases the growth rate of carbon nanotubes to enable continuous growth of high-quality carbon nanotubes. Moreover, it is providing the carbon nanotube formed using the manufacturing apparatus of a carbon nanotube provided with the said catalyst member, the manufacturing method of a carbon nanotube, and the manufacturing method of the said carbon nanotube.

本発明に係る触媒部材は、銀または銀合金からなるベース体と、上記ベース体の内部を貫通するように配置された鉄フィラメントと、上記鉄フィラメントの一方の端部の一部分に接触するように配置されたアルミナとを備える。   The catalyst member according to the present invention is in contact with a base body made of silver or a silver alloy, an iron filament disposed so as to penetrate the inside of the base body, and a part of one end of the iron filament. And disposed alumina.

当該触媒部材は、炭素透過法を用いたカーボンナノチューブの形成に用いられる。つまり炭素原料ガスを供給する領域とカーボンナノチューブが成長する領域とのセパレータとして当該触媒部材が用いられる。炭素原料ガスを供給する領域にアルミナが配置されていれば、炭素原料ガスは高効率に分解される。これはアルミナは鉄よりも、炭素原料ガス中の炭素と水素とを分解する触媒としての作用が強いためである。このためアルミナにより高効率に分解された炭素が、アルミナと接触された鉄の部分から当該鉄の内部に固溶し、さらに接触する鉄フィラメントの内部に高速度で拡散され、カーボンナノチューブを高速度で連続成長させることができる。このように触媒部材にアルミナを用いれば、炭素透過法により高効率にカーボンナノチューブを成長することができる。   The catalyst member is used for forming carbon nanotubes using a carbon permeation method. That is, the catalyst member is used as a separator between a region for supplying the carbon source gas and a region for growing carbon nanotubes. If alumina is disposed in the region where the carbon source gas is supplied, the carbon source gas is decomposed with high efficiency. This is because alumina has a stronger action as a catalyst for decomposing carbon and hydrogen in the carbon source gas than iron. For this reason, carbon that has been decomposed with high efficiency by alumina dissolves in the iron from the portion of the iron in contact with the alumina, and further diffuses into the iron filament that comes into contact with the carbon at high speed. Can be continuously grown. If alumina is used for the catalyst member in this way, carbon nanotubes can be grown with high efficiency by the carbon permeation method.

上述した触媒部材を備えるカーボンナノチューブの製造装置には、炭素原料ガスを供給する領域とカーボンナノチューブが成長する領域とが独立に配置されている。このためたとえば炭素原料ガスを供給する領域に供給する水やガスなど、成長するカーボンナノチューブの品質を劣化させる要因となる物質が、成長されるカーボンナノチューブの内部に混入されにくくなる。したがって形成されるカーボンナノチューブの品質を向上することができる。また上述したように、触媒としてアルミナを用いれば、炭素原料ガスの分解が促進されるため、カーボンナノチューブが形成される効率を上げることができる。以上より、当該製造装置は、高品質のカーボンナノチューブを高効率に成長することを可能とする。言い換えれば当該触媒部材を用いたカーボンナノチューブの製造方法は、高品質のカーボンナノチューブを高効率に提供することができる。   In the carbon nanotube manufacturing apparatus provided with the above-described catalyst member, a region for supplying a carbon source gas and a region for growing carbon nanotubes are arranged independently. For this reason, for example, substances that cause deterioration of the quality of the growing carbon nanotubes, such as water and gas supplied to the region for supplying the carbon source gas, are less likely to be mixed into the grown carbon nanotubes. Therefore, the quality of the formed carbon nanotube can be improved. As described above, when alumina is used as the catalyst, decomposition of the carbon source gas is promoted, so that the efficiency with which carbon nanotubes are formed can be increased. As described above, the manufacturing apparatus can grow high-quality carbon nanotubes with high efficiency. In other words, the carbon nanotube production method using the catalyst member can provide high-quality carbon nanotubes with high efficiency.

本発明の触媒部材は、カーボンナノチューブの成長速度を高めて高品質なカーボンナノチューブの連続成長を可能にする。   The catalyst member of the present invention increases the growth rate of carbon nanotubes and enables continuous growth of high-quality carbon nanotubes.

本発明の実施の形態1に係る、カーボンナノチューブの成長に用いる触媒部材を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the catalyst member used for the growth of the carbon nanotube based on Embodiment 1 of this invention. 図1の線分II−IIにおける断面図である。It is sectional drawing in line segment II-II of FIG. 図1の触媒部材を用いたカーボンナノチューブの製造方法を説明するためのフローチャートである。It is a flowchart for demonstrating the manufacturing method of the carbon nanotube using the catalyst member of FIG. 触媒部材を形成するために銀パイプの内部に鉄線材を挿入する工程を示す概略図である。It is the schematic which shows the process of inserting an iron wire in the inside of a silver pipe in order to form a catalyst member. 触媒部材を形成するために銀パイプを伸線加工する工程を示す概略図である。It is the schematic which shows the process of drawing a silver pipe in order to form a catalyst member. 触媒部材を形成するために銀パイプを束ねたものを嵌合する工程を示す概略図である。It is the schematic which shows the process of fitting what bundled the silver pipe in order to form a catalyst member. 嵌合された銀パイプを切断する工程を示す概略図である。It is the schematic which shows the process of cut | disconnecting the fitted silver pipe. 切断された部材の主表面の銀をエッチングする工程を示す概略図である。It is the schematic which shows the process of etching the silver of the main surface of the cut | disconnected member. 図4〜図8により形成された触媒部材の一部分を示す概略斜視図である。It is a schematic perspective view which shows a part of catalyst member formed by FIGS. 図9の線分X−Xにおける断面図である。It is sectional drawing in line segment XX of FIG. 本発明の実施の形態1に係るカーボンナノチューブの成長装置の内部構造を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the internal structure of the growth apparatus of the carbon nanotube which concerns on Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態1に係る、カーボンナノチューブの成長に用いる触媒部材の変形例を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the modification of the catalyst member used for the growth of a carbon nanotube based on Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態2に係る、カーボンナノチューブの成長に用いる触媒部材を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the catalyst member used for the growth of the carbon nanotube based on Embodiment 2 of this invention. 本発明の実施の形態3に係る、カーボンナノチューブの成長に用いる触媒部材を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the catalyst member used for the growth of the carbon nanotube based on Embodiment 3 of this invention.

以下、図面を参照しながら、本発明の各実施の形態について説明する。なお、各実施の形態において、同一の機能を果たす要素には同一の参照符号を付し、その説明は、特に必要がなければ繰り返さない。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In each embodiment, elements having the same function are denoted by the same reference numerals, and the description thereof will not be repeated unless particularly necessary.

(実施の形態1)
図1に示す本発明の実施の形態1に係る触媒部材10は、炭素透過法を用いてカーボンナノチューブを成長するために用いる部材である。触媒部材10はベース体1と、鉄フィラメント3と、アルミナ膜7とを備えている。
(Embodiment 1)
A catalyst member 10 according to Embodiment 1 of the present invention shown in FIG. 1 is a member used for growing carbon nanotubes using a carbon permeation method. The catalyst member 10 includes a base body 1, an iron filament 3, and an alumina film 7.

ベース体1はたとえば銀または銀合金など、銀を含む材質にて構成された構造体である。ベース体1は図1においては矩形状(直方体状)をなしているが、これは後述するようにベース体1の一部分の概略図であるためである。つまりベース体1は必ずしもこのような矩形状をなしている必要はなく、たとえば円柱形状などであってもよい。鉄フィラメント3は鉄で形成された、長尺形状の構造体である。鉄フィラメント3はベース体1の内部を、ベース体1の成長領域側主表面13とガス供給側主表面14とにほぼ垂直に交差するように貫通するよう配置されている。なお、ここで主表面とは表面のうち最も面積の大きい主要な面をいう。   Base body 1 is a structure made of a material containing silver, such as silver or a silver alloy. The base body 1 has a rectangular shape (cuboid shape) in FIG. 1 because this is a schematic view of a part of the base body 1 as will be described later. That is, the base body 1 does not necessarily have such a rectangular shape, and may be, for example, a cylindrical shape. The iron filament 3 is a long structure formed of iron. The iron filament 3 is disposed so as to penetrate the inside of the base body 1 so as to intersect the growth region side main surface 13 and the gas supply side main surface 14 of the base body 1 substantially perpendicularly. Here, the main surface means a main surface having the largest area among the surfaces.

鉄フィラメント3は図1に示すように、ベース体1の成長領域側主表面13およびガス供給側主表面14に交差する方向に延在する長尺形状である。図1においては鉄フィラメント3の延在する方向に関する端部は、ベース体1の外部に突出している。つまり図1における鉄フィラメント3の上側の端部は、ベース体1の成長領域側主表面13よりも上側に存在し、鉄フィラメント3の下側の端部は、ベース体1のガス供給側主表面14よりも下側に存在する。このように鉄フィラメント3の上側(成長領域側主表面13側)や下側(ガス供給側主表面14側)の端部は、ベース体1の外部に、鉄フィラメント3が露出するように存在することが好ましい。このようにすれば、ベース体1の外部に配置された鉄フィラメント3の端部から、鉄フィラメント3の内部に拡散させる炭素原子を容易に供給することができる。その結果、図1に示すカーボンナノチューブ15を容易に成長させることができる。   As shown in FIG. 1, the iron filament 3 has a long shape extending in a direction intersecting the growth region side main surface 13 and the gas supply side main surface 14 of the base body 1. In FIG. 1, the end portion in the extending direction of the iron filament 3 protrudes outside the base body 1. That is, the upper end of the iron filament 3 in FIG. 1 exists above the growth region side main surface 13 of the base body 1, and the lower end of the iron filament 3 is the gas supply side main surface of the base body 1. Present below the surface 14. As described above, the upper end (growth region side main surface 13 side) and the lower end (gas supply side main surface 14 side) of the iron filament 3 exist so that the iron filament 3 is exposed to the outside of the base body 1. It is preferable to do. In this way, carbon atoms to be diffused into the iron filament 3 can be easily supplied from the end of the iron filament 3 arranged outside the base body 1. As a result, the carbon nanotube 15 shown in FIG. 1 can be easily grown.

また鉄フィラメント3は図2の断面図に示すように、図1(図2)における左右方向に4本並ぶように配置される。また図1における奥行き方向(図2における上下方向)には1列のみ配置される。しかし鉄フィラメント3が配置される本数や場所はこれに限られず、たとえば図1における左右方向に5本以上(3本以下)、図1における奥行き方向(図2における上下方向)に2本以上配置される構成としてもよい。また図2の平面上において複数本の鉄フィラメント3が無秩序に配置されていてもよい。   Further, as shown in the cross-sectional view of FIG. 2, four iron filaments 3 are arranged in a line in the left-right direction in FIG. 1 (FIG. 2). Further, only one row is arranged in the depth direction in FIG. 1 (vertical direction in FIG. 2). However, the number and location of the iron filaments 3 are not limited to this, and for example, 5 or more (3 or less) in the left-right direction in FIG. 1, and 2 or more in the depth direction (vertical direction in FIG. 2) in FIG. It is good also as a structure to be made. Also, a plurality of iron filaments 3 may be arranged randomly on the plane of FIG.

アルミナ膜7は、ベース体1のガス供給側主表面14上に、一定の厚みをもって配置されている。その厚み(図1における上下方向の寸法である厚み)は0.001μm以上1μm以下であることが好ましく、0.01μm以上0.1μm以下であることがさらに好ましい。またアルミナ膜7はアルミナのみからなる薄膜であってもよいが、たとえばアルミナと、アルミナ以外の組成とが合わさった組成を有するものであってもよい。アルミナ膜7に含まれるアルミナ以外の組成としてはたとえば鉄やニッケルなどが挙げられる。   The alumina film 7 is disposed on the gas supply side main surface 14 of the base body 1 with a certain thickness. The thickness (thickness in the vertical direction in FIG. 1) is preferably 0.001 μm or more and 1 μm or less, and more preferably 0.01 μm or more and 0.1 μm or less. The alumina film 7 may be a thin film made only of alumina, but may have a composition in which, for example, alumina and a composition other than alumina are combined. Examples of the composition other than alumina contained in the alumina film 7 include iron and nickel.

次に、上記触媒部材を用いたカーボンナノチューブの製造方法について説明する。図3のフローチャートに示すように、まず触媒部材を準備する工程(S10)が実施される。工程(S10)は、たとえば上述した図1に示すような触媒部材10を形成する工程である。   Next, the manufacturing method of the carbon nanotube using the said catalyst member is demonstrated. As shown in the flowchart of FIG. 3, a step of preparing a catalyst member (S10) is first performed. The step (S10) is a step of forming the catalyst member 10 as shown in FIG. 1 described above, for example.

具体的には図4に示すように、たとえば質量比にて99.998%以上の純度を持つ超高純度鉄で形成された、長尺形状を有する構造体である鉄線材21を、たとえば質量比にて99.99%以上の純度を持つ純銀からなる筒状の銀パイプ22の内部に挿入する。次に上記銀パイプ22に対して伸線加工を施し、たとえば図4に示す銀パイプ22の長尺方向に交差する断面の面積に比べて小さい断面積を有する、図5に示すような銀パイプ22とする。銀パイプ22の内部には上述のように挿入した鉄線材21が配置されている。これは具体的には、銀パイプ22の断面がなす円形状に対して、四方から当該円形状の直径が小さくなる方向に応力を加え、径が小さくなる分だけ銀パイプ22の長尺方向の長さが増加するように、当該銀パイプ22を搾り出すような加工を施す。   Specifically, as shown in FIG. 4, for example, an iron wire 21 that is a structure having a long shape and made of ultra-high purity iron having a purity of 99.998% or more by mass ratio is, for example, mass. It is inserted into a cylindrical silver pipe 22 made of pure silver having a purity of 99.99% or more. Next, the silver pipe 22 is subjected to wire drawing processing, for example, a silver pipe as shown in FIG. 5 having a smaller cross-sectional area than the cross-sectional area intersecting the longitudinal direction of the silver pipe 22 shown in FIG. 22 Inside the silver pipe 22, the iron wire 21 inserted as described above is arranged. Specifically, with respect to the circular shape formed by the cross section of the silver pipe 22, stress is applied from four directions in a direction in which the diameter of the circular shape decreases, and the length of the silver pipe 22 in the longitudinal direction is reduced by the amount of the decrease in diameter. Processing to squeeze the silver pipe 22 is performed so that the length increases.

次に伸線加工を施した、鉄線材21を含む銀パイプ22を、長尺方向に関して複数本に切断し、切断された複数本の銀パイプ22を束ねて図6に示すように銀パイプ23の内部に挿入する嵌合加工を行なう。当該銀パイプ23は、銀パイプ22と同様に純銀からなる銀パイプ23であってもよいが、たとえば銀と他の金属元素とが混合された銀合金であってもよい。銀パイプ23が銀合金からなるものである場合、銀のほかに白金が含まれることが好ましい。   Next, the silver pipe 22 including the iron wire 21 subjected to wire drawing is cut into a plurality of pieces in the longitudinal direction, and the plurality of cut silver pipes 22 are bundled to form a silver pipe 23 as shown in FIG. The fitting process to be inserted into the inside is performed. The silver pipe 23 may be a silver pipe 23 made of pure silver similarly to the silver pipe 22, but may be a silver alloy in which silver and other metal elements are mixed, for example. When the silver pipe 23 is made of a silver alloy, it is preferable that platinum is included in addition to silver.

以上に述べた各加工は、超電導線材を形成するために、超電導材料の粉末を銀製のパイプの内部に充填させたものを、複数本束ねて多芯化する工程に類似している。このため上述した当該各加工は加工効率が高く、量産性に優れた加工技術である。   Each processing described above is similar to a process of bundling a plurality of superconducting material powders filled into a silver pipe to form a superconducting wire, thereby forming a multicore. For this reason, each processing described above is a processing technique with high processing efficiency and excellent mass productivity.

なお以上に述べた図4〜図6に示す、鉄線材21の挿入加工、銀パイプ22の伸線加工、および銀パイプ22の嵌合加工は、必要に応じて1度のみ行なってもよいし、同様の処理を複数回繰り返し行なってもよい。つまり各加工を行なう回数は任意である。1回または複数回、上記の処理を行なうことにより最終的に形成される図6の嵌合銀パイプ24の内部に複数存在する鉄線材21の断面がなす円形状の直径が1nm以上1000nm以下となるように加工することが好ましい。なかでも上記鉄線材21の断面がなす円形状の直径が10nm以上100nm以下となるように加工することがより好ましい。   The insertion process of the iron wire 21, the drawing process of the silver pipe 22, and the fitting process of the silver pipe 22 shown in FIGS. 4 to 6 described above may be performed only once if necessary. The same process may be repeated a plurality of times. That is, the number of times of performing each processing is arbitrary. The circular diameter formed by the cross section of the plurality of iron wires 21 existing in the fitting silver pipe 24 of FIG. 6 finally formed by performing the above treatment once or a plurality of times is 1 nm or more and 1000 nm or less. It is preferable to process so that it may become. In particular, it is more preferable that the circular diameter formed by the cross section of the iron wire 21 is 10 nm or more and 100 nm or less.

以上の要領により形成された嵌合銀パイプ24は、鉄線材21を含む銀パイプ22と、銀パイプ22が複数本束ねられたものを含む銀パイプ23とから構成される。ここで図7に示すように、嵌合銀パイプ24の長尺方向に関する一定の長さ分を輪切りに切断する。すると切断された部材が最終的にベース体1として形成される部材となる。当該切断された部材の厚みは、嵌合銀パイプ24が長尺方向に切断された分の長さに等しい。具体的には、嵌合銀パイプ24が切断されることにより、当該切断された部材の厚みが50μm以上500μm以下となるようにすることが好ましい。このようにすれば、当該切断された部材を最終的にベース体1として使用することができる。嵌合銀パイプ24を図7に示すように輪切りにした後、切断された部材の、嵌合銀パイプ24の断面に沿った円形の表面を研磨加工する。研磨加工はたとえばバフ研磨を用いて行なうことが好ましい。この研磨加工は、当該切断された部材の厚みがより所望の厚みに近づくようにする目的で行なうものである。具体的には、研磨加工を施すことにより、当該切断された部材の厚みが5μm以上50μm以下となるようにすることが好ましい。このようにすれば、当該切断された部材を最終的にベース体1として使用することができる。   The fitting silver pipe 24 formed by the above procedure is composed of a silver pipe 22 including an iron wire 21 and a silver pipe 23 including a bundle of a plurality of silver pipes 22. Here, as shown in FIG. 7, a predetermined length in the longitudinal direction of the fitting silver pipe 24 is cut into a ring. Then, the cut member becomes a member finally formed as the base body 1. The thickness of the cut member is equal to the length of the fitting silver pipe 24 cut in the longitudinal direction. Specifically, it is preferable that the thickness of the cut member is 50 μm or more and 500 μm or less by cutting the fitting silver pipe 24. In this way, the cut member can finally be used as the base body 1. After the fitting silver pipe 24 is cut as shown in FIG. 7, the circular surface of the cut member along the cross section of the fitting silver pipe 24 is polished. The polishing process is preferably performed using buffing, for example. This polishing process is performed for the purpose of making the thickness of the cut member closer to a desired thickness. Specifically, it is preferable that the thickness of the cut member is 5 μm or more and 50 μm or less by polishing. In this way, the cut member can finally be used as the base body 1.

続いて上記の切断された部材の主表面から一定の深さの領域、すなわち嵌合銀パイプ24の断面に相当する表面から一定の深さの領域に存在する、銀パイプ22や銀パイプ23を構成する銀をエッチングにより除去する。このエッチング加工には、たとえば過酸化水素水とアンモニア水との混合水溶液を用いることが好ましい。このようにすれば、上記切断された部材を構成する鉄線材21の鉄をエッチングすることなく、鉄線材21の周囲に存在する銀パイプ22や銀パイプ23の銀成分のみをエッチングさせることができる。その結果、図8に示すように、銀パイプ23をベースとして、そのエッチングされた後の主表面23aおよび主表面23bが、鉄線材21の端部に比べて一定の深さ分だけ低い領域に存在することになる。言い換えれば、エッチングがなされていない鉄線材21の、図8における上側および下側の両方の端部は、切断された部材を構成する銀パイプ23の上側の主表面23aや下側の主表面23bに対して一定の距離だけ当該部材の厚み方向(図8の上下方向)に突出した状態となる。   Subsequently, the silver pipe 22 or the silver pipe 23 existing in a certain depth region from the main surface of the cut member, that is, a certain depth region from the surface corresponding to the cross section of the fitting silver pipe 24, is used. The constituting silver is removed by etching. For this etching process, it is preferable to use, for example, a mixed aqueous solution of hydrogen peroxide and ammonia. In this way, only the silver component of the silver pipe 22 and the silver pipe 23 existing around the iron wire 21 can be etched without etching the iron of the iron wire 21 constituting the cut member. . As a result, as shown in FIG. 8, the main surface 23 a and the main surface 23 b after the etching are based on the silver pipe 23 in a region lower than the end of the iron wire 21 by a certain depth. Will exist. In other words, both the upper and lower ends in FIG. 8 of the iron wire 21 that has not been etched are the upper main surface 23a and the lower main surface 23b of the silver pipe 23 constituting the cut member. In contrast, the member protrudes in the thickness direction (vertical direction in FIG. 8) of the member by a certain distance.

そして図9に示すように、アルミナ膜を形成する。このアルミナ膜は、たとえばスパッタリング成膜法により、図8に示す部材の主表面23aまたは主表面23bのいずれか一方の上に形成される。このようにしてアルミナ膜が形成されると、上記部材は、図9に示す触媒部材90として形成される。図9の触媒部材90は、図8の下側の主表面23b上にアルミナ膜25が形成されることを想定した描写がなされている。また図8においては主表面23a、23bの形状が嵌合銀パイプ24の断面の形状に合わせて円形状となっているが、図9においては図8の部材の主表面の一部分を矩形状に切り取り描写している。このため図9においてはあたかも触媒部材90が矩形状を有するように描写されている。   Then, as shown in FIG. 9, an alumina film is formed. This alumina film is formed on either the main surface 23a or the main surface 23b of the member shown in FIG. 8 by, for example, a sputtering film forming method. When the alumina film is formed in this way, the member is formed as a catalyst member 90 shown in FIG. The catalyst member 90 of FIG. 9 is depicted assuming that the alumina film 25 is formed on the lower main surface 23b of FIG. In FIG. 8, the main surfaces 23a and 23b have a circular shape in accordance with the cross-sectional shape of the fitting silver pipe 24. In FIG. 9, a part of the main surface of the member in FIG. It is cut out. For this reason, in FIG. 9, the catalyst member 90 is depicted as having a rectangular shape.

図9の触媒部材90における銀パイプ23は、図1の触媒部材10におけるベース体1に相当する。図9の触媒部材90における鉄線材21は、図1の触媒部材10における鉄フィラメント3に相当する。また図9の触媒部材90におけるアルミナ膜25は、図1の触媒部材10におけるアルミナ膜7に相当する。   The silver pipe 23 in the catalyst member 90 in FIG. 9 corresponds to the base body 1 in the catalyst member 10 in FIG. The iron wire 21 in the catalyst member 90 in FIG. 9 corresponds to the iron filament 3 in the catalyst member 10 in FIG. Further, the alumina film 25 in the catalyst member 90 in FIG. 9 corresponds to the alumina film 7 in the catalyst member 10 in FIG.

図9の触媒部材90におけるアルミナ膜25を形成するためには、図10の断面図に示すように、鉄線材21の長尺方向に関する端部のうち銀パイプ23の外部に露出した領域の一部のみをアルミナ膜25が覆うことが好ましい。このためには、アルミナ膜25を形成するためにスパッタリング成膜法の処理を行なう際に、銀パイプ23の外部に露出した端部の一部の領域の表面上にアルミナ膜25が形成されないようにするために、鉄とアルミナとの同時成膜の処理を行なうことが好ましい。たとえば図10の断面図においては、中央側および右側の鉄線材21の下側(主表面23b側)の端部の、銀パイプ23の外部に露出した領域の左下側において、アルミナ膜25が形成されず、鉄線材21の表面が露出している。また図10における左側の鉄線材21については、先端部の表面の全体が露出している。   In order to form the alumina film 25 in the catalyst member 90 of FIG. 9, as shown in the cross-sectional view of FIG. 10, one of the regions exposed to the outside of the silver pipe 23 in the end portion in the longitudinal direction of the iron wire 21. It is preferable that the alumina film 25 covers only the portion. For this purpose, when the sputtering film forming process is performed to form the alumina film 25, the alumina film 25 is not formed on the surface of the partial region of the end exposed to the outside of the silver pipe 23. In order to achieve this, it is preferable to perform simultaneous film formation of iron and alumina. For example, in the cross-sectional view of FIG. 10, the alumina film 25 is formed on the lower left side of the region exposed to the outside of the silver pipe 23 at the lower end (main surface 23b side) of the central and right iron wires 21. The surface of the iron wire 21 is not exposed. Moreover, about the iron wire 21 on the left side in FIG. 10, the whole surface of the front-end | tip part is exposed.

以上のようにして触媒部材90が形成されたところで、図3のフローチャートに示すカーボンナノチューブを形成する工程(S20)を実施する。これは工程(S10)にて形成された触媒部材90を用いて、カーボンナノチューブを形成する工程である。   When the catalyst member 90 is formed as described above, the step (S20) of forming carbon nanotubes shown in the flowchart of FIG. 3 is performed. This is a step of forming carbon nanotubes using the catalyst member 90 formed in the step (S10).

図11に示す成長装置50に触媒部材90をセットし、後述の処理を行なうすることにより、触媒部材90にカーボンナノチューブが形成される。図11に示すように成長装置50は、チャンバ31と、真空ポンプ33と、炭素原料ガス供給装置35と、アルゴンガス供給装置37と、加熱ヒータ41とを備えている。   Carbon nanotubes are formed on the catalyst member 90 by setting the catalyst member 90 in the growth apparatus 50 shown in FIG. As shown in FIG. 11, the growth apparatus 50 includes a chamber 31, a vacuum pump 33, a carbon source gas supply device 35, an argon gas supply device 37, and a heater 41.

チャンバ31は、真空ポンプ33を用いて内部を真空状態にすることが可能な設備である。炭素原料ガス供給装置35は、炭素透過法を用いて、カーボンナノチューブを成長させるために必要な炭素や水素を含むガスを噴射させる装置である。アルゴンガス供給装置37は、チャンバ31の内部に載置された触媒部材90に対してアルゴンガスを供給するための装置である。具体的には図11に示すように、触媒部材90の下側、つまり触媒部材90から見てアルミナ膜25が形成された主表面23bに対向する側に炭素原料ガス供給装置35が載置されている。そして炭素原料ガス供給装置35からアルミナ膜25(主表面23b)に向けて、炭素原料ガスが噴射される。また触媒部材90の上側、つまり触媒部材90から見て主表面23bと反対側の主表面である主表面23aに対向する側にアルゴンガス供給装置37が載置されている。そしてアルゴンガス供給装置37から主表面23aに向けてアルゴンガスが噴射される。   The chamber 31 is equipment that can be evacuated using a vacuum pump 33. The carbon source gas supply device 35 is a device that injects a gas containing carbon and hydrogen necessary for growing carbon nanotubes using a carbon permeation method. The argon gas supply device 37 is a device for supplying argon gas to the catalyst member 90 placed inside the chamber 31. Specifically, as shown in FIG. 11, a carbon source gas supply device 35 is placed on the lower side of the catalyst member 90, that is, on the side facing the main surface 23b on which the alumina film 25 is formed as viewed from the catalyst member 90. ing. Then, the carbon source gas is injected from the carbon source gas supply device 35 toward the alumina film 25 (main surface 23b). An argon gas supply device 37 is placed on the upper side of the catalyst member 90, that is, on the side facing the main surface 23 a that is the main surface opposite to the main surface 23 b when viewed from the catalyst member 90. Then, argon gas is injected from the argon gas supply device 37 toward the main surface 23a.

図11においては、チャンバ31の内部に真空ポンプ33と炭素原料ガス供給装置35と、アルゴンガス供給装置37と加熱ヒータ41とのすべてが載置された態様となっている。しかしこれは、図11が成長装置50を構成する設備を説明するための概略図であるためである。実際には真空ポンプ33はチャンバ31の内部を真空状態にするためにチャンバ31の外部に載置された設備であることが一般的である。炭素原料ガス供給装置35およびアルゴンガス供給装置37についても同様に、チャンバ31の外部に載置された設備であることが多い。ただし加熱ヒータ41については、図11に示すように実際にチャンバ31の内部に載置され、触媒部材90を加熱する役割を有するものであることが一般的である。たとえば図11の加熱ヒータ41は、触媒部材90の周囲を囲むように配置されたコイルである。加熱ヒータ41のコイルに誘導電流を流すことにより、コイルに囲まれる中空の領域に配置された触媒部材90を加熱する。しかし加熱ヒータ41はこのような誘導加熱を利用したものである必要はなく、一般周知の任意の加熱方法を当該成長装置50における熱処理に使用することができる。   In FIG. 11, the vacuum pump 33, the carbon source gas supply device 35, the argon gas supply device 37, and the heater 41 are all placed inside the chamber 31. However, this is because FIG. 11 is a schematic diagram for explaining the facilities constituting the growth apparatus 50. In practice, the vacuum pump 33 is generally a facility placed outside the chamber 31 in order to make the inside of the chamber 31 in a vacuum state. Similarly, the carbon source gas supply device 35 and the argon gas supply device 37 are also often installed on the outside of the chamber 31. However, the heater 41 is generally actually placed inside the chamber 31 as shown in FIG. 11 and has a role of heating the catalyst member 90. For example, the heater 41 in FIG. 11 is a coil disposed so as to surround the periphery of the catalyst member 90. By causing an induction current to flow through the coil of the heater 41, the catalyst member 90 disposed in a hollow region surrounded by the coil is heated. However, the heater 41 need not use such induction heating, and any generally known heating method can be used for the heat treatment in the growth apparatus 50.

図11においてアルミナ膜25が対向する、触媒部材90の下側の領域には、カーボンナノチューブを成長させるための炭素や水素を含有する炭素原料ガスを、炭素原料ガス供給装置35から供給する。炭素原料ガスはアルミナ膜25に接触すれば容易に炭素と水素とに分解する。これはアルミナ膜25に含まれるアルミナには、炭素原料ガスを炭素と水素とに分解するための強い触媒作用が存在するためである。上述した分解により、アルミナ膜25が対向する領域には炭素原子のガスが多数存在することになる。この炭素原子のガスが、鉄線材21のうち銀パイプ23の外部に露出しており、かつアルミナ膜に覆われていない部分の表面上に接触する。ただし上記の領域とは、図11における中央側および右側の鉄線材21についてはアルミナ膜25の下側の端部の左半分の領域を意味し、図11の左側の鉄線材21についてはアルミナ膜25の下側の端部の全域を意味する。   In FIG. 11, a carbon source gas containing carbon and hydrogen for growing carbon nanotubes is supplied from a carbon source gas supply device 35 to the lower region of the catalyst member 90 facing the alumina film 25. When the carbon source gas comes into contact with the alumina film 25, it is easily decomposed into carbon and hydrogen. This is because alumina contained in the alumina film 25 has a strong catalytic action for decomposing the carbon source gas into carbon and hydrogen. Due to the above-described decomposition, a large number of carbon atom gases exist in the region where the alumina film 25 faces. This carbon atom gas is exposed to the outside of the silver pipe 23 in the iron wire 21 and contacts the surface of the portion not covered with the alumina film. However, the above-mentioned region means the left half region of the lower end of the alumina film 25 for the central and right iron wire 21 in FIG. 11, and the alumina film for the left iron wire 21 in FIG. 25 means the entire area of the lower end portion.

このように炭素原子のガスが鉄線材21の表面の一部の領域に集まり接触すると、当該炭素原子は接触した場所から鉄線材21の内部に進入して固溶する。そして炭素原子は鉄線材21の内部を拡散する。上記の拡散速度は非常に速いため、炭素原子はすぐに鉄線材21の長尺方向に沿って進行し、主表面23a側の端部(図11の上側)に到達する。主表面23aが対向する、触媒部材90の上側の領域にはアルゴンガス供給装置37によりアルゴンガスが供給されている。加熱ヒータ41が鉄線材21を加熱しているため、鉄線材21と炭素原子との反応が起こる。このため、アルゴンガスが供給されている領域において、鉄線材21の上側に延長するようにカーボンナノチューブが成長する。具体的には図11と図1とを比較して、図11の炭素原料ガス供給装置35から供給される炭素原料ガス11(図1参照)は、炭素原料ガスが供給される銀パイプ23(ベース体1)の下側の領域と反対側、つまり銀パイプ23(ベース体1)の上側の領域に、鉄線材21(鉄フィラメント3)の上側に延長するようにカーボンナノチューブ15が成長する。   When the carbon atom gas collects and comes into contact with a part of the surface of the iron wire 21 as described above, the carbon atom enters the inside of the iron wire 21 from the contacted position and is dissolved. Carbon atoms diffuse inside the iron wire 21. Since the diffusion rate is very high, the carbon atoms immediately travel along the longitudinal direction of the iron wire 21 and reach the end on the main surface 23a side (upper side in FIG. 11). Argon gas is supplied by an argon gas supply device 37 to the upper region of the catalyst member 90 facing the main surface 23a. Since the heater 41 is heating the iron wire 21, the reaction between the iron wire 21 and the carbon atom occurs. For this reason, in the area | region where argon gas is supplied, a carbon nanotube grows so that it may extend above the iron wire 21. FIG. Specifically, comparing FIG. 11 with FIG. 1, the carbon source gas 11 (see FIG. 1) supplied from the carbon source gas supply device 35 of FIG. 11 is the silver pipe 23 ( Carbon nanotubes 15 grow on the side opposite to the lower region of the base body 1), that is, on the upper side of the silver pipe 23 (base body 1) so as to extend above the iron wire 21 (iron filament 3).

以上のように本実施の形態1においては、カーボンナノチューブ15の製造方法として炭素透過法を用いる。つまりベース体1(銀パイプ23)をセパレータとして、成長領域側主表面13(主表面23b)が対向する領域を炭素原料ガスの供給、および炭素原子のガスの分解に用いる領域とし、ガス供給側主表面14(主表面23a)が対向する領域をカーボンナノチューブの成長に用いる領域と、2つの領域を別個に設けて別々に機能させる。このようにしているため、カーボンナノチューブの成長に用いる領域においては不活性ガスのアルゴンガスを供給することができる。このため、成長されるカーボンナノチューブ15に不純物が含有するなど、カーボンナノチューブの品質を劣化させる可能性を低減することができる。つまり成長されるカーボンナノチューブ15を高品質のものとすることができる。   As described above, in the first embodiment, the carbon permeation method is used as a method for manufacturing the carbon nanotube 15. That is, the base body 1 (silver pipe 23) is used as a separator, the region facing the growth region side main surface 13 (main surface 23b) is used as a region used for supply of carbon source gas and decomposition of carbon atom gas, and gas supply side. A region where the main surface 14 (main surface 23a) faces is used for the growth of carbon nanotubes, and two regions are provided separately and function separately. Thus, an inert gas, argon gas, can be supplied in the region used for the growth of carbon nanotubes. For this reason, it is possible to reduce the possibility of deteriorating the quality of the carbon nanotubes, such as the impurities contained in the grown carbon nanotubes 15. That is, the grown carbon nanotubes 15 can be made of high quality.

また、アルミナ膜7(アルミナ膜25)が存在することにより、炭素原料ガスはアルミナ膜7(アルミナ膜25)が存在しない場合よりも速く分解される。鉄の内部に固溶された炭素原子は速く拡散されるため、炭素原子の供給、つまり炭素原料ガスの分解が速く行なわれることにより、カーボンナノチューブ15の成長速度を高めることができる。以上よりアルミナ膜7(アルミナ膜25)には、カーボンナノチューブ15の成長される効率を高め、カーボンナノチューブ15を連続成長させる役割を有するといえる。   Further, the presence of the alumina film 7 (alumina film 25) causes the carbon source gas to be decomposed faster than when the alumina film 7 (alumina film 25) does not exist. Since the carbon atoms dissolved in the iron are diffused quickly, the growth rate of the carbon nanotubes 15 can be increased by supplying the carbon atoms, that is, by rapidly decomposing the carbon source gas. From the above, it can be said that the alumina film 7 (alumina film 25) has a role of increasing the efficiency of growing the carbon nanotubes 15 and continuously growing the carbon nanotubes 15.

ここでアルミナ膜7(アルミナ膜25)により分解される(炭素原料ガス供給装置35からの)炭素原料ガス11は、鉄フィラメント3(鉄線材21)の表面の近傍に集まるように供給されることが好ましい。このため、炭素原料ガス11が鉄フィラメント3(鉄線材21)の表面の一部に接触することが可能であることが好ましい。したがって鉄フィラメント3(鉄線材21)は、図1や図11に示すように端部における表面の一部がベース体1(銀パイプ23)の外部においてアルミナ膜7(アルミナ膜25)に覆われることなく露出していることが好ましい。すると鉄フィラメント3の露出された表面に、分解された炭素原子のガスが集まって接触すれば、そこから鉄フィラメント3の内部に当該炭素原子が固溶し、速く拡散されることになる。   Here, the carbon source gas 11 (from the carbon source gas supply device 35) decomposed by the alumina film 7 (alumina film 25) is supplied so as to gather in the vicinity of the surface of the iron filament 3 (iron wire 21). Is preferred. For this reason, it is preferable that the carbon source gas 11 can contact a part of the surface of the iron filament 3 (iron wire 21). Therefore, as shown in FIGS. 1 and 11, the iron filament 3 (iron wire 21) is partially covered with the alumina film 7 (alumina film 25) outside the base body 1 (silver pipe 23) as shown in FIG. It is preferable that it is exposed. Then, if the decomposed carbon atom gas gathers and comes into contact with the exposed surface of the iron filament 3, the carbon atom dissolves into the iron filament 3 from there and diffuses quickly.

以上により、図8に示すように、銀パイプ23の一部をエッチングすることにより鉄線材21の端部を銀パイプ23の外部に露出させることが好ましい。ただしこのような処理を施さなくても、たとえば図1の触媒部材10が示すように、鉄フィラメント3の下側の端部の一部に、当該鉄フィラメント3と一部の領域において接触(連続)し、かつベース体1の外部に表面が露出するように配置された露出鉄5が存在すればよい。露出鉄5を構成する鉄の材料の組成は鉄フィラメント3を構成する鉄の材料の組成とほぼ同じであることが好ましいが、たとえば鉄フィラメント3における鉄の割合と露出鉄5における鉄の割合とは多少異なっていてもよい。   As described above, as shown in FIG. 8, it is preferable to expose the end of the iron wire 21 to the outside of the silver pipe 23 by etching a part of the silver pipe 23. However, even if such treatment is not performed, for example, as shown by the catalyst member 10 in FIG. 1, the iron filament 3 is in contact with a part of the lower end of the iron filament 3 in a part of the region (continuous). And exposed iron 5 arranged so that the surface is exposed to the outside of base body 1. The composition of the iron material composing the exposed iron 5 is preferably substantially the same as the composition of the iron material composing the iron filament 3, but for example, the ratio of iron in the iron filament 3 and the ratio of iron in the exposed iron 5 May be slightly different.

この場合、露出鉄5の表面に炭素原子のガスが接触すれば、露出鉄5は鉄フィラメント3と接触しているため、炭素原子のガスは直ちに鉄フィラメント3の内部に進入して固溶する。したがって露出鉄5が存在せず、鉄フィラメント3の端部の一部分がベース体1の外部に露出している場合と同様の効果を奏する。   In this case, if the carbon atom gas contacts the surface of the exposed iron 5, the exposed iron 5 is in contact with the iron filament 3, so the carbon atom gas immediately enters the iron filament 3 and dissolves therein. . Therefore, the exposed iron 5 is not present, and the same effect as when a part of the end of the iron filament 3 is exposed to the outside of the base body 1 is achieved.

つまり図1においては露出鉄5が接触している鉄フィラメント3の端部は、ベース体1の外部に存在するが、たとえば図8に示す銀のエッチングを行なわなかったことにより鉄フィラメント3の端部がベース体1の内部に完全に埋れている場合においても、一部の領域において鉄フィラメント3と接触してかつベース体1の外部に露出する表面を有する露出鉄5が存在してもよい。ただし露出鉄5の露出する表面上に炭素原子のガスが接触する必要があるため、図1に示すように、露出鉄5の少なくとも一部の領域はアルミナ膜7に覆われず露出していることが好ましい。たとえば図1のアルミナ膜被覆露出鉄表面19のように、露出鉄5のうちアルミナ膜7に被覆された領域は、炭素原子のガスが接触して当該炭素原子のガスを鉄フィラメント3の内部へと拡散させることが困難である。このため鉄フィラメント3や露出鉄5の、外部に露出して炭素原子のガスと接触可能な表面の面積はより広いことが好ましい。   That is, in FIG. 1, the end of the iron filament 3 in contact with the exposed iron 5 exists outside the base body 1, but for example, the end of the iron filament 3 is not performed by the silver etching shown in FIG. 8. Even when the portion is completely embedded in the interior of the base body 1, there may be exposed iron 5 having a surface that is in contact with the iron filament 3 and exposed to the outside of the base body 1 in a part of the region. . However, since the carbon atom gas needs to contact the exposed surface of the exposed iron 5, at least a part of the exposed iron 5 is not covered with the alumina film 7 and exposed as shown in FIG. It is preferable. For example, a region of the exposed iron 5 covered with the alumina film 7 as in the alumina film-coated exposed iron surface 19 of FIG. Difficult to diffuse. For this reason, it is preferable that the surface areas of the iron filament 3 and the exposed iron 5 that are exposed to the outside and come into contact with the carbon atom gas are wider.

以上より、ベース体1の外部において炭素原料のガスと接触することが可能なように露出する表面が存在し、かつ当該露出する表面の存在する領域が鉄フィラメント3と接触していればよいといえる。つまり図1の触媒部材10のように鉄フィラメント3と別個の露出鉄5が鉄フィラメント3の表面に接触するように配置されていてもよいし、図12の触媒部材20のように、ベース体1の外部に露出した鉄フィラメント3の端部の一部分(図12における右半分)が、アルミナ膜7に覆われることもなく露出表面8として存在する態様であってもよい。   From the above, it is only necessary that there is an exposed surface outside the base body 1 so as to be in contact with the carbon raw material gas, and that the region where the exposed surface is present is in contact with the iron filament 3. I can say that. That is, the exposed iron 5 separate from the iron filament 3 may be arranged so as to contact the surface of the iron filament 3 as in the catalyst member 10 in FIG. 1, or the base body as in the catalyst member 20 in FIG. 12. A part of the end portion of the iron filament 3 exposed to the outside of 1 (the right half in FIG. 12) may exist as the exposed surface 8 without being covered with the alumina film 7.

(実施の形態2)
カーボンナノチューブ15(図1参照)を成長させるための鉄フィラメント3は、上述したように鉄線材21(図4〜図7参照)を銀パイプの内部で通常複数回にわたり伸線加工することにより形成される。このため通常、鉄フィラメント3の長尺方向に交差する断面のなす円形の直径は1nm〜100nmと極めて細い。したがって鉄フィラメント3の端部の露出した領域は、図13の触媒部材30のように、ベース体1の内部に埋れた、成長領域側主表面13とガス供給側主表面14とにほぼ垂直に延在する領域と異なり折れ曲がって(傾いて)存在することが多い。言い換えれば鉄フィラメント3の端部の露出した領域は、ベース体1の成長領域側主表面13とガス供給側主表面14に対して直角ではないある傾き角度の方向に延在する。ここである傾き角度とは、たとえば30°であっても45°であっても、60°であってもよく、直角とは大きく異なる任意の角度である。
(Embodiment 2)
The iron filament 3 for growing the carbon nanotubes 15 (see FIG. 1) is formed by drawing the iron wire material 21 (see FIGS. 4 to 7) usually several times inside the silver pipe as described above. Is done. For this reason, the diameter of the circle formed by the cross section intersecting the longitudinal direction of the iron filament 3 is usually extremely thin, 1 nm to 100 nm. Therefore, the exposed region of the end of the iron filament 3 is substantially perpendicular to the growth region side main surface 13 and the gas supply side main surface 14 embedded in the base body 1 as in the catalyst member 30 of FIG. Unlike the extended region, it is often bent (tilted). In other words, the exposed region of the end of the iron filament 3 extends in a direction of an inclination angle that is not perpendicular to the growth region side main surface 13 and the gas supply side main surface 14 of the base body 1. The inclination angle here may be, for example, 30 °, 45 °, or 60 °, and is an arbitrary angle greatly different from the right angle.

このように鉄フィラメント3の端部の露出した領域がベース体1の主表面に対して傾いていてもよい。この場合において、傾いた端部の領域に炭素原子のガスが集まり固溶することにより鉄フィラメント3の内部に炭素原子が拡散しても、成長するカーボンナノチューブの品質や成長速度には影響を与えない。鉄フィラメント3の断面積が極めて小さい(鉄フィラメント3が極めて細い)ため、上述した工程(S20)の処理を行なえば、加熱による熱応力や、炭素原料ガスの分解時の反応などにより、元々ほぼ直線状に配置されていた鉄フィラメント3が、特にベース体1の外部に露出された領域において図13のように屈曲することはしばしば起こる現象である。   Thus, the exposed region of the end of the iron filament 3 may be inclined with respect to the main surface of the base body 1. In this case, even if carbon atoms diffuse inside the iron filament 3 due to the collection and solid solution of carbon atom gas in the inclined end region, the quality and growth rate of the growing carbon nanotubes are affected. Absent. Since the cross-sectional area of the iron filament 3 is extremely small (the iron filament 3 is extremely thin), if the process of the above-described step (S20) is performed, the heat filament due to heating, reaction during decomposition of the carbon source gas, etc. It is a phenomenon that often occurs when the iron filaments 3 arranged in a straight line are bent as shown in FIG. 13 in a region exposed to the outside of the base body 1.

本発明の実施の形態2は、以上に述べた各点についてのみ、本発明の実施の形態1と異なる。すなわち、本発明の実施の形態2について、上述しなかった構成や条件、手順や効果などは、全て本発明の実施の形態1に順ずる。   The second embodiment of the present invention is different from the first embodiment of the present invention only in each point described above. That is, the configuration, conditions, procedures, effects, and the like that have not been described above for the second embodiment of the present invention are all in accordance with the first embodiment of the present invention.

(実施の形態3)
図14に示す触媒部材40の鉄フィラメント3は、成長領域側主表面13側とガス供給側主表面14側との両方において、端部がベース体1の外部に突出している。そしてガス供給側主表面14側に突出された鉄フィラメント3の端部の表面のほぼ全体が、ポーラスアルミナ膜9で被覆されている。
(Embodiment 3)
The iron filament 3 of the catalyst member 40 shown in FIG. 14 has an end protruding outside the base body 1 on both the growth region side main surface 13 side and the gas supply side main surface 14 side. The entire surface of the end portion of the iron filament 3 protruding toward the gas supply side main surface 14 is covered with the porous alumina film 9.

上述したように、ガス供給側主表面14上に形成されるアルミナ膜は、ベース体1の外側に突出した鉄フィラメント3の端部の表面の一部分のみを覆うことが好ましい。しかしポーラスアルミナ膜9のように、通常のアルミナ膜7よりも空孔が多いアルミナ膜を用いている場合においては、ポーラスアルミナ膜9が鉄フィラメント3の端部の表面のほぼ全体を覆ってもよい。これはポーラスアルミナ膜9には空孔が多いため、鉄フィラメント3の端部の表面の全体をポーラスアルミナ膜9が覆ったとしても、ポーラスアルミナ膜9の気孔の部分は鉄フィラメント3の表面が露出するためである。   As described above, the alumina film formed on the gas supply side main surface 14 preferably covers only a part of the surface of the end portion of the iron filament 3 protruding to the outside of the base body 1. However, when an alumina film having more voids than the normal alumina film 7 is used, such as the porous alumina film 9, the porous alumina film 9 may cover almost the entire surface of the end portion of the iron filament 3. Good. This is because the porous alumina film 9 has a large number of pores. Even if the porous alumina film 9 covers the entire surface of the end portion of the iron filament 3, the pores of the porous alumina film 9 are formed on the surface of the iron filament 3. It is for exposing.

つまり鉄フィラメント3の端部の表面の全体をポーラスアルミナ膜9が覆ったとしても、ポーラスアルミナ膜9の気孔の部分に炭素原子のガスが集まれば、そこから鉄フィラメント3の内部へと炭素原子のガスが拡散される。またポーラスアルミナ膜9についてもアルミナ膜7と同様に、炭素原料ガスを炭素と水素とに分解する触媒としての作用を有する。このためポーラスアルミナ膜9がガス供給側主表面14上に配置されていれば、炭素原料ガスの分解作用が促進される。   In other words, even if the porous alumina film 9 covers the entire surface of the end portion of the iron filament 3, if carbon atom gas collects in the pores of the porous alumina film 9, carbon atoms enter the iron filament 3 from there. Gas is diffused. The porous alumina film 9 also has a function as a catalyst for decomposing the carbon source gas into carbon and hydrogen, similarly to the alumina film 7. For this reason, if the porous alumina film | membrane 9 is arrange | positioned on the gas supply side main surface 14, the decomposition | disassembly effect | action of carbon source gas will be accelerated | stimulated.

なおポーラスアルミナ膜9は、陽極酸化という方法により形成される。ポーラスアルミナ膜9を用いれば、ポーラスアルミナ膜9のうちアルミナが存在する、つまり気孔でない領域において炭素原料ガスが炭素と水素とに分解され、分解された炭素原子のガスがその近傍の気孔部分において鉄フィラメント3の表面に接触する。つまり、アルミナ膜が配置された領域と、分解された炭素原子のガスが鉄フィラメント3の内部に拡散されるために鉄フィラメントの表面に集まる領域との距離が短い。このため、アルミナ膜により炭素原料ガスが分解される領域と、分解された炭素原子のガスが集まって鉄フィラメントの表面から内部へ拡散される領域との距離が長い、実施の形態1や2のアルミナ膜7を用いた場合に比べて、分解されたガスが鉄フィラメント3の内部へ拡散される効率がより向上する。つまりカーボンナノチューブの成長速度をさらに高め、成長効率をさらに向上させることができる。   The porous alumina film 9 is formed by a method called anodic oxidation. If the porous alumina film 9 is used, the carbon raw material gas is decomposed into carbon and hydrogen in the porous alumina film 9 where alumina is present, that is, in the non-porous region, and the decomposed carbon atom gas is present in the pores in the vicinity thereof. It contacts the surface of the iron filament 3. That is, the distance between the region where the alumina film is disposed and the region where the decomposed carbon atom gas is diffused into the iron filament 3 to gather on the surface of the iron filament is short. For this reason, the distance between the region where the carbon source gas is decomposed by the alumina film and the region where the decomposed carbon atom gas is collected and diffused from the surface of the iron filament to the inside is long. Compared with the case where the alumina film 7 is used, the efficiency with which the decomposed gas is diffused into the iron filament 3 is further improved. That is, the growth rate of carbon nanotubes can be further increased and the growth efficiency can be further improved.

なお触媒部材40においても、たとえば触媒部材30と同様に、ベース体1の外部に突出した鉄フィラメント3の端部が屈曲していてもよい。また触媒部材40においても、ベース体1の外部に突出した鉄フィラメント3の端部の表面の一部分のみにポーラスアルミナ膜9が配置されていてもよい。   In the catalyst member 40 as well, for example, similarly to the catalyst member 30, the end portion of the iron filament 3 protruding to the outside of the base body 1 may be bent. Also in the catalyst member 40, the porous alumina film 9 may be disposed only on a part of the surface of the end portion of the iron filament 3 protruding outside the base body 1.

本発明の実施の形態3は、以上に述べた各点についてのみ、本発明の実施の形態1、2と異なる。すなわち、本発明の実施の形態3について、上述しなかった構成や条件、手順や効果などは、全て本発明の実施の形態1、2に順ずる。   The third embodiment of the present invention is different from the first and second embodiments of the present invention only in the points described above. That is, the configuration, conditions, procedures, effects, and the like that have not been described above for the third embodiment of the present invention are all in accordance with the first and second embodiments of the present invention.

上述した本発明の実施の形態1に従い、カーボンナノチューブを試作した。具体的には、図3の触媒部材を準備する工程(S10)として、まず図4に示すような鉄線材21を準備した。鉄線材21は断面のなす円形の直径が1mm、長尺方向の長さが30cmであり、質量比にて99.998%の純度を有する超高純度鉄である。これを図4に示すような内部における断面のなす円形の直径が1.05mm、長尺方向の長さが35cmであり、質量比にて99.99%の純度を持つ銀パイプ22の内部に挿入した。この銀パイプに対して図5に示すように伸線加工を施した。その後、当該銀パイプ22を長尺方向の長さが30cmずつとなるよう61本に分割したものを図6に示すように束ねて、銀パイプ22よりも内部における断面のなす円形の直径が大きい銀パイプ23の内部に挿入した。そしてその銀パイプ23に対して伸線加工を施し、銀パイプ23の断面のなす円形の直径がより小さくなるようにした。その後、銀パイプ23を熱処理炉の内部に投入し、水素、アルゴン混合雰囲気中で銀パイプ23を700℃に加熱して1時間保持することにより、焼鈍処理を行なった。ここまでの処理を繰り返し実施することにより、鉄線材21(鉄フィラメント3)の断面がなす円形の平均直径が50nmになるまで加工した。このとき形成される嵌合銀パイプ24の断面がなす円形の直径は10mmとなった。   A carbon nanotube was prototyped according to the first embodiment of the present invention described above. Specifically, as a step (S10) of preparing the catalyst member of FIG. 3, first, an iron wire 21 as shown in FIG. 4 was prepared. The iron wire 21 is ultra high purity iron having a circular diameter of 1 mm in cross section, a length in the longitudinal direction of 30 cm, and a purity of 99.998% by mass ratio. As shown in FIG. 4, the circular diameter formed by the cross section in the inside is 1.05 mm, the length in the longitudinal direction is 35 cm, and the inside of the silver pipe 22 having a purity of 99.99% by mass ratio. Inserted. The silver pipe was drawn as shown in FIG. Thereafter, the silver pipe 22 divided into 61 pieces each having a length of 30 cm in length is bundled as shown in FIG. 6, and the circular diameter formed by the cross section inside is larger than the silver pipe 22. It was inserted inside the silver pipe 23. The silver pipe 23 was subjected to wire drawing so that the circular diameter formed by the cross section of the silver pipe 23 was further reduced. Then, the annealing treatment was performed by putting the silver pipe 23 into the heat treatment furnace and heating the silver pipe 23 to 700 ° C. in a hydrogen / argon mixed atmosphere and holding it for 1 hour. By repeatedly performing the processing so far, the processing was performed until the average diameter of the circle formed by the cross section of the iron wire 21 (iron filament 3) reached 50 nm. The circular diameter formed by the cross section of the fitting silver pipe 24 formed at this time was 10 mm.

次に図7に示すように上記嵌合銀パイプ24を輪切りに切断した。そして切断された部材の、嵌合銀パイプ24の断面に沿った円形の表面を研磨加工した。この研磨加工により、切断された部材の厚み(嵌合銀パイプ24の長尺方向の長さ)が約10μmになるように調整した。   Next, as shown in FIG. 7, the fitting silver pipe 24 was cut into round pieces. And the circular surface of the cut member along the cross section of the fitting silver pipe 24 was polished. By this polishing process, the thickness of the cut member (the length of the fitting silver pipe 24 in the longitudinal direction) was adjusted to about 10 μm.

さらに当該切断された部材の切断された断面がなす主表面から一定の深さの領域に存在する銀のみをエッチングすることにより除去し、図8に示すように鉄線材21が銀に対して突出した構造となるようにした。銀のみをエッチングするために、過酸化水素水とアンモニア水との混合水溶液を用いた。   Further, only the silver existing in the region of a certain depth from the main surface formed by the cut cross section of the cut member is removed by etching, and the iron wire 21 protrudes from the silver as shown in FIG. It was made to become the structure. In order to etch only silver, a mixed aqueous solution of hydrogen peroxide and ammonia was used.

以上の手順で形成された部材の一方の主表面(たとえば図8の下側の主表面23b)上に、アルミナの薄膜と鉄の薄膜とを同時にスパッタリング成膜する成膜法を用いて、両者の膜厚の合計が約10nmとなるように成膜した。このようにして炭素透過法によりカーボンナノチューブを形成するための触媒部材Aが形成された。   Using a film forming method in which an alumina thin film and an iron thin film are simultaneously formed on one main surface (for example, the main surface 23b on the lower side of FIG. 8) of the member formed by the above-described procedure, The total film thickness was about 10 nm. Thus, a catalyst member A for forming carbon nanotubes by the carbon permeation method was formed.

触媒部材Aを用いて、図11の成長装置50を用いて炭素透過法によりカーボンナノチューブを成長させた。具体的には、まず成長装置50のチャンバ31の内部に図11に示すように触媒部材Aを載置した。そして触媒部材Aの下側、つまり主表面23bやアルミナ膜25が対向する領域には、炭素原料ガス供給装置35から、炭素と水素とを含むガスやその他のガスを供給した。具体的には炭素原料ガス供給装置35から供給した混合ガスは、アセチレン(C)ガスを1000cc/min、水素(H)ガスを3000cc/min、およびアルゴン(Ar)ガスを6000cc/minである。この混合ガスにさらに2000ppmの濃度となるように水蒸気ガスを添加した。また触媒部材Aの上側、つまり主表面23aが対向する領域には、アルゴンガス供給装置37から、アルゴンガスを1000cc/min供給した。 Using the catalyst member A, carbon nanotubes were grown by the carbon permeation method using the growth apparatus 50 of FIG. Specifically, first, the catalyst member A was placed inside the chamber 31 of the growth apparatus 50 as shown in FIG. A gas containing carbon and hydrogen and other gases were supplied from the carbon source gas supply device 35 to the lower side of the catalyst member A, that is, the region where the main surface 23b and the alumina film 25 face each other. Gas mixture specifically supplied from a carbon source gas supply unit 35 is acetylene (C 2 H 2) gas 1000 cc / min, hydrogen (H 2) gas 3000cc / min, and argon (Ar) gas 6000 cc / min. Water vapor gas was further added to the mixed gas so as to obtain a concentration of 2000 ppm. Further, argon gas was supplied at 1000 cc / min from the argon gas supply device 37 to the upper side of the catalyst member A, that is, the region facing the main surface 23a.

すると触媒部材Aの鉄線材21の、アルゴンガス供給装置37に対向する上側の端部から、3mm長のカーボンナノチューブが成長した。   Then, 3 mm long carbon nanotubes grew from the upper end of the iron wire 21 of the catalyst member A facing the argon gas supply device 37.

なお、上記の触媒部材Aの比較用として、上述した触媒部材Aと同様の条件で形成しているものの、主表面23b上にアルミナの薄膜と鉄の薄膜とを形成させていない触媒部材Bを用いて、上記と同様にカーボンナノチューブを成長させた。すると触媒部材Bの鉄線材21の、アルゴンガス供給装置37に対向する上側の端部から、0.1mm長のカーボンナノチューブが成長した。つまり触媒部材Aのようにアルミナ膜を有する触媒部材を用いた方が、炭素原料ガスの分解が活発になるために、カーボンナノチューブの成長速度が速くなる。このため高効率に長いカーボンナノチューブを成長させることができる。   For comparison with the catalyst member A, a catalyst member B that is formed under the same conditions as the catalyst member A described above, but does not have an alumina thin film and an iron thin film formed on the main surface 23b. And carbon nanotubes were grown as described above. Then, 0.1 mm long carbon nanotubes grew from the upper end of the iron wire 21 of the catalyst member B facing the argon gas supply device 37. In other words, the use of a catalyst member having an alumina film like the catalyst member A increases the growth rate of carbon nanotubes because the decomposition of the carbon source gas becomes more active. For this reason, it is possible to grow long carbon nanotubes with high efficiency.

上記の2種類の触媒部材A、Bのそれぞれから成長したカーボンナノチューブをラマン分光法を用いて評価したところ、両者とも、炭素原子のグラフェン層を意味するGバンドピークが観測された。そして触媒部材Aから成長したカーボンナノチューブからは、欠陥を意味するDバンドのピークはほとんど観測されなかった。したがって、上述したカーボンナノチューブの製造方法を用いれば、欠陥のほとんどないカーボンナノチューブを形成することができる。これは炭素透過法を用いているために、たとえば触媒CVD法を用いた場合のように、成長するカーボンナノチューブ中に不純物が混入する可能性が低減されるためであると考えられる。   When carbon nanotubes grown from each of the two types of catalyst members A and B were evaluated using Raman spectroscopy, a G band peak representing a graphene layer of carbon atoms was observed in both. And from the carbon nanotube grown from the catalyst member A, the peak of the D band meaning a defect was hardly observed. Therefore, carbon nanotubes having almost no defects can be formed by using the above-described method for producing carbon nanotubes. This is presumably because the use of the carbon permeation method reduces the possibility of impurities being mixed into the growing carbon nanotube, as in the case of using the catalytic CVD method, for example.

今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した実施の形態および実施例ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。   It should be understood that the embodiments and examples disclosed herein are illustrative and non-restrictive in every respect. The scope of the present invention is shown not by the embodiments and examples described above but by the scope of claims for patent, and is intended to include all modifications within the meaning and scope equivalent to the scope of claims for patent.

本発明は、高効率に高品質のカーボンナノチューブを形成する技術として、特に優れている。   The present invention is particularly excellent as a technique for forming high-quality carbon nanotubes with high efficiency.

1 ベース体、3 鉄フィラメント、5 露出鉄、7,25 アルミナ膜、8 露出表面、10,20,30,40,90 触媒部材、9 ポーラスアルミナ膜、11 炭素原料ガス、13 成長領域側主表面、14 ガス供給側主表面、15 カーボンナノチューブ、19 アルミナ膜被覆露出鉄表面、21 鉄線材、22,23 銀パイプ、23a,23b 主表面、24 嵌合銀パイプ、31 チャンバ、33 真空ポンプ、35 炭素原料ガス供給装置、37 アルゴンガス供給装置、41 加熱ヒータ、50 成長装置。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Base body, 3 Iron filament, 5 Exposed iron, 7,25 Alumina film, 8 Exposed surface 10, 20, 30, 40, 90 Catalyst member, 9 Porous alumina film, 11 Carbon source gas, 13 Growth region side main surface , 14 Gas supply side main surface, 15 Carbon nanotube, 19 Alumina film coated exposed iron surface, 21 Iron wire, 22, 23 Silver pipe, 23a, 23b Main surface, 24 Fitting silver pipe, 31 chamber, 33 Vacuum pump, 35 Carbon source gas supply device, 37 Argon gas supply device, 41 heater, 50 growth device.

Claims (4)

銀または銀合金からなるベース体と、
前記ベース体の内部を貫通するように配置された鉄フィラメントと、
前記鉄フィラメントの一方の端部の一部分に接触するように配置されたアルミナとを備える、触媒部材。
A base body made of silver or a silver alloy;
An iron filament disposed so as to penetrate the inside of the base body;
A catalyst member comprising alumina disposed so as to contact a part of one end of the iron filament.
請求項1に記載の触媒部材を備える、カーボンナノチューブの製造装置。   An apparatus for producing carbon nanotubes, comprising the catalyst member according to claim 1. 請求項1に記載の触媒部材を用いた、カーボンナノチューブの製造方法。   The manufacturing method of a carbon nanotube using the catalyst member of Claim 1. 請求項3に記載のカーボンナノチューブの製造方法を用いて形成された、カーボンナノチューブ。   The carbon nanotube formed using the manufacturing method of the carbon nanotube of Claim 3.
JP2009254959A 2009-11-06 2009-11-06 Catalyst member, carbon nanotube production apparatus, and carbon nanotube production method Expired - Fee Related JP5499643B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009254959A JP5499643B2 (en) 2009-11-06 2009-11-06 Catalyst member, carbon nanotube production apparatus, and carbon nanotube production method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009254959A JP5499643B2 (en) 2009-11-06 2009-11-06 Catalyst member, carbon nanotube production apparatus, and carbon nanotube production method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011098864A true JP2011098864A (en) 2011-05-19
JP5499643B2 JP5499643B2 (en) 2014-05-21

Family

ID=44190373

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009254959A Expired - Fee Related JP5499643B2 (en) 2009-11-06 2009-11-06 Catalyst member, carbon nanotube production apparatus, and carbon nanotube production method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5499643B2 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015147969A (en) * 2014-02-05 2015-08-20 住友電気工業株式会社 Substrate, and manufacturing method thereof

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003068676A1 (en) * 2002-02-13 2003-08-21 Toudai Tlo, Ltd. Process for producing single-walled carbon nanotube, single-walled carbon nanotube, and composition containing single-walled carbon nanotube
JP2005350281A (en) * 2004-06-08 2005-12-22 Sumitomo Electric Ind Ltd Method for producing carbon nano-structure
JP2006256948A (en) * 2005-03-18 2006-09-28 Kofukin Seimitsu Kogyo (Shenzhen) Yugenkoshi Device for growing matrix of carbon nanotube, and method for growing matrix of multi-layered carbon nanotube

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003068676A1 (en) * 2002-02-13 2003-08-21 Toudai Tlo, Ltd. Process for producing single-walled carbon nanotube, single-walled carbon nanotube, and composition containing single-walled carbon nanotube
JP2005350281A (en) * 2004-06-08 2005-12-22 Sumitomo Electric Ind Ltd Method for producing carbon nano-structure
JP2006256948A (en) * 2005-03-18 2006-09-28 Kofukin Seimitsu Kogyo (Shenzhen) Yugenkoshi Device for growing matrix of carbon nanotube, and method for growing matrix of multi-layered carbon nanotube

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015147969A (en) * 2014-02-05 2015-08-20 住友電気工業株式会社 Substrate, and manufacturing method thereof

Also Published As

Publication number Publication date
JP5499643B2 (en) 2014-05-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI357448B (en) Process for the production of carbon nanostructure
TWI400193B (en) Process for the production of carbon nanostructure
JPWO2015199180A1 (en) Diamond substrate manufacturing method, diamond substrate, and diamond composite substrate
JP5882878B2 (en) Diamond electrode and ozone generator using diamond electrode
JP6017527B2 (en) Epitaxial structure and manufacturing method thereof
JP5499643B2 (en) Catalyst member, carbon nanotube production apparatus, and carbon nanotube production method
EP1719556A1 (en) Catalyst structure and method for producing carbon nanotube using same
CN107902650B (en) The method of single-layer graphene is prepared on super Nano diamond surface
CN110713178B (en) Device and method for preparing carbon nano tube array
US9162891B2 (en) Apparatus for manufacturing carbon nanostructure and method for manufacturing carbon nanostructure
JP2010099572A (en) Catalytic base material and method of manufacturing carbon nano structure using the same
JP2010041000A (en) Method of manufacturing nitrogen doped silicon wafer and nitrogen doped silicon wafer obtained by the same
JP2005272240A (en) Seed crystal for pulling silicon single crystal and method for manufacturing silicon single crystal using the same
TWI545227B (en) Method of manufacturing a semiconductor device
JP5288511B2 (en) Catalyst structure and method for producing carbon nanostructure using the same
JP4905702B2 (en) Catalyst structure and method for producing carbon nanostructure using the same
JP5906006B2 (en) Silicon wafer manufacturing method
JP4941074B2 (en) Oxide superconducting wire manufacturing method and oxide superconducting wire
JP2003292312A (en) Carbon nanotube, carbon nanotube film, silicon carbide substrate including carbon nanotube, carbon nanotube film body, and method for production them
KR101128219B1 (en) Method for preparing carbon nanostructure
JP4251274B2 (en) Method for producing quartz glass tube and rod having double-layer structure
JP2017088452A (en) Method for producing carbon nanostructure, and carbon nanostructure production device
JP5967763B2 (en) Carbon nanostructure manufacturing apparatus and carbon nanostructure manufacturing method
JP2003062459A (en) Hydrogen storage carbon fiber and method for producing the same
JP2021085092A (en) Film deposition method of silicon carbide polycrystalline film and manufacturing method of silicon carbide polycrystalline substrate

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20120627

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130904

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130910

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20131009

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20131203

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20131220

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140212

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140225

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5499643

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees