JP2011091152A - パワーモジュール - Google Patents

Abstract

【課題】基板の裏面側にベアチップを冷却する冷却器が取り付けられたパワーモジュールにおいて、基板と冷却器との間に絶縁部材を設ける際に、その絶縁部材の両面に生じる接触熱抵抗をできるだけ抑えつつ、ベアチップの冷却効率をアップする。
【解決手段】パワーモジュール（1）の基板（12）を多層基板で構成するとともに、その多層基板の一部にサーマルビア（13）を設ける。
【選択図】図１

Description

本発明は、基板の表面にベアチップが実装されたパワーモジュールに関し、特にベアチップを冷却する冷却技術に関するものである。

従来より、パワー半導体等のベアチップを実装した基板を有するパワーモジュールが知られている。一般に、上記基板にはセラミックや金属製のものが用いられるが、コスト低減を目的として樹脂製の基板を用いたものが考案されている。しかし、この樹脂製の基板は比較的に熱伝導率が小さい。このため、上記ベアチップで発生した熱が樹脂製の基板を通じて該基板の外側へ放出されにくく、上記ベアチップが高温になる場合がある。

特許文献１に開示されたパワーモジュールは、上記樹脂製の基板の内部に冷媒通路が形成されている。この冷媒通路には、パワーモジュールを電気部品として搭載する空調機の冷媒回路を循環する冷媒の一部が流れるようになっている。これにより、上記冷媒通路を通過する冷媒でベアチップが冷却される。

ところで、上記樹脂基板に実装されたベアチップを効率よく冷却する別の方法として、上記樹脂基板を厚さ方向に貫通するサーマルビアを設ける一方、上記樹脂基板の裏面にベアチップを冷却するための放熱器を取り付ける方法がある。尚、このサーマルビアは、その一端が上記樹脂基板の表面に形成された配線パターンに接して、他端が上記樹脂基板の裏面に露出している。

ここで、上記放熱器は、その冷却性能を高めるために金属製のものを用いるのが一般的である。そして、この金属製の放熱器を上記樹脂基板の裏面に取り付けたとすると、該裏面に露出したサーマルビアを通じて上記ベアチップと上記放熱器とが電気的に接続されてしまう。この結果、上記放熱器とベアチップとがショートするという不具合が生じてしまう。

このような不具合を生じさせないようにするため、上記樹脂基板の裏面と放熱器との間に絶縁部材として絶縁シート等を挟んで上記樹脂基板と上記放熱器とを重ね合わせることが考えられる。

特開２００６−１９６８５３号公報

しかしながら、上記絶縁部材を挟むと、上記放熱器とベアチップとの間がショートするのを回避することができるものの、上記基板の裏面と上記絶縁部材の表面との間、及び上記絶縁部材の裏面と上記冷却部材の表面との間に接触熱抵抗が生じてしまう。こうなると、この絶縁部材の両面に生じる接触熱抵抗により、上記ベアチップの熱が上記基板を通じて上記冷却部材へ伝わるのを阻害することが考えられる。

本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的は、基板の裏面側にベアチップを冷却する冷却部材が取り付けられたパワーモジュールにおいて、上記基板の裏面と上記冷却部材との間に絶縁部材を設ける際に、その絶縁部材の両面に生じる接触熱抵抗をできるだけ抑えつつ、上記ベアチップの冷却効率をアップさせることにある。

第１の発明は、基板（12）と、該基板（12）の表面側に配置されたパワーデバイス用のベアチップ（10）と、該基板（12）の裏面側に配置されて上記ベアチップ（10）を冷却する冷却部材（15）とを備えたパワーモジュールが前提である。

そして、上記パワーモジュールの基板（12）は、絶縁性を有する少なくとも１つ以上の第１基板（12c）と絶縁性を有する少なくとも１つ以上の第２基板（12a,12b）とが積層された多層基板（12）であって、上記第１基板（12c）及び第２基板（12a,12b）のうちの第２基板（12a,12b）側に、上記ベアチップ（10）及び冷却部材（15）の間の位置で厚さ方向に貫通するサーマルビア（13）が設けられていることを特徴としている。

第１の発明では、上記パワーモジュール（1）の基板（12）が多層基板（12）で構成されている。ここで、上記第１基板（12c）及び第２基板（12a,12b）のうち、上記第１基板（12c）の方には、上記サーマルビア（13）が設けられていない。つまり、この第１基板（12c）が、上記ベアチップ（10）と上記冷却部材（15）との間を絶縁する絶縁部材を構成する。

そして、上記多層基板（12）は、複数の基板が熱圧着によって互いに密着するように積層されて構成されている。このことから、各基板間に生じる接触熱抵抗は、従来のように絶縁部材を挟んで重ね合わせることによる接触熱抵抗に比べて小さい。以上より、パワーモジュールの基板（12）を多層基板（12）とすることで、上記第１基板（12c）の外面に生じる接触熱抵抗を小さくすることができるようになる。

又、上記第２基板（12a,12b）にはサーマルビア（13）を設けられている。このサーマルビア（13）を通じて上記ベアチップ（10）から上記冷却部材（15）への熱の流れが促進される。尚、第１基板（12c）及び第２基板（12a,12b）の両方にサーマルビア（13）を設けない理由は、仮に、両方にサーマルビア（13）を設けたとすると、このサーマルビア（13）を通じて上記ベアチップ（10）と上記冷却部材（15）とが電気的に接続されてしまい、上記第１基板（12c）が絶縁部材としての役割を果たさなってしまうからである。

第２の発明は、第１の発明において、上記第２基板（12a,12b）が、上記多層基板（12）における上記ベアチップ（10）側の最外層を構成することを特徴としている。

第２の発明では、上記多層基板（12）において、上記サーマルビア（13）が設けられた第２基板（12a,12b）を上記ベアチップ（10）に近い側へ配置している。こうすることにより、上記サーマルビア（13）が設けられていない第１基板（12c）を上記ベアチップ（10）に近い側へ配置する場合に比べて、上記ベアチップ（10）の熱が上記サーマルビア（13）を通じて拡散しやすくなる。

第３の発明は、第１又は第２の発明において、上記第１基板（12c）の熱伝導率は、上記第２基板（12a,12b）の熱伝導率よりも高いことを特徴としている。

第３の発明では、第１基板（12c）の熱伝導率が第２基板（12a,12b）の熱伝導率よりも高い。ここで、上記第２基板（12a,12b）は、上記サーマルビア（13）によって伝熱促進されるが、第１基板（12c）には、上述したようにサーマルビア（13）を設けることができない。そこで、第３の発明において、第１基板（12c）の熱伝導率を第２基板（12a,12b）の熱伝導率よりも高くすることで、第１基板（12c）側の伝熱促進を図ることができるようになる。

第４の発明は、第１から第３の何れか１つの発明において、上記第１基板（12c）の厚みは、上記第２基板（12a,12b）の厚みよりも薄いことを特徴としている。

第４の発明では、第１基板（12c）の厚みが第２基板（12a,12b）の厚みよりも薄い。そして、上記第１基板（12c）の厚みを第２基板（12a,12b）の厚みよりも薄くすればなるほど、上記第１基板（12c）の熱抵抗を小さくすることができるようになる。

第５の発明は、第１から第４の何れか１つの発明において、上記第１基板（12ｃ）と上記第２基板（12a,12b）は、樹脂製の基板であることを特徴としている。

第５の発明では、第１、２基板（12a,12b,12ｃ）が樹脂製で構成されている。一般に、上記パワーモジュールの基板として、セラミック製又は金属製のものが用いられる。第５の発明では、樹脂製のものを用いているので、セラミック製又は金属製のものに比べて基板の製作コストを低く抑えることができるようになる。

第６の発明は、第１から第５の何れか１つの発明において、上記冷却部材（15）と上記基板（12）との間には、一端面が上記冷却部材（15）に密着して他端面が上記基板（12）に密着することにより上記冷却部材（15）を上記基板（12）に接合する接合部材（14）が設けられていることを特徴としている。

第６の発明では、上記冷却部材（15）及び上記多層基板（12）を上記接合部材（14）で接合することにより、上記冷却部材（15）及び上記多層基板（12）を単に重ね合わせて一体化した場合に比べて、上記冷却部材（15）と上記多層基板（12）との間に生じる接触熱抵抗が小さくなる。これは、上記冷却部材（15）及び上記多層基板（12）を単に重ね合わせただけでは、この両方の部材の間に多数の微細な隙間が生じてしまい、この隙間にある空気によって上記冷却部材（15）及び上記多層基板（12）の間の熱抵抗を大きくしてしまうからである。

尚、この接合部材（14）は、例えば半田又は接着材であってもよい。ここで、上記接合部材（14）として半田を用いる場合には、上記多層基板（12）の裏面にパターンを形成し、そのパターンに上記冷却部材（15）を半田付けする。こうすることで、上記冷却部材（15）及び上記多層基板（12）を効率よく接合できる。

一方、上記接合部材（14）として接着剤を用いる場合には、熱伝導率の高いものを用いるようにする。こうすると、上記接着材を通じて上記ベアチップ（10）の熱をより効率よく上記冷却部材（15）へ伝えることができる。

本発明によれば、上記パワーモジュール（1）の基板（12）が多層基板（12）で構成されている。ここで、上記第１基板（12c）及び第２基板（12a,12b）のうち、上記第１基板（12c）の方には、上記サーマルビア（13）が設けられていない。つまり、この第１基板（12c）が、上記ベアチップ（10）と上記冷却部材（15）との間を絶縁する絶縁部材を構成する。こうすると、この絶縁部材の外面に生じる接触熱抵抗を従来よりも小さくすることができる。この接触熱抵抗の低減により、上記ベアチップ（10）から上記冷却部材（15）への熱の流れがスムーズになり、上記ベアチップ（10）の冷却効率をアップさせることができる。

又、上記第１基板（12c）及び第２基板（12a,12b）のうち、上記第２基板（12a,12b）の方にサーマルビア（13）を設けることで、該サーマルビア（13）を通じて上記ベアチップ（10）から上記冷却部材（15）への熱の流れがさらに促進され、上記ベアチップ（10）の冷却効率をさらにアップさせることができる。尚、上記第１基板（12c）にはサーマルビア（13）が設けられていないので、該第１基板（12c）における絶縁性は守られる。

また、上記第２の発明によれば、上記多層基板（12）において、上記サーマルビア（13）が設けられた第２基板（12a,12b）を上記ベアチップ（10）に近い側へ配置している。こうすると、上記サーマルビア（13）が設けられていない第１基板（12c）を上記ベアチップ（10）に近い側へ配置する場合に比べて、上記ベアチップ（10）の熱が上記サーマルビア（13）を通じて拡散しやすくなる。これにより、上記多層基板（12）内の熱の流れがスムーズになって、上記ベアチップ（10）の冷却効率をより一層アップさせることができる。

また、上記第３の発明によれば、第１基板（12c）の熱伝導率を第２基板（12a,12b）の熱伝導率よりも高くすることにより、上記多層基板（12）の絶縁性を確保するために上記サーマルビア（13）を設けることができなかった第１基板（12c）の伝熱促進を図ることができる。

また、上記第４の発明によれば、上記第１基板（12c）の厚みは、上記第２基板（12a,12b）の厚みよりも薄い。そして、第１基板（12c）の厚みを第２基板（12a,12b）の厚みよりも薄くすればするほど、上記第１基板（12c）の熱抵抗を小さくすることができる。これにより、第１基板（12c）内の熱の流れがスムーズになり、上記ベアチップ（10）の冷却効率を効果的にアップさせることができる。

また、上記第５の発明によれば、第１、２基板（12a,12b,12ｃ）が樹脂製で構成されている。この第１、第２基板（12a,12b,12ｃ）を樹脂製にすると、該第１、第２基板（12a,12b,12ｃ）をセラミック製又は金属製にした場合に比べて、基板の製作コストが低く抑えられる。これにより、上記パワーモジュールの低コスト化を図ることができる。

また、上記第６の発明によれば、上記冷却部材（15）及び上記多層基板（12）を上記接合部材（14）で接合することにより、上記冷却部材（15）及び上記多層基板（12）を単に重ね合わせて一体化した場合に比べて、上記冷却部材（15）と上記多層基板（12）との間に生じる接触熱抵抗が小さくすることができる。これにより、上記多層基板（12）から上記冷却部材（15）への熱の流れがスムーズになり、上記ベアチップ（10）の冷却効率をより一段とアップさせることができる。

本発明の実施形態に係るパワーモジュールの縦断面図である。 本発明の実施形態の変形例１に係るパワーモジュールの縦断面図である。 本発明の実施形態の変形例２に係るパワーモジュールの縦断面図である。 その他の実施形態に係るパワーモジュールの縦断面図である。 その他の実施形態に係るパワーモジュールの縦断面図である。

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。

図１に本実施形態に係るパワーモジュールの縦断面図である。このパワーモジュール（1）は、空気調和装置に搭載される電気部品の一部である。上記パワーモジュール（1）は、基板（12）とベアチップ（10）と冷却器（冷却部材）（15）とを備えている。

上記基板（12）は、多層基板（12）であり、上から順に第１、第２、第３樹脂基板（12a,12b,12c）が熱圧着によって互いに密着するように積層されている。そして、上記第１、第２樹脂基板（12a,12b）には、サーマルビア（13）が設けられている。つまり、第１、第２樹脂基板（12a,12b）が本発明の第２基板を構成し、第３樹脂基板（12c）が本発明の第１基板を構成する。尚、第１、第２、第３樹脂基板（12a,12b,12c）は、何れも同じ厚み、同じ材質で形成されている。

上記サーマルビア（13）は、上記第１及び第２樹脂基板（12a,12b）を厚さ方向に貫通するように形成されている。このサーマルビア（13）の上端面が上記第１樹脂基板（12a）の上面に形成されたパターンに接続され、上記サーマルビア（13）の下端面が上記第２樹脂基板（12b）と上記第３樹脂基板（12c）との間の境界面に形成されたパターンに接続されている。尚、図１に示すように、このサーマルビア（13）は、上記第３樹脂基板（12c）には形成されていない。したがって、上記ベアチップ（10）と上記冷却器（15）とが電気的に接続されることはない。

上記ベアチップ（10）は、パワー半導体を構成する。このベアチップ（10）は、上記基板（12）の表面側に配置されている。具体的に、上記ベアチップ（10）が、ヒートスプレッダ（熱拡散部材）（11）の上面に実装されている。ここで、上記ヒートスプレッダ（11）は、上記ベアチップ（10）から生じる熱を拡散させるためのものである。そして、このヒートスプレッダ（11）の下面が、記第１樹脂基板（12a）の上面に形成されたパターンに接続されている。

上記冷却器（15）は、上記ベアチップ（10）を冷却するためのものである。この冷却器（15）は、冷却効率を高めるため熱伝導率の高い金属で形成されている。この冷却器（15）の内部には冷媒通路（図示なし）が形成されている。この冷媒通路は、上記空気調和装置の冷媒回路に接続されている。そして、この冷却器（15）が、上記第３樹脂基板（12c）の下面において上記ベアチップ（10）の裏側となる位置に取り付けられている。

−ベアチップの冷却動作−
上記ベアチップ（10）に電気が流れると、該ベアチップ（10）が発熱する。ここで、上記冷却器（15）内を冷媒が流れている。そして、上記ベアチップ（10）の温度が冷媒の温度よりも高くなると、該ベアチップ（10）の熱が上記冷却器（15）へ伝えられる。

具体的に、上記ベアチップ（10）の熱は上記ヒートスプレッダ（11）の全体に拡散される。この拡散された熱は、上記ヒートスプレッダ（11）の下面から上記第１樹脂基板（12a）の上面にあるパターンを介してサーマルビア（13）の上端面へ伝わる。そして、そのまま、該サーマルビア（13）の内部を通過して該サーマルビア（13）の下端面へ伝わる。その後、上記サーマルビア（13）の下端面の熱は、上記第３樹脂基板（12c）の上面へ伝わる。

そして、上記第３樹脂基板（12c）の上面へ伝えられた熱は、該第３樹脂基板（12c）の内部を通過した後で上記冷却器（15）へ流れる。このように、上記ベアチップ（10）の熱が上記冷却器（15）へ伝えられることにより、上記ベアチップ（10）が冷却される。

−実施形態の効果−
本実施形態によれば、上記パワーモジュール（1）の基板（12）を多層基板（12）とし、その多層基板（12）内に第３樹脂基板（12c）が形成されている。ここで、この多層基板（12）では、各基板が熱圧着によって互いに密着するように積層されている。このため、各基板間の接触熱抵抗は、従来のように絶縁部材を挟んで重ね合わせることによる接触熱抵抗に比べて小さい。

以上より、この第３樹脂基板（12c）の外面に生じる接触熱抵抗を従来よりも小さくすることができ、上記ベアチップ（10）から上記冷却器（15）への熱の流れがスムーズになる。この結果、上記ベアチップ（10）の冷却効率をアップさせることができる。又、上記第１及び第２樹脂基板（12a,12b）にサーマルビア（13）を設けることで、上記ベアチップ（10）から上記冷却器（15）への熱の流れがさらにスムーズになり、上記ベアチップ（10）の冷却効率をさらにアップさせることができる。

又、本実施形態によれば、上記多層基板（12）において、上記サーマルビア（13）が設けられた第１及び第２樹脂基板（12a,12b）を上記ベアチップ（10）に近い側へ配置している。こうすると、上記サーマルビア（13）が設けられていない第３樹脂基板（12c）を上記ベアチップ（10）に近い側へ配置する場合に比べて、上記ベアチップ（10）の熱が上記サーマルビア（13）を通じて拡散しやすくなる。これにより、上記多層基板（12）内の熱の流れがスムーズになって、上記ベアチップ（10）の冷却効率をより一層アップさせることができる。

−実施形態の変形例１−
図２に示す本実施形態の変形例１のパワーモジュール（20）は、上記第３樹脂基板（12c）の厚みが上記第１及び第２樹脂基板（12a,12b）の厚みよりも薄くなっている。こうすると、図１に示すパワーモジュール（1）のように第１から第３樹脂基板（12a,12b,12c）を全て同一の厚みで構成した場合に比べて、上記第３樹脂基板（12c）の熱抵抗を小さくすることができる。これにより、上記第３樹脂基板（12c）内の熱の流れがスムーズになり、上記ベアチップ（10）の冷却効率を効果的にアップさせることができる。

−実施形態の変形例２−
図３に示す本実施形態の変形例２のパワーモジュール（30）は、上記冷却器（15）が上記第３樹脂基板（12c）の下面に形成されたパターンに半田付けで固定されている。

このとき、上記冷却器（15）と上記第３樹脂基板（12c）との間に半田を密着させるようにする。こうすると、例えば上記冷却器（15）が上記第３樹脂基板（12c）の下面に接触するようにボルト締めして、上記冷却器（15）及び上記第３樹脂基板（12c）を重ね合わせた場合に比べて、上記冷却器（15）と上記第３樹脂基板（12c）との間に生じる接触熱抵抗を小さくすることができる。この接触熱抵抗の減少により、上記多層基板（12）から上記冷却部材（15）への熱の流れがスムーズになり、上記ベアチップ（10）の冷却効率をより一段とアップさせることができる。

尚、上記パターンは、上記第３樹脂基板（12c）の下面に形成される配線のパターンと接触しないような位置に形成されている。

《その他の実施形態》
上記実施形態については、以下のような構成としてもよい。

上記実施形態では、３枚の樹脂基板（12a,12b,12c）を重ね合わせることで多層基板を構成したが、これに限定される必要はなく、２枚又は４枚以上の樹脂基板を重ね合わせることで多層基板を構成してもよい。この場合、多層基板を構成する一部の基板にサーマルビア（13）を設ける必要がある。

又、上記実施形態では、第１、第２、第３樹脂基板（12a,12b,12c）が全て同じ材質で形成されているが、これに限定されず、サーマルビア（13）が設けられていない基板（上記実施形態では、第３樹脂基板（12c）である。）の材質を変更して、このサーマルビア（13）が設けられていない基板の熱伝導率を他の基板の熱伝導率よりも高くしてもよい。こうすると、上記ベアチップ（10）の熱が、上記第３樹脂基板（12c）の内部をスムーズに伝わるようになる。これにより、上記ベアチップ（10）の冷却効率が高まる。

又、上記実施形態の変形例２では、上記冷却器（15）及び上記第３樹脂基板（12c）を半田付けで接合したが、これに限定される必要はなく、例えば、接着材を用いるとよい。この場合、上記冷却器（15）と上記第３樹脂基板（12c）との間に密着するように接着剤を流し込む。これにより、上記変形例２と同様に、上記冷却器（15）と上記第３樹脂基板（12c）との間に生じる接触熱抵抗を低減することができる。

ここで、上記接着剤には、熱伝導率のよいものを用いるとよい。これにより、上記接着材を通じて上記ベアチップ（10）の熱を効率よく上記冷却部材（15）へ伝えることができる。

又、上記実施形態では、上記冷却器（15）は、その内部に冷媒通路が形成されており、この冷媒通路を流れる冷媒によって上記ベアチップ（10）を冷却する、いわゆる冷媒冷却方式のものであったが、これに限定される必要はなく、例えば空冷式のものであってもよい。この場合、上記冷却器（15）に冷媒通路を設けなくてもよいが、該冷却器（15）の放熱面が外部に露出するように配置する必要がある。

又、上記実施形態では、上記第１、第２樹脂基板（12a,12b）にサーマルビア（13）を設けることにより、上記第３樹脂基板（12c）を絶縁部材としたが、これに限定される必要はなく、例えば、図４に示すように、第１樹脂基板（12a）を絶縁部材としてよい。この場合には、上記第２、第３樹脂基板（12b,12c）にサーマルビア（13）を設ける。又、図５に示すように、上記第２樹脂基板（12b）を絶縁部材としてよい。この場合には、上記第１、第３樹脂基板（12a,12c）にサーマルビア（13）を設ける。

このように構成した場合でも、図１の実施形態と同様に、絶縁部材の外面に生じる接触抵抗を小さくできる。つまり、どの位置に絶縁部材が配置されたとしても、該絶縁部材の外面に生じる接触抵抗を小さくできる。

又、上記実施形態では、上記多層基板（12）において、１つの樹脂基板のみが絶縁部材を構成していたが、これに限定される必要はなく、２つの樹脂基板が絶縁部材を構成してもよい。この場合には、１つの樹脂基板のみにサーマルビア（13）を設ける必要がある。尚、上記多層基板（12）が４枚以上の樹脂基板で構成されている場合であっても、１つ以上の樹脂基板が絶縁部材であればよい。

なお、以上の実施形態は、本質的に好ましい例示であって、本発明、その適用物、あるいはその用途の範囲を制限することを意図するものではない。

以上説明したように、本発明は、基板の表面にベアチップが実装されたパワーモジュールに関し、特にベアチップを冷却する冷却技術について有用である。

1 パワーモジュール
10 ベアチップ
11 ヒートスプレッダ
12 多層基板
12a 第１樹脂基板（第２基板）
12b 第２樹脂基板（第２基板）
12c 第３樹脂基板（第１基板）
13 サーマルビア
14 半田（接合部材）
15 冷却器（冷却部材）

Claims (6)

1. 基板（12）と、該基板（12）の表面側に配置されたパワーデバイス用のベアチップ（10）と、該基板（12）の裏面側に配置されて上記ベアチップ（10）を冷却する冷却部材（15）とを備えたパワーモジュールであって、
   上記基板（12）は、絶縁性を有する少なくとも１つ以上の第１基板（12c）と絶縁性を有する少なくとも１つ以上の第２基板（12a,12b）とが積層された多層基板（12）であって、
   上記第１基板（12c）及び第２基板（12a,12b）のうちの第２基板（12a,12b）側に、上記ベアチップ（10）及び冷却部材（15）の間の位置で厚さ方向に貫通するサーマルビア（13）が設けられていることを特徴とするパワーモジュール。
2. 請求項１において、
   上記第２基板（12a,12b）が、上記多層基板（12）における上記ベアチップ（10）側の最外層を構成することを特徴とするパワーモジュール。
3. 請求項１又は２において、
   上記第１基板（12c）の熱伝導率は、上記第２基板（12a,12b）の熱伝導率よりも高いことを特徴とするパワーモジュール。
4. 請求項１から３の何れか１つにおいて、
   上記第１基板（12c）の厚みは、上記第２基板（12a,12b）の厚みよりも薄いことを特徴とするパワーモジュール。
5. 請求項１から４の何れか１つにおいて、
   上記第１基板（12ｃ）と上記第２基板（12a,12b）は、樹脂製の基板であることを特徴とするパワーモジュール
6. 請求項１から５の何れか１つにおいて、
   上記冷却部材（15）と上記基板（12）との間には、一端面が上記冷却部材（15）に密着して他端面が上記基板（12）に密着することにより上記冷却部材（15）を上記基板（12）に接合する接合部材（14）が設けられていることを特徴とするパワーモジュール。

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