JP2011059229A - 電気光学装置及び電気光学装置の製造方法並びに電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】簡単なプロセスを以って、コントラストと明るさを向上させることができる電気光学装置及び電気光学装置の製造方法並びに電子機器を提供する。
【解決手段】電気光学装置の製造方法は、基板上に第１導電膜９ｂをパターニング形成する工程と、基板及び第１導電膜９ｂ上に絶縁膜８ｂを形成する工程と、絶縁膜８ｂを平坦化処理して、絶縁膜８ｂから第１導電膜９ｂの上面を露出させる工程と、絶縁膜８ｂ上であって、平面視で第１導電膜９ｂの上面と重なり、第１導電膜９ｂと電気的に接続するように第２導電膜９を形成する工程と、を有する。
【選択図】図４

Description

本発明は、電気光学装置及び電気光学装置の製造方法並びに電子機器に関するものである。

各種の電気光学装置のうち、液晶装置では、支持基板上に電界効果型トランジスター等の画素スイッチング素子及び島状の画素電極が形成された素子基板と、対向基板とが対向配置されているとともに、素子基板と対向基板との間に液晶層が保持されている。このような電気光学装置のうち、画素電極を光反射性導電膜により形成して反射モードで画像の表示を行う反射型電気光学装置では、コントラストと明るさを確保するために、反射画素電極を、極力平坦に形成する必要がある。そのうち、画素電極と下層の駆動素子を接続するためのコンタクトホールの凹凸による液晶配向の乱れ及び反射光の散乱により、コントラストと明るさが低下してしまう虞がある。これに対し、例えば、半導体プロセスで一般的に用いられているＷプラグ等を埋め込むことで、平坦化を実現する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。

特開平１１−７２７９９号公報

しかしながら、特許文献１に記載の方法では、プラグ埋め込みのための新規設備が必要になるほか、プロセスもやや複雑になる。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。

［適用例１］基板上に第１導電膜をパターニング形成する工程と、前記基板及び前記第１導電膜上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜を平坦化処理して、前記絶縁膜から前記第１導電膜の上面を露出させる工程と、前記絶縁膜上であって、平面視で前記第１導電膜の上面と重なり、前記第１導電膜と電気的に接続するように第２導電膜を形成する工程と、を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。

これによれば、絶縁膜と第１導電膜とを平坦化できるため、プラグ工程を実施せずとも、第２導電膜と下層の駆動素子とを接続するための第１導電膜との重なり部分の凹凸による液晶配向の乱れ及び反射光の散乱を抑えることができ、簡単なプロセスを以って、コントラストと明るさを向上させることができる電気光学装置の製造方法を提供する。

［適用例２］上記電気光学装置の製造方法であって、前記第１導電膜は、トランジスターのソース領域或いはドレイン領域のどちらか一方と電気的に接続されていることを特徴とする電気光学装置の製造方法。

これによれば、トランジスターを流れる電流の方向が反転する場合、ソースとドレインとが入れ替わるが、容易に対応することができる。

［適用例３］上記電気光学装置の製造方法であって、前記第２導電膜は、画素電極であることを特徴とする電気光学装置の製造方法。

これによれば、画素電極とトランジスターとを接続するための第１導電膜との重なり部分の凹凸による液晶配向の乱れ及び反射光の散乱を抑えることができる。

［適用例４］上記電気光学装置の製造方法であって、前記平坦化処理は、ＣＭＰ及びエッチバックであることを特徴とする電気光学装置の製造方法。

これによれば、高速で平滑な研磨面を得ることができる。

［適用例５］基板上に形成された複数の第１導電膜と、前記複数の第１導電膜間に配置された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成され、前記複数の第１導電膜のうち一つと電気的に接続された第２導電膜と、を有し、前記第１導電膜の上部表面の面積は、該第１導電膜の下部表面の面積より小さく、前記第１導電膜の上部表面と前記絶縁膜の上部表面とは面一であることを特徴とする電気光学装置。

これによれば、絶縁膜と第１導電膜とを平坦化できるため、プラグ工程を実施せずとも、第２導電膜と下層の駆動素子とを接続するための第１導電膜との重なり部分の凹凸による液晶配向の乱れ及び反射光の散乱を抑えることができ、簡単なプロセスを以って、コントラストと明るさを向上させることができる電気光学装置を提供する。

［適用例６］上記電気光学装置であって、前記第１導電膜は、トランジスターのソース領域或いはドレイン領域のどちらか一方と電気的に接続されていることを特徴とする電気光学装置。

これによれば、トランジスターを流れる電流の方向が反転する場合、ソースとドレインとが入れ替わるが、容易に対応することができる。

［適用例７］上記電気光学装置であって、前記第２導電膜は、画素電極であることを特徴とする電気光学装置。

これによれば、画素電極とトランジスターとを接続するための第１導電膜との重なり部分の凹凸による液晶配向の乱れ及び反射光の散乱を抑えることができる。

［適用例８］上記のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。

これによれば、コントラストと明るさを向上させることができる電子機器を提供する。

本実施形態に係る反射型電気光学装置の電気的構成を示すブロック図。 （Ａ）及び（Ｂ）は各々、本実施形態に係る反射型電気光学装置の液晶パネルを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、及びそのＨ−Ｈ’断面図。 （Ａ）及び（Ｂ）は各々、本実施形態に係る反射型電気光学装置に用いた素子基板において相隣接する画素の平面図、及びそのＡ−Ａ’線に相当する位置で素子基板を切断したときの断面図。 本実施形態に係る反射型電気光学装置の製造方法を示す工程断面図。 本実施形態に係る反射型電気光学装置を用いた電子機器の説明図。

図面を参照して、本実施形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材に縮尺を異ならしめてある。なお、電界効果型トランジスターを流れる電流の方向が反転する場合、ソースとドレインとが入れ替わるが、以下の説明では、便宜上、画素電極が接続されている側をドレインとし、データ線が接続されている側をソースとして説明する。

（全体構成）
図１は、本実施形態に係る反射型電気光学装置の電気的構成を示すブロック図である。図１に示すように、反射型電気光学装置１００は、液晶パネル１００ｐを有しており、液晶パネル１００ｐは、その中央領域に複数の画素１００ａがマトリクス状に配列された画素領域１０ｂを備えている。かかる液晶パネル１００ｐにおいて、後述する基板としての素子基板１０には、画素領域１０ｂの内側で複数本のデータ線６ａ及び複数本の走査線３ａが縦横に延びており、それらの交点に対応する位置に画素１００ａが構成されている。複数の画素１００ａの各々には、画素スイッチング素子としての電界効果型トランジスター３０、及び後述する第２導電膜としての画素電極９が形成されている。電界効果型トランジスター３０のソースにはデータ線６ａが電気的に接続され、電界効果型トランジスター３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続され、電界効果型トランジスター３０のドレインには、画素電極９が電気的に接続されている。

素子基板１０において、画素領域１０ｂの外側領域には走査線駆動回路１０４及びデータ線駆動回路１０１が構成されている。データ線駆動回路１０１は各データ線６ａの一端に電気的に接続しており、画像処理回路から供給される画像信号を各データ線６ａに順次供給する。走査線駆動回路１０４は、各走査線３ａに電気的に接続しており、走査信号を各走査線３ａに順次供給する。

各画素１００ａにおいて、画素電極９は、後述する対向基板に形成された共通電極と液晶を介して対向し、液晶容量５０ａを構成している。また、各画素１００ａには、液晶容量５０ａで保持される画像信号の変動を防ぐために、液晶容量５０ａと並列に保持容量６０が付加されている。本実施形態では、保持容量６０を構成するために、複数の画素１００ａに跨って走査線３ａと並行して延びた容量線３ｂが形成されている。

（液晶パネル及び素子基板の構成）
図２（Ａ）及び（Ｂ）は各々、本実施形態に係る反射型電気光学装置１００の液晶パネル１００ｐを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、及びそのＨ−Ｈ’断面図である。図２（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、反射型電気光学装置１００の液晶パネル１００ｐでは、所定の隙間を介して素子基板１０と対向基板２０とが所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合わされており、シール材１０７は対向基板２０の縁に沿うように配置されている。シール材１０７は、光硬化樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材が配合されている。本実施形態において、素子基板１０の支持基板は透光性基板１０ｄであり、対向基板２０の支持基板も、同様な透光性基板２０ｄである。

素子基板１０において、シール材１０７の外側領域では、素子基板１０の一辺に沿ってデータ線駆動回路１０１及び複数の端子１０２が形成されており、この一辺に隣接する他の辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、素子基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための上下導通材１０９が形成されている。

詳しくは後述するが、素子基板１０には、光反射性の画素電極９（光反射層）がマトリクス状に形成されている。これに対して、対向基板２０には、シール材１０７の内側領域に遮光性材料からなる額縁１０８が形成され、その内側が画像表示領域１０ａとされている。また、対向基板２０には、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜からなる共通電極２１が形成されている。なお、対向基板２０には画素電極９間と対向する位置にブラックマトリクスあるいはブラックストライプと称せられる遮光膜（図示せず）が形成されることがある。また、画素領域１０ｂには、額縁１０８と重なる領域にダミーの画素が構成される場合があり、この場合、画素領域１０ｂのうち、ダミー画素を除いた領域が画像表示領域１０ａとして利用されることになる。

このように形成した反射型電気光学装置１００では、対向基板２０の側から入射した光が画素電極９で反射して再び、対向基板２０の側から出射される間に液晶層５０によって画素毎に光変調される結果、画像が表示される。ここで、反射型電気光学装置１００は、モバイルコンピューター、携帯電話機等といった電子機器のカラー表示装置として用いることができ、この場合、対向基板２０には、カラーフィルター（図示せず）や保護膜が形成される。また、対向基板２０の光入射側の面には、使用する液晶層５０の種類、すなわち、ＴＮ（ツイステッドネマティック）モード、ＳＴＮ（スーパーＴＮ）モード等々の動作モードや、ノーマリーホワイトモード／ノーマリーブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板等が所定の向きに配置される。さらに、反射型電気光学装置１００は、後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）において、ＲＧＢ用のライトバルブとして用いることができる。この場合、ＲＧＢ用の各反射型電気光学装置１００の各々には、ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになるので、カラーフィルターは形成されない。

（各画素の構成）
図３（Ａ）及び（Ｂ）は各々、本実施形態に係る反射型電気光学装置１００に用いた素子基板１０において相隣接する画素の平面図、及びそのＡ−Ａ’線に相当する位置で素子基板１０を切断したときの断面図である。なお、図３（Ａ）において、画素電極９については長い点線で示し、データ線６ａについては一点鎖線で示し、走査線３ａ及び容量線３ｂは実線で示し、半導体層１ａは短くて細い点線で示してある。また、隣接する画素電極９の間隙９ｓには、複数のドットを付してある。

図３（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、素子基板１０には、石英基板やガラス基板等からなる透光性基板１０ｄ（支持基板）の第１面１０ｘ及び第２面１０ｙのうち、対向基板２０側に位置する第１面１０ｘにシリコン酸化膜等からなる透光性の下地絶縁層１５が形成されているとともに、その上層側において、画素電極９と重なる位置にＮチャネル型の電界効果型トランジスター３０が形成されている。電界効果型トランジスター３０は、島状のポリシリコン膜、あるいは島状の単結晶半導体層からなる半導体層１ａに対して、チャネル領域１ｇ、低濃度ソース領域１ｂ、高濃度ソース領域１ｄ、低濃度ドレイン領域１ｃ、及び高濃度ドレイン領域１ｅが形成されたＬＤＤ構造を備えている。半導体層１ａの表面側には、シリコン酸化膜からなる透光性のゲート絶縁層２が形成されており、ゲート絶縁層２の表面に、金属膜やドープトシリコン膜からなるゲート電極（走査線３ａ）が形成されている。また、半導体層１ａにおける高濃度ドレイン領域１ｅからの延設部分には、ゲート絶縁層２を介して容量線３ｂが対向し、保持容量６０が形成されている。なお、本実施形態において、電界効果型トランジスター３０はＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を備えているが、高濃度ソース領域及び高濃度ドレイン領域が走査線３ａに自己整合的に形成されている構造を採用してもよい。また、本実施形態では、ゲート絶縁層２は、熱酸化により形成されたシリコン酸化膜からなるが、ＣＶＤ法等により形成されたシリコン酸化膜やシリコン窒化膜を用いることもできる。

電界効果型トランジスター３０の上層側には、シリコン酸化膜等といった透光性絶縁膜からなる層間絶縁膜７，８が形成されている。層間絶縁膜７の表面には金属膜やドープトシリコン膜からなるデータ線６ａが形成され、データ線６ａは、層間絶縁膜７に形成されたコンタクトホール７ａを介して高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続している。また、層間絶縁膜７の表面には金属膜等からなる第１導電パターン９ａが形成され、第１導電パターン９ａは、層間絶縁膜７に形成されたコンタクトホール７ｂを介して高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続している。

第１導電パターン９ａの表面には金属膜等からなる第１導電膜としての第２導電パターン９ｂが形成されている。第２導電パターン９ｂの上部表面の面積は、第２導電パターン９ｂの下部表面の面積より小さくなっている。

層間絶縁膜８の表面には、アルミニウム単体膜、アルミニウム合金膜、銀単体膜、銀合金膜、あるいはそれらの積層膜からなる光反射性の画素電極９（反射層）が形成され、画素電極９は、層間絶縁膜８に形成された第１及び第２導電パターン９ａ，９ｂを介して高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続している。第２導電パターン９ｂの上部表面と層間絶縁膜８の上部表面とは面一である。画素電極９の上層には配向膜１６が形成されている。

このように構成した素子基板１０は、画素電極９と共通電極２１とが対面するように対向基板２０に対向配置され、かつ、これらの基板間には、シール材１０７により囲まれた空間内に電気光学物質としての液晶層５０が封入されている。液晶層５０は、画素電極９からの電界が印加されていない状態で、素子基板１０及び対向基板２０に形成された配向膜１６，２６により所定の配向状態をとる。液晶層５０は、例えば一種又は数種のネマティック液晶を混合したもの等からなる。

（画素電極９の平坦化対策）
このように構成した反射型電気光学装置１００において、素子基板１０では、層間絶縁膜８の表面に島状の画素電極９が形成されている。但し、本実施形態では、電界効果型トランジスター３０のドレインと接続される第２導電パターン９ｂの表面を、層間絶縁膜８の平坦化処理により露出させ、これをコンタクトとして、画素電極９を接続している。このため、第２導電パターン９ｂと層間絶縁膜８とは、面一になるように研磨されており、その上層部に設けられる画素電極９の表面は平坦である。

（反射型電気光学装置１００の製造方法）
以下、図４を参照して、反射型電気光学装置１００の製造工程のうち、層間絶縁膜７を形成した以降の工程を説明する。図４は、本実施形態に係る反射型電気光学装置１００の製造方法を示す工程断面図である。

まず、図４（Ａ）に示すように、素子基板１０の表面側（透光性基板１０ｄ（支持基板）の第１面１０ｘ）に、電界効果型トランジスター３０等を覆うように、シリコン酸化物等によって層間絶縁膜７を形成した後、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、層間絶縁膜７にコンタクトホール７ａ，７ｂを形成し、層間絶縁膜７の上層側にデータ線６ａ及び第１導電パターン９ａを形成する。

次に、図４（Ｂ）に示すように、第１導電パターン９ａの上層側に第２導電パターン９ｂを形成する。

次に、図４（Ｃ）に示すように、層間絶縁膜７の表面に、データ線６ａ、第１導電パターン９ａ、及び第２導電パターン９ｂを覆うように、シリコン酸化物等によって絶縁膜８ｂを形成する。その際、絶縁膜８ｂの膜厚については、第２導電パターン９ｂの高さ寸法よりも厚くする。

次に、図４（Ｄ）に示すように、絶縁膜８ｂを表面から研磨する。かかる研磨は、第２導電パターン９ｂが露出するまで行う。本実施形態では、第２導電パターン９ｂが露出した時点を研磨の終点とする。かかる研磨工程としては化学機械研磨（ＣＭＰ）を利用でき、かかる化学機械研磨では、研磨液に含まれる化学成分の作用と、研磨剤と透光性基板１０ｄとの相対移動によって、高速で平滑な研磨面を得ることができる。より具体的には、研磨装置において、不織布、発泡ポリウレタン、多孔質フッ素樹脂等からなる研磨布（パッド）を貼り付けた定盤と、透光性基板１０ｄを保持するホルダーとを相対回転させながら、研磨を行う。その際、例えば、平均粒径が０．０１〜２０μｍの酸化セリウム粒子、分散剤としてのアクリル酸エステル誘導体、及び水を含む研磨剤を研磨布と透光性基板１０ｄとの間に供給する。また、絶縁膜８ｂは、化学機械研磨を行った後に、エッチバックを行って除去されることもできる。かかる絶縁膜８ｂによって、層間絶縁膜８が形成される。

次に、図４（Ｅ）に示すように、各第２導電パターン９ｂを含む層間絶縁膜８の上層側にアルミニウム単体膜、アルミニウム合金膜、銀単体膜、銀合金膜、あるいはそれらの積層膜からなる画素電極９を島状に形成する。

しかる後に、配向膜１６を形成し、素子基板１０を得る。かかる素子基板１０では、プラグ工程を実施せずとも、画素電極９の第２導電パターン９ｂと重なる部分を平坦化できるため、簡単なプロセスを以って、コントラストと明るさを向上させることが可能になる。

［他の実施形態］
上記実施形態では、絶縁膜８ｂの膜厚を第２導電パターン９ｂの高さ寸法よりも厚くしたが、絶縁膜８ｂの膜厚が第２導電パターン９ｂの高さ寸法よりも薄くしてもよい。この場合、研磨工程では、第２導電パターン９ｂが露出した以降も所定時間、研磨を行い、絶縁膜８ｂの表面を研磨すればよい。

上記実施形態では、反射型電気光学装置の製造に本実施形態を適用したが、透過型の電気光学装置の製造に本実施形態を適用してもよく、この場合、ＩＴＯ膜等の透光性導電膜によって、画素電極を形成することになる。かかる透過型の電気光学装置でも、本実施形態を適用すれば、プラグ工程を実施せずとも、画素電極９の第２導電パターン９ｂと重なる部分を平坦化できるため、簡単なプロセスを以って、コントラストと明るさを向上させることが可能になる。

［電子機器への搭載例］
本実施形態に係る反射型電気光学装置１００は、図５（Ａ）に示す投射型表示装置（液晶プロジェクター／電子機器）や、図５（Ｂ）及び（Ｃ）に示す携帯用電子機器に用いることができる。

図５（Ａ）に示す投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置した光源部８１０、インテグレーターレンズ８２０、及び偏光変換素子８３０を備えた偏光照明装置８００と、この偏光照明装置８００から出射されたＳ偏光光束をＳ偏光光束反射面８４１により反射させる偏光ビームスプリッター８４０と、偏光ビームスプリッター８４０のＳ偏光光束反射面８４１から反射された光のうち、青色光（Ｂ）の成分を分離するダイクロイックミラー８４２と、青色光が分離された後の光束のうち、赤色光（Ｒ）の成分を反射させて分離するダイクロイックミラー８４３とを有している。また、投射型表示装置１０００は、各色光が入射する３枚の反射型電気光学装置１００（反射型電気光学装置１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂ）を備えている。さらに、投射型表示装置１０００は、３つの反射型電気光学装置１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂにて変調された光をダイクロイックミラー８４２，８４３及び偏光ビームスプリッター８４０にて合成した後、この合成光を投射レンズ８５０を介してスクリーン８６０に投写する。

また、図５（Ｂ）に示す携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１、スクロールボタン３００２、並びに表示ユニットとしての反射型電気光学装置１００を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、反射型電気光学装置１００に表示される画面がスクロールされる。図５（Ｃ）に示す情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）４０００は、複数の操作ボタン４００１、電源スイッチ４００２、並びに表示ユニットとしての反射型電気光学装置１００を備えており、電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が反射型電気光学装置１００に表示される。

さらに、対向基板２０等にカラーフィルターを形成すれば、カラー表示可能な反射型電気光学装置１００を形成することができる。また、カラーフィルターを形成した反射型電気光学装置１００を用いれば、単板式の投射型表示装置を構成することもできる。

１ａ…半導体層 １ｂ…低濃度ソース領域 １ｃ…低濃度ドレイン領域 １ｄ…高濃度ソース領域 １ｅ…高濃度ドレイン領域 １ｇ…チャネル領域 ２…ゲート絶縁層 ３ａ…走査線 ３ｂ…容量線 ６ａ…データ線 ７，８…層間絶縁膜 ７ａ，７ｂ…コンタクトホール ８ｂ…絶縁膜 ９…画素電極（反射層）（第２導電膜） ９ａ…第１導電パターン ９ｂ…第２導電パターン（第１導電膜） ９ｓ…間隙 １０…素子基板（基板） １０ａ…画像表示領域 １０ｂ…画素領域 １０ｄ…透光性基板（支持基板） １０ｘ…第１面 １０ｙ…第２面 １５…下地絶縁層 １６，２６…配向膜 ２０…対向基板 ２０ｄ…透光性基板 ２１…共通電極 ３０…電界効果型トランジスター ５０…液晶層（電気光学物質） ５０ａ…液晶容量 ６０…保持容量 １００，１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂ…反射型電気光学装置 １００ａ…画素 １００ｐ…液晶パネル １０１…データ線駆動回路 １０２…端子 １０４…走査線駆動回路 １０７…シール材 １０８…額縁 １０９…上下導通材 ８００…偏光照明装置 ８１０…光源部 ８２０…インテグレーターレンズ ８３０…偏光変換素子 ８４０…偏光ビームスプリッター ８４１…Ｓ偏光光束反射面 ８４２，８４３…ダイクロイックミラー ８５０…投射レンズ ８６０…スクリーン １０００…投射型表示装置 ３０００…携帯電話機 ３００１，４００１…操作ボタン ３００２…スクロールボタン ４００２…電源スイッチ。

Claims (8)

1. 基板上に第１導電膜をパターニング形成する工程と、
   前記基板及び前記第１導電膜上に絶縁膜を形成する工程と、
   前記絶縁膜を平坦化処理して、前記絶縁膜から前記第１導電膜の上面を露出させる工程と、
   前記絶縁膜上であって、平面視で前記第１導電膜の上面と重なり、前記第１導電膜と電気的に接続するように第２導電膜を形成する工程と、
   を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
2. 請求項１に記載の電気光学装置の製造方法において、
   前記第１導電膜は、トランジスターのソース領域或いはドレイン領域のどちらか一方と電気的に接続されていることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
3. 請求項１又は２に記載の電気光学装置の製造方法において、
   前記第２導電膜は、画素電極であることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
4. 請求項１〜３のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法において、
   前記平坦化処理は、ＣＭＰ及びエッチバックであることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
5. 基板上に形成された複数の第１導電膜と、
   前記複数の第１導電膜間に配置された絶縁膜と、
   前記絶縁膜上に形成され、前記複数の第１導電膜のうち一つと電気的に接続された第２導電膜と、
   を有し、
   前記第１導電膜の上部表面の面積は、該第１導電膜の下部表面の面積より小さく、
   前記第１導電膜の上部表面と前記絶縁膜の上部表面とは面一であることを特徴とする電気光学装置。
6. 請求項５に記載の電気光学装置において、
   前記第１導電膜は、トランジスターのソース領域或いはドレイン領域のどちらか一方と電気的に接続されていることを特徴とする電気光学装置。
7. 請求項５又は６に記載の電気光学装置において、
   前記第２導電膜は、画素電極であることを特徴とする電気光学装置。
8. 請求項５〜７のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。