JP2011049992A - 圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法 - Google Patents
圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011049992A JP2011049992A JP2009198716A JP2009198716A JP2011049992A JP 2011049992 A JP2011049992 A JP 2011049992A JP 2009198716 A JP2009198716 A JP 2009198716A JP 2009198716 A JP2009198716 A JP 2009198716A JP 2011049992 A JP2011049992 A JP 2011049992A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- piezoelectric
- film
- laser light
- electronic device
- vibrating piece
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Landscapes
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
【課題】レーザー光によるシリコンデバイスへのダメージを抑制した上で、圧電振動片の周波数の高精度化を図ることができる圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】圧電振動子1は、互いの接合面同士が接合膜23を介して陽極接合されたベース基板2及びリッド基板3と、両基板2,3の間に形成されたキャビティC内に気密封止された圧電振動片5とを備え、圧電振動片5の振動腕部24,25には、周波数調整用の重り金属膜17が形成されるとともに、重り金属膜17は、レーザー光が照射されることで部分的に除去されたレーザー照射痕を有し、キャビティC内において、リッド基板3の内面には、レーザー光の照射方向で少なくとも重り金属膜17と重なるように接合膜23が配置されていることを特徴とする。
【選択図】図1
【解決手段】圧電振動子1は、互いの接合面同士が接合膜23を介して陽極接合されたベース基板2及びリッド基板3と、両基板2,3の間に形成されたキャビティC内に気密封止された圧電振動片5とを備え、圧電振動片5の振動腕部24,25には、周波数調整用の重り金属膜17が形成されるとともに、重り金属膜17は、レーザー光が照射されることで部分的に除去されたレーザー照射痕を有し、キャビティC内において、リッド基板3の内面には、レーザー光の照射方向で少なくとも重り金属膜17と重なるように接合膜23が配置されていることを特徴とする。
【選択図】図1
Description
本発明は、圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法に関するものである。
携帯電話や携帯情報端末機器に搭載される圧電デバイスとしては、リアルタイムクロック(以下、RTCという)モジュール等のシリコンデバイス(電子デバイス)上に、時刻源や制御信号等のタイミング源、リファレンス信号源等として機能する、水晶等を利用した圧電振動子が実装されたものがある(例えば、特許文献1参照)。
上述した圧電振動子は、様々なものが知られているが、その1つとして、表面実装(SMD)型の圧電振動子が知られている。この圧電振動子は、例えばセラミックやガラス材料等からなるパッケージと、パッケージのキャビティ内に気密封止された状態で収納された圧電振動片とを備えている。圧電振動片としては、平行に配置された一対の振動腕部(振動部)と、一対の振動腕部の基端側を一体的に固定する基部とを備えた音叉型の振動片が知られている。
上述した圧電振動子は、様々なものが知られているが、その1つとして、表面実装(SMD)型の圧電振動子が知られている。この圧電振動子は、例えばセラミックやガラス材料等からなるパッケージと、パッケージのキャビティ内に気密封止された状態で収納された圧電振動片とを備えている。圧電振動片としては、平行に配置された一対の振動腕部(振動部)と、一対の振動腕部の基端側を一体的に固定する基部とを備えた音叉型の振動片が知られている。
ここで、圧電振動片の振動腕部上には、金等からなる重り金属膜(質量調整膜)が形成されている。この重り金属膜は、パッケージの外部からレーザー光を照射して蒸発させることで、圧電振動片の質量を調整し、圧電振動片の周波数を調整するためのものである。これにより、圧電振動片の周波数を公称(目標)周波数の範囲内に収めるようになっている。
ところで、パッケージの構成材料として、セラミックを採用した場合には、コバール材等をシーム溶接することでパッケージを封止する関係で、パッケージを封止した後ではレーザー光がパッケージを透過しない。そのため、パッケージを封止する前段階で圧電振動片の周波数調整を行う必要がある。
しかしながら、パッケージの封止前と封止後とでは、圧電振動片の周波数がずれる場合があり、周波数の高精度化には限界があった。
しかしながら、パッケージの封止前と封止後とでは、圧電振動片の周波数がずれる場合があり、周波数の高精度化には限界があった。
これに対して、ガラス材料からなるパッケージを採用した場合には、シリコンデバイスに圧電振動子を装着した状態で、パッケージの外側からレーザー光を照射して重り金属膜を蒸発させることができる。これにより、圧電デバイスの製造工程における最終段階で周波数調整を行うことができるため、より理想的な周波数に合わせ込むことができるとされている。
しかしながら、シリコンデバイスに装着した後に圧電振動片の周波数調整を行う場合、圧電振動片を透過したレーザー光が、さらにパッケージを透過してシリコンデバイスに入射してしまう虞がある。そして、シリコンデバイスに入射したレーザー光が、シリコンデバイスに吸収されると、シリコンデバイスがレーザー光によってダメージを受ける。その結果、圧電デバイスの特性が劣化して、圧電デバイスの動作に不具合が生じる虞がある。
そこで、本発明は、上述した問題に鑑みてなされたものであり、レーザー光によるシリコンデバイスへのダメージを抑制した上で、圧電振動片の周波数の高精度化を図ることができる圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法を提供するものである。
上述した課題を解決するために、本発明は以下の手段を提供する。
本発明に係る圧電デバイスは、電子デバイス上に圧電振動子が実装されてなる圧電デバイスにおいて、前記圧電振動子は、互いの接合面同士が接合材を介して陽極接合された複数のガラス基板と、前記複数のガラス基板の間に形成されたキャビティ内に気密封止された圧電振動片とを備え、前記圧電振動片の振動部には、周波数調整用の質量調整膜が形成されるとともに、前記質量調整膜は、レーザー光が照射されることで部分的に除去されたレーザー照射痕を有し、前記キャビティ内において、前記圧電振動片から見て前記電子デバイス側の前記ガラス基板には、前記レーザー光の照射方向で少なくとも前記質量調整膜と重なるように保護膜が配置されていることを特徴としている。
本発明に係る圧電デバイスは、電子デバイス上に圧電振動子が実装されてなる圧電デバイスにおいて、前記圧電振動子は、互いの接合面同士が接合材を介して陽極接合された複数のガラス基板と、前記複数のガラス基板の間に形成されたキャビティ内に気密封止された圧電振動片とを備え、前記圧電振動片の振動部には、周波数調整用の質量調整膜が形成されるとともに、前記質量調整膜は、レーザー光が照射されることで部分的に除去されたレーザー照射痕を有し、前記キャビティ内において、前記圧電振動片から見て前記電子デバイス側の前記ガラス基板には、前記レーザー光の照射方向で少なくとも前記質量調整膜と重なるように保護膜が配置されていることを特徴としている。
この構成によれば、電子デバイス側のガラス基板において、レーザー光の照射方向で少なくとも質量調整膜と重なるように接合材が形成されているので、仮に質量調整膜に入射したレーザー光が圧電振動片を透過した場合であっても、レーザー光が保護膜によって反射および吸収されることになる。これにより、レーザー光が電子デバイスに入射することを抑制し、レーザー光による電子デバイスへのダメージを抑制することができる。
したがって、電子デバイスに装着した状態で圧電振動片の周波数調整を行う場合であっても、レーザー光による電子デバイスへのダメージを抑制することができるので、電子デバイスの特性の劣化を抑制することができる。したがって、高品質で信頼性の高い圧電デバイスを提供することができる。
したがって、電子デバイスに装着した状態で圧電振動片の周波数調整を行う場合であっても、レーザー光による電子デバイスへのダメージを抑制することができるので、電子デバイスの特性の劣化を抑制することができる。したがって、高品質で信頼性の高い圧電デバイスを提供することができる。
また、前記保護膜は、前記圧電振動子と前記電子デバイスとの接合面の法線方向において前記質量調整膜と重なるように配置されていることを特徴としている。
この構成によれば、保護膜が、圧電振動子と電子デバイスとの接合面の法線方向において質量調整膜と重なるように配置されているため、仮に質量調整膜に入射したレーザー光が圧電振動片を透過した場合であっても、レーザー光が保護膜によって反射および吸収されることになる。これにより、レーザー光が電子デバイスに入射することを抑制し、レーザー光による電子デバイスへのダメージを抑制することができる。
したがって、電子デバイスに装着した状態で圧電振動片の周波数調整を行う場合であっても、レーザー光による電子デバイスへのダメージを抑制することができるので、電子デバイスの特性の劣化を抑制することができる。したがって、高品質で信頼性の高い圧電デバイスを提供することができる。
この構成によれば、保護膜が、圧電振動子と電子デバイスとの接合面の法線方向において質量調整膜と重なるように配置されているため、仮に質量調整膜に入射したレーザー光が圧電振動片を透過した場合であっても、レーザー光が保護膜によって反射および吸収されることになる。これにより、レーザー光が電子デバイスに入射することを抑制し、レーザー光による電子デバイスへのダメージを抑制することができる。
したがって、電子デバイスに装着した状態で圧電振動片の周波数調整を行う場合であっても、レーザー光による電子デバイスへのダメージを抑制することができるので、電子デバイスの特性の劣化を抑制することができる。したがって、高品質で信頼性の高い圧電デバイスを提供することができる。
また、前記保護膜と前記接合材とが連続的に形成されていることを特徴としている。
この構成によれば、保護膜と接合材とを同時に、かつ同一材料によって形成することができるので、製造効率の向上及び製造コストの低減を図ることができる。
この構成によれば、保護膜と接合材とを同時に、かつ同一材料によって形成することができるので、製造効率の向上及び製造コストの低減を図ることができる。
また、前記複数のガラス基板として、ベース基板及びリッド基板を備え、前記リッド基板が前記電子デバイスに装着され、前記キャビティは、前記リッド基板の凹部で形成され、前記圧電振動片は、前記ベース基板に実装され、前記接合材及び前記保護膜は、前記リッド基板に形成されていることを特徴としている。
リッド基板における凹部の底面は非研磨面(擦りガラス状)であるため、リッド基板の外側からレーザー光を透過させることができない。
これに対して、本発明の構成によれば、リッド基板を電子デバイスに装着することで、ベース基板側からレーザー光を照射することになる。この場合、レーザー光をベース基板に効率的に透過させ、質量調整膜に入射させることができるので、質量調整膜を速やかに除去することができる。その結果、圧電振動片の周波数調整を速やかに行うことができる。
また、上述したようにリッド基板の凹部は擦りガラス状であるため、仮に質量調整膜に入射したレーザー光が、圧電振動片を透過してリッド基板の凹部の底面からリッド基板に入射しようとした場合であっても、レーザー光がリッド基板に入射し難い。そのため、レーザー光が電子デバイスに入射することをより確実に抑制することができる。
また、リッド基板に接合材を形成することで、ベース基板の製造工程を簡素化することができる。さらに、ベース基板の製造工程と並行してリッド基板に接合材を形成することができるので、製造効率の向上も図ることができる。
リッド基板における凹部の底面は非研磨面(擦りガラス状)であるため、リッド基板の外側からレーザー光を透過させることができない。
これに対して、本発明の構成によれば、リッド基板を電子デバイスに装着することで、ベース基板側からレーザー光を照射することになる。この場合、レーザー光をベース基板に効率的に透過させ、質量調整膜に入射させることができるので、質量調整膜を速やかに除去することができる。その結果、圧電振動片の周波数調整を速やかに行うことができる。
また、上述したようにリッド基板の凹部は擦りガラス状であるため、仮に質量調整膜に入射したレーザー光が、圧電振動片を透過してリッド基板の凹部の底面からリッド基板に入射しようとした場合であっても、レーザー光がリッド基板に入射し難い。そのため、レーザー光が電子デバイスに入射することをより確実に抑制することができる。
また、リッド基板に接合材を形成することで、ベース基板の製造工程を簡素化することができる。さらに、ベース基板の製造工程と並行してリッド基板に接合材を形成することができるので、製造効率の向上も図ることができる。
また、本発明の圧電デバイスの製造方法は、電子デバイス上に圧電振動子が実装されてなる圧電デバイスの製造方法であって、前記圧電振動子は、互いの接合面同士が接合材を介して陽極接合された複数のガラス基板と、前記複数のガラス基板の間に形成されたキャビティ内に気密封止された圧電振動片とを備え、前記電子デバイス上に前記圧電振動子を実装した状態で、前記圧電振動片の振動部に形成された周波数調整用の質量調整膜に対して、レーザー光を照射して、前記質量調整膜を部分的に除去する質量調整工程を有し、前記キャビティ内において、前記圧電振動片から見て前記電子デバイス側の前記ガラス基板には、前記レーザー光の照射方向で少なくとも前記質量調整膜と重なるように保護膜が配置されていることを特徴としている。
この構成によれば、電子デバイスに圧電振動子を装着した状態で、圧電振動片の周波数調整を行うことで、圧電振動片の周波数を所定範囲内に高精度に調整することができる。
この場合、電子デバイス側のガラス基板において、レーザー光の照射方向で少なくとも質量調整膜と重なるように接合材が形成されているので、仮に質量調整膜に入射したレーザー光が圧電振動片を透過した場合であっても、レーザー光が保護膜によって反射および吸収されることになる。これにより、レーザー光が電子デバイスに入射することを抑制し、レーザー光による電子デバイスへのダメージを抑制することができる。
したがって、電子デバイスに装着した状態で圧電振動片の周波数調整を行う場合であっても、レーザー光による電子デバイスへのダメージを抑制することができるので、電子デバイスの特性の劣化を抑制することができる。したがって、高品質で信頼性の高い圧電デバイスを提供することができる。
この構成によれば、電子デバイスに圧電振動子を装着した状態で、圧電振動片の周波数調整を行うことで、圧電振動片の周波数を所定範囲内に高精度に調整することができる。
この場合、電子デバイス側のガラス基板において、レーザー光の照射方向で少なくとも質量調整膜と重なるように接合材が形成されているので、仮に質量調整膜に入射したレーザー光が圧電振動片を透過した場合であっても、レーザー光が保護膜によって反射および吸収されることになる。これにより、レーザー光が電子デバイスに入射することを抑制し、レーザー光による電子デバイスへのダメージを抑制することができる。
したがって、電子デバイスに装着した状態で圧電振動片の周波数調整を行う場合であっても、レーザー光による電子デバイスへのダメージを抑制することができるので、電子デバイスの特性の劣化を抑制することができる。したがって、高品質で信頼性の高い圧電デバイスを提供することができる。
また、前記質量調整工程では、前記電子デバイスにおける吸収率が30%以下となる波長の前記レーザー光を照射することを特徴としている。
この構成によれば、レーザー光の波長を電子デバイスにおける吸収率が30%以下となる波長に設定することで、仮にレーザー光が電子デバイスに入射したとしても、電子デバイスに入射したレーザー光のほとんどが反射または透過されることになる。これにより、レーザー光による電子デバイスへのダメージを抑制することができる。
この構成によれば、レーザー光の波長を電子デバイスにおける吸収率が30%以下となる波長に設定することで、仮にレーザー光が電子デバイスに入射したとしても、電子デバイスに入射したレーザー光のほとんどが反射または透過されることになる。これにより、レーザー光による電子デバイスへのダメージを抑制することができる。
また、前記保護膜と前記接合材とを一括して形成することを特徴としている。
この構成によれば、保護膜と接合材とを同時に、かつ同一材料によって形成することができるので、製造効率の向上及び製造コストの低減を図ることができる。
この構成によれば、保護膜と接合材とを同時に、かつ同一材料によって形成することができるので、製造効率の向上及び製造コストの低減を図ることができる。
本発明に係る圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法によれば、電子デバイスに圧電振動子を装着した状態で、圧電振動片の周波数調整を行うことで、圧電振動片の周波数を所定範囲内に高精度に調整することができる。
この場合、電子デバイス側のガラス基板において、レーザー光の照射方向で少なくとも質量調整膜と重なるように接合材が形成されているので、仮に質量調整膜に入射したレーザー光が圧電振動片を透過した場合であっても、レーザー光が保護膜によって反射および吸収されることになる。これにより、レーザー光が電子デバイスに入射することを抑制し、レーザー光による電子デバイスへのダメージを抑制することができる。
したがって、電子デバイスに装着した状態で圧電振動片の周波数調整を行う場合であっても、レーザー光による電子デバイスへのダメージを抑制することができるので、電子デバイスの特性の劣化を抑制することができる。したがって、高品質で信頼性の高い圧電デバイスを提供することができる。
この場合、電子デバイス側のガラス基板において、レーザー光の照射方向で少なくとも質量調整膜と重なるように接合材が形成されているので、仮に質量調整膜に入射したレーザー光が圧電振動片を透過した場合であっても、レーザー光が保護膜によって反射および吸収されることになる。これにより、レーザー光が電子デバイスに入射することを抑制し、レーザー光による電子デバイスへのダメージを抑制することができる。
したがって、電子デバイスに装着した状態で圧電振動片の周波数調整を行う場合であっても、レーザー光による電子デバイスへのダメージを抑制することができるので、電子デバイスの特性の劣化を抑制することができる。したがって、高品質で信頼性の高い圧電デバイスを提供することができる。
以下、図面に基づいて、本発明の実施形態を説明する。
(圧電デバイス)
図1は、図2のA−A線に相当する断面図であり、本実施形態における圧電デバイスの断面図である。
図1に示すように、圧電デバイス30は、RTCモジュール等のシリコンデバイス31と、シリコンデバイス31の主面31a上に図示しない接着剤等を介して実装された圧電振動子1とを備えている。シリコンデバイス31の主面31aにおける外周側には、圧電振動子1との電気的接続を行うための複数のランド32が配列されており、圧電振動子1の後述する外部電極6,7とがワイヤ33により接続されている。なお、図示しないが、圧電デバイス30(圧電振動子1及びシリコンデバイス31)は、エポキシ樹脂等により一体的にモールドされている。
(圧電デバイス)
図1は、図2のA−A線に相当する断面図であり、本実施形態における圧電デバイスの断面図である。
図1に示すように、圧電デバイス30は、RTCモジュール等のシリコンデバイス31と、シリコンデバイス31の主面31a上に図示しない接着剤等を介して実装された圧電振動子1とを備えている。シリコンデバイス31の主面31aにおける外周側には、圧電振動子1との電気的接続を行うための複数のランド32が配列されており、圧電振動子1の後述する外部電極6,7とがワイヤ33により接続されている。なお、図示しないが、圧電デバイス30(圧電振動子1及びシリコンデバイス31)は、エポキシ樹脂等により一体的にモールドされている。
(圧電振動子)
図2は圧電振動子の内部構成図であって、リッド基板を取り外した状態で圧電振動片を上方から見た図ある。また、図3は圧電振動子の分解斜視図である。
図1〜図3に示すように、圧電振動子1は、ベース基板2とリッド基板3とで2層に積層された箱状に形成されており、内部のキャビティC内に圧電振動片5が収納された表面実装型の圧電振動子1である。そして、圧電振動片5とベース基板2の外側に設置された外部電極6,7とが、ベース基板2を貫通する一対の貫通電極8,9によって電気的に接続されている。
図2は圧電振動子の内部構成図であって、リッド基板を取り外した状態で圧電振動片を上方から見た図ある。また、図3は圧電振動子の分解斜視図である。
図1〜図3に示すように、圧電振動子1は、ベース基板2とリッド基板3とで2層に積層された箱状に形成されており、内部のキャビティC内に圧電振動片5が収納された表面実装型の圧電振動子1である。そして、圧電振動片5とベース基板2の外側に設置された外部電極6,7とが、ベース基板2を貫通する一対の貫通電極8,9によって電気的に接続されている。
ベース基板2は、ガラス材料、例えばソーダ石灰ガラスからなる透明な絶縁基板で板状に形成されている。ベース基板2には、厚さ方向に貫通して一対の貫通電極8,9が形成される一対のスルーホール21,22が形成されている。
リッド基板3は、ベース基板2と同様に、ガラス材料、例えばソーダ石灰ガラスからなる透明の絶縁基板であり、ベース基板2に重ね合わせ可能な大きさの板状に形成されている。そして、リッド基板3のベース基板2が接合される接合面側には、圧電振動片5が収容される矩形状の凹部3aが形成されている。
この凹部3aは、ベース基板2及びリッド基板3が重ね合わされたときに、圧電振動片5を収容するキャビティCを形成する。そして、リッド基板3は、凹部3aをベース基板2側に対向させた状態でベース基板2に対して後述する接合膜23を介して陽極接合されている。
この凹部3aは、ベース基板2及びリッド基板3が重ね合わされたときに、圧電振動片5を収容するキャビティCを形成する。そして、リッド基板3は、凹部3aをベース基板2側に対向させた状態でベース基板2に対して後述する接合膜23を介して陽極接合されている。
圧電振動片5は、水晶、タンタル酸リチウムやニオブ酸リチウム等の圧電材料から形成された音叉型の振動片であり、所定の電圧が印加されたときに振動するものである。
この圧電振動片5は、平行に配置された一対の振動腕部24,25と、一対の振動腕部24,25の基端側を一体的に固定する基部26とからなる音叉型で、一対の振動腕部24,25の外表面上には、振動腕部24,25を振動させる図示しない一対の第1の励振電極と第2の励振電極とからなる励振電極と、第1の励振電極及び第2の励振電極と後述する引き回し電極27,28とを電気的に接続する一対のマウント電極とを有している(何れも不図示)。
この圧電振動片5は、平行に配置された一対の振動腕部24,25と、一対の振動腕部24,25の基端側を一体的に固定する基部26とからなる音叉型で、一対の振動腕部24,25の外表面上には、振動腕部24,25を振動させる図示しない一対の第1の励振電極と第2の励振電極とからなる励振電極と、第1の励振電極及び第2の励振電極と後述する引き回し電極27,28とを電気的に接続する一対のマウント電極とを有している(何れも不図示)。
また、一対の振動腕部24,25の先端側における両面には、Au等からなり、レーザー光R(図4参照)により除去されることで、自身の振動状態を所定の周波数の範囲内で振動するように調整(周波数調整)を行うための重り金属膜(質量調整膜)17が被膜されている。なお、この重り金属膜17は、周波数を粗く調整する際に使用される粗調膜と、微小に調整する際に使用される微調膜とに分かれている(図面ではまとめて重り金属膜17として示す)。これら粗調膜及び微調膜を利用して周波数調整を行うことで、一対の振動腕部24,25の周波数を圧電デバイス30の公称(目標)周波数の範囲内に収めるようになっている。
また、リッド基板3における凹部3aの底面は非研磨面(擦りガラス状)であるため、リッド基板3の外側からはレーザー光Rを透過させることができない。したがって、重り金属膜17は、ベース基板2の外側端面(図1中上面)側からレーザー照射されることになる。そこで、圧電振動子1の平面視で外部電極6,7と重ならない位置に、重り金属膜17は配置されている。
また、リッド基板3における凹部3aの底面は非研磨面(擦りガラス状)であるため、リッド基板3の外側からはレーザー光Rを透過させることができない。したがって、重り金属膜17は、ベース基板2の外側端面(図1中上面)側からレーザー照射されることになる。そこで、圧電振動子1の平面視で外部電極6,7と重ならない位置に、重り金属膜17は配置されている。
このように構成された圧電振動片5は、金等のバンプBを利用して、ベース基板2の内側端面(図1中下面)に形成された引き回し電極27,28上にバンプ接合されている。より具体的には、圧電振動片5の第1の励振電極が、一方のマウント電極及びバンプBを介して一方の引き回し電極27上にバンプ接合され、第2の励振電極が他方のマウント電極及びバンプBを介して他方の引き回し電極28上にバンプ接合されている。これにより、圧電振動片5は、ベース基板2の内側端面から浮いた状態で支持されるとともに、各マウント電極と引き回し電極27,28とがそれぞれ電気的に接続された状態となっている。
ここで、上述したリッド基板3には、凹部3a内面及びベース基板2が接合される接合面の全域に亘って、導電性材料(例えば、シリコン、アルミニウム等)により、陽極接合用の接合膜(接合材、保護膜)23がパターニングされている。具体的に、接合膜23は、ベース基板2との接合面から凹部3aの側面及び底面に亘って、リッド基板3の内側端面上で連続的に形成されている。すなわち、凹部3aの底面に配置された接合膜23は、圧電振動子1とシリコンデバイス31との接合面(リッド基板3の外側端面)の法線方向において、重り金属膜17と重なるように配置されている。さらに、接合膜23は、圧電振動片5における重り金属膜17の形成面の法線方向においても、重り金属膜17と重なるように配置されている。
そして、リッド基板3は、接合膜23を利用して、凹部3aをベース基板2側に対向させた状態でベース基板2に対して陽極接合されている。
そして、リッド基板3は、接合膜23を利用して、凹部3aをベース基板2側に対向させた状態でベース基板2に対して陽極接合されている。
また、外部電極6,7は、ベース基板2の外側端面における長手方向の両端に設置されており、各貫通電極8,9及び各引き回し電極27,28を介して圧電振動片5に電気的に接続されている。より具体的には、一方の外部電極6は、一方の貫通電極8及び一方の引き回し電極27を介して圧電振動片5の一方のマウント電極に電気的に接続されている。また、他方の外部電極7は、他方の貫通電極9及び他方の引き回し電極28を介して、圧電振動片5の他方のマウント電極に電気的に接続されている。
貫通電極8,9は、スルーホール21,22を完全に塞いでキャビティC内の気密を維持しているとともに、引き回し電極27,28と外部電極6,7とを導通させる役割を担っている。具体的に、一方の貫通電極8は、外部電極6と基部26との間で引き回し電極27の下方に位置しており、他方の貫通電極9は、外部電極7と振動腕部25との間で引き回し電極28の下方に位置している。
このように構成された圧電振動子1は、リッド基板3の外側端面(図1中下面)がシリコンデバイス31の主面31a上に接着剤等を介して固定されている。すなわち、圧電振動子1は、ベース基板2の外部電極6,7が上方(図1中上方)に向いた状態で、シリコンデバイス31上に実装されている。
このように構成された圧電デバイス30において、圧電振動子1に電圧を印加すると、この圧電振動子1内の圧電振動片5の振動腕部24,25が、接近・離間する方向に所定の周波数で振動する。この振動は、圧電振動片5が有する圧電特性により電気信号に変換されて、シリコンデバイス31に電気信号として入力される。入力された電気信号は、シリコンデバイス31によって各種処理がなされ、周波数信号として出力される。そして、シリコンデバイス31がRTCモジュールの場合には、圧電振動子1が時計用単機能発振器等の役割を担うことになる。
(圧電デバイスの製造方法)
次に、上述した圧電デバイスの製造方法について説明する。
初めに、図1〜図3に示すキャビティC内に圧電振動片5が気密封止された圧電振動子1を作製する。この際、本実施形態では、リッド基板3におけるベース基板2との接合面から凹部3aの側面及び底面に亘って接合膜23を連続的に形成することで、凹部3aの内面とベース基板2との接合面とに同時に、かつ同一材料によって接合膜23を形成することができる。そのため、凹部3aの内面とベース基板2との接合面とに接合膜23を別々に形成する場合に比べて、製造効率の向上及び製造コストの低減を図ることができる。
なお、重り金属膜17のうち、粗調膜により周波数を粗く調整する粗調は、圧電振動片5をキャビティC内に気密封止する前に行っておく。一方、共振周波数をより高精度に調整する微調に関しては、シリコンデバイス31への装着(接着)後に行う。
次に、上述した圧電デバイスの製造方法について説明する。
初めに、図1〜図3に示すキャビティC内に圧電振動片5が気密封止された圧電振動子1を作製する。この際、本実施形態では、リッド基板3におけるベース基板2との接合面から凹部3aの側面及び底面に亘って接合膜23を連続的に形成することで、凹部3aの内面とベース基板2との接合面とに同時に、かつ同一材料によって接合膜23を形成することができる。そのため、凹部3aの内面とベース基板2との接合面とに接合膜23を別々に形成する場合に比べて、製造効率の向上及び製造コストの低減を図ることができる。
なお、重り金属膜17のうち、粗調膜により周波数を粗く調整する粗調は、圧電振動片5をキャビティC内に気密封止する前に行っておく。一方、共振周波数をより高精度に調整する微調に関しては、シリコンデバイス31への装着(接着)後に行う。
次に、圧電振動子1をシリコンデバイス31の主面31a上に実装する。具体的には、圧電振動子1のリッド基板3をシリコンデバイス31の主面31aに向けた状態で、接着剤により接着する。その後、ワイヤボンディングにより、圧電振動子1の外部電極6,7とシリコンデバイス31のランド32とをワイヤ33により接続し、圧電振動子1とシリコンデバイス31とを導通させる。なお、本実施形態では、圧電振動子1をシリコンデバイス31に実装した後に後述する微調工程を行う場合について説明するが、圧電振動子1をシリコンデバイス31に接着しただけの状態で微調工程を行うことも可能である。
次に、図4に示すように、レーザー40を用いて、キャビティC内に封止された圧電振動片5の周波数を微調整して所定の範囲内に収める微調工程(質量調整工程)を行う。具体的に説明すると、まず圧電振動子1に電圧を印加して圧電振動片5を振動させる。そして、圧電振動片5の周波数を計測しながら、キャビティCの外側、具体的には圧電振動子1に対してシリコンデバイス31の反対側(ベース基板2の外側端面側)から重り金属膜17に向けてレーザー光Rを照射する。すると、レーザー光Rがベース基板2を厚さ方向に沿って透過し、圧電振動片5上に配置された重り金属膜17の微調膜に入射することで、微調膜が蒸発して除去される。これにより、一対の振動腕部24,25の先端側の重量が変化し、圧電振動片5の周波数を、公称周波数の所定範囲内に収まるように微調整することができる。なお、重り金属膜17において、レーザー光Rが照射された部位は、その表面が蒸発してレーザー照射痕39が残る。
ここで、上述した微調工程について詳述する。
図5はシリコンデバイスの分光感度特性を示すグラフであり、波長に対する相対感度を示している。なお、相対感度とは、シリコンデバイス31に照射されるレーザー光Rのエネルギーに対して、シリコンデバイス31で吸収されるエネルギーの割合、すなわちシリコンデバイス31におけるレーザー光Rの吸収率を示している。
本実施形態において、上述した微調工程で使用するレーザー40は、シリコンデバイス31における吸収率が30%以下の波長のレーザー光Rを出射するものであることが好ましい。具体的には、図5に示すように、レーザー光Rの波長が355nm以上550nm以下(以下、第1波長域Xという)、または1060μm以上(以下、第2波長域Yという)の波長域に収まるレーザー40であることが好ましい。このような波長域に収まるレーザー40としては、例えばUV−Deepレーザー(波長:355nm)や、グリーンレーザー(波長:532nm)、YAGレーザー(波長:1064nm)等を用いることが可能であり、本実施形態ではグリーンレーザーが好適に用いられている。
図5はシリコンデバイスの分光感度特性を示すグラフであり、波長に対する相対感度を示している。なお、相対感度とは、シリコンデバイス31に照射されるレーザー光Rのエネルギーに対して、シリコンデバイス31で吸収されるエネルギーの割合、すなわちシリコンデバイス31におけるレーザー光Rの吸収率を示している。
本実施形態において、上述した微調工程で使用するレーザー40は、シリコンデバイス31における吸収率が30%以下の波長のレーザー光Rを出射するものであることが好ましい。具体的には、図5に示すように、レーザー光Rの波長が355nm以上550nm以下(以下、第1波長域Xという)、または1060μm以上(以下、第2波長域Yという)の波長域に収まるレーザー40であることが好ましい。このような波長域に収まるレーザー40としては、例えばUV−Deepレーザー(波長:355nm)や、グリーンレーザー(波長:532nm)、YAGレーザー(波長:1064nm)等を用いることが可能であり、本実施形態ではグリーンレーザーが好適に用いられている。
図6はガラス材料の分光感度特性を示すグラフであり、波長に対する透過率を示している。
上述した第1波長域Xまたは第2波長域Yのレーザー40を採用した場合、図6に示すように、ガラス材料に対する透過率は約50%〜70%程度となっている。そのため、ベース基板2の外側端面側から入射するレーザー光Rのうち、一部はベース基板2で反射または吸収される一方、残りがベース基板2を透過して圧電振動片5の一方の面(ベース基板2側)上に配置された重り金属膜17に入射する。これにより、一方の面側の重り金属膜17が蒸発して除去されることになる。そして、重り金属膜17が除去された部位等に再びレーザー光Rが入射すると、レーザー光Rは一方の面側の重り金属膜17を貫通して圧電振動片5に入射する。
上述した第1波長域Xまたは第2波長域Yのレーザー40を採用した場合、図6に示すように、ガラス材料に対する透過率は約50%〜70%程度となっている。そのため、ベース基板2の外側端面側から入射するレーザー光Rのうち、一部はベース基板2で反射または吸収される一方、残りがベース基板2を透過して圧電振動片5の一方の面(ベース基板2側)上に配置された重り金属膜17に入射する。これにより、一方の面側の重り金属膜17が蒸発して除去されることになる。そして、重り金属膜17が除去された部位等に再びレーザー光Rが入射すると、レーザー光Rは一方の面側の重り金属膜17を貫通して圧電振動片5に入射する。
図7は圧電振動片の分光感度特性を示すグラフであり、波長に対する透過率を示している。
図7に示すように、第1波長域X及び第2波長域Yのレーザー光Rは、何れの波長域においても圧電振動片5(水晶)に対する透過率が約90%以上となっている。そのため、圧電振動片5に入射したレーザー光Rは、ほとんどが圧電振動片5を透過して他方の面側(リッド基板3側)に配置された重り金属膜17に入射し、他方の面側の重り金属膜17が蒸発して除去されることになる。
図7に示すように、第1波長域X及び第2波長域Yのレーザー光Rは、何れの波長域においても圧電振動片5(水晶)に対する透過率が約90%以上となっている。そのため、圧電振動片5に入射したレーザー光Rは、ほとんどが圧電振動片5を透過して他方の面側(リッド基板3側)に配置された重り金属膜17に入射し、他方の面側の重り金属膜17が蒸発して除去されることになる。
ところで、微調工程において、圧電振動片5の両面の重り金属膜17が除去された部位等にレーザー光Rが入射すると、レーザー光Rが圧電振動片5を透過し、リッド基板3に入射する場合がある。この場合、レーザー光Rがリッド基板3を透過してシリコンデバイス31に入射してしまう虞がある。そして、シリコンデバイス31に入射したレーザー光Rがシリコンデバイス31で吸収されると、シリコンデバイス31がダメージを受け、シリコンデバイス31の特性が変動してしまう虞がある。
そこで、本実施形態では、上述したようにリッド基板3におけるベース基板2との接合面から凹部3aの側面及び底面に亘って接合膜23が連続的に形成されている。すなわち、凹部3aの底面において、圧電振動片5よりもレーザー光Rの照射方向下流側で重り金属膜17に重なる位置にも接合膜23が配置されている。そのため、仮に圧電振動片5を透過したレーザー光Rがリッド基板3に入射しようとしても、リッド基板3に到達する前段で接合膜23によって反射または吸収される。これにより、レーザー光Rがシリコンデバイス31に入射することを抑制することができるので、レーザー光Rによるシリコンデバイス31へのダメージを抑制することができる。また、圧電振動子1をシリコンデバイス31に接着した状態で圧電振動片5の周波数調整を行うことで、製造工程における最終段階で周波数を調整することができる。そのため、後の周波数のずれが小さくなるので、圧電振動片5の周波数を所定範囲内に高精度に調整することができる。
その後、圧電デバイス30の電気特性検査を行う。すなわち、圧電振動片5の共振周波数、共振抵抗値、ドライブレベル特性(共振周波数及び共振抵抗値の励振電力依存性)等を測定してチェックする。また、絶縁抵抗特性等を併せてチェックする。その後、圧電デバイス30全体を樹脂等によりモールドする。
そして、最後に圧電デバイス30の外観検査を行って、寸法や品質等を最終的にチェックする。これをもって圧電デバイス30の製造が終了する。
そして、最後に圧電デバイス30の外観検査を行って、寸法や品質等を最終的にチェックする。これをもって圧電デバイス30の製造が終了する。
このように、本実施形態では、リッド基板3の凹部3aの底面において、圧電振動片5よりもレーザー光Rの照射方向下流側で重り金属膜17に重なる位置にも接合膜23が配置されている構成とした。
この構成によれば、仮にレーザー光Rが圧電振動片5を透過してリッド基板3に入射しようとした場合であっても、レーザー光Rが接合膜23によって反射または吸収されることになる。これにより、レーザー光Rがシリコンデバイス31に入射することを抑制し、レーザー光Rによるシリコンデバイス31へのダメージを抑制することができる。
この構成によれば、仮にレーザー光Rが圧電振動片5を透過してリッド基板3に入射しようとした場合であっても、レーザー光Rが接合膜23によって反射または吸収されることになる。これにより、レーザー光Rがシリコンデバイス31に入射することを抑制し、レーザー光Rによるシリコンデバイス31へのダメージを抑制することができる。
さらに、本実施形態では上述した第1波長域X及び第2波長域Y(図5参照)のレーザー40を使用する構成とした。
この構成によれば、レーザー光Rの波長域を第1波長域Xまたは第2波長域Yに設定することで、仮にレーザー光Rが圧電振動片5及びリッド基板3を透過してシリコンデバイス31に入射したとしても、シリコンデバイス31に入射したレーザー光Rのほとんどが反射または透過されることになる。これにより、シリコンデバイス31がレーザー光Rにより受けるダメージを抑制することができる。
したがって、シリコンデバイス31に実装した状態で圧電振動片5の周波数調整を行う場合であっても、レーザー光Rによるシリコンデバイス31へのダメージを抑制することができるので、シリコンデバイス31の特性の劣化を抑制することができる。したがって、高品質で信頼性の高い圧電デバイス30を提供することができる。
この構成によれば、レーザー光Rの波長域を第1波長域Xまたは第2波長域Yに設定することで、仮にレーザー光Rが圧電振動片5及びリッド基板3を透過してシリコンデバイス31に入射したとしても、シリコンデバイス31に入射したレーザー光Rのほとんどが反射または透過されることになる。これにより、シリコンデバイス31がレーザー光Rにより受けるダメージを抑制することができる。
したがって、シリコンデバイス31に実装した状態で圧電振動片5の周波数調整を行う場合であっても、レーザー光Rによるシリコンデバイス31へのダメージを抑制することができるので、シリコンデバイス31の特性の劣化を抑制することができる。したがって、高品質で信頼性の高い圧電デバイス30を提供することができる。
ところで、上述したようにリッド基板3における凹部3aの底面は非研磨面(擦りガラス状)であるため、リッド基板3の外側からレーザー光Rを透過させることができない。
これに対して、本実施形態によれば、リッド基板3をシリコンデバイス31に接着することで、研磨面であるベース基板2側からレーザー光Rを入射させることになる。この場合、レーザー光Rをベース基板2に効率的に透過させ、重り金属膜17に入射させることができるので、重り金属膜17を速やかに除去することができる。その結果、圧電振動片5の周波数調整を速やかに行うことができる。
また、上述したようにリッド基板3の凹部3aは擦りガラス状であるため、仮に重り金属膜17に入射したレーザー光Rが、圧電振動片5を透過して凹部3aの底面に入射しようとした場合であっても、レーザー光Rがリッド基板3に入射し難い。そのため、レーザー光Rがシリコンデバイス31に入射することを、より確実に抑制することができる。
また、リッド基板3側に接合膜23を形成することで、ベース基板2の製造工程を簡素化することができる。さらに、ベース基板2の製造工程と並行してリッド基板3に接合膜23を形成することができるので、製造効率の向上も図ることができる。
これに対して、本実施形態によれば、リッド基板3をシリコンデバイス31に接着することで、研磨面であるベース基板2側からレーザー光Rを入射させることになる。この場合、レーザー光Rをベース基板2に効率的に透過させ、重り金属膜17に入射させることができるので、重り金属膜17を速やかに除去することができる。その結果、圧電振動片5の周波数調整を速やかに行うことができる。
また、上述したようにリッド基板3の凹部3aは擦りガラス状であるため、仮に重り金属膜17に入射したレーザー光Rが、圧電振動片5を透過して凹部3aの底面に入射しようとした場合であっても、レーザー光Rがリッド基板3に入射し難い。そのため、レーザー光Rがシリコンデバイス31に入射することを、より確実に抑制することができる。
また、リッド基板3側に接合膜23を形成することで、ベース基板2の製造工程を簡素化することができる。さらに、ベース基板2の製造工程と並行してリッド基板3に接合膜23を形成することができるので、製造効率の向上も図ることができる。
図8は波長に対するシリコンの透過率を示すグラフである。なお、図8はシリコンの薄膜を吸光光度法により測定した結果である。吸光光度法とは、測定対象である薄膜(シリコン)に波長の異なるレーザー光を当て、各波長のレーザー光が薄膜を透過する際の光の吸収程度を測定する方法である。
図8に示すように、接合膜23の構成材料がシリコンの場合、190nm〜520nmの短波長域では透過率は0%になる。すなわち、接合膜23に入射したレーザー光Rのほぼ全てが反射または吸収される。一方、長波長になるにつれ透過率が増加傾向にあり、波長が750nm付近及び1000nm付近でピーク(約30%と約70%)が検出される。したがって、接合膜23がシリコンからなる場合には、第1波長域Xのレーザー40を採用することが好ましい。なお、上述した図5のグラフは、シリコンデバイス31を構成するシリコンのバルク材の特性であるのに対して、図8は接合膜23を構成する熱処理等により形成されたシリコン薄膜の特性である。したがって、同一材料であっても、両者の挙動は異なるようになっている。
図8に示すように、接合膜23の構成材料がシリコンの場合、190nm〜520nmの短波長域では透過率は0%になる。すなわち、接合膜23に入射したレーザー光Rのほぼ全てが反射または吸収される。一方、長波長になるにつれ透過率が増加傾向にあり、波長が750nm付近及び1000nm付近でピーク(約30%と約70%)が検出される。したがって、接合膜23がシリコンからなる場合には、第1波長域Xのレーザー40を採用することが好ましい。なお、上述した図5のグラフは、シリコンデバイス31を構成するシリコンのバルク材の特性であるのに対して、図8は接合膜23を構成する熱処理等により形成されたシリコン薄膜の特性である。したがって、同一材料であっても、両者の挙動は異なるようになっている。
以上、本発明の実施形態について図面を参照して詳述したが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。
例えば、上述した実施形態では、シリコンデバイス31としてRTCモジュールを採用した場合について説明したが、これに限られず照度センサ等に用いるシリコンフォトダイオードに圧電振動子を実装する場合等にも適用することができる。
また、上述した実施形態では、リッド基板3の内側端面の全域に亘って接合膜23を形成している場合について説明したが、これに限らずリッド基板3の接合面と凹部3aの底面におけるレーザー光Rの照射方向で重り金属膜17と重なる領域のみに別々に接合膜23を形成する構成でも構わない。この場合、接合膜23をそれぞれ異なる材料で形成することも可能である。
さらに、上述した実施形態では、圧電振動子1とシリコンデバイス31とをワイヤ33により接続する場合について説明したが、これに限らず貫通電極等で接続しても構わない。
例えば、上述した実施形態では、シリコンデバイス31としてRTCモジュールを採用した場合について説明したが、これに限られず照度センサ等に用いるシリコンフォトダイオードに圧電振動子を実装する場合等にも適用することができる。
また、上述した実施形態では、リッド基板3の内側端面の全域に亘って接合膜23を形成している場合について説明したが、これに限らずリッド基板3の接合面と凹部3aの底面におけるレーザー光Rの照射方向で重り金属膜17と重なる領域のみに別々に接合膜23を形成する構成でも構わない。この場合、接合膜23をそれぞれ異なる材料で形成することも可能である。
さらに、上述した実施形態では、圧電振動子1とシリコンデバイス31とをワイヤ33により接続する場合について説明したが、これに限らず貫通電極等で接続しても構わない。
1…圧電振動子 2…ベース基板 3…リッド基板 3a…凹部 4…圧電振動片 17…重り金属膜(質量調整膜) 23…接合膜(接合材、保護膜) 30…圧電デバイス 31…シリコンデバイス(電子デバイス) 39…レーザー照射痕 40…レーザー C…キャビティ
Claims (7)
- 電子デバイス上に圧電振動子が実装されてなる圧電デバイスにおいて、
前記圧電振動子は、互いの接合面同士が接合材を介して陽極接合された複数のガラス基板と、
前記複数のガラス基板の間に形成されたキャビティ内に気密封止された圧電振動片とを備え、
前記圧電振動片の振動部には、周波数調整用の質量調整膜が形成されるとともに、前記質量調整膜は、レーザー光が照射されることで部分的に除去されたレーザー照射痕を有し、
前記キャビティ内において、前記圧電振動片から見て前記電子デバイス側の前記ガラス基板には、前記レーザー光の照射方向で少なくとも前記質量調整膜と重なるように保護膜が配置されていることを特徴とする圧電デバイス。 - 前記保護膜は、前記圧電振動子と前記電子デバイスとの接合面の法線方向において前記質量調整膜と重なるように配置されていることを特徴とする請求項1記載の圧電デバイス。
- 前記保護膜と前記接合材とが連続的に形成されていることを特徴とする請求項1または請求項2記載の圧電デバイス。
- 前記複数のガラス基板として、ベース基板及びリッド基板を備え、
前記リッド基板が前記電子デバイスに装着され、
前記キャビティは、前記リッド基板の凹部で形成され、
前記圧電振動片は、前記ベース基板に実装され、
前記接合材及び前記保護膜は、前記リッド基板に形成されていることを特徴とする請求項1ないし請求項3の何れか1項に記載の圧電デバイス。 - 電子デバイス上に圧電振動子が実装されてなる圧電デバイスの製造方法であって、
前記圧電振動子は、互いの接合面同士が接合材を介して陽極接合された複数のガラス基板と、
前記複数のガラス基板の間に形成されたキャビティ内に気密封止された圧電振動片とを備え、
前記電子デバイス上に前記圧電振動子を実装した状態で、前記圧電振動片の振動部に形成された周波数調整用の質量調整膜に対して、レーザー光を照射して、前記質量調整膜を部分的に除去する質量調整工程を有し、
前記キャビティ内において、前記圧電振動片から見て前記電子デバイス側の前記ガラス基板には、前記レーザー光の照射方向で少なくとも前記質量調整膜と重なるように保護膜が配置されていることを特徴とする圧電デバイスの製造方法。 - 前記質量調整工程では、前記電子デバイスにおける吸収率が30%以下となる波長の前記レーザー光を照射することを特徴とする請求項5記載の圧電デバイスの製造方法。
- 前記保護膜と前記接合材とを一括して形成することを特徴とする請求項5または請求項6記載の圧電デバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009198716A JP2011049992A (ja) | 2009-08-28 | 2009-08-28 | 圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009198716A JP2011049992A (ja) | 2009-08-28 | 2009-08-28 | 圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011049992A true JP2011049992A (ja) | 2011-03-10 |
Family
ID=43835845
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009198716A Withdrawn JP2011049992A (ja) | 2009-08-28 | 2009-08-28 | 圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2011049992A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20110018398A1 (en) * | 2009-07-24 | 2011-01-27 | Fukuda Junya | Piezoelectric vibrator, manufacturing method of piezoelectric vibrator, oscillator, electronic device, and radio-controlled clock |
US20110018388A1 (en) * | 2009-07-24 | 2011-01-27 | Fukuda Junya | Piezoelectric vibrator, manufacturing method of piezoelectric vibrator, oscillator, electronic device, and radio-controlled clock |
JP2013030957A (ja) * | 2011-07-28 | 2013-02-07 | Seiko Instruments Inc | 電子デバイス、発振器及び電子デバイスの製造方法 |
JP2015173166A (ja) * | 2014-03-11 | 2015-10-01 | セイコーインスツル株式会社 | 光センサ |
JP2016085177A (ja) * | 2014-10-28 | 2016-05-19 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、電子機器および移動体 |
CN111384913A (zh) * | 2018-12-28 | 2020-07-07 | 精工爱普生株式会社 | 振动器件、振动模块、电子设备以及移动体 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001085963A (ja) * | 1999-09-13 | 2001-03-30 | Seiko Epson Corp | 圧電振動片の加工方法及び加工装置 |
JP2003060439A (ja) * | 2001-08-08 | 2003-02-28 | Seiko Instruments Inc | 圧電発振器 |
JP2003332871A (ja) * | 2002-05-14 | 2003-11-21 | Seiko Instruments Inc | 圧電振動子及び圧電振動子の製造方法 |
JP2006014270A (ja) * | 2004-05-21 | 2006-01-12 | Seiko Epson Corp | 水晶振動子の製造方法、その装置及び水晶振動子 |
JP2006101181A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-04-13 | Seiko Epson Corp | 圧電発振器および電子機器 |
JP2006202971A (ja) * | 2005-01-20 | 2006-08-03 | New Japan Radio Co Ltd | 半導体光センサ |
JP2007067773A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Seiko Epson Corp | 発振器及び電子機器 |
JP2007281370A (ja) * | 2006-04-11 | 2007-10-25 | Epson Toyocom Corp | 蓋体、圧電デバイスおよび電子デバイスの製造方法 |
JP2009130665A (ja) * | 2007-11-26 | 2009-06-11 | Epson Toyocom Corp | 圧電発振器 |
WO2009104329A1 (ja) * | 2008-02-21 | 2009-08-27 | セイコーインスツル株式会社 | 圧電振動子の製造方法、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計 |
-
2009
- 2009-08-28 JP JP2009198716A patent/JP2011049992A/ja not_active Withdrawn
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001085963A (ja) * | 1999-09-13 | 2001-03-30 | Seiko Epson Corp | 圧電振動片の加工方法及び加工装置 |
JP2003060439A (ja) * | 2001-08-08 | 2003-02-28 | Seiko Instruments Inc | 圧電発振器 |
JP2003332871A (ja) * | 2002-05-14 | 2003-11-21 | Seiko Instruments Inc | 圧電振動子及び圧電振動子の製造方法 |
JP2006014270A (ja) * | 2004-05-21 | 2006-01-12 | Seiko Epson Corp | 水晶振動子の製造方法、その装置及び水晶振動子 |
JP2006101181A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-04-13 | Seiko Epson Corp | 圧電発振器および電子機器 |
JP2006202971A (ja) * | 2005-01-20 | 2006-08-03 | New Japan Radio Co Ltd | 半導体光センサ |
JP2007067773A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Seiko Epson Corp | 発振器及び電子機器 |
JP2007281370A (ja) * | 2006-04-11 | 2007-10-25 | Epson Toyocom Corp | 蓋体、圧電デバイスおよび電子デバイスの製造方法 |
JP2009130665A (ja) * | 2007-11-26 | 2009-06-11 | Epson Toyocom Corp | 圧電発振器 |
WO2009104329A1 (ja) * | 2008-02-21 | 2009-08-27 | セイコーインスツル株式会社 | 圧電振動子の製造方法、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計 |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20110018398A1 (en) * | 2009-07-24 | 2011-01-27 | Fukuda Junya | Piezoelectric vibrator, manufacturing method of piezoelectric vibrator, oscillator, electronic device, and radio-controlled clock |
US20110018388A1 (en) * | 2009-07-24 | 2011-01-27 | Fukuda Junya | Piezoelectric vibrator, manufacturing method of piezoelectric vibrator, oscillator, electronic device, and radio-controlled clock |
US8436515B2 (en) * | 2009-07-24 | 2013-05-07 | Seiko Instruments Inc. | Piezoelectric vibrator having a piezoelectric vibrating strip and a bonding film with laser irradiation marks |
JP2013030957A (ja) * | 2011-07-28 | 2013-02-07 | Seiko Instruments Inc | 電子デバイス、発振器及び電子デバイスの製造方法 |
JP2015173166A (ja) * | 2014-03-11 | 2015-10-01 | セイコーインスツル株式会社 | 光センサ |
JP2016085177A (ja) * | 2014-10-28 | 2016-05-19 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、電子機器および移動体 |
CN111384913A (zh) * | 2018-12-28 | 2020-07-07 | 精工爱普生株式会社 | 振动器件、振动模块、电子设备以及移动体 |
US11097667B2 (en) | 2018-12-28 | 2021-08-24 | Seiko Epson Corporation | Vibration device, vibration module, electronic apparatus, and vehicle |
CN111384913B (zh) * | 2018-12-28 | 2023-10-20 | 精工爱普生株式会社 | 振动器件、振动模块、电子设备以及移动体 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8610338B2 (en) | Tuning-fork type piezoelectric vibrating piece with enhanced frequency adjustment and piezoelectric device incorporating same | |
JP4547788B2 (ja) | 圧電振動子のパッケージ構造 | |
US7538627B2 (en) | Surface mount crystal oscillator | |
JP5476964B2 (ja) | 振動子、発振器、ジャイロ及び電子機器 | |
JP6078968B2 (ja) | 振動片の製造方法 | |
JP2011049992A (ja) | 圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法 | |
JP2009065438A (ja) | モニタ電極を備えた水晶デバイス | |
JP5377351B2 (ja) | 圧電振動子及びこれを用いた発振器 | |
US20110193645A1 (en) | Piezoelectric vibrator and oscillator using the same | |
JP2011193436A (ja) | 音叉型水晶振動片、音叉型水晶振動子、および音叉型水晶振動片の製造方法 | |
JP4501875B2 (ja) | 圧電振動デバイスおよびその製造方法 | |
JP5377350B2 (ja) | 圧電振動子及びこれを用いた発振器 | |
JP2011199577A (ja) | パッケージ、電子デバイス、および電子デバイスの製造方法 | |
JP2008278227A (ja) | 圧電発振器の製造方法 | |
JP2010103749A (ja) | 表面実装用の水晶発振器 | |
JP2006303761A (ja) | 表面実装型圧電発振器 | |
JP4936153B2 (ja) | 音叉型圧電振動子 | |
JP6390206B2 (ja) | 圧電発振器 | |
JP2015076670A (ja) | 圧電発振器 | |
JP2012186586A (ja) | 圧電振動素子、圧電振動子、圧電発振器、振動ジャイロ素子、振動ジャイロセンサー及び電子機器 | |
JP2012120075A (ja) | 圧電振動子、及び圧電発振器 | |
JP2011082736A (ja) | 圧電デバイスの製造方法 | |
JPH08316732A (ja) | 発振器およびその製造方法 | |
JP7312060B2 (ja) | 表面実装型水晶振動子付き回路基板 | |
JP2002118423A (ja) | 圧電デバイス及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120607 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130430 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130514 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Effective date: 20130531 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 |