JP2011049398A - レーザ照射装置及び半導体基板の作製方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】レーザ発振器と、レーザ発振器から射出されたレーザ光を線状に成形する光学系と、光学系によって成形された線状のレーザ光が照射される被照射物を載置するステージと、を有し、ステージは、支持台上に、ヒータ、不純物吸着材及び被照射物を載置する載置台が順に固定されているレーザ照射装置を用いて、絶縁表面上に設けられた半導体膜にレーザ光を照射し、半導体膜を結晶化する。
【選択図】図1
Description
本実施の形態では、本発明の一態様のレーザ照射装置の構成について図面を参照して説明する。
本実施の形態では、図1に示したレーザ照射装置の構成の一例とは異なる例を図3に示す。
とするのが好ましい。
本実施の形態では、実施の形態1または2で示したレーザ照射装置を用いた半導体基板の作製方法について、図4を参照して説明する。
・加速電圧 10kV以上100kV以下(好ましくは30kV以上80kV以下)
・ドーズ量 1×1016ions/cm2以上4×1016ions/cm2以下
・ビーム電流密度 2μA/cm2以上(好ましくは5μA/cm2以上、より好ましくは10μA/cm2以上)
本実施の形態では、図5乃至7を参照して、上述の半導体基板を用いた半導体装置の作製方法について説明する。ここでは、半導体装置の一例として複数のトランジスタからなる半導体装置の作製方法について説明することとする。なお、以下において示すトランジスタを組み合わせて用いることで、様々な半導体装置を形成することができる。
101 半導体膜
102 脆化層
110 単結晶半導体基板
111 絶縁層
113 レーザ光
118 単結晶半導体基板
300 レーザビーム
301 レーザ発振器
303 ステージ
304 コントローラ
305 光学系
306 ヒータ
307 載置台
308 不純物吸着材
310 ピン
312 支持台
351 シリンドリカルレンズアレイ
352 シリンドリカルレンズアレイ
353 シリンドリカルレンズアレイ
354 シリンドリカルレンズ
355 シリンドリカルレンズ
356 ミラー
357 ダブレットシリンドリカルレンズ
358 領域
401 レーザ処理チャンバー
403 搬送チャンバー
405 給気経路
405a 給気口
405b 給気ダクト
407 排気経路
407a 排気口
407b 排気ダクト
409 伸縮管
411 モータ
413 搬送ロボット
415 窓
702 半導体層
704 半導体層
706 ゲート絶縁層
708 電極
710 不純物領域
712 不純物領域
714 サイドウォール
716 高濃度不純物領域
718 低濃度不純物領域
720 チャネル形成領域
722 高濃度不純物領域
724 低濃度不純物領域
726 チャネル形成領域
728 nチャネル型トランジスタ
730 pチャネル型トランジスタ
732 絶縁層
734 絶縁層
736 導電層
738 導電層
1001 筺体
1002 支持台
1003 表示部
1004 スピーカー部
1005 ビデオ入力端子
1011 本体
1012 表示部
1013 受像部
1014 操作キー
1015 外部接続ポート
1016 シャッターボタン
1021 本体
1022 筐体
1023 表示部
1024 キーボード
1025 外部接続ポート
1026 ポインティングデバイス
1031 本体
1032 表示部
1033 スイッチ
1034 操作キー
1035 赤外線ポート
1041 本体
1042 筐体
1043 表示部A
1044 表示部B
1045 部
1046 操作キー
1047 スピーカー部
1051 本体
1052 表示部
1053 操作キー
1061 本体
1062 表示部
1063 筐体
1064 外部接続ポート
1065 リモコン受信部
1066 受像部
1067 バッテリー
1068 音声入力部
1069 操作キー
1071 本体
1072 筐体
1073 表示部
1074 音声入力部
1075 音声出力部
1076 操作キー
1077 外部接続ポート
1078 アンテナ
1100 携帯電子機器
1101 筐体
1102 筐体
1111 表示部
1112 スピーカー
1113 マイクロフォン
1114 操作キー
1115 ポインティングデバイス
1116 カメラ用レンズ
1117 外部接続端子
1121 キーボード
1122 外部メモリスロット
1123 カメラ用レンズ
1124 ライト
1125 イヤフォン端子
Claims (8)
- レーザ発振器と、
前記レーザ発振器から射出されたレーザ光を線状に成形する光学系と、
前記光学系によって成形された線状のレーザ光が照射される被照射物を載置するステージと、を有し、
前記ステージは、支持台上に、ヒータ、不純物吸着材及び前記被照射物を載置する載置台が順に固定されていることを特徴とするレーザ照射装置。 - レーザ発振器と、
前記レーザ発振器から射出されたレーザ光を線状に成形する光学系と、
上面に給気経路が、下面に排気経路がそれぞれ設けられたレーザ処理チャンバーと、
前記レーザ処理チャンバー内に配置され、前記光学系によって成形された線状のレーザ光が照射される被照射物を載置するステージと、を有し、
前記レーザ処理チャンバー内の気流は、前記給気経路及び前記排気経路によって下降流に制御され、
前記ステージは、支持台上に、ヒータ及び前記被照射物を載置する載置台が順に固定されていることを特徴とするレーザ照射装置。 - 請求項2において、
前記下降流は、前記被照射物表面と垂直な方向の層流であることを特徴とするレーザ照射装置。 - 請求項2または3において、
前記ステージは、前記ヒータと前記載置台の間に、不純物吸着材を有することを特徴とするレーザ照射装置。 - 請求項1または4において、
前記ヒータと前記不純物吸着材との距離は、1mm以上10mm以下であることを特徴とするレーザ照射装置。 - 請求項1、4または5のいずれか一において、
前記不純物吸着材として、シリコン純度が98%乃至99%の低純度シリコンからなるシリコン基板を用いることを特徴とするレーザ照射装置。 - 請求項1乃至6のいずれか一において、
前記ヒータとして、グラファイトヒータを用いることを特徴とするレーザ照射装置。 - 絶縁表面上に設けられた半導体膜に、請求項1乃至7のいずれか一に記載のレーザ照射装置を用いて、レーザ光を照射し、前記半導体膜を結晶化することを特徴とする半導体基板の作製方法。
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