JP2000012549A - 板体加熱装置 - Google Patents
板体加熱装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 １２インチシリコンウエハ等の大面積の薄形
板状の加熱物を安定して撓みを生じさせずに昇降するこ
とができ、なお且つ高温に、且つ均一な温度分布で加熱
する。 【解決手段】 板体加熱装置は、加熱物ａを載せる平坦
な加熱部２を有する耐熱性の加熱物支持部材１と、この
加熱物支持部材１の前記加熱部２の背後の空間部に設け
られ、加熱物支持部材１を加熱する加熱手段と、加熱物
支持部材１と同心円状に配置されると共に、同加熱物支
持部材１の周面より外側にあって、その加熱部２から突
出した加熱物ａの周辺部を下から保持すると共に、上下
させるリング状の石英製のリフトリング１３とを有する
板状の加熱物を安定して撓みを生じさせずに昇降するこ
とができ、なお且つ高温に、且つ均一な温度分布で加熱
する。 【解決手段】 板体加熱装置は、加熱物ａを載せる平坦
な加熱部２を有する耐熱性の加熱物支持部材１と、この
加熱物支持部材１の前記加熱部２の背後の空間部に設け
られ、加熱物支持部材１を加熱する加熱手段と、加熱物
支持部材１と同心円状に配置されると共に、同加熱物支
持部材１の周面より外側にあって、その加熱部２から突
出した加熱物ａの周辺部を下から保持すると共に、上下
させるリング状の石英製のリフトリング１３とを有する
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ等の
薄型平板状の加熱物を高温に加熱する板体加熱装置に関
し、特に加熱物を載せる加熱部に加熱物を載せたり、取
り上げたりする加熱物キャリアを備えた板体加熱装置に
関する。
薄型平板状の加熱物を高温に加熱する板体加熱装置に関
し、特に加熱物を載せる加熱部に加熱物を載せたり、取
り上げたりする加熱物キャリアを備えた板体加熱装置に
関する。
【０００２】
【発明の属する技術分野】現在、半導体メーカは２００
０年を目標に１２インチウエハの量産体制を目指してい
る。シリコンウェハの供給にはほばメドがつき、現在は
それを使用した半導体の製造技術、例えば製造装置開発
とその評価に移ろうとしている。そのプロセス技術の根
幹をなす技術は基板加熱ヒータであり、（ａ）熱均一
性、（ｂ）クリーン性、（ｃ）信頼性が求められてい
る。
０年を目標に１２インチウエハの量産体制を目指してい
る。シリコンウェハの供給にはほばメドがつき、現在は
それを使用した半導体の製造技術、例えば製造装置開発
とその評価に移ろうとしている。そのプロセス技術の根
幹をなす技術は基板加熱ヒータであり、（ａ）熱均一
性、（ｂ）クリーン性、（ｃ）信頼性が求められてい
る。
【０００３】従来から使用されている板体加熱手段とし
ては、電気抵抗加熱、誘導加熱、ランプ加熱の３
つの手段が使われてきている。１２インチの大面積ウエ
ハに対応できる加熱手段としては、前記（ａ）熱均一
性、（ｂ）クリーン性、（ｃ）信頼性の観点から、電
気抵抗加熱とランプ加熱の改良型で装置開発が進めら
れている。
ては、電気抵抗加熱、誘導加熱、ランプ加熱の３
つの手段が使われてきている。１２インチの大面積ウエ
ハに対応できる加熱手段としては、前記（ａ）熱均一
性、（ｂ）クリーン性、（ｃ）信頼性の観点から、電
気抵抗加熱とランプ加熱の改良型で装置開発が進めら
れている。
【０００４】従来の板体加熱に使用されるホットプレー
トは、熱均一性、クリーン性を保つために、ウエハを保
持するサセプタと称されるトレイに入れてから、ホット
プレートの上に保持する方法が採られていた。このた
め、熱の昇降レスポンスや熱伝導効率が悪く、またホッ
トプレート自体の温度もかなり高めに設定する必要があ
った。この問題に対処するためには、ウエハを直接ホッ
トプレートの上に載せて加熱する技術が有効となる。
トは、熱均一性、クリーン性を保つために、ウエハを保
持するサセプタと称されるトレイに入れてから、ホット
プレートの上に保持する方法が採られていた。このた
め、熱の昇降レスポンスや熱伝導効率が悪く、またホッ
トプレート自体の温度もかなり高めに設定する必要があ
った。この問題に対処するためには、ウエハを直接ホッ
トプレートの上に載せて加熱する技術が有効となる。
【０００５】従来、ウエハを直接ホットプレートの上に
載せるための半導体ウエハの搬送手段としては、石英製
の平面コ字形をしたフォーク状のリフトで対向する２個
所を下から支持し、上下に搬送するものが使用されてい
る。図２及び図３に従来の板体加熱装置の例を示す。ス
テージヒータ１５の上面は平坦であり、その上にシリコ
ンウエハ等の加熱物ａが載せられる。ステージヒータ１
５の内部には、同ステージヒータ１５を加熱するヒータ
部１６が内蔵されている。
載せるための半導体ウエハの搬送手段としては、石英製
の平面コ字形をしたフォーク状のリフトで対向する２個
所を下から支持し、上下に搬送するものが使用されてい
る。図２及び図３に従来の板体加熱装置の例を示す。ス
テージヒータ１５の上面は平坦であり、その上にシリコ
ンウエハ等の加熱物ａが載せられる。ステージヒータ１
５の内部には、同ステージヒータ１５を加熱するヒータ
部１６が内蔵されている。
【０００６】ステージヒータ１５の外径は、基本的に円
盤形であるが、図３に示す通り周壁の対向する一部に
は、互いに平行な一対の平面１８が形成され、この一対
の平面１８の間隔はステージヒータ１５の他の部分及び
加熱物ａの径より間隔が狭くなっている。図３に示すよ
うに、この一対の平面１８の間隔より内法間隔が広い平
面コ字形のフォーク状のリフタ１９が備えられ、図２に
示すように、このリフタ１９がステージヒータ１５の前
記一対の平面１８の両側に挿入され、これによって加熱
物ａの周辺部の下に挿入される。この状態でリフタ１９
を上昇させることによって、図２に矢印で示すように、
加熱物ａをリフタ１９の上に載せ、持ち上げることがで
きる。逆に、図２に矢印で示した位置から、リフタ１９
を下降させることにより、加熱物ａをステージヒータ１
５の上面に載せることができる。
盤形であるが、図３に示す通り周壁の対向する一部に
は、互いに平行な一対の平面１８が形成され、この一対
の平面１８の間隔はステージヒータ１５の他の部分及び
加熱物ａの径より間隔が狭くなっている。図３に示すよ
うに、この一対の平面１８の間隔より内法間隔が広い平
面コ字形のフォーク状のリフタ１９が備えられ、図２に
示すように、このリフタ１９がステージヒータ１５の前
記一対の平面１８の両側に挿入され、これによって加熱
物ａの周辺部の下に挿入される。この状態でリフタ１９
を上昇させることによって、図２に矢印で示すように、
加熱物ａをリフタ１９の上に載せ、持ち上げることがで
きる。逆に、図２に矢印で示した位置から、リフタ１９
を下降させることにより、加熱物ａをステージヒータ１
５の上面に載せることができる。
【０００７】
【発明が解決しようとしている課題】しかし、前記のよ
うに、ステージヒータ１５の上に半導体ウエハ等の加熱
物ａを載せるため、フォーク状のリフタ１９を使用した
ものでは、加熱物ａの対向する２辺のみを保持するた
め、特に１２インチ半導体ウエハのように、径の大きな
薄板平板状の加熱物ａでは、撓み等が生じやすい。ま
た、リフタ１９を挿入するステージヒータ１５の周面の
対向する一部の面を平坦にしなければならず、ステージ
ヒータ１５が非円形となり、半導体ウエハ等の円形の加
熱物ａを均一温度に加熱することが困難になるという課
題があった。
うに、ステージヒータ１５の上に半導体ウエハ等の加熱
物ａを載せるため、フォーク状のリフタ１９を使用した
ものでは、加熱物ａの対向する２辺のみを保持するた
め、特に１２インチ半導体ウエハのように、径の大きな
薄板平板状の加熱物ａでは、撓み等が生じやすい。ま
た、リフタ１９を挿入するステージヒータ１５の周面の
対向する一部の面を平坦にしなければならず、ステージ
ヒータ１５が非円形となり、半導体ウエハ等の円形の加
熱物ａを均一温度に加熱することが困難になるという課
題があった。
【０００８】本発明は、前記従来の板体加熱装置の課題
に鑑み、１２インチシリコンウエハ等の大面積の薄形板
状の加熱物を安定して撓みを生じさせずに昇降すること
ができ、なお且つ高温に、且つ均一な温度分布で加熱す
ることができる板体加熱装置を提供することを目的とす
る。
に鑑み、１２インチシリコンウエハ等の大面積の薄形板
状の加熱物を安定して撓みを生じさせずに昇降すること
ができ、なお且つ高温に、且つ均一な温度分布で加熱す
ることができる板体加熱装置を提供することを目的とす
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明では、前記の目的
を達成するため、リフタを加熱物支持部材１の周面の径
より大きな径のリング状のリフトリング１３とし、加熱
物支持部材１の周面の径より大きな薄型板状の加熱物ａ
をその周辺部においてリフトリング１３で支持し、上下
することにより、同加熱物ａを加熱物支持部材１の平坦
な加熱部ａの上に載せるようにしたものである。
を達成するため、リフタを加熱物支持部材１の周面の径
より大きな径のリング状のリフトリング１３とし、加熱
物支持部材１の周面の径より大きな薄型板状の加熱物ａ
をその周辺部においてリフトリング１３で支持し、上下
することにより、同加熱物ａを加熱物支持部材１の平坦
な加熱部ａの上に載せるようにしたものである。
【００１０】すなわち、本発明による板体加熱装置は、
加熱物ａを載せる平坦な加熱部２を有する耐熱性の加熱
物支持部材１と、この加熱物支持部材１の前記加熱部２
の背後の空間部に設けられ、加熱物支持部材１を加熱す
る加熱手段と、加熱物支持部材１の周面より外側に同心
円状に挿入可能であり、同加熱物支持部材１の加熱部２
から突出した加熱物ａの周辺部を下から保持すると共
に、上下及び水平移動させるリング状のリフトリング１
３とを有することを特徴とする。
加熱物ａを載せる平坦な加熱部２を有する耐熱性の加熱
物支持部材１と、この加熱物支持部材１の前記加熱部２
の背後の空間部に設けられ、加熱物支持部材１を加熱す
る加熱手段と、加熱物支持部材１の周面より外側に同心
円状に挿入可能であり、同加熱物支持部材１の加熱部２
から突出した加熱物ａの周辺部を下から保持すると共
に、上下及び水平移動させるリング状のリフトリング１
３とを有することを特徴とする。
【００１１】このような板体加熱装置では、リング状の
リフトリング１３が、加熱物ａの全周辺部を下から支持
した状態で加熱物ａを昇降し、加熱物支持部材１の平坦
な加熱部２の載せるために、径の大きな薄板平板状の加
熱物ａであっても、加熱物ａに撓みを生じさせることな
く、加熱物ａを保持し、これを前記加熱部２の上に載せ
たり、或いは取り上げたりすることができる。さらに、
加熱物支持部材１の加熱部２は、シリコンウエハ等の加
熱物ａの形状に合わせて円形にすることができるため、
加熱物ａの加熱温度の偏りがなく、加熱物ａを均一に加
熱することができる。
リフトリング１３が、加熱物ａの全周辺部を下から支持
した状態で加熱物ａを昇降し、加熱物支持部材１の平坦
な加熱部２の載せるために、径の大きな薄板平板状の加
熱物ａであっても、加熱物ａに撓みを生じさせることな
く、加熱物ａを保持し、これを前記加熱部２の上に載せ
たり、或いは取り上げたりすることができる。さらに、
加熱物支持部材１の加熱部２は、シリコンウエハ等の加
熱物ａの形状に合わせて円形にすることができるため、
加熱物ａの加熱温度の偏りがなく、加熱物ａを均一に加
熱することができる。
【００１２】さらに、リフトリング１３を石英で作るこ
とにより、シリコンウエハ等の加熱物ａの加熱時に同加
熱物ａの不純物が混入することがなく、化学的に安定し
た状態で加熱をすることができるようになる。
とにより、シリコンウエハ等の加熱物ａの加熱時に同加
熱物ａの不純物が混入することがなく、化学的に安定し
た状態で加熱をすることができるようになる。
【００１３】
【発明の実施の形態】次に、図面を参照しながら、本発
明の実施の形態について、具体的且つ詳細に説明する。
図１は、本発明による板体加熱装置の例を示すものであ
る。この図１では、減圧容器は図示しておらず、そのス
テージ部１７のみが示されているが、実際には、このス
テージ部１７の両側からその上にわたって減圧容器で囲
まれてる。
明の実施の形態について、具体的且つ詳細に説明する。
図１は、本発明による板体加熱装置の例を示すものであ
る。この図１では、減圧容器は図示しておらず、そのス
テージ部１７のみが示されているが、実際には、このス
テージ部１７の両側からその上にわたって減圧容器で囲
まれてる。
【００１４】ステージ部１７の壁には、冷却液通路７が
形成され、この冷却液通路７に水等の冷却液を通すこと
により、ステージ部１７を冷却できるようになってい
る。このステージ部１７の上には、シリコンウエハ等の
薄形板状の加熱物を載せる平坦な加熱部２を有する耐熱
性の加熱物支持部材１が設置され、その内部は同加熱物
支持部材１により、その外側の空間と気密に仕切られる
空間を有する。より具体的には、加熱物支持部材１は、
上面側が加熱部２により閉じられ、下面側が開口した円
筒形状を有しており、加熱部２の平坦な上面は、シリコ
ンウエハ等の薄形板状の加熱物より広くなっている。加
熱物支持部材１の下縁部は、ステージ部７の上面に当て
られて固定されると共に、真空シール材８により気密に
シールされている。
形成され、この冷却液通路７に水等の冷却液を通すこと
により、ステージ部１７を冷却できるようになってい
る。このステージ部１７の上には、シリコンウエハ等の
薄形板状の加熱物を載せる平坦な加熱部２を有する耐熱
性の加熱物支持部材１が設置され、その内部は同加熱物
支持部材１により、その外側の空間と気密に仕切られる
空間を有する。より具体的には、加熱物支持部材１は、
上面側が加熱部２により閉じられ、下面側が開口した円
筒形状を有しており、加熱部２の平坦な上面は、シリコ
ンウエハ等の薄形板状の加熱物より広くなっている。加
熱物支持部材１の下縁部は、ステージ部７の上面に当て
られて固定されると共に、真空シール材８により気密に
シールされている。
【００１５】加熱物支持部材１はその全体または少なく
とも加熱部２がシリコン含浸シリコンカーバイトやアル
ミナ、窒化珪素等のセラミックからなる。後述するよう
に、電子衝撃により加熱物を加熱する場合において、加
熱物支持部材１がセラミックのような絶縁体からなる場
合は、その加熱部２の内面に導体膜を形成し、この導体
膜をステージ部１７を介して接地する。
とも加熱部２がシリコン含浸シリコンカーバイトやアル
ミナ、窒化珪素等のセラミックからなる。後述するよう
に、電子衝撃により加熱物を加熱する場合において、加
熱物支持部材１がセラミックのような絶縁体からなる場
合は、その加熱部２の内面に導体膜を形成し、この導体
膜をステージ部１７を介して接地する。
【００１６】加熱物支持部材１の外径、すなわち加熱部
２の径は、シリコンウエハ等の加熱物ａの径より小さ
い。ステージ部１７には、排気通路４が形成され、この
排気通路４に接続された真空ポンプ５により、加熱物支
持部材１の内部の空間が排気され、真空にされる。さら
に、この加熱物支持部材１の内部には、加熱手段として
のフィラメント９とリフレクタ３が設置されている。
２の径は、シリコンウエハ等の加熱物ａの径より小さ
い。ステージ部１７には、排気通路４が形成され、この
排気通路４に接続された真空ポンプ５により、加熱物支
持部材１の内部の空間が排気され、真空にされる。さら
に、この加熱物支持部材１の内部には、加熱手段として
のフィラメント９とリフレクタ３が設置されている。
【００１７】フィラメント９ａ、９ｂは、加熱物支持部
材１の加熱部２の背後に設けられ、このフィラメント９
ａ、９ｂには、絶縁シール端子１６を介してフィラメン
ト加熱電源１０ａ、１０ｂが接続されている。さらに、
このフィラメント９ａ、９ｂと加熱部２との間には、ス
テージ部１７及び加熱物支持部材１を介して電子加速電
源１１の加速電圧が印加されている。なお加熱部２は、
加熱物支持部材１及びステージ部１７を介して接地さ
れ、フィラメント９ａ、９ａに対して正電位に保持され
る。
材１の加熱部２の背後に設けられ、このフィラメント９
ａ、９ｂには、絶縁シール端子１６を介してフィラメン
ト加熱電源１０ａ、１０ｂが接続されている。さらに、
このフィラメント９ａ、９ｂと加熱部２との間には、ス
テージ部１７及び加熱物支持部材１を介して電子加速電
源１１の加速電圧が印加されている。なお加熱部２は、
加熱物支持部材１及びステージ部１７を介して接地さ
れ、フィラメント９ａ、９ａに対して正電位に保持され
る。
【００１８】ここで、フィラメント９ａ、９ｂは、加熱
部２の周辺部近くの下方に配置した円形のメインフィラ
メント９ａと、このメインフィラメント９ａの中心に配
置ししたサブフィラメント９ｂとを有する。メインフィ
ラメント９ａは、加熱部２の下面の近くに配置され、サ
ブフィラメント９ｂは、メインフィラメント９ａより下
方に、すなわち加熱部２の下面から遠くに配置されてい
る。これらメインフィラメント９ａとサブフィラメント
９ｂには、それぞれフィラメント加熱電源１０ａ、１０
ｂが接続されている。
部２の周辺部近くの下方に配置した円形のメインフィラ
メント９ａと、このメインフィラメント９ａの中心に配
置ししたサブフィラメント９ｂとを有する。メインフィ
ラメント９ａは、加熱部２の下面の近くに配置され、サ
ブフィラメント９ｂは、メインフィラメント９ａより下
方に、すなわち加熱部２の下面から遠くに配置されてい
る。これらメインフィラメント９ａとサブフィラメント
９ｂには、それぞれフィラメント加熱電源１０ａ、１０
ｂが接続されている。
【００１９】リフレクタ３は、加熱物支持部材１の加熱
部２に対しフィラメント９ａ、９ｂの背後側に設けられ
ている。このリフレクタ３は、金、銀等の反射率の高い
金属、またはモリブデン等の融点の高い金属で形成さ
れ、少なくともその加熱物支持部材１の加熱部２に対向
した面は、鏡面となっており、赤外線を反射する。この
リフレクタ３は、多重に配置することができる。前記加
熱物支持部材１の加熱部２の平坦な上面には、シリコン
ウエハ等の薄形平板状の加熱物が載せられる。
部２に対しフィラメント９ａ、９ｂの背後側に設けられ
ている。このリフレクタ３は、金、銀等の反射率の高い
金属、またはモリブデン等の融点の高い金属で形成さ
れ、少なくともその加熱物支持部材１の加熱部２に対向
した面は、鏡面となっており、赤外線を反射する。この
リフレクタ３は、多重に配置することができる。前記加
熱物支持部材１の加熱部２の平坦な上面には、シリコン
ウエハ等の薄形平板状の加熱物が載せられる。
【００２０】この加熱物支持部材１の外周側には、加熱
物支持部材１の外周より内径が大きなリング状のリフト
リング１３が挿入される。このリフトリング１３は、図
示していない昇降機構により上下され、加熱部２の上面
より下の位置と同加熱物２の上面より上の位置へと上下
動できるようになっている。さらに、リフトリング１３
は水平方向にも移動し、任意の位置で上下動することが
できる。
物支持部材１の外周より内径が大きなリング状のリフト
リング１３が挿入される。このリフトリング１３は、図
示していない昇降機構により上下され、加熱部２の上面
より下の位置と同加熱物２の上面より上の位置へと上下
動できるようになっている。さらに、リフトリング１３
は水平方向にも移動し、任意の位置で上下動することが
できる。
【００２１】このような板体加熱装置では、まず加熱物
支持部材１の内部空間を減圧し、真空とする。これと同
時に、シリコンウエハ等の加熱物ａの周辺部をリフトリ
ング１３の上に載せ、リフトリング１３を加熱物支持部
材１の加熱部２の真上に移動させる。さらに、リフトリ
ング１３を加熱部２の上面より下まで下降させる。これ
により、加熱物ａがその周辺部を除いて加熱部物支持部
材１の加熱部２の上面に搭載される。
支持部材１の内部空間を減圧し、真空とする。これと同
時に、シリコンウエハ等の加熱物ａの周辺部をリフトリ
ング１３の上に載せ、リフトリング１３を加熱物支持部
材１の加熱部２の真上に移動させる。さらに、リフトリ
ング１３を加熱部２の上面より下まで下降させる。これ
により、加熱物ａがその周辺部を除いて加熱部物支持部
材１の加熱部２の上面に搭載される。
【００２２】次に、加熱手段であるフィラメント９ａ、
９ｂから熱電子を放出し、これを電子加速電源１１で印
加される加速電圧により加熱物支持部材１の加熱部２に
衝突させる。この電子衝撃により、加熱物支持部材１の
加熱部２が加熱され、この加熱部２の上面に載せられて
いる加熱物が加熱される。
９ｂから熱電子を放出し、これを電子加速電源１１で印
加される加速電圧により加熱物支持部材１の加熱部２に
衝突させる。この電子衝撃により、加熱物支持部材１の
加熱部２が加熱され、この加熱部２の上面に載せられて
いる加熱物が加熱される。
【００２３】このとき、加熱物支持部材１の内部は、真
空の空間となっているため、加熱物支持部材１の加熱部
２からその背後へは、対流による熱放出がなされず、輻
射による熱放出のみがなされる。そしてこの加熱部２の
背後へ放射された輻射熱は、リフレクタ３で加熱物支持
部材１の加熱部２へ向けて反射されるため、リフレクタ
３の背面への熱の放出が防止され、加熱物を効率的に加
熱することができる。これにより、加熱物を短時間で高
温に加熱することができる。
空の空間となっているため、加熱物支持部材１の加熱部
２からその背後へは、対流による熱放出がなされず、輻
射による熱放出のみがなされる。そしてこの加熱部２の
背後へ放射された輻射熱は、リフレクタ３で加熱物支持
部材１の加熱部２へ向けて反射されるため、リフレクタ
３の背面への熱の放出が防止され、加熱物を効率的に加
熱することができる。これにより、加熱物を短時間で高
温に加熱することができる。
【００２４】前記のメインフィラメント９ａは、加熱部
２の下面の周辺部近くに配置されているため、加熱部２
の周辺部を加熱し、加熱物の周辺部を加熱する。特に、
この板体加熱装置では、加熱物ａの周辺部が加熱部２の
上に載っていないので、加熱物の周辺部は、周囲に熱を
放射し、温度低下を来たしやすい。このためメインフィ
ラメント９ａで加熱物ａの周辺部を高温に加熱すること
により、加熱物全体を均一な温度に加熱することができ
る。
２の下面の周辺部近くに配置されているため、加熱部２
の周辺部を加熱し、加熱物の周辺部を加熱する。特に、
この板体加熱装置では、加熱物ａの周辺部が加熱部２の
上に載っていないので、加熱物の周辺部は、周囲に熱を
放射し、温度低下を来たしやすい。このためメインフィ
ラメント９ａで加熱物ａの周辺部を高温に加熱すること
により、加熱物全体を均一な温度に加熱することができ
る。
【００２５】しかし、メインフィラメント９ａだけを配
置すると、加熱物の中心部の温度低下を来すことにな
る。そこで、加熱物の中心に当たる加熱部２の中心位置
の下方にサブフィラメント９ｂを配置することにより、
加熱物の中心部の温度低下を防止することができる。サ
ブフィラメント９ｂは、加熱部２の下面からやや離して
配置するか、またはサブフィラメント電源１０ｂの電流
を小さくして加熱エネルギをやや抑制することにより、
加熱物の中央の温度の過度の上昇を防止する。
置すると、加熱物の中心部の温度低下を来すことにな
る。そこで、加熱物の中心に当たる加熱部２の中心位置
の下方にサブフィラメント９ｂを配置することにより、
加熱物の中心部の温度低下を防止することができる。サ
ブフィラメント９ｂは、加熱部２の下面からやや離して
配置するか、またはサブフィラメント電源１０ｂの電流
を小さくして加熱エネルギをやや抑制することにより、
加熱物の中央の温度の過度の上昇を防止する。
【００２６】このようにして加熱物を加熱した状態で、
例えばステージ部１７を囲む減圧容器にシラン等のプロ
セスガスを導入し、加熱物の表面にシリコン薄膜を堆積
させ、加熱物の表面に半導体加工を施すことができる。
このような工程を経て、加熱物ａに加工を施した後、加
熱物ａを加熱部２から取り外すときは、図１に矢印で示
すように、リフトリング１３を上昇させる。すると、リ
フトリング１３に加工物ａの周辺部が載り、そのまま加
熱物ａが上昇される。その後、リフトリング１３を水平
方向に移動し、加工物ａを所定の位置に移動させ、次の
工程を行う。
例えばステージ部１７を囲む減圧容器にシラン等のプロ
セスガスを導入し、加熱物の表面にシリコン薄膜を堆積
させ、加熱物の表面に半導体加工を施すことができる。
このような工程を経て、加熱物ａに加工を施した後、加
熱物ａを加熱部２から取り外すときは、図１に矢印で示
すように、リフトリング１３を上昇させる。すると、リ
フトリング１３に加工物ａの周辺部が載り、そのまま加
熱物ａが上昇される。その後、リフトリング１３を水平
方向に移動し、加工物ａを所定の位置に移動させ、次の
工程を行う。
【００２７】なお、以上の例では、加熱物ａの加熱手段
として電子衝撃法を使用した例を示したが、抵抗加熱や
ランプ加熱等を使用した板体加熱装置についても、本発
明を同様にして適用できることはもちろんである。
として電子衝撃法を使用した例を示したが、抵抗加熱や
ランプ加熱等を使用した板体加熱装置についても、本発
明を同様にして適用できることはもちろんである。
【００２８】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明によれば、な
加熱物を安定して撓みを生じさせずに昇降することがで
き、なお且つ高温に、且つ均一な温度分布で加熱するこ
とができる板体加熱装置を提供することができる。
加熱物を安定して撓みを生じさせずに昇降することがで
き、なお且つ高温に、且つ均一な温度分布で加熱するこ
とができる板体加熱装置を提供することができる。
【図１】本発明による板体加熱装置とそれを使用した板
体加工装置の例を示す概略断面図である。
体加工装置の例を示す概略断面図である。
【図２】板体加熱装置の従来例を示す縦断側面図であ
る。
る。
【図３】同板体加熱装置の従来例を示す横断平面図であ
る。
る。
１ 加熱物支持部材 ２ 加熱物支持部材の加熱部 ３ リフレクタ ９ａ メインフィラメント ９ｂ サブフィラメント １３ リフトリング
Claims (3)
- 【請求項１】 薄型平板状の加熱物（ａ）をその背面側
から加熱する加熱部（２）の上に前記加熱物（ａ）を載
せて加熱する板体加熱装置において、加熱物（ａ）を載
せる平坦な加熱部（２）を有する耐熱性の加熱物支持部
材（１）と、この加熱物支持部材（１）の前記加熱部
（２）の背後の空間部に設けられ、加熱物支持部材
（１）を加熱する加熱手段と、加熱物支持部材（１）の
周面より外側に同心円状に挿入可能であり、同加熱物支
持部材（１）の加熱部（２）から突出した加熱物（ａ）
の周辺部を下から保持すると共に、上下及び水平移動す
るリング状のリフトリング（１３）とを有することを特
徴とする板体加熱装置。 - 【請求項２】 加熱物支持部材（１）の外周の径は、加
熱物（ａ）の外径より小さいことを特徴とする請求項１
に記載の板体加熱装置。 - 【請求項３】 リフトリング（１３）は石英からなるこ
とを特徴とする請求項１または２に記載の板体加熱装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16966698A JP2912613B1 (ja) | 1998-06-17 | 1998-06-17 | 板体加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16966698A JP2912613B1 (ja) | 1998-06-17 | 1998-06-17 | 板体加熱装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2912613B1 JP2912613B1 (ja) | 1999-06-28 |
| JP2000012549A true JP2000012549A (ja) | 2000-01-14 |
Family
ID=15890678
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16966698A Expired - Lifetime JP2912613B1 (ja) | 1998-06-17 | 1998-06-17 | 板体加熱装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2912613B1 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6776849B2 (en) * | 2002-03-15 | 2004-08-17 | Asm America, Inc. | Wafer holder with peripheral lift ring |
| JP2007278999A (ja) * | 2006-04-12 | 2007-10-25 | Sukegawa Electric Co Ltd | 加熱プレート温度測定装置 |
| JP2011049398A (ja) * | 2009-08-27 | 2011-03-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | レーザ照射装置及び半導体基板の作製方法 |
| US8129663B2 (en) | 2008-06-27 | 2012-03-06 | Canon Anelva Corporation | Vacuum heating apparatus |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5468784B2 (ja) | 2008-01-30 | 2014-04-09 | キヤノンアネルバ株式会社 | 基板加熱装置、加熱処理方法および半導体デバイスを製造する方法 |
| JP4520512B2 (ja) | 2008-02-13 | 2010-08-04 | キヤノンアネルバ株式会社 | 加熱装置 |
-
1998
- 1998-06-17 JP JP16966698A patent/JP2912613B1/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6776849B2 (en) * | 2002-03-15 | 2004-08-17 | Asm America, Inc. | Wafer holder with peripheral lift ring |
| US7449071B2 (en) | 2002-03-15 | 2008-11-11 | Asm America, Inc. | Wafer holder with peripheral lift ring |
| JP2007278999A (ja) * | 2006-04-12 | 2007-10-25 | Sukegawa Electric Co Ltd | 加熱プレート温度測定装置 |
| US8129663B2 (en) | 2008-06-27 | 2012-03-06 | Canon Anelva Corporation | Vacuum heating apparatus |
| JP2011049398A (ja) * | 2009-08-27 | 2011-03-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | レーザ照射装置及び半導体基板の作製方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2912613B1 (ja) | 1999-06-28 |
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