JP2011040447A - 回路基板及びその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 37
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 34
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims abstract description 23
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims abstract description 15
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 claims abstract description 14
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 10
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 16
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 3
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007088 Archimedes method Methods 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000004844 aliphatic epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N diglycidyl ether Chemical compound C1OC1COCC1CO1 GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZZTCPWRAHWXWCH-UHFFFAOYSA-N diphenylmethanediamine Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(N)(N)C1=CC=CC=C1 ZZTCPWRAHWXWCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000004850 liquid epoxy resins (LERs) Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007719 peel strength test Methods 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N resorcinol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1 GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001755 resorcinol Drugs 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001931 thermography Methods 0.000 description 1
- 238000009849 vacuum degassing Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
Abstract
【解決手段】金属製の基板1と、基板1の上に間欠的に形成された第一絶縁層2と、基板1の上であって第一絶縁層2が形成されていない部分に形成された第二絶縁層3と、第一絶縁層2と第二絶縁層3のそれぞれの上に形成された金属箔4を有し、第一絶縁層2の単位断面積当たりの気泡が0.1%以下であり、第二絶縁層3の単位断面積あたりの気泡が10%以上80%以下である回路基板である。第二絶縁層は、エポキシ樹脂、硬化剤、無機フィラー、気泡で形成されているのが好ましい。硬化剤がフェノールノボラック樹脂であるのが好ましい。
【選択図】図1
Description
本発明は、金属製の基板1と、基板1の上に間欠的に形成された第一絶縁層2と、基板1の上であって第一絶縁層2が形成されていない部分に形成された第二絶縁層3と、第一絶縁層2と第二絶縁層3のそれぞれの上に形成された金属箔4を有し、第一絶縁層2の単位断面積当たりの気泡が0.1%以下であり、第二絶縁層3の単位断面積あたりの気泡が10%以上80%以下である回路基板である。
本発明における基板1は、優れた寸法精度を維持すると共に発明としての回路基板が曲折したり歪んだりしないために採用されたものである。基板の素材は、例えば銅、アルミニウム、ニッケル、鉄、錫、銀、チタニウム、金、マグネシウム、シリコン、これら金属の合金があり、好ましくは、銅又はアルミニウムが良い。これらの金属の供試形態としては、ロール状やシート状がある。基板の厚みは寸法制度維持を発揮させる範囲の厚み、例えば35〜3000μmであるのが好ましい。
本発明における第一絶縁層2は、本発明の回路での電気を基板に伝導させないために設けられたものである。単位断面積当たりの気泡が0.1%以下としたのは、後述する第二絶縁層との対比をするために規定したものであり、絶縁層を形成する樹脂に空気を混入させないことが必要である。
本発明における第二絶縁層3は、第一絶縁層2が形成されていない部分に形成され、断熱性及び低誘電率化のために形成されるものである。この断熱性及び比誘電率を得るためには、第三絶縁層を硬化させる際、0.1kgf/cm2未満の圧力下で行うことによって、樹脂組成物内部の気泡成長を促すことによって多くの気泡を含有した絶縁層を得ることができる。
金属箔4は、回路を形成する素材であり、金属箔4の素材としては、例えば銅、アルミニウム、ニッケル、鉄、錫、銀、チタニウム、金、マグネシウム、シリコン、これら金属の合金があり、好ましくは、銅又はアルミニウムが良い。金属箔は、ロール状に供給することができる厚みが必要であり、4〜300μmの厚みのものが好ましい。
本発明に係る実施例1について説明する。
実施例1の回路基板は、図1に示すように、金属製の基板1と、基板1の上に間欠的に形成された第一絶縁層2と、基板1の上であって第一絶縁層2が形成されていない部分に形成された第二絶縁層3と、第一絶縁層2と第二絶縁層3のそれぞれの上に形成された金属箔4を有し、第一絶縁層2の単位断面積当たりの気泡が0%であり、第二絶縁層3の単位断面積あたりの気泡80%の回路基板である。
第一絶縁層2と第二絶縁層3の断面写真を画像処理にて気泡部と樹脂部の二値化を行い、気泡率を求めた。
実施例1の回路基板にある金属箔4としての銅箔を直径20mmの円形部分に形成した試料を用い、温度25℃、周波数1MHzの条件下にて、JIS C6481に基づき測定を実施し、静電容量(X;F)を求めた。測定器には、LCRメータ(横河・ヒューレット・パッカード社(株)製HP4284)を用いた。
比誘電率(E)は、静電容量(X;F)と絶縁層の厚み(Y;m)と電極板の面積(Z;m2)と真空の誘電率(8.85×10−12;F/m)から、E=X・Y/(Z・8.85×10−12)の式を用いて、算出した。
比誘電率は4.0以下が好ましい。
実施例1の回路基板にある金属箔4としての銅箔を第一絶縁層2の上、第二絶縁層3の上のそれぞれに幅10mm、長さ100mmで形成し、この銅箔の端部を回路全体に対して90度の角度まで剥離し、この銅箔の端部を50mm/minの引っ張り速度で剥離したときの引張強度であり、その他の条件はJIS C6481に基づいた。測定機としてはオートグラフ(株式会社島津製作所製AG−500)を用いた。
剥離強度は0.7kgf/cm以上が好ましい。
熱伝導率(H;W/mK)は、熱拡散率(A:m2/sec)と比重(B:kg/m3)、比熱容量(C:J/kg・K)から、H=A×B×Cとして、算出した。熱拡散率は、測定用試料として第一絶縁層2と第二絶縁層3を含む試験片を幅10mm×10mm×厚み0.5mmに加工し、レーザーフラッシュ法により求めた。測定装置はキセノンフラッシュアナライザ(NETZSCH社製 LFA447 NanoFlash)を用いた。比重はアルキメデス法を用いて求めた。比熱容量は、DSC(リガク社製 ThermoPlus Evo DSC8230)を用いて求めた。
断熱層となる第二絶縁層部の熱伝導率は0.5W/mK以下が好ましい。
測定用試料として第一絶縁層2と第二絶縁層3を含む試験片を50mm×50mmに切断し、第一絶縁層部及び第二絶縁層部それぞれに10mm×15mmの銅箔を、その銅箔間隔が10mmとなる様に配置した。
第一絶縁層部上の銅箔にTO−220型トランジスターを半田付けし、断熱板上に固定した。
断熱効果(℃)は、TO−220型トランジスターに通電して発熱させ、TO−220型トランジスター表面の温度(X1;℃)から第二絶縁層部上の銅箔の温度(X2;℃)からを引いた温度である。温度は赤外線サーモグラフィー(日本アビオニクス株式会社製 TVS−500EX)を用いて求めた。
断熱効果は、15℃以上が好ましい。
実施例2、3及び4は、第二絶縁層の気泡率を表1に示す気泡率とした以外は実施例1と同じ回路基板である。いずれも本発明の効果を発揮していた。
実施例5、6は、第一絶縁層への圧力を表1に示す値にしたものである。いずれも良好であった。
表には示さなかったが、実施例1のエポキシ樹脂をポリイミド樹脂(DIC株式会社製、ユニディック V8003)にした実施例5について、説明する。実施例5は、比誘電率1.2、熱伝導率0.3W/mK、断熱効果19℃であり、実施例1と同様な効果を得た。
表には示さなかったが、硬化剤を、実施例1のフェノールノボラックからジアミノジフェニルメタン(エアープロダクツジャパン株式会社製、AMICURE DAM)にした実施例6について、説明する。実施例6は、比誘電率1.1、熱伝導率0.3W/mK、断熱効果21℃であり、実施例1と同様な効果を得た。
比較例1は、第二絶縁層の気泡率を90%とした以外は実施例1と同じ回路基板である。
気泡率90%では、引剥強度試験の際、界面での剥離が生じた。
比較例2は、第二絶縁層の気泡率を5%とした以外は実施例1と同じ回路基板である。
比較例2は、(比誘電率、熱伝導率、断熱効果)が悪かった。
比較例3は、図2に示すように、第二絶縁層の気泡率を0%(第一絶縁層のみ)とした以外は実施例1と同じ回路基板である。
比較例3は、(比誘電率、熱伝導率、断熱効果)が悪かった。
表1に示す比較例4、5は、第二絶縁層への圧力を表1に示す値にしたものである。いずれも(比誘電率、熱伝導率、断熱効果)が悪かった。
2 第一絶縁層
3 第二絶縁層
4 金属箔
Claims (4)
- 金属製の基板と、基板の上に間欠的に形成された第一絶縁層と、基板の上であって第一絶縁層が形成されていない部分に形成された第二絶縁層と、第一絶縁層と第二絶縁層のそれぞれの上に形成された金属箔を有し、第一絶縁層の単位断面積当たりの気泡が0.1%以下であり、第二絶縁層の単位断面積あたりの気泡が10%以上80%以下である回路基板。
- 第二絶縁層が、エポキシ樹脂、硬化剤、無機フィラー、気泡で形成されている請求項1記載の回路基板。
- 第二絶縁層での硬化剤がフェノールノボラック樹脂である請求項2記載の回路基板。
- 金属製の基板の上に第一絶縁層を間欠的に形成する第一絶縁層形成工程と、基板の上であって第一絶縁層が形成されていない部分に第二絶縁層を形成する第二絶縁層積層工程と、第一絶縁層の上に金属箔を積層する金属箔積層工程を有し、第二絶縁層積層工程が、第二絶縁層を積層する積層工程と、第二絶縁層を硬化させる硬化工程を有し、硬化工程の圧力が0.1kgf/cm2未満の真空ホットプレスである回路基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009184079A JP5469405B2 (ja) | 2009-08-07 | 2009-08-07 | 回路基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009184079A JP5469405B2 (ja) | 2009-08-07 | 2009-08-07 | 回路基板及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011040447A true JP2011040447A (ja) | 2011-02-24 |
JP5469405B2 JP5469405B2 (ja) | 2014-04-16 |
Family
ID=43767948
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009184079A Active JP5469405B2 (ja) | 2009-08-07 | 2009-08-07 | 回路基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5469405B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015163054A1 (ja) * | 2014-04-21 | 2015-10-29 | 住友ベークライト株式会社 | 金属ベース基板、金属ベース基板の製造方法、金属ベース回路基板および電子装置 |
WO2015163055A1 (ja) * | 2014-04-21 | 2015-10-29 | 住友ベークライト株式会社 | 金属ベース基板、金属ベース基板の製造方法、金属ベース回路基板および電子装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06260734A (ja) * | 1993-03-08 | 1994-09-16 | Sumitomo Metal Ind Ltd | プリント配線板用積層基板 |
JPH08236884A (ja) * | 1995-02-27 | 1996-09-13 | Nippon Rika Kogyosho:Kk | 回路用金属基板 |
JP2005038821A (ja) * | 2003-04-04 | 2005-02-10 | Toray Ind Inc | ペースト組成物およびこれを用いた誘電体組成物 |
JP2007099540A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Kobe Steel Ltd | 多孔質基板およびその製法 |
WO2009081518A1 (ja) * | 2007-12-26 | 2009-07-02 | Panasonic Corporation | 半導体装置および多層配線基板 |
-
2009
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06260734A (ja) * | 1993-03-08 | 1994-09-16 | Sumitomo Metal Ind Ltd | プリント配線板用積層基板 |
JPH08236884A (ja) * | 1995-02-27 | 1996-09-13 | Nippon Rika Kogyosho:Kk | 回路用金属基板 |
JP2005038821A (ja) * | 2003-04-04 | 2005-02-10 | Toray Ind Inc | ペースト組成物およびこれを用いた誘電体組成物 |
JP2007099540A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Kobe Steel Ltd | 多孔質基板およびその製法 |
WO2009081518A1 (ja) * | 2007-12-26 | 2009-07-02 | Panasonic Corporation | 半導体装置および多層配線基板 |
Cited By (2)
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WO2015163054A1 (ja) * | 2014-04-21 | 2015-10-29 | 住友ベークライト株式会社 | 金属ベース基板、金属ベース基板の製造方法、金属ベース回路基板および電子装置 |
WO2015163055A1 (ja) * | 2014-04-21 | 2015-10-29 | 住友ベークライト株式会社 | 金属ベース基板、金属ベース基板の製造方法、金属ベース回路基板および電子装置 |
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