JP2011035377A - 露光装置及びデバイスの製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】基板のずれや落下を防止すると共に、露光装置のスループットの向上に有利な技術を提供する。
【解決手段】レチクルのパターンを基板に転写する露光装置であって、前記基板の下面を吸着して保持しながら前記基板を搬送する搬送部と、前記搬送部によって前記基板を鉛直下方向の加速をともない搬送する場合の搬送加速度が前記搬送部によって前記基板を鉛直上方向の加速をともない搬送する場合の搬送加速度よりも小さくなるように、前記搬送部の搬送条件を制御する制御部と、を有することを特徴とする露光装置を提供する。
【選択図】図1

Description

本発明は、露光装置及びデバイスの製造方法に関する。
半導体デバイスの製造工程で用いられる露光装置の性能は、主に、解像度、オーバーレイ精度及びスループットの3つの点で評価される。ここで、解像度は正確に転写できるパターンの最小寸法、オーバーレイ精度はパターンを幾つか重ね合わせる際の精度、スループットは単位時間あたりの生産能力(処理枚数)である。これらの3つの点のうち、スループットを向上させるための技術が従来から幾つか考えられている。例えば、単位時間あたりの露光エネルギーを増加させること、ウエハステージのショット間の移動時間を短縮すること、ウエハを交換する際のウエハの搬送時間(交換時間)を短縮することなどが検討されている。
ウエハの搬送時間を短縮するためには、ウエハの状態を管理することが必要となる。ウエハには、転写されたパターンの形状やコーティング膜からの力学的な影響によって、反りや歪みが発生することがある。このようなウエハの反りや歪みはウエハを吸着して搬送する際の吸着エラーを生じ、ウエハの搬送中にウエハのずれや落下を招いてしまう。そこで、ウエハの反りや歪みに応じて露光に係る工程の制御条件を変更する技術が提案されている(特許文献1参照)。
特開2006−269867号公報
しかしながら、従来技術では、ウエハの搬送方向に応じて露光に係る工程の制御条件を変更することについては考慮していないため、運用を誤るとスループットが低下してしまう可能性がある。
本発明は、このような従来技術の課題に鑑みてなされ、基板のずれや落下を防止すると共に、露光装置のスループットの向上に有利な技術を提供することを例示的目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての露光装置は、レチクルのパターンを基板に転写する露光装置であって、前記基板の下面を吸着して保持しながら前記基板を搬送する搬送部と、前記搬送部によって前記基板を鉛直下方向の加速をともない搬送する場合の搬送加速度が前記搬送部によって前記基板を鉛直上方向の加速をともない搬送する場合の搬送加速度よりも小さくなるように、前記搬送部の搬送条件を制御する制御部と、を有することを特徴とする。
本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。
本発明によれば、例えば、基板のずれや落下を防止すると共に、露光装置のスループットの向上に有利な技術を提供することができる。
本発明の一側面としての露光装置を含む露光システムの構成を示す概略図である。 図1に示す露光システムにおいて、露光装置の露光処理部の構成を示す概略図である。 図1に示す露光システムにおいて、露光装置の送り込みハンドによるウエハチャックへのウエハの受け渡しを時系列的に示す図である。 図1に示す露光システムにおいて、露光装置の搬送ハンドによるウエハチャックからのウエハの受け取りを時系列的に示す図である。 図1に示す露光システムにおいて、露光装置の送り込みハンド及び搬送ハンドの駆動条件の一例を示す図である。 図1に示す露光システムにおいて、露光装置の制御部の機能ブロック図を示す図である。
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
図1は、本発明の一側面としての露光装置10を含む露光システム1の構成を示す概略図である。図1に示すように、露光システム1は、露光装置10と、塗布現像装置20や受渡装置30などの外部装置とで構成されている。塗布現像装置20は、露光前のウエハ(露光処理が施される前のウエハ)にフォトレジスト(感光剤)を塗布する機能と、露光後のウエハ(露光処理が施された後のウエハ)を現像する機能とを有する。受渡装置30は、露光装置10と塗布現像装置20とを接続して、露光装置10と塗布現像装置20との間でウエハを受け渡す機能を有する。なお、受渡装置30は、局所クリーン装置(EFEM:Equipment Front End Module)と呼ばれることもある。
露光装置10は、露光環境を一定状態(温度、湿度、圧力など)に維持するためのチャンバに収納され、本実施形態では、ステップ・アンド・スキャン方式でレチクルのパターンをウエハ(基板)に転写する投影露光装置である。但し、露光装置10は、ステップ・アンド・リピート方式やその他の露光方式も適用することができる。
露光装置10は、図1に示すように、露光処理部100と、搬入ステーション110と、搬出ステーション120と、アライメント部130と、送り込みハンド140と、搬送ハンド150と、制御部160とを備える。
露光処理部100は、図2に示すように、照明光学系101と、レチクルステージ102と、レチクル計測系103と、投影光学系104と、ウエハステージ105と、ウエハチャック106と、レーザ干渉計107と、フォーカス計測系108とを有する。照明光学系101は、光源からの光を用いてレチクルRTを照明する。レチクルステージ102は、回路パターンが形成されたレチクルRTを保持及び駆動する。レチクル計測系103は、レチクルステージ102に保持されたレチクルRTの位置を計測する。投影光学系104は、レチクルRTの回路パターンをウエハWFに投影する。ウエハステージ105は、ウエハWFを保持してX軸方向、Y軸方向、Z軸方向及びその回転方向に駆動する。ウエハチャック106は、ウエハステージ105に配置され、ウエハWFを吸着して保持する。レーザ干渉計107は、ウエハステージ105の位置を計測する。フォーカス計測系108は、ウエハWFのフォーカス位置(Z軸方向の位置)を計測する。露光処理において、照明光学系101からの光は、レチクルRTを照明する。レチクルRTのパターンを反映する光は、投影光学系104を介して、ウエハWF上に結像する。
図1に戻って、ウエハWFを吸着して保持するウエハチャック106には、送り込みハンド140や搬送ハンド150との間でウエハWFを受け渡すために上下方向に駆動する3つのピン106a、106b及び106cが設けられている。
搬入ステーション110には、露光前のウエハが収納(配置)される。搬出ステーション120には、露光後のウエハが収納(配置)される。アライメント部130は、ウエハWFの位置合わせ(アライメント)を行う。
送り込みハンド140は、アライメント部130においてアライメントされたウエハWFをアライメント部130から供給位置SPまで搬送し、供給位置SPにおいて、ウエハWFをウエハチャック106に受け渡す。搬送ハンド150は、搬入ステーション110に収納されたウエハWFをアライメント部130まで搬送する。また、搬送ハンド150は、回収位置RPにおいて、ウエハチャック106に保持されたウエハWFを受け取り、かかるウエハWFを回収位置RPから搬出ステーション120まで搬送する。送り込みハンド140及び搬送ハンド150は、本実施形態では、ウエハWFの下面を吸着して保持しながらウエハWFを搬送する搬送部として機能する。なお、図1において、供給位置SPや回収位置RPは、ウエハステージ105の可動平面上の特定位置を示している。
ここで、送り込みハンド140によるウエハWFの搬送、詳細には、ウエハチャック106へのウエハWFの受け渡し、及び、搬送ハンド150によるウエハWFの搬送、詳細には、ウエハチャック106からのウエハWFの受け取りについて説明する。
図3(a)乃至図3(e)は、送り込みハンド140によるウエハチャック106へのウエハWFの受け渡しを時系列的に示す図である。ウエハチャック106へのウエハWFの受け渡しにおいては、まず、ウエハチャック106に設けられた3つのピン106a、106b及び106cが上方向に駆動を開始する(図3(a)参照)。
ピン106a乃至106cの上方向への駆動が終了すると、送り込みハンド140が水平方向(左矢印方向)への駆動を開始する(図3(b)参照)。即ち、送り込みハンド140は、露光前のウエハWFの下面を吸着して保持しながら、ピン106a乃至106cの上に位置するまでウエハWFを水平方向に搬送する。
ウエハWFがピン106a乃至106cの上に位置すると、送り込みハンド140が水平方向への駆動を停止して、ウエハWFの下面の吸着を解除すると共に、鉛直下方向への駆動を開始する(図3(c)参照)。即ち、送り込みハンド140は、ピン106a乃至106cにウエハWFを受け渡すためにウエハWFの鉛直下方向(下矢印方向)への搬送を開始する。
ウエハWFがピン106a乃至106cに受け渡される(ウエハWFがピン106a乃至106cに保持された状態になる)と、送り込みハンド140が鉛直下方向への駆動を停止して、水平方向(右矢印方向)への駆動を開始する(図3(d)参照)。
そして、ウエハWFとウエハチャック106との間から送り込みハンド140が退避すると、ピン106a、106b及び106cが下方向に駆動を開始する(図3(e)参照)。これにより、ウエハWFは、送り込みハンド140からウエハチャック106に受け渡され、ウエハチャック106によって吸着されて保持される。
図4(a)乃至図4(e)は、搬送ハンド150によるウエハチャック106からのウエハWFの受け取りを時系列的に示す図である。ウエハチャック106からのウエハWFの受け取りにおいては、まず、ウエハチャック106が露光後のウエハWFの吸着を解除する。そして、ウエハチャック106に設けられた3つのピン106a、106b及び106cが上方向に駆動を開始する(図4(a)参照)。
ピン106a乃至106cの上方向への駆動が終了すると、搬送ハンド150が水平方向(左矢印方向)への駆動を開始する(図4(b)参照)。即ち、搬送ハンド150は、ウエハWFとウエハチャック106との間であって、ウエハWFの受け取り位置まで水平方向に駆動する。
ウエハWFとウエハチャック106との間に位置すると、搬送ハンド150が水平方向への駆動を停止して、ピン106a乃至106cからウエハWFを受け取るために鉛直上方向(上矢印方向)への駆動を開始する(図4(c)参照)。
ピン106a乃至106cからウエハWFを受け取る(ウエハWFが搬送ハンド150に保持された状態になる)と、搬送ハンド150が鉛直上方向への駆動を停止して、ウエハWFの下面を吸着すると共に、水平方向への駆動を開始する(図4(d)参照)。即ち、搬送ハンド150は、露光後のウエハWFの下面を吸着して保持しながら、ウエハWFを水平方向に搬送する。
そして、ウエハWFとウエハチャック106との間から搬送ハンド150が退避すると、ピン106a、106b及び106cが下方向に駆動を開始する(図4(e)参照)。
制御部160は、CPUやメモリなどを含み、露光装置10の動作(全体)を制御する。特に、制御部160は、本実施形態では、送り込みハンド140及び搬送ハンド150によるウエハWFの搬送を制御する。
送り込みハンド140及び搬送ハンド150によってウエハWFを鉛直下方向の加速をともなう搬送や水平方向に搬送する場合を考える。この場合、ウエハWFを搬送するときの加速度によって、送り込みハンド140及び搬送ハンド150に対するウエハWFの接触圧力が低下する。従って、送り込みハンド140及び搬送ハンド150によるウエハWFの搬送中において、ウエハWFのずれやウエハWFの落下が発生する可能性が高い。一方、送り込みハンド140及び搬送ハンド150によってウエハWFを鉛直上方向の加速をともなう搬送をする場合には、ウエハWFを搬送するときの加速度によって、送り込みハンド140及び搬送ハンド150に対するウエハWFの接触圧力が増加する。従って、送り込みハンド140及び搬送ハンド150によるウエハWFの搬送中において、ウエハWFのずれやウエハWFの落下が発生する可能性は極めて低い。
そこで、制御部160は、送り込みハンド140や搬送ハンド150によってウエハWFを鉛直下方向の加速をともない搬送する場合の搬送加速度がウエハWFを鉛直上方向の加速をともない搬送する場合の搬送加速度よりも遅くなるように、搬送条件を制御する。同様に、制御部160は、送り込みハンド140や搬送ハンド150によってウエハWFを水平方向に搬送する場合の搬送加速度がウエハWFを鉛直上方向の加速をともない搬送する場合の搬送加速度よりも遅くなるように、搬送条件を制御する。更に、制御部160は、送り込みハンド140や搬送ハンド150によってウエハWFを鉛直下方向の加速をともない搬送する場合の搬送加速度がウエハWFを水平方向に搬送する場合の搬送加速度よりも遅くなるように、搬送条件を制御してもよい。
また、ウエハWFに反りがある場合には、ウエハWFに反りがない場合と比較して、送り込みハンド140及び搬送ハンド150によるウエハWFの搬送中において、ウエハWFのずれやウエハWFの落下が発生する可能性が高い。
そこで、制御部160は、ウエハWFの反り量に応じて、送り込みハンド140や搬送ハンド150によってウエハWFを搬送するときの搬送加速度を決定する。例えば、ウエハWFの鉛直下方向の加速がともなう搬送について考える。この場合、ウエハWFの反り量が一定量未満であれば、制御部160は、図5(c)又は図5(d)の実線で示すような搬送条件となるように、送り込みハンド140及び搬送ハンド150による搬送加速度を決定する。また、ウエハWFの反り量が一定量以上であれば、制御部160は、図5(c)又は図5(d)の点線で示すような搬送条件となるように、送り込みハンド140及び搬送ハンド150による搬送加速度を決定する。一方、ウエハWFの水平方向への搬送について考える。この場合、ウエハWFの反り量が一定量未満であれば、制御部160は、図5(b)の実線で示すような搬送条件となるように、送り込みハンド140及び搬送ハンド150による搬送加速度を決定する。また、ウエハWFの反り量が一定量以上であれば、制御部160は、図5(b)の点線で示すような搬送条件となるように、送り込みハンド140及び搬送ハンド150による搬送加速度を決定する。なお、図5では、横軸にウエハWFの搬送速度(単位:mm/ms)を採用し、縦軸に時間(単位:ms)を採用している。
送り込みハンド140によるウエハチャック106へのウエハWFの受け渡しにおいて、図3(b)に示すように、ウエハWFを水平方向に搬送する場合を考える。この場合、送り込みハンド140は、ウエハWFの反り量が一定量未満であれば、図5(b)の実線で示される搬送条件に従ってウエハWFを搬送し、ウエハWFの反り量が一定量以上であれば、図5(b)の点線で示される搬送条件に従ってウエハWFを搬送する。また、図3(c)に示すように、ウエハWFを鉛直下方向に搬送する場合を考える。この場合、送り込みハンド140は、ウエハWFの反り量が一定量未満であれば、図5(d)の実線で示される搬送条件に従ってウエハWFを搬送し、ウエハWFの反り量が一定量以上であれば、図5(d)の点線で示される搬送条件に従ってウエハWFを搬送する。なお、図3(d)及び図3(e)では、送り込みハンド140は水平方向に駆動しているが、ウエハWFを保持していないため、図5(b)の実線又は点線で示される搬送条件に従う必要はない。
搬送ハンド150によるウエハチャック106からのウエハWFの受け取りにおいて、図4(d)及び図4(e)に示すように、ウエハWFを水平方向に搬送する場合を考える。この場合、搬送ハンド150は、ウエハWFの反り量が一定量未満であれば、図5(b)の実線で示される搬送条件に従ってウエハWFを搬送し、ウエハWFの反り量が一定量以上であれば、図5(b)の点線で示される搬送条件に従ってウエハWFを搬送する。また、図4(c)に示すように、ウエハWFを鉛直上方向に搬送する場合を考える。この場合、搬送ハンド150は、ウエハWFの反り量が一定量未満であれば、図5(c)の実線で示される搬送条件に従ってウエハWFを搬送し、ウエハWFの反り量が一定量以上であれば、図5(c)の点線で示される搬送条件に従ってウエハWFを搬送する。なお、図4(a)では、搬送ハンド150は水平方向に駆動しているが、ウエハWFを保持していないため、図5(b)の実線又は点線で示される搬送条件に従う必要はない。
図6は、制御部160の機能ブロック図を示す図である。なお、図6では、送り込みハンド140や搬送ハンド150の搬送条件の制御に関連するブロックを示している。
露光処理の条件や手順などのプロセスパラメータを含むレシピは、露光装置10の入力部を介して入力され、制御部160のメモリ161に格納される。また、メモリ161に格納されたレシピには、上述したウエハWFの反り量を含むウエハWFの下面の状態を表す状態情報が含まれている。ウエハWFの反り量は、例えば、ウエハ面内の最下部と最上部の差で定義されるが、これに限定するものではない。また、ウエハWFの下面の状態情報は、ウエハWFの反り量だけではなく、ウエハWFが上方に凸形状であるか下方に凸形状であるかを表す反り方向、ウエハWFの下面への異物の付着の有無及びウエハWFの下面の摩擦係数などを含む。
搬送条件決定ブロック162は、メモリ161に格納されたレシピから状態情報を抽出し、かかる状態情報を搬送条件に変換するためのテーブル163を参照して、送り込みハンド140や搬送ハンド150の搬送条件を決定する。なお、テーブル163には、状態情報と搬送条件との対応が設定されている。例えば、テーブル163として、ウエハWFの反り量100μm未満に対応して図5(a)及び図5(b)の実線に相当する搬送速度が、ウエハWFの反り量100μm以上に対応して図5(a)及び図5(b)の点線に相当する搬送速度が設定されている。但し、搬送条件は、上述した搬送速度だけではなく、送り込みハンド140や搬送ハンド150がウエハWFを搬送するときの加速度、ウエハWFを吸着する吸着力、ウエハWFの下面の吸着を開始してからウエハWFの搬送を開始するまでの搬送待ち時間なども含む。この場合、テーブル163には、状態情報と搬送時間、加速度、吸着力及び搬送待ち時間との対応が設定されることになる。
最短時間保持ブロック164は、最も短い時間で露光処理を行うための搬送条件(即ち、ウエハWFの搬送に要する時間を最短にする搬送条件)を保持している。最長時間保持ブロック165は、最も長い時間で露光処理を行うための搬送条件(即ち、ウエハWFの搬送に要する時間を最長にする搬送条件)を保持している。
搬送変更ブロック166は、搬送変更パラメータに応じて、搬送条件決定ブロック162で決定された搬送条件、最短時間保持ブロック164に保持された搬送条件又は最長時間保持ブロック165に保持された搬送条件をハンド制御部167に入力する。搬送変更パラメータは、本実施形態では、「ノーマルモード」、「スピードモード」、「エラー回避モード」を含み、露光装置10の入力部を介して入力され、装置データベースに格納されている。搬送変更ブロック166は、露光装置10に「ノーマルモード」が設定されている場合には、搬送条件決定ブロック162で決定された搬送条件をハンド制御部167に入力する。また、搬送変更ブロック166は、露光装置10に「スピードモード」が設定されている場合には、最短時間保持ブロック164に保持された搬送条件をハンド制御部167に入力する。また、搬送変更ブロック166は、露光装置10に「エラー回避モード」が設定されている場合には、最長時間保持ブロック165に保持された搬送条件をハンド制御部167に入力する。従って、露光装置10に「スピードモード」又は「エラー回避モード」を設定することで、ウエハWFの下面の状態を表す状態情報に関わらず、予め設定された搬送条件をハンド制御部167に入力することも可能である。
ハンド制御部167は、搬送変更ブロック166から入力された搬送条件に基づいて、送り込みハンド140や搬送ハンド150の駆動、即ち、送り込みハンド140や搬送ハンド150によるウエハWFの搬送を制御する。
このように、本実施形態の露光装置10によれば、ウエハWFを搬送する方向に応じて、搬送条件を制御することが可能であるため、ウエハWFの搬送中におけるウエハWFのずれ及び落下を防止しながらも、スループットの低下を低減することができる。従って、露光装置10は、高いスループットで経済性よく高品位なデバイス(半導体集積回路素子、液晶表示素子等)を提供することができる。なお、デバイスは、露光装置10を用いてフォトレジスト(感光剤)が塗布された基板(ウエハ、ガラスプレート等)を露光する工程と、露光された基板を現像する工程と、その他の周知の工程と、を経ることにより製造される。
また、本実施形態では、搬送条件を搬送速度として主に説明したが、搬送条件を搬送待ち時間、加速度及び吸着力としても同様な制御を行うことができる。例えば、搬送条件を搬送待ち時間とする場合について考える。この場合、ウエハWFを鉛直下方向の加速をともなって搬送する場合又は水平方向に搬送する場合の搬送待ち時間がウエハWFを鉛直上方向の加速をともなって搬送する場合の搬送待ち時間よりも長くなるように制御すればよい。これにより、ウエハWFの下面を吸着する吸着力が十分に大きくなってからウエハWFが搬送されるため、ウエハWFの搬送中におけるウエハWFのずれ及び落下を防止することができると共に、ウエハWFを搬送するときの加速度を大きくすることができる。また、搬送条件を加速度とする場合について考える。この場合、ウエハWFを鉛直下方向の加速をともなって搬送する場合又は水平方向に搬送する場合の加速度がウエハWFを鉛直上方向の加速をともなって搬送する場合の加速度よりも小さくなるように制御すればよい。これにより、ウエハWFの搬送中におけるウエハWFのずれ及び落下を防止することができる。また、搬送条件を吸着力とする場合について考える。この場合、ウエハWFを鉛直下方向の加速をともなって搬送する場合又は水平方向に搬送する場合の吸着力がウエハWFを鉛直上方向の加速をともなって搬送する場合の吸着力よりも大きくなるように制御すればよい。これにより、ウエハWFの搬送中におけるウエハWFのずれ及び落下を防止することができると共に、ウエハWFの搬送速度を速くしたり、ウエハWFの搬送するときの加速度を大きくしたりすることが可能となる。なお、搬送条件として、搬送速度、搬送待ち時間、加速度及び吸着力を組み合わせて制御することも可能である。
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。

Claims (11)

  1. レチクルのパターンを基板に転写する露光装置であって、
    前記基板の下面を吸着して保持しながら前記基板を搬送する搬送部と、
    前記搬送部によって前記基板を鉛直下方向の加速をともない搬送する場合の搬送加速度が前記搬送部によって前記基板を鉛直上方向の加速をともない搬送する場合の搬送加速度よりも小さくなるように、前記搬送部の搬送条件を制御する制御部と、
    を有することを特徴とする露光装置。
  2. 前記制御部は、前記搬送部によって前記基板を水平方向に搬送する場合の搬送加速度が前記搬送部によって前記基板を鉛直上方向の加速をともない搬送する場合の搬送加速度よりも小さくなるように、前記搬送部の搬送条件を制御することを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
  3. 前記搬送条件は、前記基板を吸着する吸着力を含み、
    前記制御部は、前記基板の下面の状態を表す状態情報に基づいて、前記搬送加速度及び前記吸着力を決定することを特徴とする請求項1又は2に記載の露光装置。
  4. 前記制御部は、前記状態情報と前記搬送加速度及び前記吸着力との対応を表すテーブルを有し、前記テーブルを参照して、前記搬送加速度及び前記吸着力を決定することを特徴とする請求項3に記載の露光装置。
  5. 前記制御部は、
    前記搬送部が前記基板を保持している場合には、前記搬送部によって前記基板を鉛直下方向の加速をともない搬送する場合の搬送加速度が前記搬送部によって前記基板を鉛直上方向の加速をともない搬送する場合の搬送加速度よりも小さくなるように、前記搬送部の搬送条件を制御し、
    前記搬送部が前記基板を保持していない場合には、前記搬送部によって前記基板を鉛直下方向の加速をともない搬送する場合の搬送加速度が前記搬送部によって前記基板を鉛直上方向の加速をともない搬送する場合の搬送加速度よりも小さくなるようには、前記搬送部の搬送条件を制御しないことを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
  6. レチクルのパターンを基板に転写する露光装置であって、
    前記基板の下面を吸着して保持しながら前記基板を搬送する搬送部と、
    前記搬送部によって前記基板を鉛直下方向の加速をともない搬送する場合の前記基板の下面の吸着を開始してから前記基板の搬送を開始するまでの搬送待ち時間が前記搬送部によって前記基板を鉛直上方向の加速をともない搬送する場合の搬送待ち時間よりも長くなるように、前記搬送部の搬送条件を制御する制御部と、
    を有することを特徴とする露光装置。
  7. 前記制御部は、前記搬送部によって前記基板を水平方向に搬送する場合の搬送待ち時間が前記搬送部によって前記基板を鉛直上方向の加速をともない搬送する場合の搬送待ち時間よりも長くなるように、前記搬送部の搬送条件を制御することを特徴とする請求項6に記載の露光装置。
  8. 前記搬送条件は、前記基板を搬送するときの搬送加速度及び前記基板を吸着する吸着力を含み、
    前記制御部は、前記基板の下面の状態を表す状態情報に基づいて、前記搬送待ち時間、前記搬送加速度及び前記吸着力を決定することを特徴とする請求項6又は7に記載の露光装置。
  9. 前記制御部は、前記状態情報と前記搬送待ち時間、前記搬送加速度及び前記吸着力との対応を表すテーブルを有し、前記テーブルを参照して、前記搬送待ち時間、前記搬送加速度及び前記吸着力を決定することを特徴とする請求項8に記載の露光装置。
  10. 前記状態情報は、前記基板の反り量、前記基板が上方に凸形状であるか下方に凸形状であるかを表す反り方向、前記基板の下面への異物の付着の有無及び前記基板の下面の摩擦係数の少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項3又は8に記載の露光装置。
  11. 請求項1乃至10のうちいずれか1項に記載の露光装置を用いて基板を露光するステップと、
    露光された前記基板を現像するステップと、
    を有することを特徴とするデバイスの製造方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018056339A (ja) * 2016-09-29 2018-04-05 株式会社Screenホールディングス 基板搬送装置および基板搬送方法

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9360772B2 (en) * 2011-12-29 2016-06-07 Nikon Corporation Carrier method, exposure method, carrier system and exposure apparatus, and device manufacturing method
JP2014029957A (ja) * 2012-07-31 2014-02-13 Canon Inc ステージ装置、リソグラフィ装置及び物品の製造方法
DE102014104979A1 (de) * 2014-04-08 2015-10-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Organische Leuchtdiode mit mehreren Leuchtsegmenten
JP7212558B2 (ja) * 2019-03-15 2023-01-25 キヤノン株式会社 基板処理装置、決定方法及び物品の製造方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08222618A (ja) * 1995-02-09 1996-08-30 Tokyo Electron Ltd 搬送方法及び搬送装置
JPH09162261A (ja) * 1995-12-12 1997-06-20 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板搬送装置
JP2002520860A (ja) * 1998-07-10 2002-07-09 エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド ウェハーを極小接触でハンドリングするためのウェハーキャリア及び方法
JP2006024683A (ja) * 2004-07-07 2006-01-26 Nikon Corp 搬送装置、露光装置、及び搬送方法
JP2006080198A (ja) * 2004-09-08 2006-03-23 Tokyo Electron Ltd 基板搬送装置及び基板搬送方法
JP2006269867A (ja) * 2005-03-25 2006-10-05 Canon Inc 露光装置
WO2007046430A1 (ja) * 2005-10-19 2007-04-26 Nikon Corporation 物体の搬出入方法及び搬出入装置、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2007281073A (ja) * 2006-04-04 2007-10-25 Canon Inc 基板搬送装置
WO2008068845A1 (ja) * 2006-12-05 2008-06-12 Shimadzu Corporation パレット搬送装置、および基板検査装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69402918T2 (de) * 1993-07-15 1997-08-14 Applied Materials Inc Substratfangvorrichtung und Keramikblatt für Halbleiterbearbeitungseinrichtung
US5655060A (en) * 1995-03-31 1997-08-05 Brooks Automation Time optimal trajectory for cluster tool robots
US5936710A (en) * 1996-01-05 1999-08-10 Canon Kabushiki Kaisha Scanning type exposure apparatus, position control apparatus, and method therefor
JPH10270535A (ja) * 1997-03-25 1998-10-09 Nikon Corp 移動ステージ装置、及び該ステージ装置を用いた回路デバイス製造方法
WO1999028220A1 (fr) * 1997-12-03 1999-06-10 Nikon Corporation Dispositif et procede de transfert de substrats
US20040075822A1 (en) * 1998-07-03 2004-04-22 Nikon Corporation Exposure apparatus and its making method, substrate carrying method, device manufacturing method and device
JP2000223549A (ja) * 1999-01-29 2000-08-11 Canon Inc 基板搬送装置、基板搬送方法、基板搬送用ハンド機構、灰化処理装置及び灰化処理方法
TW513617B (en) * 1999-04-21 2002-12-11 Asml Corp Lithographic projection apparatus and method of manufacturing a device using a lithographic projection apparatus
JP4288694B2 (ja) * 2001-12-20 2009-07-01 株式会社ニコン 基板保持装置、露光装置及びデバイス製造方法
US7684895B2 (en) * 2002-08-31 2010-03-23 Applied Materials, Inc. Wafer loading station that automatically retracts from a moving conveyor in response to an unscheduled event
TWI277836B (en) * 2002-10-17 2007-04-01 Adv Lcd Tech Dev Ct Co Ltd Method and apparatus for forming pattern on thin-substrate or the like
JP3769262B2 (ja) * 2002-12-20 2006-04-19 株式会社東芝 ウェーハ平坦度評価方法、その評価方法を実行するウェーハ平坦度評価装置、その評価方法を用いたウェーハの製造方法、その評価方法を用いたウェーハ品質保証方法、その評価方法を用いた半導体デバイスの製造方法、およびその評価方法によって評価されたウェーハを用いた半導体デバイスの製造方法
JP4301299B2 (ja) * 2007-01-31 2009-07-22 日新イオン機器株式会社 基板保持装置および基板押し上げ状態判定方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08222618A (ja) * 1995-02-09 1996-08-30 Tokyo Electron Ltd 搬送方法及び搬送装置
JPH09162261A (ja) * 1995-12-12 1997-06-20 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板搬送装置
JP2002520860A (ja) * 1998-07-10 2002-07-09 エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド ウェハーを極小接触でハンドリングするためのウェハーキャリア及び方法
JP2006024683A (ja) * 2004-07-07 2006-01-26 Nikon Corp 搬送装置、露光装置、及び搬送方法
JP2006080198A (ja) * 2004-09-08 2006-03-23 Tokyo Electron Ltd 基板搬送装置及び基板搬送方法
JP2006269867A (ja) * 2005-03-25 2006-10-05 Canon Inc 露光装置
WO2007046430A1 (ja) * 2005-10-19 2007-04-26 Nikon Corporation 物体の搬出入方法及び搬出入装置、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2007281073A (ja) * 2006-04-04 2007-10-25 Canon Inc 基板搬送装置
WO2008068845A1 (ja) * 2006-12-05 2008-06-12 Shimadzu Corporation パレット搬送装置、および基板検査装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018056339A (ja) * 2016-09-29 2018-04-05 株式会社Screenホールディングス 基板搬送装置および基板搬送方法
US10734266B2 (en) 2016-09-29 2020-08-04 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate transporter and substrate transport method
US11276595B2 (en) 2016-09-29 2022-03-15 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate transporter and substrate transport method

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