本発明の目的は、上記の従来の問題点に鑑み、タッチパネルに用いた際のペン摺動耐久性に優れ、特にポリアセタール製のペンを使用し、５．０Ｎの荷重で３０万回の摺動試験後でも透明導電性薄膜が破壊されない透明導電性フィルムを産業上利用できる手段で提供するとともに、適度な熱収縮率を透明導電性フィルムに持たせることによって大型のタッチパネルの上部電極として使用する際などにおいて熱処理で適度に収縮させて平面性の良好なものに仕上げることができる透明導電性フィルムを提供することにある。
In view of the above-mentioned conventional problems, the object of the present invention is excellent in pen sliding durability when used for a touch panel, especially using a polyacetal pen and sliding 300,000 times with a load of 5.0 N When used as an upper electrode of a large touch panel by providing a transparent conductive film that does not break the transparent conductive thin film even after the test by means that can be used industrially, and by giving the transparent conductive film an appropriate heat shrinkage rate to provide a transparent conductive film can be finished properly to contract the favorable flatness in the heat treatment at such.
本発明は、上記のような状況に鑑みなされたものであって、上記の課題を解決することができた本発明の透明導電性フィルムとは、以下の構成よりなる。
１．透明プラスチックフィルム基材上の少なくとも一方の面に酸化インジウムを主成分とした透明導電膜が積層された透明導電性フィルムであって、透明導電膜の厚みが１０〜２００ｎｍであり、透明導電性フィルムの少なくとも一方向の１２０℃６０分における収縮率が０．２０〜０．７０％であり、１２０℃６０分熱処理後の透明導電膜の酸化インジウムの平均結晶粒径が３０〜１０００ｎｍで、かつ、透明導電膜の結晶質部に対する非晶質部の比が０．００〜０．５０であることを特徴とする透明導電性フィルム。
２．透明導電性フィルムの流れ方向の１２０℃６０分における収縮率ＨＭＤと、透明導電性フィルムの幅方向の１２０℃６０分における収縮率ＨＴＤが（１）式を満足することを特徴とする前記１に記載の透明導電性フィルム。
０．００％≦｜ＨＭＤ−ＨＴＤ｜≦０．３０％ （１）
３．透明導電膜が、酸化インジウムを主成分とし、酸化スズを０．５〜８質量％含むことを特徴とする前記１又は２に記載の透明導電性フィルム。
４．１２０℃６０分熱処理後の透明導電膜の酸化インジウムの結晶粒径の変動係数が０．００〜０．３０であることを特徴とする前記１〜３に記載の透明導電性フィルム。
５．透明プラスチックフィルムの少なくとも一方の面に硬化型樹脂硬化層を形成した積層フィルムからなる基材上の少なくとも一方の面に酸化インジウムを主成分とした透明導電膜が積層された透明導電性フィルムであって、透明導電性フィルムの少なくとも一方向の１２０℃６０分における収縮率が０．２０〜０．７０％であり、１２０℃６０分熱処理後の透明導電膜の酸化インジウムの平均結晶粒径が３０〜１０００ｎｍで、かつ、透明導電膜の結晶質部に対する非晶質部の比が０．００〜０．５０であることを特徴とする透明導電性フィルム。
６．前記硬化型樹脂が紫外線硬化型樹脂であることを特徴とする前記５に記載の透明導電性フィルム。
７．前記１〜６いずれかに記載の透明導電性フィルムを可動電極側フィルムとして使用したタッチパネル。
This invention is made | formed in view of the above situations, Comprising: The transparent conductive film of this invention which was able to solve said subject consists of the following structures.
1. A transparent conductive film in which a transparent conductive film mainly composed of indium oxide is laminated on at least one surface on a transparent plastic film substrate, the transparent conductive film having a thickness of 10 to 200 nm, The shrinkage rate at 120 ° C. for 60 minutes in at least one direction is 0.20 to 0.70%, the average crystal grain size of indium oxide of the transparent conductive film after heat treatment at 120 ° C. for 60 minutes is 30 to 1000 nm, and A transparent conductive film, wherein the ratio of the amorphous part to the crystalline part of the transparent conductive film is 0.00 to 0.50.
2. 1. The shrinkage ratio HMD at 120 ° C. for 60 minutes in the flow direction of the transparent conductive film and the shrinkage ratio HTD at 120 ° C. for 60 minutes in the width direction of the transparent conductive film satisfy the formula (1). The transparent conductive film as described.
0.00% ≦ | HMD-HTD | ≦ 0.30% (1)
3. 3. The transparent conductive film as described in 1 or 2 above, wherein the transparent conductive film contains indium oxide as a main component and contains 0.5 to 8% by mass of tin oxide.
4. The transparent conductive film as described in 1 to 3 above, wherein the coefficient of variation in crystal grain size of indium oxide in the transparent conductive film after heat treatment at 120 ° C. for 60 minutes is 0.00 to 0.30.
5. A transparent conductive film in which a transparent conductive film mainly composed of indium oxide is laminated on at least one surface on a substrate made of a laminated film in which a curable resin cured layer is formed on at least one surface of the transparent plastic film. The shrinkage rate at 120 ° C. for 60 minutes in at least one direction of the transparent conductive film is 0.20 to 0.70%, and the average crystal grain size of indium oxide of the transparent conductive film after heat treatment at 120 ° C. for 60 minutes is 30 A transparent conductive film having a thickness of ˜1000 nm and a ratio of an amorphous part to a crystalline part of the transparent conductive film of 0.00 to 0.50.
6). 6. The transparent conductive film as described in 5 above, wherein the curable resin is an ultraviolet curable resin.
7). The touch panel which used the transparent conductive film in any one of said 1-6 as a movable electrode side film.
表２、３に記載のとおり、実施例１〜１６記載の透明導電性フィルムは、ペン摺動耐久試験後も摺動部が透明で、ＯＮ抵抗も１０ｋΩ以下であり、かつ非常に優れたペン摺動耐久性が得られた。さらにタッチパネルの平面性も良好であった。比較例１、２、４、６はペン摺動耐久試験後に摺動部が白化し、ＯＮ抵抗も１０ｋΩ以上であり、ペン摺動耐久性が十分でなかった。比較例３、５、７、８はペン摺動耐久試験は優れているが、他の特性が劣っている。比較例３は全光線透過率が実用的な水準よりも低いために使用に適さない。比較例５は表面抵抗が実用的な水準よりも高いため使用に適さない。比較例７、８はタッチパネルの平面性が十分でない。
As shown in Tables 2 and 3, the transparent conductive films described in Examples 1 to 16 have a transparent sliding part after the pen sliding durability test, an ON resistance of 10 kΩ or less, and a very excellent pen. Sliding durability was obtained. Furthermore, the flatness of the touch panel was also good. In Comparative Examples 1, 2, 4, and 6 , the sliding portion was whitened after the pen sliding durability test, the ON resistance was 10 kΩ or more, and the pen sliding durability was not sufficient. In Comparative Examples 3, 5, 7, and 8, the pen sliding durability test is excellent, but other characteristics are inferior. Comparative Example 3 is not suitable for use because the total light transmittance is lower than a practical level. Comparative Example 5 is not suitable for use because the surface resistance is higher than a practical level. In Comparative Examples 7 and 8, the flatness of the touch panel is not sufficient.
１：カソードと「フィルムから一番近いアノード」の間の距離
２：フィルムと「フィルムから一番近いアノード」の間の距離
３：フィルム
４：ロール
５：カバー（フィルムから一番近いアノード）
６：酸化インジウムを主とし、酸化スズを０．５〜８質量％含むターゲット
1: Distance between cathode and “closest anode from film” 2: Distance between film and “closest anode from film” 3: Film 4: Roll 5: Cover (anode closest to film)
6: Target mainly containing indium oxide and containing 0.5 to 8% by mass of tin oxide