JP5572932B2 - Transparent conductive film and touch panel - Google Patents

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Description

本発明は、透明電極、タッチパネル、電磁波遮蔽膜として有用な透明導電膜に関するものである。   The present invention relates to a transparent conductive film useful as a transparent electrode, a touch panel, and an electromagnetic wave shielding film.

透明導電膜は、導電性と光学的な透明性とを合わせ持つという特性を有しているため、産業的には、透明電極、電磁波遮蔽膜、面状発熱膜、反射防止膜等として使用されており、近年ではタッチパネル向け電極として注目を集めている。   Transparent conductive films have the property of having both conductivity and optical transparency, and are therefore used industrially as transparent electrodes, electromagnetic shielding films, planar heating films, antireflection films, etc. In recent years, it has attracted attention as an electrode for touch panels.

タッチパネルには静電容量結合式や光学式等、多様な方式が存在する。その中で、透明導電膜が使用されるのは、上下の電極が接触することでタッチ位置を特定する、抵抗膜式や、静電容量の変化を感知する静電容量結合方式である。特に前者は、ペン入力が可能であり、比較的安価であることから、携帯用端末、携帯ゲーム機等幅広く利用されている。この方式は動作原理上導電膜同士の接触がさけられず、そのため、タッチパネルの打点寿命を延ばすため、打点耐久性の高い透明導電性フィルムの開発が進められてきている。
また、ディスプレイの外付けとして使用されることから、高い光透過性が望まれている。
なお、上記背景技術文献としては、下記特許文献１が挙げられる。
特許第４０８６１３２号公報 There are various types of touch panels such as a capacitive coupling type and an optical type. Among them, the transparent conductive film is used in a resistive film type in which a touch position is specified by contact between upper and lower electrodes and a capacitive coupling method in which a change in capacitance is detected. In particular, the former can be used for pen input and is relatively inexpensive, and thus is widely used for portable terminals, portable game machines, and the like. In this method, contact between conductive films is not avoided on the principle of operation, and therefore, in order to extend the hit point life of the touch panel, development of a transparent conductive film having high hit point durability has been advanced.
Further, since it is used as an external display, high light transmission is desired.
In addition, as said background art document, the following patent document 1 is mentioned.
Japanese Patent No. 4086132

液晶パネルの細額縁化や使用環境の多様化により、ディスプレイに組み込まれるタッチパネルの高耐久化が求められている。そのためには、電極となる透明導電性フィルムの高耐久化が必要不可欠である。   Due to the thin frame of liquid crystal panels and the diversification of usage environments, high durability of touch panels incorporated in displays is required. For that purpose, high durability of the transparent conductive film used as an electrode is indispensable.

本発明は上記のような従来技術の課題を解決しようとするものであり、ペン書き耐久性を高めるとともに、光透過率も改善する透明導電性フィルムおよびタッチパネルを提供することを目的とする。   An object of the present invention is to provide a transparent conductive film and a touch panel that improve the pen writing durability and also improve the light transmittance.

請求項１に記載の発明は、透明基材の少なくとも一方の面に透明導電膜が設けられた透明導電性フィルムにおいて、
前記透明導電膜は前記透明基材から順に、密着層と、非晶質膜である第一のＩＴＯ層と、結晶化膜である第二のＩＴＯ層とを積層してなり、
前記第一のＩＴＯ層の屈折率ｎ１と前記第二のＩＴＯ層の屈折率ｎ２はｎ１＞ｎ２の関係を満たし、
前記密着層が、厚さ５〜３０ｎｍの直流マグネトロンスパッタリング法により成膜された酸化珪素からなり、かつ
前記第一のＩＴＯ層と第二のＩＴＯ層の膜厚の総和が１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることを特徴とする透明導電性フィルムである。
請求項２に記載の発明は、前記第一のＩＴＯ層のスズ含有量は５重量％〜２０重量％であり、第二のＩＴＯ層のスズ含有量は１重量％〜４重量％であることを特徴とする請求項１に記載の透明導電性フィルムである。
請求項３に記載の発明は、請求項１または２に記載の透明導電性フィルムを用いることを特徴とするタッチパネルである。
The invention according to claim 1 is a transparent conductive film in which a transparent conductive film is provided on at least one surface of a transparent substrate.
In order from the transparent base material, the transparent conductive film is formed by laminating an adhesion layer, a first ITO layer that is an amorphous film, and a second ITO layer that is a crystallized film,
The refractive index n1 of the first ITO layer and the refractive index n2 of the second ITO layer satisfy the relationship of n1> n2 ,
The adhesion layer is made of silicon oxide formed by a direct current magnetron sputtering method having a thickness of 5 to 30 nm , and
The transparent conductive film is characterized in that the total thickness of the first ITO layer and the second ITO layer is 10 nm or more and 50 nm or less .
In the invention according to claim 2 , the tin content of the first ITO layer is 5 wt% to 20 wt%, and the tin content of the second ITO layer is 1 wt% to 4 wt%. The transparent conductive film according to claim 1 .
The invention described in claim 3 is a touch panel using the transparent conductive film described in claim 1 or 2 .

本発明によれば、ペン書き耐久性を高めるとともに、光透過率も改善する透明導電性フィルムおよびタッチパネルを提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, while improving pen-writing durability, the transparent conductive film and touch panel which also improve light transmittance can be provided.

以下、本発明を、図面を参照しつつ詳細に説明する。実施の形態において、同一構成要素には同一符号を付け、重複する説明は省略する。   Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the embodiments, the same components are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted.

図１は、本発明の透明導電性フィルムの一実施形態の断面図である。図１において、透明導電性フィルム１は、透明基材２の一方の面に密着層３、密着層３上に非晶質膜である第一のＩＴＯ層４ａ、ＩＴＯ層４ａ上に結晶化膜である第二のＩＴＯ層４ｂを備えている。   FIG. 1 is a cross-sectional view of an embodiment of the transparent conductive film of the present invention. In FIG. 1, a transparent conductive film 1 includes an adhesive layer 3 on one surface of a transparent substrate 2, a first ITO layer 4 a that is an amorphous film on the adhesive layer 3, and a crystallized film on the ITO layer 4 a. The second ITO layer 4b is provided.

本発明の実施の形態に係わる透明導電性フィルム１は、非晶質膜である第一のＩＴＯ層４ａと、その上に結晶化膜である第二のＩＴＯ層４ｂを備えている。非晶質膜である第一のＩＴＯ層４ａ上に結晶化膜である第二のＩＴＯ層４ｂを備えることにより、透明導電性フィルム１をタッチパネルに搭載したときの、ペン書き耐久性及び光透過性を高めることができる。   The transparent conductive film 1 according to the embodiment of the present invention includes a first ITO layer 4a that is an amorphous film, and a second ITO layer 4b that is a crystallized film thereon. By providing the second ITO layer 4b, which is a crystallized film, on the first ITO layer 4a, which is an amorphous film, pen writing durability and light transmission when the transparent conductive film 1 is mounted on a touch panel Can increase the sex.

とくに、タッチパネルに結晶化膜である第二のＩＴＯ層４ｂを設けることで耐久性を向上させることができる。   In particular, the durability can be improved by providing the touch panel with the second ITO layer 4b which is a crystallized film.

また、本発明では、非晶質膜である第一のＩＴＯ層４ａの屈折率ｎ１と、結晶化膜である第二のＩＴＯ層４ｂの屈折率ｎ２との関係は、ｎ１＞ｎ２である必要がある。この関係を満たすことで、透過率を向上させることができる。   In the present invention, the relationship between the refractive index n1 of the first ITO layer 4a, which is an amorphous film, and the refractive index n2 of the second ITO layer 4b, which is a crystallized film, must be n1> n2. There is. By satisfying this relationship, the transmittance can be improved.

また本発明において、非晶質膜である第一のＩＴＯ層４ａの膜厚と、結晶化膜である第二のＩＴＯ層４ｂの膜厚の総和が１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であるのが好ましい。透明導電膜の膜厚が１０ｎｍ未満であると、成膜制御を良好に行うことができなくなる恐れがある。また５０ｎｍを超えると、抵抗値が低くなりすぎ、タッチパネルとしての検出性能が低下する恐れがある。   In the present invention, the total thickness of the first ITO layer 4a, which is an amorphous film, and the second ITO layer 4b, which is a crystallized film, is preferably 10 nm to 50 nm. If the film thickness of the transparent conductive film is less than 10 nm, film formation control may not be performed satisfactorily. If it exceeds 50 nm, the resistance value becomes too low, and the detection performance as a touch panel may be deteriorated.

また、透明導電性フィルム１は、透明基材２と非晶質膜である第一のＩＴＯ層４ａとの間に密着層３を備えている。密着層３を備えることにより、透明導電性フィルム１の密着性が向上され、タッチパネルに搭載したときの、ペン書き耐久性を高めることができる。   Further, the transparent conductive film 1 includes an adhesion layer 3 between the transparent substrate 2 and the first ITO layer 4a which is an amorphous film. By providing the adhesion layer 3, the adhesion of the transparent conductive film 1 is improved, and pen writing durability when mounted on the touch panel can be enhanced.

透明基材２の材料としては、ポリエチレンやポリプロピレンなどのポリオレフィン；ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートなどのポリエステル；ナイロン6、ナイロン66などのポリアミド；ポリイミド；ポリアリレート；ポリカーボネート；ポリアクリレート；ポリエーテルサルフォン、ポリサルフォン、これらの共重合体の無延伸あるいは延伸されたプラスチックフィルムを用いることが出来る。また、透明性の高い他のプラスチックフィルムを用いることもできる。その厚さは基材の可撓性を考慮し、10〜200μm程度のものが用いられる。この内ポリエチレンテレフタレートなどが好ましく用いられる。   The material of the transparent substrate 2 includes polyolefins such as polyethylene and polypropylene; polyesters such as polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate and polyethylene naphthalate; polyamides such as nylon 6 and nylon 66; polyimides; polyarylate; polycarbonate; Ether sulfone, polysulfone, and unstretched or stretched plastic films of these copolymers can be used. Also, other plastic films with high transparency can be used. The thickness is about 10 to 200 μm in consideration of the flexibility of the substrate. Of these, polyethylene terephthalate is preferably used.

これらの透明基材２は、一方又は両方の面にハードコートなどのプライマー層が積層されているものが好ましく用いられる。   As these transparent base materials 2, those in which a primer layer such as a hard coat is laminated on one or both surfaces are preferably used.

これらの透明基材２は、易接着処理、プラズマ処理、コロナ処理などの表面処理が施されていてもよい。   These transparent base materials 2 may be subjected to surface treatment such as easy adhesion treatment, plasma treatment, and corona treatment.

密着層３を形成する材料としては、金属またはその酸化物、硫化物、フッ化物等の無機化合物を用いることができる。実用上は酸化珪素、酸化アルミニウムなどが特に好適に用いられる。   As a material for forming the adhesion layer 3, a metal or an inorganic compound such as an oxide, sulfide or fluoride thereof can be used. Practically, silicon oxide, aluminum oxide, etc. are particularly preferably used.

密着層３の膜厚としては5〜30nmが好適に用いられる。膜厚が5nm未満になると、膜の均一性が得にくくなり、また30nmを超える厚さでは透明性の低下が起こる。   The thickness of the adhesion layer 3 is preferably 5 to 30 nm. When the film thickness is less than 5 nm, it becomes difficult to obtain film uniformity, and when the film thickness exceeds 30 nm, transparency is lowered.

ＩＴＯ層４ａ及び４ｂの導電性材料には、必要に応じて、Al、Zr、Ga、Si、W等の添加物を含有させることができる。   The conductive materials of the ITO layers 4a and 4b can contain additives such as Al, Zr, Ga, Si, and W as necessary.

本発明の密着層３およびＩＴＯ層４ａ、４ｂの製造方法については特に限定はないが、スパッタリング法、蒸着法、イオンプレーティング法、CVD法等の真空成膜法を用いて好ましく製造することができる。なお、第一のＩＴＯ層４ａ及び第二のＩＴＯ層４ｂを成膜した後、１５０℃〜２００℃で１時間以上加熱することにより、第二のＩＴＯ層４ｂを結晶化させることができる。   The method for producing the adhesion layer 3 and the ITO layers 4a and 4b according to the present invention is not particularly limited. it can. In addition, after forming the 1st ITO layer 4a and the 2nd ITO layer 4b, the 2nd ITO layer 4b can be crystallized by heating at 150 to 200 degreeC for 1 hour or more.

本発明では、非晶質膜である第一のＩＴＯ層４ａのスズ含有量は５重量％〜２０重量％であり、結晶化膜である第二のＩＴＯ層４ｂのスズ含有量は１重量％〜４重量％であることが好ましい。
ＩＴＯ層４ａのスズ含有量が５重量％〜２０重量％であると、良好な耐久性を付与することができ、同時に、ＩＴＯ層４ｂのスズ含有量が１重量％〜４重量％であると、良好な透過率を得ることができる。 In the present invention, the tin content of the first ITO layer 4a that is an amorphous film is 5 wt% to 20 wt%, and the tin content of the second ITO layer 4b that is a crystallized film is 1 wt%. It is preferably ˜4% by weight.
When the tin content of the ITO layer 4a is 5 wt% to 20 wt%, good durability can be imparted, and at the same time, the tin content of the ITO layer 4b is 1 wt% to 4 wt% Good transmittance can be obtained.

図４に示すように、本発明の実施の形態に係るタッチパネル１０は、透明基材２の両方の面にハードコート層５、一方のハードコート層５の上に密着層３、密着層３上に非晶質膜である第一のＩＴＯ層４ａ、その上に結晶化膜である第二のＩＴＯ層４ｂを備える透明導電性フィルム１、透明導電性フィルム１の結晶化膜である第二のＩＴＯ層４ｂにスペーサ８を介して対向配置された透明導電膜６及び基板７を備えている。   As shown in FIG. 4, the touch panel 10 according to the embodiment of the present invention includes a hard coat layer 5 on both sides of the transparent substrate 2, an adhesion layer 3 on one hard coat layer 5, and an adhesion layer 3. A transparent conductive film 1 having a first ITO layer 4a which is an amorphous film, and a second ITO layer 4b which is a crystallized film thereon, and a second crystallized film of the transparent conductive film 1 A transparent conductive film 6 and a substrate 7 are provided to face the ITO layer 4b with a spacer 8 therebetween.

本発明の実施の形態に係る透明導電性フィルム１は、タッチパネルの中でも抵抗膜方式のタッチパネルに好適に用いることができる。抵抗膜方式のタッチパネル１０にあっては、本発明の実施の形態に係わる透明導電性フィルム１の透明導電膜４と対向配置するように透明導電層６及び基板７を備えている。透明導電膜４と透明導電層６とは、スペーサ8により接触しない距離が保たれる。透明導電性フィルム1のハードコート層５側が、タッチパネル１０の前面となり、ペン９により文字等が入力される。   The transparent conductive film 1 which concerns on embodiment of this invention can be used suitably for the touch panel of a resistance film system among touch panels. The resistive film type touch panel 10 includes a transparent conductive layer 6 and a substrate 7 so as to face the transparent conductive film 4 of the transparent conductive film 1 according to the embodiment of the present invention. The transparent conductive film 4 and the transparent conductive layer 6 are kept away from each other by the spacer 8. The hard coat layer 5 side of the transparent conductive film 1 becomes the front surface of the touch panel 10, and characters and the like are input by the pen 9.

本発明の実施の形態に係るタッチパネル１０において、ペン９とハードコート層５とがタッチしていない状態では、スペーサ８により２枚の電極（透明導電膜４と透明導電層６）が接触していないために電流は流れない。一方、ペン９によりハードコート層５をタッチすると、圧力により透明導電性フィルム１がたわみ、基板７（ガラス面）側の電極（透明導電層６）と接触して電流が流れる。このとき、透明導電性フィルムの１の透明導電膜４と基板７の透明導電層６との抵抗による分圧比を測定することで、ペン入力された位置を検出することができる。   In the touch panel 10 according to the embodiment of the present invention, when the pen 9 and the hard coat layer 5 are not touched, the two electrodes (the transparent conductive film 4 and the transparent conductive layer 6) are in contact with each other by the spacer 8. Current does not flow. On the other hand, when the hard coat layer 5 is touched with the pen 9, the transparent conductive film 1 bends due to the pressure, and contacts with the electrode (transparent conductive layer 6) on the substrate 7 (glass surface) side, and a current flows. At this time, the position inputted by the pen can be detected by measuring the voltage division ratio due to the resistance between the transparent conductive film 1 of the transparent conductive film 4 and the transparent conductive layer 6 of the substrate 7.

透明導電性フィルム１の材料は前述しているために省略し、基板７及び透明導電層６の材料について述べる。基板７の材料は、ガラスに限らず透明であれば使用でき、さらに、前述した透明基材２と同じ材料及び同じ形成方法を用いることができる。透明導電層６の導電性材料としては、酸化インジウム、酸化錫、酸化亜鉛等の酸化物及びその混合酸化物等を用いることができ、透明導電性フィルム１の透明導電膜４と同一製造方法を用いることができる。また、その膜厚は膜の均一性を失わない範囲で、10nmから50nmまで任意に用いることができる。   Since the material for the transparent conductive film 1 has been described above, the material for the substrate 7 and the transparent conductive layer 6 will be omitted. The material of the substrate 7 is not limited to glass and can be used as long as it is transparent. Further, the same material and the same forming method as those of the transparent substrate 2 described above can be used. As the conductive material of the transparent conductive layer 6, oxides such as indium oxide, tin oxide, and zinc oxide and mixed oxides thereof can be used, and the same manufacturing method as the transparent conductive film 4 of the transparent conductive film 1 is used. Can be used. The film thickness can be arbitrarily selected from 10 nm to 50 nm as long as the uniformity of the film is not lost.

以下、本発明を実施例および比較例によりさらに説明するが、本発明は下記例に制限されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, although an Example and a comparative example further demonstrate this invention, this invention is not restrict | limited to the following example.

実施例１
図１の層構成の透明導電膜性フィルム１を作成した。両面にハードコートを塗布した188μm厚のPETフィルムを透明基材２とし、透明基材２の一方の面に、密着層３を、直流マグネトロンスパッタリング法にて成膜し形成した。この時、密着層３に酸化珪素を使用した。また、膜厚を10nmとした。 Example 1
A transparent conductive film 1 having the layer structure of FIG. 1 was prepared. A PET film having a thickness of 188 μm with a hard coat applied on both sides was used as a transparent substrate 2, and an adhesion layer 3 was formed on one surface of the transparent substrate 2 by direct current magnetron sputtering. At this time, silicon oxide was used for the adhesion layer 3. The film thickness was 10 nm.

非晶質膜である第一のＩＴＯ層４ａを密着層３の上に、直流マグネトロンスパッタリング法にて成膜することにより形成した。この時、スパッタリングターゲットとして、酸化スズを10重量％含有のＩＴＯを使用した。また、膜厚を10nmとした。   A first ITO layer 4a that is an amorphous film was formed on the adhesion layer 3 by direct current magnetron sputtering. At this time, ITO containing 10% by weight of tin oxide was used as a sputtering target. The film thickness was 10 nm.

結晶化膜である第二のＩＴＯ層４ｂを非晶質膜である第一のＩＴＯ層４ａの上に、直流マグネトロンスパッタリング法にて成膜することにより形成した。この時、スパッタリングターゲットとして、酸化スズを3重量％含有のＩＴＯを使用した。また、膜厚を10nmとした。   A second ITO layer 4b, which is a crystallized film, is formed on the first ITO layer 4a, which is an amorphous film, by a direct current magnetron sputtering method. At this time, ITO containing 3% by weight of tin oxide was used as a sputtering target. The film thickness was 10 nm.

実施例２
図２の層構成の透明導電性フィルム１を作成した。すなわち、非晶質膜である第一のＩＴＯ層４ａを透明基材２上に直接成膜することにより形成した以外は、実施例１と同様にして形成した。なお、本実施例２は参考例である。
Example 2
A transparent conductive film 1 having the layer structure of FIG. 2 was prepared. That is, the first ITO layer 4a, which is an amorphous film, was formed in the same manner as in Example 1 except that the first ITO layer 4a was formed directly on the transparent substrate 2. The second embodiment is a reference example.

比較例１
図３の層構成の透明導電性フィルム１を作成した。すなわち、両面にハードコートを塗布した188μm厚のPETフィルムを透明基材２とし、その一方の面に、非晶性である透明導電膜４を、直流マグネトロンスパッタリング法にて成膜することにより形成した。この時、スパッタリングターゲットとして、酸化スズを10重量％含有のITOを使用した。また、膜厚を20nmとした。 Comparative Example 1
A transparent conductive film 1 having the layer structure of FIG. 3 was prepared. That is, a 188 μm-thick PET film coated with a hard coat on both sides is used as a transparent substrate 2, and an amorphous transparent conductive film 4 is formed on one side thereof by direct current magnetron sputtering. did. At this time, ITO containing 10% by weight of tin oxide was used as a sputtering target. The film thickness was 20 nm.

以上の実施例及び比較例について、透過特性及び抵抗値を測定した。また、図４に示すように、タッチパネル１０を形成して、ペン書き耐久性の評価を行った。ペン書きのペン９には、ポリアセタールからなるペン先半径0.8mmのタッチペンを用いて、ハードコート層上面から、プロッターにより250g加重、アからンまでのカタカナ文字を10万字の筆記を行い、リニアリティの測定を行った。その結果を表１に示す。   About the above Example and the comparative example, the permeation | transmission characteristic and resistance value were measured. Moreover, as shown in FIG. 4, the touch panel 10 was formed and pen writing durability was evaluated. The pen 9 is a pen with a pen tip radius of 0.8mm made of polyacetal. From the upper surface of the hard coat layer, 250g weight is applied by a plotter, and 100,000 katakana characters from A to N are written. Measurements were made. The results are shown in Table 1.

透過特性は分光光度計でD65光源2度視野にて測定した。   The transmission characteristics were measured with a spectrophotometer in a 2-degree field of D65 light source.

抵抗値は四探針法で測定した。   The resistance value was measured by the four probe method.

リニアリティは電極間に5V印加し、各ポイントにおける電圧値を測定し、理想値（直線性）とのずれを計算した。   For linearity, 5V was applied between the electrodes, the voltage value at each point was measured, and the deviation from the ideal value (linearity) was calculated.

[表１]

Figure 0005572932
[Table 1]
Figure 0005572932

表１に示す結果から、結晶性の異なる二層のＩＴＯ層を有する実施例１及び２は、比較例１に比べ、光透過性及び、ペン書き耐久性に優れていることがわかる。また、密着層を有する実施例１は、密着層を持たない実施例２に比べてさらにペン書き耐久性が優れていることがわかる。   From the results shown in Table 1, it can be seen that Examples 1 and 2 having two ITO layers having different crystallinities are superior to Comparative Example 1 in light transmittance and pen writing durability. Moreover, it turns out that Example 1 which has an adhesion layer is further excellent in pen-writing durability compared with Example 2 which does not have an adhesion layer.

本発明の透明導電性フィルムの一実施形態の断面図である。It is sectional drawing of one Embodiment of the transparent conductive film of this invention. 本発明の透明導電性フィルムの一実施形態の断面図である。It is sectional drawing of one Embodiment of the transparent conductive film of this invention. 比較例の透明導電性フィルムの断面図である。It is sectional drawing of the transparent conductive film of a comparative example. 本発明のタッチパネルの一実施形態の断面図である。It is sectional drawing of one Embodiment of the touchscreen of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1 透明導電性フィルム
2 透明基材
3 密着層
4 透明導電膜
4a 非晶質膜である第一のＩＴＯ層
4b 結晶化膜である第二のＩＴＯ層
5 ハードコート層
6 透明導電層
7 基材
8 スペーサー
9 ペン
10 タッチパネル 1 Transparent conductive film
2 Transparent substrate
3 Adhesive layer
4 Transparent conductive film
4a The first ITO layer is an amorphous film
4b Second ITO layer as crystallized film
5 Hard coat layer
6 Transparent conductive layer
7 Base material
8 Spacer
9 pen
10 Touch panel

Claims (3)

透明基材の少なくとも一方の面に透明導電膜が設けられた透明導電性フィルムにおいて、
前記透明導電膜は前記透明基材から順に、密着層と、非晶質膜である第一のＩＴＯ層と、結晶化膜である第二のＩＴＯ層とを積層してなり、
前記第一のＩＴＯ層の屈折率ｎ１と前記第二のＩＴＯ層の屈折率ｎ２はｎ１＞ｎ２の関係を満たし、
前記密着層が、厚さ５〜３０ｎｍの直流マグネトロンスパッタリング法により成膜された酸化珪素からなり、かつ
前記第一のＩＴＯ層と第二のＩＴＯ層の膜厚の総和が１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下である
ことを特徴とする透明導電性フィルム。 In the transparent conductive film provided with a transparent conductive film on at least one surface of the transparent substrate,
In order from the transparent base material, the transparent conductive film is formed by laminating an adhesion layer, a first ITO layer that is an amorphous film, and a second ITO layer that is a crystallized film,
The refractive index n1 of the first ITO layer and the refractive index n2 of the second ITO layer satisfy the relationship of n1> n2 ,
The adhesion layer is made of silicon oxide formed by a direct current magnetron sputtering method having a thickness of 5 to 30 nm , and
The transparent conductive film, wherein a total thickness of the first ITO layer and the second ITO layer is 10 nm or more and 50 nm or less . 前記第一のＩＴＯ層のスズ含有量は５重量％〜２０重量％であり、第二のＩＴＯ層のスズ含有量は１重量％〜４重量％であることを特徴とする請求項１に記載の透明導電性フィルム。 The tin content of the first ITO layer is 5 wt% to 20 wt%, the tin content of the second ITO layer according to claim 1, characterized in that a 1% to 4% Transparent conductive film. 請求項１または２に記載の透明導電性フィルムを用いることを特徴とするタッチパネル。 A touch panel using the transparent conductive film according to claim 1 .
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