JP2011021255A - 3金属成分型複合ナノ金属ペースト、接合方法及び電子部品 - Google Patents

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Abstract

【課題】不活性ガス中で無加圧下でペースト層を金属層まで焼結させたとき、前記金属層による上体と下体間のせん断接合強度が10Mpa以上である複合ナノ金属ペーストを提供する。
【解決手段】この複合ナノ金属ペーストは、平均粒径X(nm)の金属核の周囲に有機被覆層を形成した複合金属ナノ粒子と、平均粒径d(nm)の金属ナノフィラー粒子と、平均粒径D(nm)の金属フィラー粒子を金属成分として含有し、X<d<Dの第1関係及びX<d<100(nm)の第2関係を有する。更には、前記平均粒径dは、前記金属フィラー粒子3個が平面上で相互に接触状態に配置される場合に形成されるスリーポケットの中に前記金属ナノフィラー粒子が内入されるようなサイズを有し、前記平均粒径Xは、前記スリーポケット内において残った隙間を充填するようなサイズを有する複合ナノ金属ペーストである。
【選択図】図9

Description

本発明は、金属核の周囲に有機被覆層を形成した複合金属ナノ粒子を含有する複合ナノ金属ペーストに関し、特に詳細には、所定温度に加熱することにより前記有機被覆層を気散させて、前記複合ナノ金属ペーストを金属化させる複合ナノ金属ペースト、接合方法及び電子部品に関する。
一般に、半導体、電子回路、電子機器などは各種の電子部品を基板に半田で溶融固定して電気的導通性を確保している。しかし、従来の半田はSnとPbの合金であり、近年の環境保全対策としてPbの使用が禁止されつつあるため、前記従来半田に替わるPbフリーの代替半田が開発されつつある。SnとPbの共晶半田の融点は183℃であり、従来代替半田であるSn・Ag・Cu半田の融点は217℃である。樹脂基板に半田付けする場合には、樹脂の耐熱性は低いから、従来の代替半田では融点が高過ぎて、樹脂基板を損傷することが有り、低温用半田が要望されていた。
代替半田の特性として、Pbを含有せず、しかも金属化温度が低いことは当然であるが、その他に安全性が高く、腐食性が無く、半田と同様に(自重のみで荷重を加えることなく)無荷重で接合が可能、しかも接合強度が高いことが要望されている。この期待に応える素材としてCu、Ni、Ag等の複合金属ナノ粒子が開発されつつある。
次に、これらの金属ナノ粒子に粘性付与剤と溶剤を混合させたナノ金属ペーストが製造されるようになった。例えば、特許文献1として特開2007−297671が公開されている。この文献には、銀ナノ粒子の一次粒子の平均粒径が200nm以下であり、この銀ナノ粒子の一次粒子の形骸を有したシート状の構造体を金属成分とするナノ金属ペーストが提案されている。
本発明者等は、市販される平均粒径200nm以下の銀ナノ粒子を用いて、上記ナノ金属ペーストを作成し、直径10mmと直径5mmの銅円板を接合する実験を行なった。即ち、直径5mmの銅円板の表面に厚さ300μmのナノ金属ペースト層を塗着形成し、このペースト面に直径10mmの銅円板を接着して、350℃の焼成温度で焼結させ、前記ペースト層を金属層に焼結させて両円板を接合した。冷却後、前記直径5mmの銅円板を面方向に外力を印加して両者をせん断状に分離破断し、破断限界であるせん断接合強度を測定した。しかし、何回繰り返しても、無荷重では0.1〜1MPa程度の接合強度しか得られなかった。本発明者等が要求する接合強度は少なくとも半導体が破損する10MPa以上である。特に、高温下で使用される電子部品や強振動下で使用される電子部品では、接合部が破損せず半導体が破損する10MPa以上の高接合強度が要求され、上記したナノ金属ペーストでは、到底実用化することは不可能である。
10MPa以上の高接合強度を安定して発現するには、銀ナノ粒子の改良が必要である。通常、ナノ粒子といえる為には、前記銀ナノ粒子の粒径が100nm以下でなければならない。前記銀ナノ粒子の平均粒径は200nmであり、金属成分としては大きすぎる欠点を有している。しかも、このような銀ナノ粒子は、相互に凝集しやすいから、上記ナノ金属ペースト中で、銀ナノ粒子が相互に凝集して大きな団子銀粒子になり、その結果、焼成しても接合金属層の中に隙間がかなり空き、接合強度が低下したものと推定される。凝集を阻止するためには、有機溶媒中で単分散できる銀ナノ粒子でなければならず、このためには、外周に有機被覆層を形成した複合銀ナノ粒子である必要がある。有機被覆層同士が相互に反発するため、複合銀ナノ粒子同士が溶媒中で安定して単分散するからである。従って、まず、本発明者等は複合銀ナノ粒子の開発に着手した。
本発明者等が調査した結果、複合金属ナノ粒子に関する特許文献として、下記に示す特許文献2〜特許文献9が公知であり、これら公知文献の有する欠点を解消することによって、本発明を完成させた。
まず、特許文献2として特開2008−161907が公開された。この公開公報は、平均粒径100nm以下の有機被覆金属粒子と平均粒径100nm〜100μmの粒度分布を有する有機被覆金属粒子を混合した接合用材料を開示している。有機被覆金属材料とは、金属核の周囲を有機被覆層が取り巻く複合金属粒子であり、本願発明が利用する複合金属ナノ粒子と共通している。この公開公報の要点は、100nm以下の有機被覆金属粒子が100nm以上の金属粒子の隙間を埋めるため、接合強度が増大することを述べているが、メカニズムの詳細は不明であるとしている。2種の金属粒子の粒径関係については、100nm以下の金属粒子と100nm以上の金属粒子と述べているだけで、メカニズムが不明であるため、粒径関係についてもそれ以上の言及は全く無いのが実情である。
特許文献3として特許第3205793号公報(特開平10−183207号)が公開された。出発物質として銀有機化合物(特に銀有機錯体)が選択された。空気を遮断した不活性ガス雰囲気下で、前記銀有機化合物を分解開始温度以上で、且つ完全分解温度未満の温度で加熱し、分解還元された銀核の周囲に前記銀有機化合物由来の有機物を被覆層とした複合銀ナノ粒子が製造された。この製法は固体−気体反応である。銀核の粒径は1〜100nmであり、そのため通称で複合銀ナノ粒子と称される。具体的には、固形のステアリン酸銀100gを窒素気流下のフラスコ内において250℃で4時間加熱すると、粒径5nmの銀核の周囲にステアリン酸基の有機被覆層を有する複合銀ナノ粒子が生成された。
前記製法では、ステアリン酸銀の固形物を溶媒無しに加熱するため、生成された複合銀ナノ粒子が分散し難く、多数の複合銀ナノ粒子が団子状態に結合した大きな2次粒子になる欠点がある。しかも、生成温度は250℃と高く、複合銀ナノ粒子の金属化温度は220℃と極めて高いことが分かる。生成温度が高い銀ナノ粒子は銀化温度も高くなる。一般のSn−Pb半田の融点が183℃であり、切望される複合銀ナノ粒子の金属化温度が200℃以下であることを考慮すると、前記金属化温度(銀化温度)が220℃では高すぎ、低温用の代替半田として使用することは困難であった。金属化温度が高いのは、団子状態の巨大粒子であり、且つステアリン酸基の分解温度が高いためであると考えられる。しかも、前記銀核は単結晶ではなく、単なる原子集団であり、若しくは多結晶であることをその発明者から確認している。銀核が多結晶や無秩序の場合、多数の粒界面での電子散乱や熱散乱が生じ、その結果、電気伝導度や熱伝導度が低下する原因となる。
次に、特許文献4として特開2003-342605号公報が公開された。前記特許文献3は、発明者として本発明者の一人が参加した発明である。金属有機化合物を有機溶媒や水中に溶解・分散させて、前記金属有機化合物由来の有機物を被覆した複合銀ナノ粒子の製造に成功した。この製法は固体−液体反応である。しかも、この複合銀ナノ粒子を高分解能透過型電子顕微鏡で観察すると、銀核に格子像が確認され、単結晶銀核であることが確認された。固液反応法に基づき、金属有機化合物が分子として溶媒中に溶解分散し、前記分子を還元して銀原子を析出させ、銀原子同士の再結合により単結晶化したものと考えられる。即ち、その単結晶性は分子間反応に起因すると考えられる。銀核が単結晶であるから、電気伝導度や熱伝導度が高い利点がある。しかし、銀化温度については、[0076]に、ステアリン酸基被覆の複合銀ナノ粒子を250℃で10分間加熱した、と書かれている。つまり、銀化温度が250℃とかなり高温であることが、特許文献2の弱点である。銀化温度が高い理由は、酢酸銀、ヘキサン酸銀、オクタン酸銀などの銀有機化合物から出発しているため、被覆層を構成する有機酸基の分解温度が高いためである。金属化温度を200℃以下にする更なる工夫が必要である。
そこで、特許文献5としてWO00/076699号公報が公開された。本発明者の一人はこの国際公開公報の発明者の一人である。この公開公報には複数の発明が開示されているが、その中でも金属無機化合物を界面活性剤を用いて処理する方法が初めて公開され、金属無機化合物を出発物質とする道が開かれた。即ち、金属無機化合物を界面活性剤を用いて非水系溶媒中でコロイド化して超微粒子前駆体を形成する第1工程と、このコロイド溶液中に還元剤を添加して前記超微粒子前駆体を還元し、金属核の外周に界面活性剤殻を被覆層として形成した複合金属ナノ粒子を生成する第2工程から構成される。
前記方法は、非水系溶媒に金属無機化合物を溶解させるから、生成した複合金属ナノ粒子同士が非水系溶媒中に分散し、団子状態になり難い特徴を有している。しかし、実施例は、オレイン酸銅、アビエチン酸銀、酢酸銀、オレイン酸ニッケル、ジエチルヘキサンインジウム、酢酸銅、ステアリン酸銀であり、有機金属化合物しか実施されていない。しかも、ステアリン酸銀から生成された複合銀ナノ粒子の金属化温度は220℃と高いことが分かった。金属化温度を200℃以下にする更なる工夫が必要である。Sn−Pb半田よりも更に高特性にするには、金属化温度を150℃以下にする一層の努力が要求される。しかも、特許文献4では、銀核の単結晶性・多結晶性の判定がなされていないから、複合金属ナノ粒子の電気伝導性や熱伝導性の良否が判定不能である。
以上の状況下で、特許文献6としてWO01/070435号公報が公開され
た。この国際公開公報には、金属塩から得られる粒径が1〜100nmの金属核の周囲に炭素数4以上のアルコール性水酸基を含む有機化合物からなる被覆層を形成した複合金属ナノ粒子が開示されている。しかも、吸着性を有する官能基を含む有機化合物として、炭素数6以上の高級アルコールが記載されている。
更に、特許文献7としてWO2005/075132号公報が公開された。この公報には、中心部が金属核からなり、その周囲に熱脱離開始温度が140℃以上で190℃未満の有機物の被覆層を有した複合金属ナノ粒子が開示されている。製法として、無機金属塩と有機物質を共存させ、無機金属塩が分解して金属核が形成され、その周囲に有機物の被覆層が形成された複合金属ナノ粒子が製造されることが記載されている。また、無機金属塩又は分解生成された無機金属化合物の周囲に有機物の被覆層が形成された複合金属ナノ粒子も開示されている。
特許文献8として特開2007−95510号公報が公開されている。特許文献8の請求項1には、(R−A)−Mの化学式で表現される金属塩に由来する金属成分から構成された金属コアと、前記金属塩に由来する有機被覆層からなる複合金属ナノ粒子と有機溶媒よりなる導電性ペーストが開示されている。Rは炭素数4〜9の炭化水素基、AはCOO、OSO、SO又はOPOであり、Mは銀、金又は白金族である。従って、複合銀ナノ粒子が包含されている。
特許文献9として特開2004−107728号公報が開示されている。特許文献8の請求項1には、平均粒径100nm以下の金属核の周囲にC、H及び/又はOを主成分とする有機被覆層を有する複合金属ナノ粒子が記載され、この有機被覆層は有機酸金属塩から生成されたものであることが記載されている。
特開2007−297671号 特開2008−161907号 特許第3205793号(特開平10−183207号) 特開2003−342605号 WO00/076699号 WO01/070435号 WO2005/075132号 特開2007−95510号 特開2004−107728号
前述したように、特許文献1には、ナノ金属ペースト層を焼成したときに、高接合強度を有する緻密な金属膜を形成するための条件が全く開示されていない。そこで、本発明者等は通常行なうペースト作製手順に従って、ナノ金属ペーストを作製した。即ち、特許文献1に記載の平均粒径200nmの銀ナノ粒子を粘度付与剤と溶剤と混練して得たペーストである。このペーストが10MPa以上の接合強度を発現しないことは既に上述した通りである。理由を考察した結果、次のようなものが考えられる。第1に、200nmの一様な球を多数焼結して連続化させた場合に、粒子と粒子の間に無数の隙間が残存して、接触面積が相対的に小さくなり、その結果、粒子同士の結合強度が小さい。第2に、200nmのナノ金属粒子は自然には単分散せず、相互に凝集して団子粒子になる。団子粒子の中には無数の隙間があり、この隙間は焼結してもそのまま残存する。しかも、その隙間は、均一な隙間ではなく、大小変化に富んだ無数の隙間であり、粒子間の接触面積の低下を導く。特許文献1には、この隙間を充填する思想が欠如していると考えられる。
既に述べた様に、特許文献2には、接合強度を向上させるために、平均粒径100nm以下の有機被覆金属粒子と100nm〜100μmの範囲の有機被覆金属粒子を混合した接合材料が示されている。そこで、本発明者等は、平均粒径50nmの複合銀ナノ粒子の製造を行い、100nm〜100μmの中間値として平均粒径1μmの有機被覆金属粒子の製造に成功した。これらの2種粒子を粘度付与剤と溶剤と共に混合してペーストを作成したが、ペースト層を焼成して金属層を形成しても、10MPa以上の接合強度を得ることは不可能であった。電子顕微鏡像により前記混合金属層の断面を撮影したが、無数の隙間が観察された。従って、2種の大粒子と小粒子の混合金属層でも、まだ無数の隙間が存在すると考えられ、この隙間が10MPa以上の接合強度の実現を阻害していると考えられる。つまり、大粒子だけの金属層(特許文献1)でも接合強度で失敗し、大粒子と小粒子の混合金属層(特許文献2)でも、10MPa以上の接合強度に関して失敗したのである。しかも、大粒子と小粒子の詳細なサイズ条件については全く示唆されておらず、適当なサイズの大粒子と小粒子を単に混合するだけであるから、余りにも大雑把過ぎると言わざるを得ない。
上記隙間を充填するために、本発明者等は、特定サイズ関係の大中小の3種類の金属成分粒子を含有し、特に小粒子として複合金属ナノ粒子を有するナノ金属ペーストを発案して、10MPa以上の高接合強度を有する緻密金属膜を実現できることを確認し、本発明を完成させたものである。
しかも、上記複合金属ナノ粒子として200℃以下の低温で金属化が可能な複合金属ナノ粒子を開発し、この低温焼成用の複合金属ナノ粒子を本発明のナノ金属ペーストに応用したものである。このような技術思想は、特許文献1には記載もされず、示唆さえされていない。上記複合金属ナノ粒子の重要性を確認するために、特許文献6〜9と対比説明する。
特許文献6には、5〜10nmの粒径の複合銀ナノ粒子は、有機化合物の分解温度が80℃以下であれば、銀皮膜形成温度は80℃になることが記載され、分解温度が80℃以上であれば、その分解温度にまで加熱すれば銀皮膜を形成できることが記載されている。しかし、前述内容は単なる希望的観測であるに過ぎず、実施例には、そのような例は一切記載されていない。以下に、具体的に述べてみよう。
実施例1には、ギ酸銅と1−デカノール(C数は10)を反応させると、185℃付近から溶液が変色して複合銅ナノ粒子ができ、その銅化焼成温度は200〜350℃であり、250〜300℃が好ましいと記載されている。実施例2には、炭酸銀とミリスチン酸(C数は14)から、230℃で溶液変色により複合銀ナノ粒子ができたと記載され、空気中焼成では250℃で銀コーティング膜が形成されている。実施例3では、炭酸銀とステアリルアルコール(C数は18)から、150℃にて1時間加熱で溶液変色により複合銀ナノ粒子の生成が確認されているが、窒素雰囲気下での銀化温度は250℃と記載されている。実施例4では、炭酸銀とフェノール(C数は6)から、180℃にて1時間加熱で溶液変色により複合銀ナノ粒子の生成が確認され、銀化温度は300℃と記載されている。実施例5では、酢酸銅とラウリルアルコール(C数は12)から、100℃にて1時間加熱で溶液変色により複合銀ナノ粒子の生成が確認されたが、水素添加窒素の雰囲気下では銀化温度は250℃であった。
更に、実施例6では、塩化白金とエチレングリコール(C数は2)から、180℃にて1時間加熱で溶液変色により複合白金ナノ粒子の生成が確認されたが、加熱処理温度は300℃であった。実施例7では、酢酸銅とラウリルアルコール(C数は12)から、110℃にて溶液変色により複合銅ナノ粒子の生成が確認されているが、窒素雰囲気下での銅化温度は300℃であった。最後に、実施例8では、酢酸銅とエタノール(C数は2)とノニオン性界面活性剤(ソルビタントリステアレート)から、150℃にて溶液変色により複合銅ナノ粒子の生成が確認されているが、窒素雰囲気下での銅化温度は300℃であった。
以上のように、特許文献5の8個の実施例では、C数14以上の有機被覆層を有した銀、銅又は白金核が記載されているだけで、しかも銀、銅又は白金化温度は200℃以上の高温である。炭素数が14以上であるから分子量が大きくなり、有機被覆層の重量が銀核重量に対し相対的に増大し、有機分量が増大した分だけ焼成時の排ガス量が増え、ペーストとしての適格性が低下する。しかも、いずれの複合銀ナノ粒子も金属化温度が200℃をかなり超えており、切望される200℃以下の金属化温度を実現する複合金属ナノ粒子は生成されていない。従って、代替半田として不適格であることが明らかである。即ち、本発明に利用しえる複合銀ナノ粒子は200℃以下の金属化、更に好ましくは150℃以下の金属化が実現できる複合銀ナノ粒子でなければならない。それを実現するのは、本発明者等の一部が開発した、アルコール由来の有機被覆層有した複合銀ナノ粒子だけである。即ち、炭素数が1〜12のアルコール分子誘導体、アルコール分子残基、又はアルコール分子の一種以上からなる有機被覆層を有した複合銀ナノ粒子である。しかし、前記従来文献には、このような複合銀ナノ粒子は記載もされず、示唆さえされていないのが実情である。
特許文献7には、理解不能の事が記載されている。無機金属塩と有機物質を共存させると、無機金属塩又は分解された無機金属化合物を含む中心核の周囲に有機物の被覆層が形成されると記載されている。例えば、6頁には、炭酸銀(無機金属塩)とミリスチルアルコール(有機物質、C数は14)の混合物を120℃で2時間反応させると、有機物が銀又は炭酸銀に物理吸着した複合銀ナノ粒子が生成される、と記載されている。炭酸銀の周囲に有機物が付着すると、炭酸銀から銀析出する熱分解温度は400℃を超えることは、以下の反応式から明白である。
AgCO→AgO+CO (150℃<T<210℃) (A)
AgO→2Ag+1/2O (T>400℃) (B)
まず、式(A)の反応が生起するが、式(B)の分解温度は400℃以上であり、200℃以下の金属化を達成できず、融点183℃のSn−Pb半田の代替品としても不適格である。しかも、銀核の結晶性は全く記載されておらず、電気伝導性と熱伝導性の良否の判定は全く不能である。
また、ミリスチルアルコールはC数が14と分子量が大きく、銀核に対する有機被覆層の重量が増大して、焼成温度が高くなると同時に、焼成時の排ガス量が増大して、接合時に大量のボイドが生じ、接合用ペーストとしての適格性が低下する欠点を有する。
特許文献8の複合金属ナノ粒子は、金属塩を分解した分解生成物として金属核と有機被覆層が形成されるもので、有機金属化合物から出発する点で本発明とは異なる。本発明は、炭酸銀から銀核を形成し、アルコールから有機被覆層を形成するもので、製法が全く異なっている。しかも、有機被覆層は炭化水素基とCOO、OSO、SO又はOPOとの結合基であり、構造が複雑で分解温度が高い。特に、硫黄Sが含まれているため、焼成により大気汚染成分であるSOが生成され、環境基準に適合しないものである。[0018]に記載されるように、金属化温度を150℃程度に達成できても、実施することが不可能な複合金属ナノ粒子である。また、半導体接合には不適なSやPを含有しており、半導体接合時にSやPが半導体中へ拡散するおそれがあるため、半導体接合には使用できない弱点を有する。しかも、金属核の結晶性は全く記載も示唆もされておらず、電気伝導性と熱伝導性の良否の判定は全く不能である。
特許文献9の複合金属ナノ粒子は、有機酸金属塩を分解して有機被覆層が形成されるから、有機被覆層は有機酸基であり、気散温度はかなり高くなる。その[0031]には融点が210℃であることが記載され、[0068]には210〜250℃の温度範囲で焼成することが記載されている。従って、本発明が目的とする200℃以下、好ましくは150℃以下の金属化は、特許文献8では到底実現できない。しかも、接合強度や電気伝導性と熱伝導性の良否の判定は全く不能である。
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものである。第1に、10MPa以上の高接合強度を生じる緻密金属層を形成するために、ナノ金属ペーストの金属成分を平均粒径が小中大の3種類の金属成分、小粒子と中粒子と大粒子から構成し、大粒子間を中粒子で充填し、残りの隙間を小粒子で充填することにより、焼結後に隙間の少ない緻密金属層を形成し、その結果、10MPa以上の高接合強度を達成したものである。より具体的には、小粒子である複合金属ナノ粒子(金属核平均粒径:X(nm))と中粒子である金属ナノフィラー粒子(金属平均粒径:d(nm))と大粒子である金属フィラー粒子(金属平均粒径:D(nm))から構成し、粒径条件をX<d<Dの第1関係とX<d<100(nm)の第2関係として設定して、緻密金属層を実現したものである。更に、粒径X、d、Dの関係を具体化するために、3個の大粒子を接触配置して、その中心の隙間であるスリーポケットに中粒子が内入するように中粒子の平均粒径を設定し、更に残りの隙間に小粒子が内入するように小粒子の平均粒径を設定すれば、より緻密な金属層が形成できることを発見して、本発明が想到されたものである。
第2に、前記小粒子として、低温焼成が可能な複合金属ナノ粒子、即ちC数が1〜12のアルコール由来の有機被覆層を有した複合銀ナノ粒子を利用し、高接合強度を発現する複合ナノ金属ペーストを確立したものである。複合金属ナノ粒子は単分散して自由にペースト中を動き得るから、隙間を充填するように動き、焼成により緻密な金属層を形成できる。また、d<100(nm)である中粒子の金属ナノフィラー粒子として、大径化した複合金属ナノ粒子を利用することに成功した。100nm近くの金属粒子を機械的方法で製造することは現在の技術では不可能であり、仮に製造できたとしても、金属微粒子同士は直ぐに凝集して団子粒子化してしまう。そこで、前記複合金属ナノ粒子を通常よりも高温でかなり長時間反応させると、その金属核が大径化して平均粒径が100nm近くの中粒子に到達することを確認し、また周囲の微量の有機被覆層により相互反発して凝集し難いことを確認して、本発明を完成したものである。しかも反応温度と反応時間を調節することにより、複合金属ナノ粒子の金属核平均粒径を自在に大小制御することが可能になる。
本発明では、C数が小さいために金属核質量が従来よりもかなり増大し、且つ昇温速度VT=1℃/minの熱解析において金属化温度T3を200℃以下に低温化したアルコール由来有機被覆型の複合金属ナノ粒子を利用するものである。金属としてAu、Pt、Ag、Pd、Rh、Ru、Os、Irといった貴金属や、Cu、Niなどの卑金属を利用でき、特にAg(銀)を利用すれば、低価格で安定した複合金属ナノ粒子を提供できることが明らかになった。前記アルコール由来有機被覆層は、アルコール分子誘導体、アルコール分子残基又はアルコール分子の一種以上からなるから、焼成してもH2OとCO2が生成されるだけであり、環境基準に完全に適合する。しかも、200℃以下で金属化するから、Pb−Sn半田の代替半田として利用できる。しかも、昇温速度VT=1℃/minの熱解析における分解開始温度T1と分解温度T2の相互関係がT2−100≦T1≦T2の範囲に制限され、またT1<T2<T3の不等式を満足する、低温焼成が可能な複合銀ナノ粒子を利用できる。そのような複合銀ナノ粒子の生成温度PT(℃)は金属化温度T3より小さくできるから、PT≦T3≦200℃を満足する複合銀ナノ粒子を利用した複合ナノ金属ペーストを提供できる。この複合ナノ金属ペーストを用いて電子部品の接合を行う接合方法を確立したのである。更に、前述した様に、アルコール由来物質とは、具体的にはアルコール誘導体、アルコール残基又はアルコール分子であり、焼成してH2OとCO2しか発生しないから、環境対策にも優れ、半導体などの電子部品接合に有効に適用することが可能である。アルコール誘導体にはカルボン酸やカルボン酸基、またアルコキシドやアルコキシド基も含まれ、アルコールから化学反応により誘導される化合物全般が包含される。
本発明は上記課題を解決するために為されたものであり、本発明の第1形態は、平均粒径X(nm)の金属核の周囲に有機被覆層を形成した複合金属ナノ粒子と、平均粒径d(nm)の金属ナノフィラー粒子と、平均粒径D(nm)の金属フィラー粒子を金属成分として含有し、X<d<Dの第1関係及びX<d<100(nm)の第2関係を有し、焼成により前記有機被覆層が気散して金属層が形成されるときに前記複合金属ナノ粒子と前記金属ナノフィラー粒子と前記金属フィラー粒子が緻密に焼結する複合ナノ金属ペーストである。
本発明の第2形態は、前記金属ナノフィラー粒子は金属核の周囲に有機被覆層を形成した複合金属ナノフィラー粒子であり、前記焼成により前記金属ナノフィラー粒子の有機被覆層も気散して前記金属層が形成される複合ナノ金属ペーストである。
本発明の第3形態は、前記金属ナノフィラー粒子の平均粒径dは、前記金属フィラー粒子3個が平面上で相互に接触状態に配置される場合に形成されるスリーポケットの中に前記金属ナノフィラー粒子が内入されるようなサイズを有し、前記複合金属ナノ粒子の金属核の平均粒径Xは、前記スリーポケット内において前記金属フィラー粒子と前記金属ナノフィラー粒子の隙間に前記複合金属ナノ粒子の金属核が内入されるようなサイズを有する複合ナノ金属ペーストである。
本発明の第4形態は、前記平均粒径X、d、Dが、
X≦[1/3−2/{3(2√3−1)}]D及び
d≦(2/√3−1)Dを満足する複合ナノ金属ペーストである。
本発明の第5形態は、溶剤及び/又は粘性付与剤を添加した複合ナノ金属ペーストである。
本発明の第6形態は、前記複合ナノ金属ペーストを昇温速度VT=1℃/minで大気中熱分析した場合に、ペースト金属化温度Tp3(℃)が300℃以下である複合ナノ金属ペーストである。
本発明の第7形態は、前記複合ナノ金属ペーストを昇温速度VT=1〜20℃/minで大気中熱分析した場合に、温度単位を℃とするとき、ペースト金属化温度Tp3(VT)が、Tp3(VT)<Tp3(1℃/min)+100を満足する複合ナノ金属ペーストである。
本発明の第8形態は、前記複合ナノ金属ペーストを昇温速度VT=1〜20℃/minで大気中熱分析した場合に、温度単位を℃とするとき、ペースト分解開始温度Tp1(VT)とペースト分解温度Tp2(VT)が、Tp2(VT)−100<Tp1(VT)<Tp2(VT)を満足する複合ナノ金属ペーストである。
本発明の第9形態は、前記複合ナノ金属ペーストを昇温速度VT=1〜20℃/minで大気中熱分析した場合に、温度単位を℃とするとき、ペースト分解開始温度Tp1(VT)とペースト分解温度Tp2(VT)とペースト金属化温度Tp3(VT)が、Tp1(VT)<Tp2(VT)<Tp3(VT)の関係を満足しながら前記昇温速度VTの増加に従って増加する複合ナノ金属ペーストである。
本発明の第10形態は、温度単位を℃とするとき、昇温速度VT(℃/min)で大気中熱分析した場合における複合金属ナノ粒子の分解開始温度T1(VT)、分解温度T2(VT)及び金属化温度T3(VT)とし、昇温速度VT(℃/min)で大気中熱分析した場合における複合ナノ金属ペーストのペースト分解開始温度Tp1(VT)、ペースト分解温度Tp2(VT)及びペースト金属化温度Tp3(VT)としたとき、T1(VT)<Tp1(VT)<T1+100、T2(VT)<Tp2(VT)<T2+100又はT3(VT)<Tp3(VT)<T3+100の一つ以上が成立する複合ナノ金属ペーストである。
本発明の第11形態は、前記第1〜第10形態のいずれかの複合ナノ金属ペーストを用意し、前記複合ナノ金属ペーストにより下体と上体の間にペースト層を形成し、加熱により前記ペースト層を金属層へと焼結して前記下体と前記上体を接合する接合方法である。
本発明の第12形態は、無荷重下且つ不活性ガス中で前記下体と前記上体を前記金属層を介して接合したとき、前記下体と前記上体を前記金属層と平行な方向にせん断するときのせん断応力、即ち接合強度が10(MPa)以上である接合方法である。
本発明の第13形態は、第11又は第12形態の接合方法により製造された電子部品である。
本発明の第1形態によれば、ナノ金属ペーストの金属成分を平均粒径が小中大の3種類の金属成分、即ち、小粒子と中粒子と大粒子から構成し、大粒子間の隙間を中粒子で充填し、大粒子と中粒子間の隙間を小粒子で充填することにより、ペースト層を焼結して形成される金属層が隙間の少ない緻密な金属層に形成できる利点を有する。その結果、高電気伝導度、高熱伝導度及び高接合強度を有する金属層接合が可能になる。特に、10MPa以上の高接合強度を達成したものである。より具体的には、小粒子である複合金属ナノ粒子(金属核平均粒径:X(nm))と中粒子である金属ナノフィラー粒子(金属平均粒径:d(nm))と大粒子である金属フィラー粒子(金属平均粒径:D(nm))から構成し、粒径条件をX<d<Dの第1関係とX<d<100(nm)の第2関係を満足するように設定するから、金属フィラー粒子間の隙間を金属ナノフィラー粒子で充填でき、且つ残りの隙間を複合金属ナノ粒子で充填することが可能であり、焼成したときに、隙間が殆んど無い緻密な金属層を実現できる。この金属層は電子部品や半導体などの接合金属層となり、良好な電気的特性と機械的特性を発現できる。小粒子を複合金属ナノ粒子で構成するから、ペースト中を単分散して動き回り、隙間を充填するように配置され、焼成により緻密な金属層を形成できる。前記金属ナノフィラー粒子としては、平均粒径が100nm以下の金属粒子でも良いし、平均粒径が100nm以下の金属核を有した複合金属ナノ粒子でも良い。機械加工や他の加工方法で平均粒径が100nm以下の金属粒子を作り難い場合には、高温度・長時間反応により金属核を強制的に大径化した複合金属ナノ粒子を使用できる。特に、X、d、Dは平均粒径であり、それらの平均粒径よりも小さな粒子が多数含有されており、これらの極微細粒子群が小粒子、中粒子、大粒子相互の隙間に充填されるから、一層緻密な金属層が形成されるものである。
本発明の第2形態によれば、中粒子である前記金属ナノフィラー粒子として金属核の周囲に有機被覆層を形成した大径の複合金属ナノ粒子を利用するから、ペースト中を単分散して金属フィラー粒子間の隙間に入りやすくなる。焼成により小粒子と中粒子を構成する複合金属ナノ粒子の有機被覆層が気散して、金属フィラー粒子と中小の金属核が相互に動きながら隙間を埋め合うように接合し、金属層の緻密化を一層高める効果がある。中粒子である前記複合金属ナノ粒子を製造するには、高温度で長時間反応させれば、金属核の粒径を急激に増大でき、金属核粒径を1nm〜数百nmの範囲にわたって自在に作り出すことが可能である利点を有する。その中でも、本発明ではX<d<100(nm)で示される平均金属核粒径が100nm以下の複合金属ナノ粒子が選択的に利用される。しかも平均粒径がX(nm)及びd(nm)であるから、実際には小径〜大径にまで粒径が分布しており、前記大粒子・中粒子・小粒子の隙間を充填するように、小径側に分布した極微細粒子が入り込み、一層に緻密な金属層を形成することが可能になる。従って、高電気伝導度・高熱伝導度・高接合強度の金属層を自在に形成できる効果を有する。
本発明の第3形態によれば、前記金属ナノフィラー粒子の平均粒径dは、平均粒径Dの前記金属フィラー粒子3個が平面上で相互に接触状態に配置(最密三角形配置)される場合に形成されるスリーポケット(中心部の隙間)の中に前記金属ナノフィラー粒子が内入されるようなサイズを有している。また、前記複合金属ナノ粒子の金属核の平均粒径Xは、前記スリーポケット内において前記金属フィラー粒子と前記金属ナノフィラー粒子相互間の隙間に前記複合金属ナノ粒子の金属核が内入されるようなサイズを有する複合ナノ金属ペーストである。即ち、大粒子が最密充填される条件下でのスリーポケットを充填するように、小粒子と中粒子の金属核の平均粒径X及びdが設定されるから、焼成時に大粒子と中粒子と小粒子が相互に隙間を埋め合うように動きながら緻密な金属層を形成できる。しかも、D、d、Xは平均粒径であるから、それらより微小な極微細粒子が多数存在し、これらの極微細粒子群が残った隙間を充填するように金属層が形成され、金属層の緻密度を最高度に増大化することが可能になった。従って、高電気伝導度・高熱伝導度・高接合強度の金属層を自在に形成できる効果を有する。
本発明の第4形態によれば、前記平均粒径X、d、Dが、X≦[1/3−2/{3(2√3−1)}]D及びd≦(2/√3−1)Dを満足する複合ナノ金属ペーストが提供される。平均粒径Xとは複合金属ナノ粒子(小粒子)の金属核の平均粒径であり、平均粒径dとは金属ナノフィラー粒子(中粒子)の平均粒径であり、平均粒径Dとは金属フィラー粒子(大粒子)の平均粒径である。3個の大粒子を相互に接触配置(最密三角形配置)させると、その中心部にスリーポケット(中心隙間)が形成される。そのスリーポケットに配置され、前記3個の大粒子に内接する第1内接円の直径は(2/√3−1)Dになることが証明される。従って、中粒子の直径dは前記内接円の直径より小さいとき、即ちd≦(2/√3−1)Dの条件式が満足されると、中粒子は前記スリーポケットに内入されやすいことが分かる。更に、前記内接円と前記3個の大粒子の間に形成される微小隙間に内接される第2内接円の直径は[1/3−2/{3(2√3−1)}]Dになることが証明される。従って、小粒子の直径Xは前記第2内接円の直径より小さいとき、即ちX≦[1/3−2/{3(2√3−1)}]Dの条件式が満足されると、小粒子は前記微小隙間に内入され易いことが分かる。大中小の3粒子の平均粒径が、この2条件を満足するように設定されるとき、焼成により形成される金属層は、最密充填構造を構成しやすくなり、実際には最密充填されなくても最密充填に近い構造を構成しやすくなり、緻密な金属層を形成できる利点を有する。その結果、高電気伝導度・高熱伝導度・高接合強度の金属層を自在に形成できる効果を有する。しかも、D、d、Xは平均粒径であるから、それらより微小な極微細粒子が多数存在し、これらの極微細粒子群が残った隙間を充填するように隙間を極少化した金属層が形成され、金属層の緻密度を最高度に増大化することが可能になった。
本発明の第5形態によれば、溶剤及び/又は粘性付与剤を添加した複合ナノ金属ペーストを提供できる。前記溶剤は本発明に使用される3種金属成分粒子を分散させて溶液化する材料であり、例えばアルコール、アセトン、トルエン、キシレン、プロパノール、エーテル、石油エーテル、ベンゼンなどが利用できる。前記粘性付与剤は前記溶液に添加して塗着し易い粘性を付与する材料であり、例えばテレピンオイル、ターピネオール、メチルセルロース、エチルセルロース、ブチラール、各種テルペン誘導体、IBCH(イソボルニルシクロヘキサノール)、グリセリン、C14以上の常温で固形のアルコールなどが利用できる。テルペン誘導体としては1,8−テルピンモノアセテート、1,8−テルピンジアセテートなどがある。IBCHは松脂状、グリセリンはシロップ状、C14以上のアルコールは固液変化する性質を有し、10℃以下では非流動性を有する。前記非流動性粘性付与剤に本発明の3種金属成分粒子を混合分散させて非流動性ペーストにすれば、10℃以下の低温では複合銀ナノ粒子が分散状に固定されているから、3種金属成分粒子同士の凝集が生起しない。使用する直前に前記非流動性ペーストを加熱すれば流動化してペーストとして塗着可能になり、ペーストとしての機能を発揮できる。また、使用直前に前記非流動性ペーストに前記溶剤を添加すれば、加熱しなくても流動性ペーストになり、ペーストとしての機能を発揮できることは云うまでもない。
本発明の複合ナノ金属ペーストでは、前記溶剤及び/又は粘性付与剤の蒸発温度或いは分解温度は極力低く設定されることが望ましい。従って、ペーストの焼成温度は複合銀ナノ粒子の金属化温度だけでは決まらず、溶剤及び/又は粘性付与剤の蒸発温度や分解温度にも依存する。また、加熱により蒸発・分解気散する必要があり、炭化して残留するものは除かれる。また、使用形態として、溶剤だけ添加したペースト、粘性付与剤だけ添加したペースト、溶剤と粘性付与剤の両者を添加したペーストが利用できる。
本発明の第6形態によれば、前記複合ナノ金属ペーストを昇温速度VT=1℃/minで大気中熱分析した場合に、ペースト金属化温度Tp3(℃)が300℃以下である複合ナノ金属ペーストを提供できる。複合ナノ金属ペーストを大気中で示差熱分析(DTA)すると、複合金属ナノ粒子の有機被覆層が酸化して反応熱が発生し、大きなDTAピークが形成される。このDTAピークが単一ピークで構成される場合には、この単一ピークが終了した温度がペースト金属化温度Tp3(℃)である。前記DTAピークが複数ピークで構成される場合には、最終ピークが終了した温度がペースト金属化温度Tp3(℃)である。最終ピークが急峻ピークの場合には、急峻ピーク温度とその終了温度とは殆んど差が無いから、どちらでも良いが、ここでは最終ピーク温度と定義しておく。熱重量測定(TG)の観点では、TG曲線の減少終了温度が前記ペースト金属化温度Tp3(℃)に相当する。本発明では、前記ペースト金属化温度Tp3が300℃以内であるから、複合ナノ金属ペーストを低温焼成することが可能になる。DTA測定時の昇温速度VTが大きくなると、前記温度Tp3も増大するが、本発明ではVT=1℃/minで測定した場合のペースト金属化温度Tp3(℃)が300℃以下である。
本発明の複合ナノ金属ペーストは、1℃/min測定で金属化温度T3がT3≦200℃の複合金属ナノ粒子を含有することにより、その結果、ペースと全体として、1℃/minでのペースト金属化温度Tp3(℃)を300℃以下に設定することが可能になった。ペースト金属化温度Tp3が1℃/minで300℃以下であるから、製造装置や製造設備のコストも大幅に低減できる。従って、本発明の複合ナノ銀ペーストは、プリント配線・接合材料・導電性材料などの電子材料、磁気記録媒体・電磁波吸収体・電磁波共鳴器などの磁性材料、遠赤外材料・複合皮膜形成材などの構造材料、焼結助剤・コーティング材料などのセラミックス・金属材料、医療材料などの各種用途に適用できる。
本発明の第7形態によれば、前記複合ナノ金属ペーストを昇温速度VT=1〜20℃/minで大気中熱分析した場合に、温度単位を℃とするとき、ペースト金属化温度Tp3(VT)が、Tp3(VT)<Tp3(1℃/min)+100を満足する複合ナノ金属ペーストを提供できる。第7形態は、昇温速度VTを1〜20℃/minで可変しても、ペースト金属化温度Tp3(VT)は1℃/minでのペースト金属化温度Tp3(1℃/min)より100℃も上昇しないことを意味している。第6形態よりTp3(1℃/min)<300℃であるから、本発明ではTp3(VT)<400℃となることが明らかである。このように、ペースト金属化温度Tp3(VT)を低く設定できることにより、低温焼成でペースト層を金属層にまで焼結できるようになった。ペースト金属化温度Tp3(1℃/min)ができるだけ小さな複合金属ナノ粒子を用いることにより、低温焼成が可能になる。特に、本発明者等が開発している複合銀ナノ粒子を用いれば、この低温焼成を実現できる。
本発明の第8形態によれば、前記複合ナノ金属ペーストを昇温速度VT=1〜20℃/minで大気中熱分析した場合に、温度単位を℃とするとき、ペースト分解開始温度Tp1(VT)とペースト分解温度Tp2(VT)が、Tp2(VT)−100<Tp1(VT)<Tp2(VT)を満足する複合ナノ金属ペーストを提供できる。前記ペースト分解開始温度Tp1(VT)はTG曲線の減少開始温度で測定できるが、初めからTG曲線が直線的に減少し、途中から直線から離れて2次曲線的に減少する場合には、その変化点、即ち直線からの乖離点をペースト分解開始温度Tp1(VT)と定義できる。直線領域は純粋のアルコール成分の減少域を示すものと理解できる。TG曲線の微分曲線、即ちDTG曲線を用いると、DTG曲線が一定値から下降し始める温度をペースト分解開始温度Tp1(VT)と定義してもよい。有機被覆層が強力に酸化分解を受けるペースト分解温度Tp2(VT)は、DTAピークが単一ピークの場合にはそのピーク温度、またDTAピークが複数ピークの場合には最初ピーク温度で定義される。この最初ピークが最大ピークを与えるかどうかはものにより異なる。Tp2(VT)−100<Tp1(VT)<Tp2(VT)の不等式は、昇温速度VT=1〜20℃/minの範囲で、ペースト分解開始温度Tp1(VT)がペースト分解温度Tp2(VT)の下方100℃の範囲内に存在することを意味している。本発明に係る複合ナノ金属ペーストの特性の一つである。
本発明の第9形態によれば、前記複合ナノ金属ペーストを昇温速度VT=1〜20℃/minで大気中熱分析した場合に、温度単位を℃とするとき、ペースト分解開始温度Tp1(VT)とペースト分解温度Tp2(VT)とペースト金属化温度Tp3(VT)が、Tp1(VT)<Tp2(VT)<Tp3(VT)の関係を満足しながら前記昇温速度VTの増加に従って増加する複合ナノ金属ペーストを提供できる。本発明の複合ナノ金属ペーストのペースト分解開始温度Tp1(VT)、ペースト分解温度Tp2(VT)及びペースト金属化温度Tp3(VT)の定義は、本発明に使用される複合銀ナノ粒子における分解開始温度T1(VT)、分解温度T2(VT)及び金属化温度T3(VT)の定義と対応する。ただし、本発明の複合ナノ金属ペーストでは、小粒子及び中粒子としての複合銀ナノ粒子に溶剤及び/又は粘性付与剤が添加されているから、複合銀ナノ粒子が酸化分解される前に、溶剤及び/又は粘性付与剤の脱離や酸化分解が先行する。従って、TG曲線及びDTA曲線に溶剤及び/又は粘性付与剤の曲線が先行し、その後に複合銀ナノ粒子の曲線が後続する。つまり、TG曲線に出現する第1の急激な減少は、その微分曲線であるDTG曲線に最初の深い谷間を形成し、この谷間が復帰してDTG曲線がほぼゼロになった温度がペースト分解開始温度Tp1(VT)と判断できる。このTp1(VT)はDT曲線の第2の減少開始温度を与える。このペースト分解開始温度Tp1(VT)の後に、DTA曲線においてDTAピークが出現し、その最初に出現するDTA第1ピーク温度がペースト分解温度Tp2(VT)である。DTAピークの最後に出現する急峻な最終ピークは、有機被覆層が酸化分解された後に残留する裸の銀核同士が結合する結合エネルギーの放出ピークと考えられる。この最終ピークが落ちて横方向に折れる点がペースト金属化温度Tp3(VT)と定義される。これらのペースト温度は、昇温速度VT=1〜20℃/minの範囲では、Tp1(VT)<Tp2(VT)<Tp3(VT)の不等式を満足する。従って、第8形態と組合わせると、Tp2(VT)−100<Tp1(VT)<Tp2(VT)<Tp3(VT)が成立する。この不等式を満足しながら、VTが増加するに従って、Tp1(VT)、Tp2(VT)、Tp3(VT)も増加する。これらの温度増加量は有機被覆層の炭素数に依存することは云うまでもなく、銀核粒径にも多少は依存すると考えられる。
本発明の第10形態によれば、温度単位を℃とするとき、昇温速度VT=1〜20℃/minの範囲で大気中熱分析した場合における複合金属ナノ粒子の分解開始温度T1(VT)、分解温度T2(VT)及び金属化温度T3(VT)とし、昇温速度VT(℃/min)で大気中熱分析した場合における複合ナノ金属ペーストのペースト分解開始温度Tp1(VT)、ペースト分解温度Tp2(VT)及びペースト金属化温度Tp3(VT)としたとき、T1(VT)<Tp1(VT)<T1(VT)+100、T2(VT)<Tp2(VT)<T2(VT)+100又はT3(VT)<Tp3(VT)<T3(VT)+100の一つ以上が成立する複合ナノ金属ペーストを提供できる。本発明者の研究によれば、複合銀ナノ粒子(CnAgAL、n=1〜12と表記)のT1、T2、T3と、複合ナノ金属ペースト(PCnAgAL、n=1〜12と表記)のTp1、Tp2、Tp3の間には、昇温速度VT=1〜20(℃/min)の範囲で、次の不等式がほぼ満足されることが分かった。
T1(VT)<Tp1(VT)<T1(VT)+100 (P7)
T2(VT)<Tp2(VT)<T2(VT)+100 (P8)
T3(VT)<Tp3(VT)<T3(VT)+100 (P9)
この不等式により、複合銀ナノ粒子の特性温度T1、T2、T3を測定することによって、その複合ナノ金属ペーストの特性温度のTp1、Tp2、Tp3を推定することが可能になった。
本発明の第11形態によれば、前記第1〜第10形態のいずれかの複合ナノ金属ペーストを用意し、前記複合ナノ金属ペーストにより下体と上体の間にペースト層を形成し、加熱により前記ペースト層を金属層へと焼結して前記下体と前記上体を接合する接合方法を提供できる。本形態は、複合ナノ金属ペーストを用いた2物体の接合方法であり、一方の物体を下体、他方の物体を上体と称し、両者をペースト層を介して接着させ、焼成してペースト層の金属層化により、強固な接合を達成できる。しかも、金属膜は電気伝導性と熱伝導性と接合強度に優れ、低温焼成が可能であるから、低融点物体同士の接合も可能になる。
本発明の第12形態によれば、無荷重下且つ不活性ガス中で前記下体と前記上体を前記金属層を介して接合したとき、前記下体と前記上体を前記金属層と平行な方向にせん断するときのせん断応力、即ちせん断接合強度が10(MPa)以上である接合方法である。尚、無荷重の状態とは、自重のみで荷重を加えていない状態である。本発明者等の研究によれば、接合体を高温環境、低温環境、長時間動作の各種試験を行ったとき、接合強度が10MPa以下であれば、耐久性が十分でなく、反復動作試験に耐えられないことが明らかである。しかしながら、本発明の複合ナノ金属ペーストを用いて接合試験を行うと、接合強度が安定して10MPaを超えることが明白となった。従って、本発明により、高電気伝導性・高熱伝導性に加えて、高接合強度を付与することが可能になった。
本発明の第13形態によれば、第11又は第12形態の接合方法により製造された電子部品を提供できる。本形態により提供される電子部品は、高電気伝導性、高熱伝導性及び高接合強度を有するから、超寿命を有し、過酷環境下においても安定した正常動作を行なうことができる。
図1は、本発明に係る複合銀ナノ粒子の低温生成反応の第1工程の説明図である。 図2は、本発明に係る複合銀ナノ粒子の低温生成反応の第2工程の説明図である。 図3は、本発明に係る複合銀ナノ粒子の低温生成手順を示したフロー図である。 図4は、本発明に係る110℃生成のC6AgALの熱解析図(昇温速度1℃/min)である。 図5は、本発明に係る複合銀ナノ粒子の特性温度T1、T2、T3、PTとC数との昇温速度1℃/minでの関係図である。 図6は、本発明に係る複合銀ナノ粒子の分解開始温度T1の昇温速度1℃/minでの温度範囲図である。 図7は、本発明に係る複合銀ナノ粒子の特性温度T1、T2、T3の相互関係図である。 図8は、本発明に係る複合ナノ金属ペーストの3種金属成分の粒径関係図である。 図9は、本発明に係る複合ナノ金属ペーストにおける3種金属成分のスリーポケット図である。 図10は、スリーポケット条件を満足する平均粒径X、d、Dの関係図である。 図11は、スリーポケット条件を満足する平均粒径d、D関係の証明図である。 図12は、スリーポケット条件を満足する平均粒径X、D関係の証明図である。 図13は、本発明に係るPC6AgALの実施例602の熱解析図(昇温速度1℃/min)である。 図14は、本発明に係るPC8AgALの実施例802の熱解析図(昇温速度5℃/min)である。 図15は、本発明に係るCnAgALとPCnAgALの特性温度の関係図である。 図16は、本発明に係る3金属成分型複合ナノ金属ペーストによる接合試験及び接合強度試験の説明図である。
以下、本発明に係る複合銀ナノ粒子、その製法、複合ナノ金属ペースト、接合方法の実施形態を図面及び表により詳細に説明する。
図1は、本発明に係る複合銀ナノ粒子の低温生成反応の第1工程の説明図である。原料となる無機化合物は銀塩(1)である。銀塩としては、無機銀塩と有機銀塩が利用でき、無機銀塩には炭酸銀、塩化銀、硝酸銀、リン酸銀、硫酸銀、ほう酸銀、フッ化銀などがあり、また有機銀塩にはギ酸銀、酢酸銀などの脂肪酸塩、スルホ酸塩、ヒドロキシ基・チオール基・エノール基の銀塩などがある。これらの銀塩の中でも、C、H、O、Agからなる銀塩、C、H、Agからなる銀塩、H、O、Agからなる銀塩、C、O、Agからなる銀塩、O、Agからなる銀塩が不純物を含有しない点で好適である。その理由は、生成された複合銀ナノ粒子に銀塩が不純物として混入した場合でも、焼成により、HO、CO、O等しか生成されないからである。本発明の実施例では、炭酸銀AgCOを好適な銀塩として後述するが、同様に他の銀塩でも同様であることは云うまでもない。
アルコールは式(2)で示されるアルコールが使用される。式(3)のRはアルコールの炭化水素基を示している。炭素数nは1〜12に限られる。一般に、銀塩微粒子はアルコール不溶性であるが、アルコールの親水基OHは銀塩微粒子の表面と結合しやすい性質を有する。またアルコールの疎水基Rはアルコール溶媒と親和性が高い。従って、式(4)に示すように、銀塩微粒子をアルコール溶媒に分散させると、銀塩微粒子表面にアルコールが周回状に吸着してアルコール溶液中を浮遊する。銀塩微粒子の粒径が小さい場合には、安定な銀塩微粒子コロイドが形成される。他方、銀塩微粒子の粒径が大きい場合には沈殿する場合もあるが、浮遊状態が数十分継続するなら問題は無く、また緩慢に攪拌しながら反応させてもよい。
図2は、本発明に係る複合銀ナノ粒子の低温生成反応の第2工程の説明図である。反応式を明確にするため、ここでは銀塩として炭酸銀を例にとって説明するが、他の銀塩の場合でも同様である。炭酸銀微粒子表面の炭酸銀はアルコールと反応して、式(5)に示されるように銀化と同時にアルデヒドRn−1CHOが生成される。また、式(6)に示されるように、アルデヒドが形成されずに、直ちに銀アルコキシドAgORが生成される反応経路も存在する。前記アルデヒドは強力な還元作用を有し、式(7)に示されるように、炭酸銀を還元して、銀化と同時にカルボン酸Rn−1COOHが形成される。中間生成されたAg、AgOR、Rn−1COOHは、式(8)及び式(9)に示される反応により相互に凝集し、内部がAgで、表面にアルコキシドやカルボキシレートなどのアルコール由来有機被覆層を有する複合銀ナノ粒子が生成される。これらの複合銀ナノ粒子は式(10)及び式(11)に図示されている。前記反応は炭酸銀微粒子の表面反応であり、表面から次第に内部に浸透しながら反応が継続し、中心核となる炭酸銀微粒子は銀核へと転化してゆく。最終的に、式(10)及び式(11)に示される複合銀ナノ粒子が生成される。
式(10)及び式(11)は、銀核とその周囲に形成される有機被覆層の構成式を示す。有機被覆層はアルコキシド基ORの場合もあれば、カルボン酸Rn−1COOHの場合もある。勿論、カルボン酸(脂肪酸)からHが脱離したカルボン酸基Rn−1COOの場合も有る。従って、有機被覆層は、アルコキシド、アルコキシド基、カルボン酸、カルボン酸基、又はそれらの混合形も存在する。
表1は、複合銀ナノ粒子の原料(炭酸銀とアルコール)の種類、その質量及び過剰アルコール溶液のモル比を示す。また、表2は、複合銀ナノ粒子の原料の分子量と100g当りのモル数を示す。炭素数(C数)nに対応して、アルコールの個別名称が示される。後述する実施例1はn=1、実施例2はn=2、実施例3はn=3、実施例4はn=4、実施例5はn=5、実施例6はn=6、実施例7はn=7、実施例8はn=8、実施例9はn=9、実施例10はn=10、実施例11はn=11、実施例12はn=12に対応する。
前述した式(6)に示すように、炭酸銀とアルコールのガス反応では、化学量論比は炭酸銀:アルコール=1モル:2モルである。しかし、表1に示すように、本発明では炭酸銀を過剰なアルコールに分散させる必要がある。これは生成された複合銀ナノ粒子の衝突確率を低下させて、複合銀ナノ粒子の凝集を防止するためである。表1に示すとおり、実施例1〜12では、モル比はアルコールモル数/炭酸銀モル数=10〜63.9の範囲に調製され、過剰アルコール溶液としている。このモル比は大きいほど良いから、モル比=10〜200位までとることもできる。炭酸銀以外の銀塩でも過剰アルコール溶液に調整する。表1及び表2は次の通りである。
Figure 2011021255
Figure 2011021255
図3は、本発明に係る複合銀ナノ粒子の低温生成手順を示したフロー図である。ステップs=1では、所定量の市販銀塩をミキサーで微細化する。市販銀塩は平均粒径が10μmであっても、そのバラツキは極めて大きい。ステップs=2では、微細化された銀塩粉体をビーズにより超微細化し、ほぼ均一粒径10nmに揃える。ビーズ粒径と銀塩超微細化粒径との関係は、表3により後述する。ステップs=3では、超微細化銀塩を過剰量のアルコールに分散させる。このアルコール溶液を反応器に充填し、生成温度(反応温度)で所定時間(反応時間)だけ加熱して複合銀ナノ粒子(CnAgAL)を生成する。時間経過後、直ちに冷却器で低温化して生成反応を停止させる。ステップs=4では、CnAgALアルコール溶液からアルコールを分離回収し、ステップs=4でCnAgAL粉体を回収する。
表3はビーズ粒径とAg2CO3を含む銀塩超微細化粒径の関係表である。ビーズ粒径が小さい程、超微細化粒径も小さくなり、前述で生成されるCnAgALの粒径も小さくなる。ビーズ粒径は1mm〜0.03mmまで存在し、これにより超微細化粒径は5000nm〜10nmの範囲に自在に制御できる。
Figure 2011021255
[実施例1〜12:C1AgAL〜C12AgAL]
表4は、C1〜C12の複合銀ナノ粒子C1AgAL〜C12AgALの生成条件(反応条件)と粒子構造の一覧表である。C1からC12へと炭素数が増加すると、生成時間は300分から20分へと短縮され、逆に生成温度は40℃から151℃へと増加する。また、金属核の平均粒径X(nm)は51から10へと減少し、C数が少ないほど平均粒径Xは大きくなる傾向を示す。粒径分布は、C数の増加に応じて小さくなる傾向にあるが、分布の最大値でも100nmより小さかった。分布の最大値は生成時間を短縮すると小さくなる。更に、金属含有率は、C数の増加とともに小さくなるが、最小でも91.8%と大きな値を示す。このことは逆に有機物含有率がC数とともに増加することを意味する。特に注目すべきは、例えばC1AgALの金属核平均粒径がX=51nmであっても、分布は10〜89nmまで広く分布し、平均粒径よりもかなり小さな極微細粒子が大量に含有されている事実である。本発明では、前述したようにスリーポケット条件で平均粒径の範囲を決定したが、その平均粒径よりもかなり小さな極微細粒子が大量に存在するため、スリーポケットの小さな隙間にこれらの極微細粒子群が埋設され、焼結により形成される金属層を緻密化する理由にもなっている。この事情は全ての複合銀ナノ粒子に共通する事実である。
Figure 2011021255
図4は、110℃で生成されたC6AgAL(実施例6)を昇温速度1℃/minで熱解析した熱解析図である。T1は分解開始温度、T2は分解温度、T3は金属化温度(銀化温度)を示している。分解開始温度T1はTG減少開始温度で定義されるが、DTA増加開始温度でも定義できる。分解温度T2は最初ピーク温度(第1ピーク温度)で定義され、このDTAでは2個のピークがあり、最大ピークは第2ピークであるから、最大ピーク温度が分解温度T2を与えるわけではない。本発明者等は、第1ピークは複合銀ナノ粒子の中で微細粒子の分解温度に相当し、第2ピークは複合銀ナノ粒子の中で大粒子又は凝集粒子の分解温度に相当すると現在考えている。金属化温度T3は最終ピークの終了温度で定義されるが、最終ピークが急峻ピークの場合には、急峻ピーク温度で定義してもそれほど違わない。この最終ピークは、裸になった前記微細粒子や大粒子又は凝集粒子の銀核が相互に動きながら緻密な金属層(銀層)を形成する温度を与えると考えられる。その結果、T1=85℃、T2=129℃、T3=160℃が得られた。
表5は、複合銀ナノ粒子の特性温度T1、T2、T3、PT、アルコール沸点BTと炭素数との関係表である。実施例1〜実施例12のCnAgAL(n=1〜12)について、昇温速度1℃/minで図4と同じ熱解析を行なって、特性温度T1、T2、T3が測定された。生成温度PTは、対応するアルコールの沸点BT以下の温度に設定されている。金属化温度T3は117℃〜198℃まで変化するが、T3≦200℃が成立しており、本発明が低温焼成可能な複合銀ナノ粒子を利用できることを示している。この表から、T1<T2<T3、PT<T3及びT3≦200℃が成立することも実証された。
Figure 2011021255
図5は、複合銀ナノ粒子の特性温度とC数の関係図である。この図5は、表6に示されたPT、T1、T2、T3、BTをC数に対してグラフ化したものである。このグラフからも、T1<T2<T3、PT<T3及びT3≦200℃が成立することが示されている。
表6は、表5に示されるC数とT1との関係表で、T2−100≦T1≦T2が成立していることを証明する関係表である。この第3列〜第5列は、T2−100とT1とT2の値を示している。明らかに、T2−100≦T1≦T2の不等式が成立している。
Figure 2011021255
図6は、表6をグラフ化したもので、複合銀ナノ粒子の分解温度T1の範囲図である。分解開始温度T1は分解温度T2の下側の100℃以内に存在することが図示されている。数式としては、T2−100≦T1≦T2の関係が証明されている。この関係式は、本発明で初めて知られたもので、複合銀ナノ粒子の特性温度の性質を与えている。
図7は、本発明に係る複合銀ナノ粒子の特性温度T1、T2、T3の相互関係図である。本発明によって得られた特性温度T1、T2、T3の相互関係をまとめておく。本発明で得られた複合銀ナノ粒子はC1AgAL〜C12AgALであり、それらを大気中で熱分析し、TG曲線、DTA曲線を測定して下記事項が分かった。分解開始温度T1(℃)はTG減少開始温度又はDTA増加開始温度で定義できる。分解温度T2(℃)はDTAピーク温度であるが、複数ピークからなる場合には最初ピーク温度で定義されるが、DTA最大ピーク温度で定義しても構わない。銀化温度(金属化温度)T3(℃)はDTA最終ピーク温度で定義されるが、DTA最終ピーク終了温度で定義しても良く、TG曲線からはTG一定化温度として定義される。また、PT(℃)は複合銀ナノ粒子の生成温度(反応温度)である。
昇温速度VT=1℃/minの熱解析から式(C1)〜式(C2)の事実が得られた。式(C1)ではT1<T2<T3となり、分解開始温度、分解温度、金属化温度はこの順に増大する。式(C2)では、T2−100<T1<T2となり、分解開始温度は分解温度の下側100℃以内に存在する。式(C3)では、T3≦200℃が成立する。本発明の複合銀ナノ粒子の銀化温度(金属化温度)は200℃以下であり、焼結温度を低温化できる。また、式(C4)では、PT<T3であるから、金属化温度以下の反応温度で複合銀ナノ粒子を生成できる事実である。本発明では、これらの事実が得られた。更に、昇温速度VTを増加し、1(℃/min)≦VT≦20(℃/min)の範囲において、式(C5)〜式(C7)の関係が確認された。式(C5)では、T1(VT)<T2(VT)<T3(VT)が得られ、式(C1)の関係が任意の昇温速度VTで成立している。また、式(C6)では、T2(VT)−100<T1(VT)<T2(VT)が得られ、式(C2)の関係が任意の昇温速度VTで成立している。更に、式(C7)では、T3(VT)<T3(1℃/min)+100が得られ、任意昇温速度VTでの金属化温度は、VT=1(℃/min)での金属化温度より100℃以上は増加しない。
表7は銀ナノフィラー粒子の生成条件と粒子構造を示す関係表である。本発明者等は、複合銀ナノ粒子を用いたナノ金属ペーストを作成する場合に、3金属成分型のナノ金属ペーストが最も金属層を緻密化できると考えた。粒径100nm以上の銀フィラー粒子(大粒子)の隙間を粒径100nm以下の銀ナノフィラー粒子(中粒子)で埋め、更に残る隙間を微細な複合銀ナノ粒子(小粒子)で埋めると、緻密な金属層が形成され、電気特性・熱特性・機械強度特性に優れたナノ金属ペーストを提供できるはずである。粒径100nm以上の銀フィラー粒子(大粒子)は市販されており、敢えて開発する必要は無い。粒径が100nm以下の銀ナノフィラー粒子については、市販品では入手しにくい。粒径が小さいことと、純銀ナノフィラーの製造方法が確立していないことによる。そこで、本発明者等は、複合銀ナノ粒子の製造条件を利用し、更に高温度で長時間反応させると、複合銀ナノ粒子が相互に凝集すると同時に、一個の複合銀ナノ粒子自体の金属核も増大するに違いないと考えたのである。その詳細を表7に示す。
Figure 2011021255
実施例22〜実施例30から分かるように、生成時間(反応時間)を20時間〜7時間にまで長時間にし、しかも生成温度(反応温度)をアルコール沸点BTにまで高温化して、複合銀ナノ粒子の製造を行った。その結果、金属核平均粒径dを92〜24nmまで増大でき、金属核粒径分布は実施例1〜12よりも狭くなることが分かった。有機被覆層は極めて薄くなり、有機物含有率は0.1〜0.5%に過ぎず、金属含有率は99.9〜99.5%まで増大している。表7を表4と比較すると、金属核平均粒径が増大し、粒径分布が狭くなっていることが分かる。従って、表4に記載された粒子を複合銀ナノ粒子として使用し、表7に記載された複合銀ナノ粒子を銀ナノフィラー粒子として以下に利用することにした。
図8は、本発明に係る複合ナノ金属ペーストの3種金属成分の粒径関係図である。本発明の複合ナノ金属ペーストは3種類の金属成分から構成されている。第1粒子は、平均粒径X(nm)の金属核の周囲に有機被覆層を形成した複合金属ナノ粒子NS(表4に記載)であり、これが小粒子になる。第2粒子は、平均粒径d(nm)の金属ナノフィラー粒子NFであり、これが中粒子になる。この金属ナノフィラー粒子NFには2種類有り、第1には金属核平均粒径d(nm)の複合金属ナノ粒子(表7に記載)、また第2には、平均粒径d(nm)の金属ナノ粒子である。どちらを使用してもよいが、以下の実施例では第1の複合金属ナノ粒子(表7に記載)を使用する。第3粒子は、平均粒径D(nm)の金属フィラー粒子Fであり、これが大粒子に相当し、市販の銀微粒子を使用する。これらの大粒子、中粒子、小粒子が相互に隙間を埋め合うためには、粒径条件として、式(12)の第1関係:X<d<Dと式(13)の第2関係:X<d<100nmが必要になる。一般的に、D≧100nmが必要となろう。以上の条件を満足する3種の金属成分を含有した複合ナノ金属ペーストであれば、ペースト層を形成した後焼成すると、3種類の金属粒子が隙間を充填するように焼結して緻密な金属膜を形成することができる。従って、この3種金属成分型複合ナノ金属ペーストにより、高電気伝導度、高熱伝導度及び高接合強度を有した金属層が形成され、特に10MPa以上の接合強度を実現することができる。
図9は、本発明に係る複合ナノ金属ペーストにおける3種金属成分のスリーポケット図である。本発明では、3種類の金属粒子の充填率を更に高めるために、スリーポケット論を具体的に適用する。即ち、3個の金属フィラー粒子Fを平面上に接触状態で配置(平面最密充填配置)する。その中心部の隙間がスリーポケットPになる。このスリーポケットPの中に、前記3個の金属フィラー粒子Fに内接する第1内接円NFmaxを形成し、この第1内接円NFmaxの半径rを求める。前記金属ナノフィラー粒子NFの粒径dがd≦2rを満たせば、金属ナノフィラー粒子NFはスリーポケットPに充填されることになる。更に、金属フィラー粒子Fと内接円NFmaxにより形成される微細隙間に内接する第2内接円の半径xを求める。金属核平均粒径Xの複合金属ナノ粒子NSをその微細隙間に充填するためには、X≦2xを満たせばよい。
図10は、スリーポケット条件を満足する平均粒径X、d、Dの関係図である。式(12)及び式(13)は、図8の第1関係及び第2関係である。図8に示されていない図10の事項は、式(14)・(15)の第3関係と式(16)・(17)の第4関係であり、これについて説明する。上述したように、d≦2rの条件から、式(14)が導出される。その係数を具体的に小数化すると、式(15)が得られる。従って、式(14)と式(15)は実質的に同一である。また、上述したように、X≦2xの条件から、式(16)が導出される。その係数を具体的に小数化処理すると、式(17)が得られる。従って、式(16)と式(17)は実質的に同一である。従って、式(14)〜(17)をここに再記しておく。以下では、その証明を行なう。
d≦(2/√3−1)D (14)
d≦0.1547D (15)
X≦[1/3−2/{3(2√3−1)}]D (16)
X≦0.06278D (17)
図11は、スリーポケット条件を満足する平均粒径d、D関係の証明図である。半径Rの3個の金属フィラー粒子Fが平面上に相互接触した最密配置する。そのとき、粒径を半径Rに置き換えるから、D=2Rの式(18)が成立する。金属ナノフィラー粒子NFの粒径dは第1内接円NFmaxより小さいから、d≦2rの式(19)が成立する。次に、この半径rを求める。図9を参照すると、3個の金属フィラー粒子Fの中心をA、B、Cとすると、点Oは正三角形ABCの重心である。AMは点Oにより2:1に内分されるから、式(20)が成立する。半径R、rを用いて式(20)を表現すると、式(21)になる。この式をrについて解くと、式(22)が得られ、小数化処理すると、式(23)が成立する。式(19)の条件、即ち、d≦2rから、式(25)及び式(26)が成立する。式(25)及び式(26)は前述した式(14)及び式(15)である。この結論を言葉で述べると、「ナノフィラー粒子NFの平均粒径dは金属フィラー粒子Fの平均粒径Dの0.1547倍以下にする必要がある」ということになる。
図12は、スリーポケット条件を満足する平均粒径X、D関係の証明図である。複合金属ナノ粒子NSの金属核平均粒径Xは第2内接円NSmaxより小さいという条件から、式(27)のX≦2xが成立する。図9を参照すると、三角形CDEは直角三角形であるから、ピタゴラスの定理により式(28)が成立する。式(28)を半径R、r、xで表現すると式(29)が成立する。式(29)をxについて解くと、式(30)が成立し、これを小数化処理すると、式(31)が成り立つ。式(27)のX≦2xの不等式により、式(32)及び式(33)が成立する。式(32)及び式(33)は前述した式(16)及び式(17)と同一である。この結論を言葉で述べると、「複合金属ナノ粒子の金属核平均粒径Xは金属フィラー粒子Fの平均粒径Dの0.06278倍以下にする必要がある」ということになる。以上によって、スリーポケット条件の全てが証明された。
表8は3種金属成分複合ナノ金属ペーストの数値的な粒径条件表である。金属フィラー粒子の平均粒径をD(nm)、金属ナノフィラー粒子の平均粒径をd(nm)、複合金属ナノ粒子の金属核平均粒径をX(nm)とするとき、式(12)・(13)・(15)・(17)が成立する。式(15)及び式(17)を用いると、粒径Dを100nm〜1000nmとしたとき、平均粒径d(nm)及び金属核平均粒径X(nm)は、表8に示す不等式関係を満足するように設定される。この数値範囲であれば、スリーポケット条件が満足されることは云うまでも無い。粒径Dを100nm〜1000nmとしたときの粒径条件Noは表に示すとおりである。これは後述の表で使用され、後述する複合ナノ銀ペーストがどのスリーポケット条件を満足するかを示すものである。
Figure 2011021255
[実施例101〜603:PC1AgAL〜PC6AgAL]
表9は、3種金属成分複合ナノ銀ペーストPC1AgAL〜PC6AgALの具体的組成表である。複合銀ナノ粒子はCnAgALで表記されるが、3種金属成分複合ナノ銀ペーストはPCnAgALで表現される。3種金属成分とは、CnAgALと銀ナノフィラーと銀フィラーである。CnAgALは表4で与えられる複合銀ナノ粒子で、その重量%(wt%)と金属核の平均粒径X(nm)が示されている。銀ナノフィラーとは表7で与えられる大径化された複合銀ナノ粒子で、その重量%(wt%)と金属核の平均粒径d(nm)とそのC数が示されている。銀フィラーとは市販されている銀微粒子で、その重量%(wt%)と平均粒径D(nm)が示されている。粒径条件とは、表8で与えられる粒径条件であり、具体的なスリーポケット条件を示している。粘度を低下させる溶剤としては、各種溶剤が利用できるが、ここではメタノール、エタノール、ブタノール、キシレン、トルエンが利用されている。また、粘度を増加させる粘性付与剤としては、各種粘性付与剤が利用できるが、ここではテレピンオイル、テルピン誘導体が使用されている。溶剤と粘度付与剤の割合によってペースト粘度を自在に調整できるが、ここでは、溶剤は6.0wt%、粘度付与剤は4.0wt%に固定されている。
Figure 2011021255
[実施例701〜123:PC7AgAL〜PC12AgAL]
表10は、3種金属成分複合ナノ銀ペーストPC7AgAL〜PC12AgALの具体的組成表である。複合銀ナノ粒子はCnAgALで表記され、3種金属成分複合ナノ銀ペーストはPCnAgALで表現されている。3種金属成分とは、CnAgALと銀ナノフィラーと銀フィラーである。CnAgALは表4で与えられる複合銀ナノ粒子で、その重量%(wt%)と金属核の平均粒径X(nm)が示されている。銀ナノフィラーとは表7で与えられる大径化された複合銀ナノ粒子で、その重量%(wt%)と金属核の平均粒径d(nm)とそのC数が示されている。銀フィラーとは市販されている銀微粒子で、その重量%(wt%)と平均粒径D(nm)が示されている。粒径条件とは、表8で与えられる粒径条件であり、具体的なスリーポケット条件を示している。粘度を低下させる溶剤としては、各種溶剤が利用できるが、ここではブタノール、エタノール、ヘキサンが利用されている。また、粘度を増加させる粘性付与剤としては、各種粘性付与剤が利用できるが、ここではテレピンオイル、テルピン誘導体が使用されている。溶剤と粘度付与剤の割合によってペースト粘度を自在に調整できるが、ここでも、溶剤は6.0wt%、粘度付与剤は4.0wt%に固定されている。
Figure 2011021255
図13は、PC6AgAL(実施例602)を昇温速度1℃/minで空気中熱解析した熱解析図である。Tp1はペースト分解開始温度、Tp2はペースト分解温度、Tp3はペースト金属化温度(銀化温度)を示している。ペースト分解開始温度Tp1はDTA増加開始温度で定義される。TG曲線の最初の減少はアルコールの蒸発であり、次の減少は粘度付与剤の減少を意味している。従って、ペースト分解開始温度T1をTGで定義するなら、粘度付与剤が蒸発しきった後のTG減少開始温度で定義されることができる。ペースト分解温度Tp2は最初ピーク温度(第1ピーク温度)で定義され、このDTAでは2個のピークがあり、最大ピークは第1ピークであるから、最大ピーク温度が分解温度Tp2を与えている。図13では、第2ピークは第1ピークより低いが、第2ピークの方が高い場合もある。従って、ここでは、ペースト分解温度Tp2を最初ピーク温度(第1ピーク温度)で定義する。本発明者等は、第1ピークは複合銀ナノ粒子の中で微細粒子の分解温度に相当し、第2ピークは複合銀ナノ粒子の大粒子又は凝集粒子、及び銀ナノフィラー粒子の分解温度に相当すると現在考えている。ペースト金属化温度Tp3は最終ピークの終了温度で定義されるが、最終ピークが急峻ピークの場合には、急峻ピーク温度で定義してもそれほど違わない。この最終ピークは、裸になった前記微細粒子や大粒子又は凝集粒子の銀核や銀フィラー粒子が相互に動きながら緻密な金属層(銀層)を形成する温度を与えると考えられる。図13では、Tp1=129℃、Tp2=160℃、Tp3=202℃が得られた。
表11は、複合ナノ銀ペーストPC1AgAL〜PC6AgALの特性温度Tp1、Tp2、Tp3の関係表である。実施例101〜実施例603のPCnAgAL(n=1〜6)について、昇温速度1℃/minで図13と同じ空気中熱解析を行なって、特性温度Tp1、Tp2、Tp3が測定された。金属化温度Tp3はC数とともに増加し、具体的には152℃〜203℃まで変化する。Tp3≦300℃が成立しており、本発明が低温焼成可能な複合ナノ銀ペーストであることを示している。この表から、Tp1<Tp2<Tp3及びTp3≦300℃が成立することが実証された。
Figure 2011021255
表12は、複合ナノ銀ペーストPC7AgAL〜PC12AgALの特性温度Tp1、Tp2、Tp3の関係表である。実施例701〜実施例123のPCnAgAL(n=7〜12)について、昇温速度1℃/minで図13と同じ空気中熱解析を行なって、特性温度Tp1、Tp2、Tp3が測定された。金属化温度Tp3はC数とともに増加し、具体的には214℃〜273℃まで変化する。Tp3≦300℃が成立しており、本発明が低温焼成可能な複合ナノ銀ペーストであることを示している。この表から、Tp1<Tp2<Tp3及びTp3≦300℃が成立することが実証された。
Figure 2011021255
次に、昇温速度を1℃/min以上に増加させた場合の特性について試験した。図14は、PC8AgAL(実施例802)を昇温速度5℃/minで空気中熱解析した熱解析図である。Tp1はペースト分解開始温度、Tp2はペースト分解温度、Tp3はペースト金属化温度(銀化温度)を示している。ペースト金属化温度Tp3は実線矢印のようにピーク温度で示すが、急峻ピークであるから、点線矢印のようにピーク終了温度で定義してもよい。この実験から、Tp1=163℃、Tp2=196℃、Tp3=251℃が得られた。表12の実施例802と比較すると、VTを1℃/minから5℃/minに増加させることにより、特性温度Tp1、Tp2、Tp3は増加することが分かった。
表13は、C10AgAL粉体(実施例10)とPC10AgALペースト(実施例102)の熱解析における特性温度の昇温速度依存性を示している。表13及び表11、12を組合わせて、PCnAgALペーストの昇温速度VT=1℃/minでの空気中熱解析により、以下の結果が明らかになった。但し、温度単位は℃である。
Tp1<Tp2<Tp3 (P1)
Tp2−100<Tp1<Tp2 (P2)
Tp3≦300 (P3)
以上の結果は、CnAgAL粉体と同様である。
更に、昇温速度VTを1〜20(℃/min)で変化させた試験から次の結果が得られた。VTは1(℃/min)≦VT≦20(℃/min)の範囲から選択される。
Tp1(VT)<Tp2(VT)<Tp3(VT) (P4)
Tp2(VT)−100<Tp1(VT)<Tp2(VT) (P5)
Tp3(VT)<Tp3(1℃/min)+100 (P6)
Figure 2011021255
図15は、本発明に係るCnAgALとPCnAgALの特性温度の関係図である。この図には、上述した式(P1)〜式(P6)に加えて、下記の式(P7)〜式(P9)が記載されている。CnAgAL粉体とPCnAgALペーストの特性温度の相互関係が示されている。
T1(VT)<Tp1(VT)<T1(VT)+100 (P7)
T2(VT)<Tp2(VT)<T2(VT)+100 (P8)
T3(VT)<Tp3(VT)<T3(VT)+100 (P9)
これらの式が意味することは、ペーストの特性温度Tp1、Tp2、Tp3は、粉体の特性温度T1、T2、T3の夫々上側100℃以内に存在する、ということである。
図16は、本発明に係る3金属成分型複合ナノ金属ペーストによる接合試験及び接合強度試験の説明図である。(16A)では、直径d4=10mmの下体円板4と直径d2=5mmの上体円板2の間に本発明のPCnAgALペーストを用いて=200μmのペースト層6を形成してペースト接合体を作成する。前記上体円板2と前記下体円板4はCu製である。(16B)では、前記ペースト接合体を窒素ガス(他の不活性ガスでもよい)中にて無荷重下で350℃で焼成する。尚、図16の(16B)に記載される「no pressure」とは、自重のみで荷重を加えない無荷重の状態を意味している。室温20℃から昇温速度11℃/minで30分間昇温して焼成温度350℃に到達させる。この350℃を一分間保持して、その後自然冷却により約90分掛けて室温20℃にまで冷却する。このようにして、前記ペースト接合体を焼成して焼結接合体にする。(16C)では、この焼結接合体のせん断強度、即ち接合強度を測定する。ペースト層6は焼成により焼結して金属層厚T8=30μmの金属層8になり、銀材料であるから銀層8といっても良い。上体円板2と下体円板4の面方向にせん断力fを作用させ、せん断破壊するまで印加して、せん断力限界fを測定する。接合面積をSとすると、接合強度BSは、BS=f/Sで与えられ、10MPa以上の接合強度がペーストに要求される基準条件である。
表14は、3種金属成分複合ナノ銀ペーストPC1AgAL〜PC6AgALの窒素中無荷重下での接合強度BS(MPa)の一覧表である。実施例101〜603までのペーストに対し、全ての接合強度が10MPaを超えていることが確認された。従って、本発明に係る3種金属成分複合ナノ銀ペーストPC1AgAL〜PC6AgALは実用条件を完全クリアしたペーストであることが実証された。
Figure 2011021255
表15は、3種金属成分複合ナノ銀ペーストPC7AgAL〜PC12AgALの窒素中無荷重下での接合強度BS(MPa)の一覧表である。実施例701〜123までのペーストに対し、全ての接合強度が10MPaを超えていることが同様に確認された。従って、本発明に係る3種金属成分複合ナノ銀ペーストPC7AgAL〜PC12AgALも実用条件を完全クリアしたペーストであることが実証された。
Figure 2011021255
本発明は、上記実施形態や変形例に限定されるものではなく、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲における種々変形例、設計変更などをその技術的範囲内に包含するものであることは云うまでもない。
本発明の3金属成分型複合ナノ金属ペーストによれば、従来、鉛フリー半田で不可能であった窒素中無荷重下での接合強度BSが10MPaを超えることが実証されたものである。従って、一般の鉛フリー半田だけでなく、ローズ指令により特別に許されている高温鉛半田の代替品として活用できる鉛フリー半田を提供したものである。その利用範囲は極めて広く、接合材料・プリント配線・導電性材料などの電子材料、磁気記録媒体・電磁波吸収体・電磁波共鳴器などの磁性材料、遠赤外材料・複合皮膜形成材などの構造材料、焼結助剤・コーティング材料などのセラミックス・金属材料、医療材料などの各種用途に適用できる。
2 上体円板
4 下体円板
6 ペースト層
8 金属層
d2 直径
d4 直径
T6 ペースト厚
T8 金属層厚
f せん断力
S 接合面積
BS 接合強度
F 金属フィラー粒子
NFmax 第1内接円
NSmax 第2内接円
NF 金属ナノフィラー粒子
NS 複合銀ナノ粒子

Claims (13)

  1. 平均粒径X(nm)の金属核の周囲に有機被覆層を形成した複合金属ナノ粒子と、平均粒径d(nm)の金属ナノフィラー粒子と、平均粒径D(nm)の金属フィラー粒子を金属成分として含有し、X<d<Dの第1関係及びX<d<100(nm)の第2関係を有し、焼成により前記有機被覆層が気散して金属層が形成されるときに前記複合金属ナノ粒子と前記金属ナノフィラー粒子と前記金属フィラー粒子が緻密に焼結することを特徴とする複合ナノ金属ペースト。
  2. 前記金属ナノフィラー粒子は金属核の周囲に有機被覆層を形成した複合金属ナノフィラー粒子であり、前記焼成により前記金属ナノフィラー粒子の有機被覆層も気散して前記金属層が形成される請求項1に記載の複合ナノ金属ペースト。
  3. 前記金属ナノフィラー粒子の平均粒径dは、前記金属フィラー粒子3個が平面上で相互に接触状態に配置される場合に形成されるスリーポケットの中に前記金属ナノフィラー粒子が内入されるようなサイズを有し、前記複合金属ナノ粒子の金属核の平均粒径Xは、前記スリーポケット内において前記金属フィラー粒子と前記金属ナノフィラー粒子の隙間に前記複合金属ナノ粒子の金属核が内入されるようなサイズを有する請求項1又は2に記載の複合ナノ金属ペースト。
  4. 前記平均粒径X、d、Dが、
    X≦[1/3−2/{3(2√3−1)}]D及び
    d≦(2/√3−1)Dを満足する請求項3に記載の複合ナノ金属ペースト。
  5. 溶剤及び/又は粘性付与剤を添加した請求項1〜4のいずれかに記載の複合ナノ金属ペースト。
  6. 前記複合ナノ金属ペーストを昇温速度VT=1℃/minで大気中熱分析した場合に、ペースト金属化温度Tp3(℃)が300℃以下である請求項1〜5のいずれかに記載の複合ナノ金属ペースト。
  7. 前記複合ナノ金属ペーストを昇温速度VT=1〜20℃/minで大気中熱分析した場合に、温度単位を℃とするとき、ペースト金属化温度Tp3(VT)が、Tp3(VT)<Tp3(1℃/min)+100を満足する請求項1〜5のいずれかに記載の複合ナノ金属ペースト。
  8. 前記複合ナノ金属ペーストを昇温速度VT=1〜20℃/minで大気中熱分析した場合に、温度単位を℃とするとき、ペースト分解開始温度Tp1(VT)とペースト分解温度Tp2(VT)が、Tp2(VT)−100<Tp1(VT)<Tp2(VT)を満足する請求項1〜5のいずれかに記載の複合ナノ金属ペースト。
  9. 前記複合ナノ金属ペーストを昇温速度VT=1〜20℃/minで大気中熱分析した場合に、温度単位を℃とするとき、ペースト分解開始温度Tp1(VT)とペースト分解温度Tp2(VT)とペースト金属化温度Tp3(VT)が、Tp1(VT)<Tp2(VT)<Tp3(VT)の関係を満足しながら前記昇温速度VTの増加に従って増加する請求項1〜5のいずれかに記載の複合ナノ金属ペースト。
  10. 温度単位を℃とするとき、昇温速度VT(℃/min)で大気中熱分析した場合における複合金属ナノ粒子の分解開始温度T1(VT)、分解温度T2(VT)及び金属化温度T3(VT)とし、昇温速度VT(℃/min)で大気中熱分析した場合における複合ナノ金属ペーストのペースト分解開始温度Tp1(VT)、ペースト分解温度Tp2(VT)及びペースト金属化温度Tp3(VT)としたとき、T1(VT)<Tp1(VT)<T1(VT)+100、T2(VT)<Tp2(VT)<T2(VT)+100又はT3(VT)<Tp3(VT)<T3(VT)+100の一つ以上が成立する請求項1〜5のいずれかに記載の複合ナノ金属ペースト。
  11. 請求項1〜10のいずれかに記載の複合ナノ金属ペーストを用意し、前記複合ナノ金属ペーストにより下体と上体の間にペースト層を形成し、加熱により前記ペースト層を金属層に焼結して前記下体と前記上体を接合することを特徴とする接合方法。
  12. 無荷重下且つ不活性ガス中で前記下体と前記上体を前記金属層を介して接合したとき、前記下体と前記上体を前記金属層と平行な方向にせん断するときのせん断応力、即ち接合強度が10(MPa)以上である請求項11に記載の接合方法。
  13. 請求項11又は12に記載の接合方法により製造されたことを特徴とする電子部品。
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