JP2011009438A - ３次元立体回路基板およびこれを用いた回路モジュール - Google Patents

Abstract

【課題】金属蓋を用いる場合にも配線パターンの制約なしに、効率よく実装することができ、信頼性の高いキャビティ構造の３次元立体回路基板を提供する。
【解決手段】凹部を有する絶縁性基板１と、前記絶縁性基板１の前記凹部５に形成された複数の配線パターン１１と、前記凹部を囲む領域を封止するように形成される金属蓋３と係合する係合部６とを有する３次元立体回路基板１０であって、前記係合部６において、前記配線パターンのうち、少なくとも１本の配線パターン（接地線）１１ｇの表面が高く形成され前記金属蓋３と当接するように構成される。
【選択図】図１

Description

本発明は、３次元立体回路基板およびこれを用いた回路モジュールに係り、特にキャビティ構造を有するパッケージにおいて、金属蓋によるシールド構造に関するものである。

従来、窒化アルミニウム基板などの絶縁性３次元立体基板に導電回路を形成して３次元立体回路基板を形成したものが提案されている（たとえば特許文献１）。
このような３次元立体回路基板は、窒化アルミニウム基板の表面に導電性薄膜を形成し、その導電性薄膜における回路部と非回路部の少なくとも境界を含む領域に高エネルギービームを照射して導電性薄膜を除去してパターンを形成し、回路部の導電性薄膜にめっき処理を施した後、非回路部の導電性薄膜を除去することで、容易に所望の回路パターンを備えた回路基板を形成することができるとして、近年注目されている。

このような３次元立体回路基板は、キャビティ構造を容易に形成することができることから、固体撮像装置やジャイロセンサ、圧力センサなど種々のデバイスの実装に用いられている。

このようなデバイスにおいて、図６に示すように金属蓋１０３を形成するものが提案されている。
このように、チップ部品搭載面側から外部接続端子を導出するキャビティパッケージ構造では、金属蓋１０３を実装すると、３次元立体回路基板の配線パターン１１１とショートしてしまうため、金属蓋側の配線パターンはグランド（接地）配線ＧＮＤのみとし、それ以外の配線パターンは金属蓋のない側に配置する必要があった。このため回路設計上制約が大きく、実装が困難であるという問題があった。
また、図３に示すように、両側に蓋を形成する必要のある場合、片側を非金属にする必要があった。

特開２００８−０３４５５５号公報

以上のように、３次元立体回路基板を用いて、小型で製造作業性の良い回路モジュールが形成できるにも関わらず、金属蓋を用いる場合には、配線パターンの形成に制約があった。
本発明は前記実情に鑑みてなされたもので、金属蓋を用いる場合にも配線パターンの制約なしに、効率よく実装することができ、信頼性の高いキャビティ構造の３次元立体回路基板を提供することを目的とする。

そこで本発明は、凹部を有する絶縁性基板と、前記絶縁性基板の前記凹部に形成された複数の配線パターンと、前記凹部を囲む領域を封止するように形成される金属蓋と係合する係合部とを有する３次元立体回路基板であって、前記係合部において、前記配線パターンのうち、少なくとも１本の配線パターンの表面が高く形成され前記金属蓋と当接するように構成される。
この構成によれば、絶縁性基板の配線パターンの表面が周囲よりも突出して形成されて突出部を形成しているため、当該配線パターンを選択的に金属蓋に当接させることができ、回路設計の自由度を低下させることなく、形成可能である。

また本発明は、上記３次元立体回路基板において、前記絶縁性基板は、配線パターンを形成する領域の一部が周囲よりも突出して形成されて突出部を形成し、前記配線パターンは金属蓋と当接するものを含む。
この構成によれば、絶縁性基板の配線パターンを形成する領域の一部が周囲よりも突出して形成されて突出部を形成しているため、配線パターンは周囲と同一工程で形成することで周囲よりも突出して形成することができ、特性に影響を与えることなく、容易に形成可能である。

また本発明は、上記３次元立体回路基板において、前記配線パターンはその一部が、周囲よりも突出して形成されて突出部を形成し、前記配線パターンは金属蓋と当接するものを含む。
この構成によれば、ある領域のみ、突起を形成するなどの方法をとることで、金属蓋と当接するように配線パターンの一部を、突出させることで３次元立体回路基板自体の設計を変更することなく、容易に形成可能である。

また本発明は、上記３次元立体回路基板において、前記突出部を形成する配線パターンは接地パターンであるものを含む。
この構成によれば、金属蓋を接地プレートとして利用することができ、外部からのノイズを素早く、接地電位に逃がし、電気的な信号の品質（Ｓ／Ｎ比）の向上を図ることができる。

また本発明は、上記３次元立体回路基板において、前記突出部を形成する配線パターンは、信号線を構成する配線パターンと隣接して形成されるものを含む。
この構成によれば、信号線のノイズを効率よく、接地電位に逃がし、電気的な信号の品質（Ｓ／Ｎ比）の向上を図ることができる。

また本発明は、上記３次元立体回路基板において、前記突出部を形成する配線パターンは、少なくとも２つであり、互いに相対向する辺上に形成されるものを含む。
この構成によれば、安定して金属蓋を突出部で支持し、３次元立体回路基板上に金属蓋を装着することができる。

また本発明の回路モジュールは、凹部を有する絶縁性基板と、前記絶縁性基板の前記凹部に形成された複数の配線パターンと、前記凹部を囲む領域を封止するように形成される金属蓋と係合する係合部とを有し、前記係合部において、前記配線パターンのうち、少なくとも１本の接地用配線パターンの表面が高く形成された３次元立体回路基板と、前記凹部に搭載されたチップ部品と、前記チップ部品に接続された接地用配線パターン表面の表面が高く形成され、前記金属蓋と当接するとともに、周囲に封止樹脂が充填される。

また本発明は、上記回路モジュールにおいて、前記絶縁性基板は、配線パターンを形成する領域の一部が周囲よりも突出して形成され、前記配線パターンは金属蓋と当接するものを含む。

また本発明は、上記回路モジュールにおいて、前記配線パターンはその一部が、周囲よりも突出して形成され、前記配線パターンが金属蓋と当接するものを含む。

また本発明は、上記回路モジュールにおいて、前記突出部を形成する配線パターンは接地パターンであるものを含む。

また本発明は、上記回路モジュールにおいて、前記突出部を形成する配線パターンは、信号線を構成する配線パターンと隣接して形成されたものを含む。

また本発明は、上記回路モジュールにおいて、前記突出部を形成する配線パターンは、少なくとも２つであり、互いに相対向する辺上に形成されたものを含む。

以上説明してきたように、本発明によれば接地パターンのみ一段高くなっており、金属蓋と導電性接着剤とによって接続されるので、外部からのノイズをすばやく接地線に逃がし、電気的な信号の品質を向上することができる。
また金属蓋はエポキシ樹脂などの封止樹脂を用いて封止することで、半田実装時にセンサ部へのフラックスなどの浸入を防止することができる。

本発明の実施の形態１の回路モジュールを示す断面図 同回路モジュールに用いられる３次元立体回路基板の斜視図 同要部拡大斜視図 同要部拡大断面図であり、（ａ）は図３のＡ−Ａ断面に相当し、（ｂ）は図３のＢ−Ｂ断面に相当するが、金属蓋を載せた状態を示す。 本発明の実施の形態１の回路モジュールを示す断面図、（ａ）は接地線の断面を示す図、（ｂ）は信号線の断面を示す図 従来例の回路モジュールを示す図

以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。
（実施の形態１）
以下、本実施の形態に係る３次元立体回路基板およびこれを用いて形成した回路モジュールについて、図面を参照して説明する。
図１は、本実施の形態１の回路モジュールを示す断面図、図２はこの回路モジュールに用いられる３次元立体回路基板の斜視図、図３はその要部拡大斜視図、図４はその要部拡大断面図であり、（ａ）は図３のＡ−Ａ断面に相当し、（ｂ）は図３のＢ−Ｂ断面に相当するが、金属蓋を載せた状態を示す。

この回路モジュールは、配線パターン１１のうち、接地線１１ｇを構成する配線パターンが、信号線１１ｓを構成する配線パターンよりも突出して形成され、前記接地線１１ｇが金属蓋３と当接するように構成され、金属蓋３と３次元立体回路基板１０との隙間にはエポキシ樹脂からなる封止樹脂１２が充填されたことを特徴とするものである。

すなわち、この回路モジュールは、凹部（キャビティ）５を有する窒化アルミニウムセラミックからなる絶縁性基板１と、この絶縁性基板１の凹部５から外周面に乗り上げるように形成された複数の配線パターン１１と、凹部５を囲む領域を封止するように形成される金属蓋３と係合する係合部６とを有し、この係合部６において、配線パターン１１のうち、２本の接地用配線パターン（接地線）１１ｇの表面が信号線１１ｓよりも高く形成された３次元立体回路基板１０上に、チップ部品を搭載してなるもので、チップ部品に接続された接地線１１ｇ表面が高く形成され、金属蓋３と当接するとともに、周囲に封止樹脂１２が充填される。なおこの段差は０．０１ｍｍ以上とするのが望ましい。１００は実装基板としてのプリント配線基板である。

そしてこの配線パターンは図３に要部拡大図を示すように、２本の信号線１１ｓを挟むように２本の接地線１１ｇが形成されている。この接地線１１ｇは図４（ｂ）に要部拡大図を示すように、選択的に一段高くなった３次元立体回路基板１０上に形成されており、接地線１１ｇ表面が３次元立体回路基板１０上で選択的に一段高くなっている。そこで、金属蓋３を係合部６に載置したとき、接地線１１ｇのみが金属蓋３と導電性接着剤とによって接続される。このようにして信号線１１ｓは金属蓋３と接触することなく、接地線１１ｇのみが３次元立体回路基板１０との係合部６で金属蓋３と接続される。

なお、ここでセンサチップ２はキャビティ５内に収納され、ボンディングワイヤ７を介して信号線１１ｓ、接地線１１ｇに接続されている。
また、信号処理回路を構成する処理チップ４は３次元立体回路基板１０の裏面側に搭載され、センサチップ２と同様、ボンディングワイヤ７を介して信号線１１ｓ、接地線１１ｇに接続されている。

上記構成によれば、接地線１１ｇの形成される領域で３次元立体回路基板１０が一段高くなっており、金属蓋３を係合部６に載置したとき、接地線１１ｇのみが金属蓋３と導電性接着剤とによって接続される。一方金属蓋３と３次元立体回路基板１０との係合部にはエポキシ樹脂からなる封止樹脂１２が充填されるので、外部からのノイズをすばやく接地線に逃がし、電気的な信号の品質を向上することができる。
また金属蓋はエポキシ樹脂などの封止樹脂を用いて封止することで、半田実装時にセンサ部へのフラックスなどの浸入を防止することができる。

次にこの回路モジュールを構成する３次元立体回路基板の製造方法について説明する。
この３次元立体回路基板１０を形成するための絶縁性基板１は、窒化アルミニウム粉体材料を成形して焼結し、所望の立体形状をもつ窒化アルミニウム基板として形成される（ステップ１）。
次いで、この絶縁性基板１を加熱してその表面を酸化処理して酸化層（薄膜絶縁層）を形成する（ステップ２）。
こののち、酸化層の上に金属からなる衝撃緩衝層を形成する（ステップ３）。
そしてこの、衝撃緩衝層の上にスパッタリング、蒸着、イオンプレーティングなどの物理蒸着法によるメタライズ処理工程を経て導電性薄膜を成膜する（ステップ４）。
そして、レーザビームなどの高エネルギービームを照射し回路部／非回路部の分離を行う（ステップ５）。
こののち、回路部のめっきによる厚膜化を行ってめっき層を形成する（ステップ６）。
そして、非回路部に残留する導電性薄膜をエッチングし、配線パターン１１を完成する。

ここで、３次元立体回路基板１０を形成するための絶縁性基板１の形成に際しては、窒化アルミニウムを粉末成形、焼結することにより形成される。窒化アルミニウム基板材の形成に用いる原料である窒化アルミニウム粉は、還元窒化法、直接窒化法，気相合成法などの方法を用いて製造される。また、窒化アルミニウムは難焼結材料であるため、イットリア（Ｙ_２Ｏ_３）やカルシア（ＣａＯ）などを焼結助剤として原料に添加してもよい。

そして、この窒化アルミニウム粉末を用いて３次元形状に成形する工程では、通常セラミックスの成形で用いられる圧縮成形、押出成形、射出成形、テープ成形などの方法を適用することができる。なかでも特に、射出成形が好適である。また、成形方法によっては、原料に流動性や可塑性を付与するために、有機溶剤や樹脂などの有機物を添加することもできる。

そして上述により原材料を成形後、必要に応じて、成形品に含まれる有機物を除去するために脱脂が行われる。この脱脂工程では、室温から６００℃程度まで徐々に温度を上げていき、成形品に含まれる有機物を溶出させる。脱脂時の雰囲気は、大気下でも窒素などの不活性ガス下でもよい。

その後、成形品を焼結することで緻密化された焼結体として３次元形状の窒化アルミニウム基板（絶縁性基板１）が得られる。この焼結工程は、雰囲気を窒素などの不活性ガスに置換し、１８００℃程度まで徐々に温度を上げて行われる。大気中などの酸化性雰囲気で焼結を行うと、窒化アルミニウムの粒界にアルミナが析出してしまう。そのため、焼結速度が低下するばかりではなく、窒化アルミニウム以外の成分が混入し、焼結体の熱伝導率も低下する。そこで、窒化アルミニウムの焼結は、窒素などの不活性雰囲気下で行う必要がある。

次に、レーザ処理工程（ステップ５）で高エネルギービームを照射された後においても高い絶縁性を維持するため、あらかじめ、窒化アルミニウム基板（絶縁性基板１）の表面を酸化処理して酸化層（図示せず）を形成しておく。この酸化層を形成する酸化処理の方法としては、例えば大気中での加熱処理が行われる。この方法では、窒化アルミニウム基板材は、室温から１０００℃まで毎時１００℃程度で昇温させた後、１０００℃で数時間〜数十時間保持され、その表面に薄膜絶縁層をなす酸化層が形成される。

また、大気中ではなく加圧した水蒸気中で処理を行うことによって、大気中の場合と比較してより低温かつ短時間で酸化処理を行うこともできる。また、酸化層２の形成は、加熱による酸化処理に限定されず、他の成膜方法、例えば、化学蒸着法（ＣＶＤ法）や、スパッタリング法で行ってもよい。そして、これらの方法のうち、大気中での加熱処理が膜厚管理の面で最も容易である。

そして、この酸化層上に、スパッタリング、蒸着、イオンプレーティングなどの物理蒸着法（ＰＶＤ法）、またはプラズマＣＶＤなどの化学蒸着法（ＣＶＤ法）によって、簡易に金属の衝撃緩衝層（図示せず)を形成する。この衝撃緩衝層には、酸化層より成膜速度が早い金属が用いられ、その厚さは、１〜１０μｍ（望ましくは、２〜５μｍ）に形成されており、レーザ処理工程（ステップ５）での高エネルギービーム照射時に、高エネルギービームの衝撃を緩衝して、高エネルギービームを窒化アルミニウム基板に到達させないようにする機能を有する。

次に、銅をターゲットとするスパッタリングによって、導電性薄膜を形成する（メタライズ処理工程：ステップ４）。この導電性薄膜は、スパッタリング、真空蒸着、イオンプレーティングなどの物理蒸着法により形成される。また、物理蒸着法に限定されることなく化学蒸着法などの他の方法で行ってもよい。導電性薄膜は、銅のほか、ニッケル、金、アルミニウム、チタン、モリブデン、クロム、タングステン、スズ、鉛などの単体金属、又は黄銅、ＮｉＣｒなどの合金を用いてもよい。

そして、レーザ処理工程（ステップ５）がなされる。ここでは、導電性薄膜における回路部と非回路部との境界部分に高エネルギービーム、例えば電磁波ビームであるレーザビームが照射され、その部分の導電性薄膜が蒸発除去されて、その除去部によって回路部と非回路部とが分離され、所定の回路パターンが形成される。

次にめっき処理工程（ステップ６）がなされる。ここでは、回路部に給電されて電流が流れ、回路部の部分が例えば電解銅めっきにより厚膜化されて、めっき層が形成される。このとき、非回路部には電流が流れず、非回路部の部分はめっきされないので、その膜厚はもとのままの薄膜の状態にある。

そしてエッチング処理工程（ステップ７）が実行され、回路パターン形成面全体をエッチングすることにより、下地の酸化層が現れるように、非回路部および衝撃緩衝層が除去されて、配線パターン１１が形成された３次元回路基板１０が完成する。そして外部接続端子を構成する配線パターン上にニッケルめっきおよび金めっきを行う。

この後、この３次元回路基板１０上に、センサチップ２および処理チップ４を順次搭載し、ワイヤボンディングにより電気的接続を行った後、金属蓋を載せ、半田リフロー工程を経て、エポキシ樹脂からなる封止樹脂１２を充填し、回路モジュールが完成する。

なお、前記実施の形態１では、３次元立体回路基板そのものを接地線形成領域で高くなるように形成したが、これに限定されることなく、３次元立体回路基板は通例の形状に成型しておき、配線パターン上の所定領域のみ、半田バンプあるいは導電性樹脂ペーストなどの導体からなる突起を形成することで、金属蓋と当接するように配線パターンの一部を、突出させるようにしてもよい。これにより、３次元立体回路基板自体の設計を変更することなく、容易に形成可能である。

（実施の形態２）
次に本発明の実施の形態２について説明する。
前記実施の形態１では３次元立体回路基板の形成にあたり焼結成形により形成したが、本実施の形態では多層セラミックを用いた積層基板で構成し、凹部からなるキャビティ領域内の段差の形成を容易にするものである。図５（ａ）は接地線の断面を示す図、図５（ｂ）は信号線の断面を示す図である。
本実施の形態の回路基板は、図５（ａ）および（ｂ）に示すように、複数の絶縁層１０ａ〜１０ｈ間に内部導体層２１が形成されてなる積層基板１１０と、この積層基板１１０の表面に形成され且つ内部導体層２１と電気的に接続された表面導体層２２と、積層基板１１０の前記絶縁層１０ａ〜１０ｈの少なくとも１層を選択的に除去して形成されたキャビティ領域５とを有し、絶縁層１０ａ〜１０ｈのうち最上層および最下層から２層目に位置する絶縁層１０ｇ、１０ｂが、積層基板１１０の積層方向に垂直な面上に突出し、空間部を介して相対向する脚部を形成しており、表面導体層２２が、この脚部の突出端面に到達するように伸張し、外部接続用端子部２３を構成したものである。

ここで、図５（ａ）および（ｂ）に示すように、絶縁層のうち最上層および最下層１０ｈ、１０ａと、２層目に位置する絶縁層１０ｇ、１０ｂの端面とで形成される階段状の段差を有し、前記最上層および最下層から、２層目に位置する絶縁層１０ｇ、１０ｂの端面近傍に露出する内部導体層２１の一部を覆うように表面導体層２２が形成される。

そして、半導体チップ（図示せず）を３次元立体回路基板上に搭載した後、金属蓋３を形成した場合、図５（ａ）に示すように、配線パターン１１のうち接地線１１ｇとなるものは、キャビティ領域５内に突出せしめられた絶縁層１０ｇ上に形成されているため、金属蓋３を載せた時にこの接地線１１ｇと金属蓋とが当接する。

一方、配線パターンの内信号線１１ｓは、図５（ｂ）に示すように、接地線１１ｇよりも一段低い層（絶縁層１０ｆ上に形成され、ビアホールＨを介して、表面導体層２２に接続され外部接続端子２３に接続されている。
キャビティ領域５内においては、複数の内部導体層２１同士を電気的に接続するビアホールＨの１つが絶縁層１０ｃから１０ｆの側面および絶縁層１０ｂ表面に露出しており、このビアホールの端面の内部導体層２１を覆うとともに、および絶縁層１０ｂ表面の内部導体層２１のように表面導体層２２が形成される。そしてこの表面導体層にセンサチップ２がフリップチップ実装されている。なお信号線１１ｓおよび接地線１１ｇは、３次元立体回路基板の表面では内部導体層２１と表面導体層２２との積層膜で構成され、絶縁層内およびビアホール内では内部導体層２１で構成されている。

実際には、導電ペーストが所定のパターンに印刷塗布されたセラミックス製のグリーンシートを積層した積層体を焼成することでセラミックス製の絶縁層１０ａ乃至１０ｈの間に複数の内部導体層２１が形成されてなる積層基板１１０と、積層基板１０の表面に形成されビアホールＨを介して内部導体層２１と電気的に接続された表面導体層２２とを備えている。また本実施の形態では、積層基板１１０を厚み方向において縦横に分断することにより一枚の回路基板から複数個の回路基板を分割する構造となっている。

積層基板１１０の表裏両面にダイシング用の溝（図示せず）を縦横に形成している。さらに、各回路基板に相当する部分には、厚み方向（図５における上下方向）から見て略正方形の凹部５からなるキャビティ領域が設けられている。この凹部５は、複数層（図示例では８層）の絶縁層１０ｃから１０ｈを貫通する深さを有し、底面には絶縁層１０ａの表面が露出している。

次にこの回路基板の製造方法について説明する。
そしてこの回路基板は、以下の工程で形成することができる。まず、表面に内部導体層２１となる導体層のパターンを形成した所定領域に穴（ビアホール）Ｈを有する絶縁性シート（絶縁層）を積層し、素子搭載用の凹部５を有するとともに、多層配線構造を有する積層体を形成する
この積層工程においては、絶縁性のセラミックグリーンシートにビアホール、凹部形成用穴を形成した後、内部導体層のパターンを形成し、ビアホールに導電性材料を充填しながら順次所定枚数積層し、ここでは８層の絶縁層からなる積層体を形成する。
そして、この積層体の表面および裏面に、前記最表面および最裏面の絶縁層の突出端面に到達するように伸張し、外部接続用端子部を構成するように、表面導体層を形成し、積層基板１１０を形成する。

そしてこの積層基板１１０を、ダイシングラインに沿って分割する。

このように、積層基板を用いることで極めて容易に段差を持つ３次元立体回路基板を形成することができ、容易に信頼性の高い回路モジュールを形成することが可能となる。

またこの構成では、この表面導体層が、絶縁層の突出端面に到達するように伸張し、外部接続用端子部を構成するようにしているため、ダイシングが容易でかつ、実装面を揃えた、高精度の垂直実装が可能となる。なおダイシング面近傍で、空間部を形成するようにして、積層基板を形成し、ダイシングすることで、高速切断が可能でかつまっすぐな切断面を得ることができる。従って絶縁層のうちの少なくとも２層が、前記積層基板の積層方向に垂直な面上に突出し、空間部を介して相対向する脚部を形成するようにすることが可能となる。

なお、前記実施の形態１および２では、窒化アルミニウム基板からなるセラミック製の３次元立体回路基板を用いたが、このほかアルミナ、炭化ケイ素などのセラミック系材料のほか、ＰＰＳ（ポリフェニレンスルフィド）、ＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）、ポリフタルアミドなどの樹脂材料で形成されたものも有効である。また、３次元立体回路基板、絶縁性を有していればよく、樹脂製材料、セラミック系材料のほかに、銅やアルミニウムなどを所定形状に成形し、その上に絶縁材料を被覆したメタルコア基板、多層セラミック基板、積層樹脂基板などを用いることも可能である。

１ 絶縁性基板
２ センサチップ
３ 金属蓋
４ 処理チップ
５ 凹部（キャビティ）
６ 係合部
７ ボンディングワイヤ
１０ ３次元立体回路基板
１１ 配線パターン
１１ｇ 接地線
１１ｓ 信号線
１２ 封止樹脂
２１ 内部導体層
２２ 表面導体層
２３ 外部接続用端子部
１０３ 金属蓋
１１０ 積層基板
１１１ 配線パターン

Claims (12)

1. 凹部を有する絶縁性基板と、
   前記絶縁性基板の前記凹部に形成された複数の配線パターンと、
   前記凹部を囲む領域を封止するように形成される金属蓋と係合する係合部とを有する３次元立体回路基板であって、
   前記係合部において、前記配線パターンのうち、少なくとも１本の配線パターンの表面が高く形成され前記金属蓋と当接するように形成された３次元立体回路基板。
2. 請求項１に記載の３次元立体回路基板であって、
   前記絶縁性基板は、配線パターンを形成する領域の一部が周囲よりも突出して形成されて突出部を形成し、前記配線パターンは金属蓋と当接する３次元立体回路基板。
3. 請求項１に記載の３次元立体回路基板であって、
   前記配線パターンはその一部が、周囲よりも突出して形成されて突出部を形成し、前記配線パターンは金属蓋と当接する３次元立体回路基板。
4. 請求項１乃至３のいずれかに記載の３次元立体回路基板であって、
   前記突出部を形成する配線パターンは接地パターンである３次元立体回路基板。
5. 請求項１乃至５のいずれかに記載の３次元立体回路基板であって、
   前記突出部を形成する配線パターンは、信号線を構成する配線パターンと隣接して形成された３次元立体回路基板。
6. 請求項１乃至５のいずれかに記載の３次元立体回路基板であって、
   前記突出部を形成する配線パターンは、少なくとも２つであり、互いに相対向する辺上に形成された３次元立体回路基板。
7. 凹部を有する絶縁性基板と、
   前記絶縁性基板の前記凹部に形成された複数の配線パターンと、
   前記凹部を囲む領域を封止するように形成される金属蓋と係合する係合部とを有し、
   前記係合部において、前記配線パターンのうち、少なくとも１本の接地用配線パターンの表面が高く形成された３次元立体回路基板と、
   前記凹部に搭載されたチップ部品と、
   前記チップ部品に接続された接地用配線パターン表面の表面が高く形成され、
   前記金属蓋と当接するとともに、周囲に封止樹脂を充填した回路モジュール。
8. 請求項７に記載の回路モジュールであって、
   前記絶縁性基板は、配線パターンを形成する領域の一部が周囲よりも突出して形成され、前記配線パターンは金属蓋と当接する回路モジュール。
9. 請求項７に記載の回路モジュールであって、
   前記配線パターンはその一部が、周囲よりも突出して形成され、前記配線パターンが金属蓋と当接する回路モジュール。
10. 請求項７乃至９のいずれかに記載の回路モジュールであって、
    前記突出部を形成する配線パターンは接地パターンである回路モジュール。
11. 請求項７乃至１０のいずれかに記載の回路モジュールであって、
    前記突出部を形成する配線パターンは、信号線を構成する配線パターンと隣接して形成された回路モジュール。
12. 請求項７乃至１１のいずれかに記載の回路モジュールであって、
    前記突出部を形成する配線パターンは、少なくとも２つであり、互いに相対向する辺上に形成された回路モジュール。

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