JP2011009093A - 有機el装置及び電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】Rの光を発光し、X方向に沿って配列された第1発光素子及び第2発光素子と、Gの色の光を発光し、Y方向に沿って配列された第3発光素子、第4発光素子及び第5発光素子と、Bの色の光を発光し、Y方向に沿って配列された第6発光素子及び第7発光素子とを有し、第4発光素子は第1発光素子と第2発光素子との間に配置されており、第6発光素子は第3発光素子と第4発光素子との間に配置されており、第7発光素子は第4発光素子と第5発光素子との間に配置されており、第1発光素子、第2発光素子、第3発光素子、第4発光素子及び第5発光素子が各々有する発光層は、塗布法によって形成されており、第6発光素子及び第7発光素子が各々有する発光層は、蒸着法またはスピンコート法によって形成されていることを特徴とする有機EL装置。
【選択図】図3
Description
特許文献1によれば、赤色の光を発する発光層(以下、赤色発光層と呼ぶ)と、緑色の光を発する発光層(以下、緑色発光層と呼ぶ)とは、それぞれ、インクジェット法によって画素ごとにパターニングされる。そして、青色の光を発する発光層(以下、青色発光層と呼ぶ)は、この青色発光層が設けられるべき画素を含む3種類の画素間にわたって、赤色発光層及び緑色発光層上にも形成される。これにより、有機EL装置におけるフルカラー表示が実現され得る。
この製造方法では、上記の各色の発光層は、図15(a)に示す基板801に形成される。基板801には、隔壁803が設けられている。隔壁803は、赤色画素の領域805、緑色画素の領域807及び青色画素の領域809のそれぞれを、画素ごとに区画している。
この製造方法では、領域805及び領域807のそれぞれに、図15(b)に示すように、液状体811a及び液状体813aのそれぞれを配置する。液状体811aには、赤色発光層を構成する有機材料が含まれている。液状体813aには、緑色発光層を構成する有機材料が含まれている。液状体811a及び液状体813aの配置には、液滴吐出ヘッド815を利用したインクジェット法が活用され得る。
次いで、液状体811a及び液状体813aのそれぞれを乾燥させることによって、図15(c)に示す赤色発光層821及び緑色発光層823が形成され得る。
次いで、図15(d)に示すように、基板801に蒸着法で青色発光層825を形成する。これにより、領域809に青色発光層825が形成され得る。
上記の製造方法により、フルカラー表示を行うことができる有機EL装置が製造され得る。
有機EL装置では、発光層の厚みが画素の領域内でばらつくと、画素の領域内での輝度がばらつきやすい。つまり、発光層の厚みが画素の領域内でばらつくと、発光層の厚みに応じて、画素の領域内で輝度の高低差が発生しやすい。
上記の基板801では、赤色発光層821や緑色発光層823の膜厚が偏りやすいので、領域805及び領域807のそれぞれにおいて、輝度の高い部位が偏りやすい。このことは、表示品位の低下につながりやすい。
つまり、従来の有機EL装置では、表示品位を向上させることが困難であるという課題がある。
第1発光素子及び第2発光素子は、第1の色の光を発光する。第1発光素子及び第2発光素子は、第1方向に沿って配列されている。
第3発光素子、第4発光素子及び第5発光素子は、第1の色とは異なる第2の色の光を発光する。第3発光素子、第4発光素子及び第5発光素子は、第1方向と交差する第2方向に沿って配列されている。
第6発光素子及び第7発光素子は、第1の色及び第2の色とは異なる第3の色の光を発光する。第6発光素子及び第7発光素子は、第2方向に沿って配列されている。
この有機EL装置では、第4発光素子は、第1発光素子と第2発光素子との間に配置されている。第6発光素子は、第3発光素子と第4発光素子との間に配置されている。第7発光素子は、第4発光素子と第5発光素子との間に配置されている。
そして、第1発光素子、第2発光素子、第3発光素子、第4発光素子及び第5発光素子が各々有する発光層は、塗布法によって形成されている。また、第6発光素子及び第7発光素子が各々有する発光層は、蒸着法またはスピンコート法によって形成されている。
他方で、第4発光素子は、第6発光素子及び第7発光素子によって第2方向に挟まれている。このため、第4発光素子の発光層を塗布法で形成するときに、塗布された発光層の材料は、第6発光素子及び第7発光素子のそれぞれの領域によって第2方向に挟まれる。これにより、第4発光素子の発光層の材料の両端部において、材料の乾燥状態をそろえやすくすることができる。この結果、第2方向において、第4発光素子の発光層の膜厚を両端部でそろえやすくすることができる。このため、第2方向において、第4発光素子の発光層の膜厚を対称にしやすくすることができる。
つまり、この有機EL装置では、第1方向及び第2方向のそれぞれにおいて、第4発光素子の発光層の膜厚が対称になりやすい。この結果、この有機EL装置では、第1方向及び第2方向のそれぞれにおいて、発光素子の発光領域内での輝度の分布が対称になりやすい。従って、この有機EL装置では、表示品位を向上させやすくすることができる。
第1発光素子及び第2発光素子は、第1の色の光を発光する。第1発光素子及び第2発光素子は、第1方向に沿って配列されている。
第3発光素子、第4発光素子及び第5発光素子は、第1の色とは異なる第2の色の光を発光する。第3発光素子、第4発光素子及び第5発光素子は、第1方向と交差する第2方向に沿って配列されている。
第6発光素子及び第7発光素子は、第1の色及び第2の色とは異なる第3の色の光を発光する。第6発光素子及び第7発光素子は、第1方向に沿って配列されている。
この有機EL装置では、第4発光素子は、第1発光素子と第2発光素子との間に配置されている。第6発光素子は、第1発光素子と第4発光素子との間に配置されている。第7発光素子は、第4発光素子と第2発光素子との間に配置されている。
そして、第1発光素子、第2発光素子、第3発光素子、第4発光素子及び第5発光素子が各々有する発光層は、塗布法によって形成されている。また、第6発光素子及び第7発光素子が各々有する発光層は、蒸着法またはスピンコート法によって形成されている。
他方で、第4発光素子は、第6発光素子及び第7発光素子によって第1方向に挟まれている。このため、第4発光素子の発光層を塗布法で形成するときに、塗布された発光層の材料は、第6発光素子及び第7発光素子のそれぞれの領域によって第1方向に挟まれる。これにより、第4発光素子の発光層の材料の両端部において、材料の乾燥状態をそろえやすくすることができる。この結果、第1方向において、第4発光素子の発光層の膜厚を両端部でそろえやすくすることができる。このため、第1方向において、第4発光素子の発光層の膜厚を対称にしやすくすることができる。
つまり、この有機EL装置では、第1方向及び第2方向のそれぞれにおいて、第4発光素子の発光層の膜厚が対称になりやすい。この結果、この有機EL装置では、第1方向及び第2方向のそれぞれにおいて、発光素子の発光領域内での輝度の分布が対称になりやすい。従って、この有機EL装置では、表示品位を向上させやすくすることができる。
この有機EL装置では、第1発光素子と第4発光素子との間の間隔が、第4発光素子と第2発光素子との間の間隔と略等しく、第3発光素子と第4発光素子との間の間隔が、第4発光素子と第5発光素子との間の間隔と略等しく、第8発光素子と第1発光素子との間の間隔が、第1発光素子と第9発光素子との間の間隔と略等しい。
また、この有機EL装置では、第6発光素子が第8発光素子と第1発光素子との間にも配置されており、第7発光素子が第1発光素子と第9発光素子との間にも配置されている。このため、この有機EL装置では、第2方向において、第1発光素子の発光層の膜厚を対称にしやすくすることができる。
そして、この電子機器は、表示品位を向上させやすくすることができる有機EL装置を有している。このため、この電子機器では、有機EL装置における表示品位を向上させやすくすることができる。
本実施形態における表示装置1は、図1に示すように、素子基板3と、封止基板5と、を有している。素子基板3と封止基板5とは、互いに対向している。
表示装置1では、素子基板3の封止基板5側とは反対側の面である表示面7に、画像などを表示することができる。
表示装置1は、複数の複合画素9から選択的に表示面7を介して表示装置1の外に光を射出することで、表示面7に画像などを表示する。なお、表示領域11とは、画像が表示され得る領域である。図1では、構成をわかりやすく示すため、複合画素9が誇張され、且つ複合画素9の個数が減じられている。
素子基板3には、底面13側すなわち封止基板5側に、後述する有機EL素子などが設けられている。なお、表示装置1において、表示面7と底面13とは、互いに表裏の関係にある。
また、素子基板3と封止基板5との間は、表示装置1の周縁よりも内側で表示領域11を囲むシール材17によって封止されている。つまり、表示装置1では、有機EL素子と接着剤16とが、素子基板3及び封止基板5並びにシール材17によって封止されている。
本実施形態では、Y方向に沿って並ぶ複数の複合画素9が、1つの複合画素列21を構成している。また、X方向に沿って並ぶ複数の複合画素9が、1つの複合画素行23を構成している。複合画素列21では、複数の複合画素9がY方向に略等間隔に並んでいる。また、複合画素列21では、複数の複合画素9がX方向に略等間隔に並んでいる。
複合画素9は、図3(a)中のC部の拡大図である図3(b)に示すように、複数の画素25(本実施形態では、3つの画素25)を包含している。1つの複合画素9における複数の画素25は、射出する光の色が相互に異なる。
なお、以下においては、画素25という表記と、画素25R、画素25G及び画素25Bという表記とが、適宜、使いわけられる。
そして、本実施形態では、画素行27Sと画素行27Pとが、Y方向に交互に並んでいる。
本実施形態では、複合画素9の領域内において、3つの画素25は、画素25Bを起点として時計回りの方向に画素25B、画素25G及び画素25Rの順に配置されている。しかしながら、3つの画素25の配置順は、これに限定されず、例えば、画素25Bを起点として時計回りの方向に画素25B、画素25R及び画素25Gの配置順も採用され得る。この配置順では、図3(b)に示す画素25Rと画素25Gとが互いに入れ替わった配置となる。
他方で、X方向に隣り合う画素25Rと画素25Gとの間隔は、画素行27Pにわたって略等間隔に設定されている。また、Y方向に隣り合う2つの複合画素9間で、Y方向に並ぶ2つの画素25Rの間隔は、複合画素列21にわたって略等間隔に設定されている。同様に、Y方向に隣り合う2つの複合画素9間で、Y方向に並ぶ2つの画素25Gの間隔も、複合画素列21にわたって略等間隔に設定されている。
また、表示装置1は、走査線駆動回路45と、信号線駆動回路47と、複数の走査線GTと、複数の信号線SIと、複数の電源線PWとを有している。
複数の信号線SIは、それぞれ信号線駆動回路47につながっており、X方向に互いに間隔をあけた状態でY方向に延びている。
複数の電源線PWは、Y方向に互いに間隔をあけた状態で、且つ各電源線PWと各走査線GTとがY方向に間隔をあけた状態でX方向に延びている。
図4に示す各選択トランジスター31のゲート電極は、対応する各走査線GTに電気的につながっている。各選択トランジスター31のソース電極は、対応する各信号線SIに電気的につながっている。各選択トランジスター31のドレイン電極は、各駆動トランジスター33のゲート電極及び各容量素子35の一方の電極に電気的につながっている。
本実施形態では、画素25Bにおける選択トランジスター31のソース電極が、画素25Rに対応する信号線SIにつながっている。しかしながら、画素25Bにおける選択トランジスター31のソース電極は、画素25Gに対応する信号線SIにつながっていてもよい。
各駆動トランジスター33のドレイン電極は、各画素電極39に電気的につながっている。各画素電極39と共通電極43とは、画素電極39を陽極とし、共通電極43を陰極とする一対の電極を構成している。
ここで、共通電極43は、マトリクスMを構成する複数の画素25間にわたって一連した状態で設けられており、複数の画素25間にわたって共通して機能する。
各画素電極39と共通電極43との間に介在する有機層41は、有機材料で構成されており、後述する発光層を含んだ構成を有している。
表示装置1は、有機層41に含まれる発光層が発光し、発光層からの光が素子基板3を介して表示面7から射出されるボトムエミッション型の有機EL装置の1つである。なお、表示装置1では、表示面7側という表現が上側とも表現され、底面13側という表現が下側とも表現される。
素子基板3は、図3(b)中のD−D線における断面図である図5に示すように、第1基板51と、素子層53と、を有している。素子層53は、駆動素子層55を含んでいる。
なお、図5では、構成をわかりやすく示すため、図4に示す選択トランジスター31、駆動トランジスター33、容量素子35、走査線GT、信号線SI及び電源線PWが省略されている。選択トランジスター31、駆動トランジスター33、容量素子35、走査線GT、信号線SI及び電源線PWは、駆動素子層55に含まれている。
駆動素子層55は、第1基板51の第1面52aに設けられている。
駆動素子層55の底面13側には、画素電極39が設けられている。画素電極39の材料としては、例えば、ITO(Indium Tin Oxide)やインジウム亜鉛酸化物(Indium Zinc Oxide)などが採用され得る。本実施形態では、画素電極39の材料としてITOが採用されている。
有機層41は、各画素25に対応して設けられており、正孔注入層61と、発光層65と、を有している。
正孔注入層61は、有機材料で構成されており、画素25ごとに、画素電極39の底面13側に設けられている。
正孔注入層61の有機材料としては、3,4−ポリエチレンジオキシチオフェン(PEDOT)等のポリチオフェン誘導体と、ポリスチレンスルホン酸(PSS)等との混合物が採用され得る。正孔注入層61の有機材料としては、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリアセチレンやこれらの誘導体なども採用され得る。本実施形態では、正孔注入層61の有機材料として、PEDOTとPSSとの混合物が採用されている。
ここで、以下において、発光層65がR,G及びBごとに識別される場合には、発光層65R、発光層65G及び発光層65Bという表記が使われる。発光層65Rは、Rの光を発する発光層65である。同様に、発光層65GがGの光を発する発光層65であり、発光層65BがBの光を発する発光層65である。
画素25Rに対応する有機層41Rは、発光層65Rと発光層65Bとを有している。
画素25Gに対応する有機層41Gは、発光層65Gと発光層65Bとを有している。
画素25Bに対応する有機層41Bは、発光層65Bを有している。
発光層65Rの有機材料としては、例えば、下記化合物1が採用され得る。
画素25Gにおいて、発光層65Gは、正孔注入層61の底面13側に設けられている。発光層65Gは、平面視で各画素電極39に重なる領域に設けられている。本実施形態では、各画素25Gにおいて、発光層65Gは、正孔注入層61を底面13側から覆っている。
発光層65Gの有機材料としては、例えば、下記化合物2が採用され得る。
画素25Bにおいて、発光層65Bは、正孔注入層61の底面13側に設けられている。発光層65Bは、平面視で各画素電極39に重なる領域に設けられている。本実施形態では、各画素25Bにおいて、発光層65Bは、正孔注入層61を底面13側から覆っている。
発光層65Bの有機材料としては、例えば、下記化合物3が採用され得る。
本実施形態では、共通電極43として、図示しない複数の層を積層させた構成が採用されている。本実施形態では、共通電極43を構成する複数の層には、有機層41から底面13側に向かって順にフッ化リチウム層、カルシウム層及びアルミニウム層が含まれている。
フッ化リチウム層は、フッ化リチウムを主成分とする材料で構成されている。カルシウム層は、カルシウムを主成分とする材料で構成されている。アルミニウム層は、アルミニウムを主成分とする材料で構成されている。
上記の構成を有する素子基板3及び封止基板5は、素子基板3の共通電極43と封止基板5の対向面5aとの間が、接着剤16を介して接合されている。
表示装置1の製造方法は、素子基板3を製造する工程と、表示装置1を組み立てる工程とに大別される。
素子基板3を製造する工程では、図6(a)に示すように、まず、第1基板51の第1面52aに駆動素子層55を形成する。
次いで、駆動素子層55の底面13側に、各画素25に対応した画素電極39を形成する。
次いで、隣り合う画素電極39間に、絶縁膜57を、各画素電極39の周縁に重ねて形成する。
次いで、絶縁膜57の底面13側に絶縁膜59を形成する。
絶縁膜59の形成では、まず、ネガ型の感光物質を含むアクリル系の樹脂で、平面視で画素電極39及び絶縁膜57を覆う樹脂膜を形成する。この樹脂膜の形成では、スピンコート技術や印刷技術などが活用され得る。次いで、例えばフォトリソグラフィー技術を活用することによって、樹脂膜をパターニングする。これにより、絶縁膜59が形成され得る。
なお、駆動素子層55から絶縁膜59までの構成が形成された第1基板51は、以下において基板51aと呼ばれる。
本実施形態では、処理室内を所定の真空度に保った状態で処理室内に処理ガスを導入しながら、処理室内にプラズマを発生させる方法が採用されている。本実施形態では、酸素プラズマ処理において、処理ガスとして酸素を含むガスが採用されている。また、CF4プラズマ処理において、処理ガスとして、フッ素化合物を含むガスであるCF4ガスが採用されている。なお、CF4プラズマ処理では、処理ガスは、CF4ガスに限定されず、SF6やCHF3などのハロゲンガスや、フッ素ガスなども採用され得る。
液滴吐出ヘッド71から液状体61aなどを液滴61bとして吐出する技術は、インクジェット技術と呼ばれる。そして、インクジェット技術を活用して液状体61aなどを所定の位置に配置する方法は、インクジェット法と呼ばれる。このインクジェット法は、塗布法の1つである。
なお、減圧乾燥法は、減圧環境下で行う乾燥方法であり、真空乾燥法とも呼ばれる。また、液状体61aの焼成条件は、環境温度が約200℃で、保持時間が約15分間である。
このとき、画素25Bの領域に対しては、液状体の配置を行わない。
なお、液状体65Raの配置と、液状体65Gaの配置とは、いずれが先でも後でもかまわない。
本実施形態では、液状体65Raとして、前述した化合物1を溶媒に溶解させた構成が採用され得る。また、液状体65Gaとして、前述した化合物2を溶媒に溶解させた構成が採用され得る。溶媒としては、それぞれ、例えば、シクロヘキシルベンゼンなどが採用され得る。
次いで、液状体65Ra及び液状体65Gaを減圧乾燥法で乾燥させる。これにより、図8(a)に示す発光層65R及び発光層65Gが形成され得る。
なお、以下において、駆動素子層55から発光層65R及び発光層65Gまでの構成が形成された第1基板51は、基板51bと呼ばれる。
本実施形態では、液状体65Baとして、前述した化合物3を溶媒に溶解させた構成が採用され得る。溶媒としては、例えば、イソプロピルアルコール、ノルマルブタノールなどが採用され得る。本実施形態では、液状体65Baの溶媒として、イソプロピルアルコールが採用されている。
次いで、不活性ガス中で、液状体膜65Bbに加熱処理を施す。これにより、図5に示す発光層65Bが形成され得る。なお、加熱処理の条件としては、環境温度が約130℃で、保持時間が約15分間である。また、本実施形態では、不活性ガスとして窒素ガスが採用されている。
これにより、素子基板3が製造され得る。
表示装置1を組み立てる工程では、図2に示すように、素子基板3及び封止基板5を、接着剤16及びシール材17を介して接合する。
このとき、素子基板3及び封止基板5は、図5に示すように、第1基板51の第1面52aと、封止基板5の対向面5aとが向き合った状態で接合される。これにより、表示装置1が製造され得る。
本実施形態では、X方向に隣り合う画素25Rと画素25Gとの間隔が、画素行27Pにわたって略等間隔に設定されている。このため、画素行27P(図3(b))内で連続して並ぶ3つの画素25のうちの中央に位置する画素25では、発光層65の厚みが、図8(a)中のE部の拡大図である図9に示すように、X方向の幅の中央線81に対して対称になりやすい。
このため、この構成では、発光層65の膜厚が、中央線81に対して非対称になりやすい。つまり、この構成では、発光層65の膜厚が、偏りやすい。
以上の結果、本実施形態では、X及びY方向のそれぞれにおいて、発光層65の膜厚が対称になりやすい。よって、本実施形態では、X方向及びY方向のそれぞれにおいて、画素25の領域内での輝度の分布が対称になりやすい。従って、本実施形態では、表示装置1における表示品位を向上させやすくすることができる。
第2実施形態における表示装置1では、発光層65Bと共通電極43と(図5)の間に、後述する正孔阻止層及び電子輸送層が介在している。また、第2実施形態では、発光層65Bの材料及び発光層65Bの形成方法が、第1実施形態とは異なる。第2実施形態における表示装置1は、これらの点を除いては、第1実施形態における表示装置1と同様の構成を有している。従って、以下においては、重複した説明を避けるため、第2実施形態における表示装置1の構成のうち、第1実施形態における表示装置1と同一の構成については、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
第2実施形態では、発光層65Bとして、下記化合物4として示されるCBPなどのホスト材料に、下記化合物5として示されるFIrpicなどのドーパント材料を混合した材料が採用されている。
次いで、図11(b)に示すように、発光層65Bの底面13側に正孔阻止層87を形成する。正孔阻止層87を構成する材料としては、例えば、下記化合物6として示されるBCPなどが採用され得る。本実施形態では、蒸着法によってBCPで正孔阻止層87が形成される。
上記の構成を有する第2実施形態においても、第1実施形態と同様の効果が得られる。
なお、第2実施形態において、発光層65Bを画素25Bごとに独立して設けるには、例えばマスクを用いたマスク蒸着技術が活用され得る。
第3実施形態における表示装置1は、複合画素9における画素25の構成が異なることを除いては、第1実施形態における表示装置1と同様の構成を有している。従って、以下においては、重複した説明を避けるため、第3実施形態における表示装置1の構成のうち、第1実施形態における表示装置1と同一の構成については、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
第3実施形態では、複合画素9は、1つの画素25Rと、1つの画素25Gと、2つの画素25Bと、を包含している。複合画素9内において、4つの画素25は、X方向に沿って並んでいる。また、各画素25は、Y方向の長さがX方向の長さよりも長い。つまり、各画素25は、Y方向に延在している。
第3実施形態では、画素25Rと画素25Gとが、X方向に、略等間隔で交互に並んでいる。そして、X方向において、画素25Rと画素25Gとの間に画素25Bが介在している。
第3実施形態では、Y方向に沿って一列に並ぶ複数の画素25が、1つの画素列91を構成している。また、X方向に沿って一列に並ぶ複数の画素25が、1つの画素行93を構成している。
なお、以下においては、画素列91という表記と、画素列91R、画素列91G及び画素列91Bという表記とが、適宜、使いわけられる。
第3実施形態では、1つの複合画素行23は、1つの画素行93を包含している。また、1つの複合画素列21は、4つの画素列91を包含している。これらの4つの画素列91には、1つの画素列91Rと、1つの画素列91Gと、2つの画素列91Bと、が含まれる。
また、第3実施形態では、発光層65Bの有機材料や、表示装置1の製造方法も、第1実施形態に準じている。
上記の構成を有する第3実施形態においても、第1実施形態及び第2実施形態のそれぞれと同様の効果が得られる。なお、第3実施形態において、画素行93が発光素子配列に対応している。
第4実施形態における表示装置1では、発光層65Bと共通電極43と(図5)の間に、正孔阻止層87及び電子輸送層89が介在している。また、第4実施形態では、発光層65Bの材料及び発光層65Bの形成方法が、第3実施形態とは異なる。第4実施形態における表示装置1は、これらの点を除いては、第3実施形態における表示装置1と同様の構成を有している。従って、以下においては、重複した説明を避けるため、第4実施形態における表示装置1の構成のうち、第3実施形態における表示装置1と同一の構成については、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
第4実施形態では、発光層65Bとして、前述した化合物4として示されるCBPなどのホスト材料に、前述した化合物5として示されるFIrpicなどのドーパント材料を混合した材料が採用されている。
次いで、発光層65Bの底面13側に正孔阻止層87を形成してから、正孔阻止層87の底面13側に電子輸送層89を形成する。
第4実施形態では、正孔阻止層87の材料として、化合物6として示されるBCPが採用されている。電子輸送層89の材料として、化合物7として示されるAlq3が採用されている。また、正孔阻止層87及び電子輸送層89は、それぞれ、蒸着法によって形成される。
そして、電子輸送層89の底面13側に共通電極43を形成する。共通電極43の構成及び形成方法は、第2実施形態に準じる。
上記の構成を有する第4実施形態においても、第1実施形態〜第3実施形態のそれぞれと同様の効果が得られる。
なお、第4実施形態において、発光層65Bを画素25Bごとに独立して設けるには、例えばマスクを用いたマスク蒸着技術が活用され得る。
トップエミッション型の場合、有機層41からの光が底面13から射出されるので、底面13側に表示面7が設定される。つまり、トップエミッション型では、表示装置1の底面13と表示面7とが入れ替わる。そして、トップエミッション型では、底面13側が上側に対応し、表示面7側が下側に対応する。
Claims (8)
- 第1の色の光を発光し、第1方向に沿って配列された第1発光素子及び第2発光素子と、
前記第1の色とは異なる第2の色の光を発光し、前記第1方向と交差する第2方向に沿って配列された第3発光素子、第4発光素子及び第5発光素子と、
前記第1の色及び前記第2の色とは異なる第3の色の光を発光し、前記第2方向に沿って配列された第6発光素子及び第7発光素子と、
を有し、
前記第4発光素子は前記第1発光素子と前記第2発光素子との間に配置されており、
前記第6発光素子は前記第3発光素子と前記第4発光素子との間に配置されており、
前記第7発光素子は前記第4発光素子と前記第5発光素子との間に配置されており、
前記第1発光素子、前記第2発光素子、前記第3発光素子、前記第4発光素子及び前記第5発光素子が各々有する発光層は、塗布法によって形成されており、
前記第6発光素子及び前記第7発光素子が各々有する発光層は、蒸着法またはスピンコート法によって形成されていることを特徴とする有機EL装置。 - 第1の色の光を発光し、第1方向に沿って配列された第1発光素子及び第2発光素子と、
前記第1の色とは異なる第2の色の光を発光し、前記第1方向と交差する第2方向に沿って配列された第3発光素子、第4発光素子及び第5発光素子と、
前記第1の色及び前記第2の色とは異なる第3の色の光を発光し、前記第1方向に沿って配列された第6発光素子及び第7発光素子と、
を有し、
前記第4発光素子は前記第1発光素子と前記第2発光素子との間に配置されており、
前記第6発光素子は前記第1発光素子と前記第4発光素子との間に配置されており、
前記第7発光素子は前記第4発光素子と前記第2発光素子との間に配置されており、
前記第1発光素子、前記第2発光素子、前記第3発光素子、前記第4発光素子及び前記第5発光素子が各々有する発光層は、塗布法によって形成されており、
前記第6発光素子及び前記第7発光素子が各々有する発光層は、蒸着法またはスピンコート法によって形成されていることを特徴とする有機EL装置。 - 前記第1発光素子と前記第4発光素子との間の間隔は、前記第4発光素子と前記第2発光素子との間の間隔と略等しく、
前記第3発光素子と前記第4発光素子との間の間隔は、前記第4発光素子と前記第5発光素子との間の間隔と略等しいことを特徴とする請求項1または2に記載の有機EL装置。 - 前記第1の色の光を発光し、前記第1発光素子を間に挟むと共に、前記第2方向に沿って配列された第8発光素子及び第9発光素子を有し、
前記第1発光素子と前記第4発光素子との間の間隔は、前記第4発光素子と前記第2発光素子との間の間隔と略等しく、
前記第3発光素子と前記第4発光素子との間の間隔は、前記第4発光素子と前記第5発光素子との間の間隔と略等しく、
前記第8発光素子と前記第1発光素子との間の間隔は、前記第1発光素子と前記第9発光素子との間の間隔と略等しく、
前記第6発光素子は、前記第8発光素子と前記第1発光素子との間にも配置されており、
前記第7発光素子は、前記第1発光素子と前記第9発光素子との間にも配置されていることを特徴とする請求項1に記載の有機EL装置。 - 前記第6発光素子が有する発光層と前記第7発光素子が有する発光層とは、連続していることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の有機EL装置。
- 前記第6発光素子が有する発光層及び前記第7発光素子が有する発光層は蒸着法によって形成されており、前記第6発光素子が有する発光層は、前記第7発光素子が有する発光層と分離していることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の有機EL装置。
- 前記第3の色は青系の色であることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の有機EL装置。
- 請求項1乃至7のいずれか一項に記載の有機EL装置を有する、ことを特徴とする電子機器。
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