JP2011003887A - チャンバ装置におけるターゲット軌道を計測及び制御する装置及び方法 - Google Patents

チャンバ装置におけるターゲット軌道を計測及び制御する装置及び方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2011003887A
JP2011003887A JP2010111286A JP2010111286A JP2011003887A JP 2011003887 A JP2011003887 A JP 2011003887A JP 2010111286 A JP2010111286 A JP 2010111286A JP 2010111286 A JP2010111286 A JP 2010111286A JP 2011003887 A JP2011003887 A JP 2011003887A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
target
nozzle
trajectory
target trajectory
angle
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2010111286A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5603135B2 (ja
Inventor
Hideyuki Hayashi
英行 林
Toru Abe
徹 阿部
Koji Kakizaki
弘司 柿崎
Toshihiro Nishisaka
敏博 西坂
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Gigaphoton Inc
Original Assignee
Gigaphoton Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Gigaphoton Inc filed Critical Gigaphoton Inc
Priority to JP2010111286A priority Critical patent/JP5603135B2/ja
Publication of JP2011003887A publication Critical patent/JP2011003887A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5603135B2 publication Critical patent/JP5603135B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05GX-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/003X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05GX-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/003X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas
    • H05G2/006X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas details of the ejection system, e.g. constructional details of the nozzle

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • X-Ray Techniques (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

【課題】LPP光源のチャンバ装置において、ターゲット噴射ノズルから噴射される液滴ターゲットの噴射方向が所定の噴射方向から傾いた場合でも、ターゲット噴射ノズルの位置又は角度を調整してEUV光の安定供給を維持することができるターゲット軌道計測及び制御装置を提供する。
【解決手段】この装置は、ターゲット噴射ノズルの位置と角度との内の少なくとも一方を調整するノズル調整機構と、ターゲット軌道を計測することにより、ターゲット軌道に関する軌道情報を取得するターゲット軌道計測部と、軌道情報によって表されるターゲット軌道と所定のターゲット軌道との間の角度偏差に関する値を求めるターゲット軌道角度検出部と、角度偏差に関する値に基づいて、液滴ターゲットが所定のレーザ光照射位置を通過するようにノズル調整機構を制御するノズル調整コントローラとを含む。
【選択図】図2

Description

本発明は、半導体ウエハを露光するため等に用いられる極端紫外光を発生するLPP(laser produced plasma:レーザ励起プラズマ)式EUV(extreme ultra violet:極端紫外)光源装置のチャンバ装置において、EUV光を放射するプラズマを生成するために用いられる液滴ターゲットの軌道を計測及び制御する装置及び方法に関する。
近年、半導体プロセスの微細化に伴って光リソグラフィーにおける微細化が急速に進展しており、次世代においては、60nm〜45nmの微細加工、さらには32nm以下の微細加工が要求されるようになる。そのため、例えば、32nm以下の微細加工の要求に応えるべく、波長13nm程度のEUV光を発生するEUV光源と縮小投影反射光学系(reduced projection reflective optics)とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。
EUV光源としては、ターゲットにレーザ光を照射することによって生成されるプラズマを用いたLPP(laser produced plasma:レーザ励起プラズマ)光源と、放電によって生成されるプラズマを用いたDPP(discharge produced plasma)光源と、軌道放射光を用いたSR(synchrotron radiation)光源との3種類がある。これらの内でも、LPP光源は、プラズマ密度をかなり大きくできるので黒体輻射に近い極めて高い輝度が得られ、ターゲット物質を選択することにより必要な波長帯のみの発光が可能である。また、LPP光源は、プラズマ光源の周囲に電極等の構造物がなく、ほぼ等方的な角度分布を持つ点光源であるので、2π〜4πsteradianという極めて大きな捕集立体角の確保が可能であること等の利点を有する。このため、LPP光源は、数十ワット以上のパワーが要求されるEUVリソグラフィー用の光源として有力であると考えられている。
ここで、LPP光源におけるEUV光の生成原理について説明する。チャンバ内に供給されるターゲット物質に対してドライバレーザ光を照射することにより、ターゲット物質が励起されてプラズマ化する。このプラズマから、EUV光を含む様々な波長成分が放射される。そこで、所定の波長成分(例えば、13.5nmの波長を有する成分)を選択的に反射するEUVコレクタミラーを用いてEUV光が反射集光され、EUV光を利用する機器(例えば、露光機)に出力される。そのために、EUVコレクタミラーの反射面には、例えば、モリブデン(Mo)の薄膜とシリコン(Si)の薄膜とを交互に積層した多層膜(Mo/Si多層膜)が形成されている。
LPP光源において、EUV光を発生するプラズマを生成するために用いられるターゲット物質として、液体のスズが有力視されている。そこで、LPP光源には、高温で溶融させたスズをターゲット噴射ノズルから噴射し、液滴状にして所定のプラズマ発生位置に供給するためのターゲット送出機構が装備されている。所定のプラズマ発生位置は、レーザ光集光光学系によってパルスレーザ光を集光する位置であり、この位置を通過するターゲット物質にパルスレーザ光を照射すると、プラズマが発生する。
国際公開第2005/091879号パンフレット
概要
本発明の1つの観点によれば、ターゲット噴射ノズルから供給される液滴ターゲットに外部ドライバレーザからのドライバレーザ光を照射することにより生成されるプラズマから極端紫外光を発生するチャンバ装置内部のターゲット軌道を計測及び制御する装置であって、ターゲット噴射ノズルの位置と角度との内の少なくとも一方を調整するノズル調整機構と、ターゲット噴射ノズルから供給される液滴ターゲットが形成するターゲット軌道を計測することにより、ターゲット軌道に関する軌道情報を取得するターゲット軌道計測部と、ターゲット軌道計測部によって取得された軌道情報によって表されるターゲット軌道と所定のターゲット軌道との間の角度偏差に関する値を求めるターゲット軌道角度検出部と、ターゲット軌道角度検出部によって求められた角度偏差に関する値に基づいて、液滴ターゲットが所定の位置を通過するようにノズル調整機構を制御するノズル調整コントローラとを具備する装置が提供される。
また、本発明の他の観点によれば、ターゲット噴射ノズルから供給される液滴ターゲットに外部ドライバレーザからのドライバレーザ光を照射することにより生成されるプラズマから極端紫外光を発生するチャンバ装置内部のターゲット軌道を計測及び制御する方法であって、ターゲット噴射ノズルから供給される液滴ターゲットが形成するターゲット軌道を計測することにより、ターゲット軌道に関する軌道情報を取得するステップ(a)と、ステップ(a)において取得された軌道情報によって表されるターゲット軌道と所定のターゲット軌道との間の角度偏差に関する値を求めるステップ(b)と、ステップ(b)において求められた角度偏差に関する値に基づいて、液滴ターゲットが所定の位置を通過するようにターゲット噴射ノズルの位置と角度との内の少なくとも一方を調整するステップ(c)とを具備する方法が提供される。
本発明の一実施形態に係るターゲット軌道計測及び制御装置が適用される極端紫外光源装置の概要を示す模式図である。 本発明の一実施形態に係るターゲット軌道計測及び制御装置の構成例を示すブロック図である。 本発明の一実施形態に係るターゲット軌道計測及び制御装置におけるターゲット軌道角度調整システムの構成例を示すブロック図である。 本発明の一実施形態におけるターゲット軌道角度調整の手順を示す流れ図である。 本発明の一実施形態に係るターゲット軌道計測及び制御方法における第1の手法を説明するための概念図である。 本発明の一実施形態に係るターゲット軌道計測及び制御方法における第2の手法を説明するための概念図である。 ゴニオステージの例を示す斜視図である。 本発明の一実施形態に係るターゲット軌道計測部において使用されるラインセンサの動作を説明するための概念図である。 本発明の一実施形態に係るターゲット軌道計測部において使用される光位置センサの動作を説明するための概念図である。 本発明の一実施形態に係るターゲット軌道計測及び制御装置におけるノズル位置調整システムの構成例を示すブロック図である。 本発明の一実施形態におけるノズル位置調整の手順を示す流れ図である。 本発明の一実施形態におけるノズル位置調整によりターゲット軌道を計測及び制御する手法を説明するための概念図である。 本発明の一実施形態におけるノズル位置調整システム及びターゲット軌道角度調整システムの第2の態様を示すブロック図である。 本発明の一実施形態におけるノズル位置調整システム及びターゲット軌道角度調整システムの第3の態様を示すブロック図である。 本発明の一実施形態におけるノズル位置調整システム及びターゲット軌道角度調整システムの第4の態様を示すブロック図である。 一般的なLPP光源制御システムの動作を説明するための概念図である。 一般的なLPP光源制御システムに起こる状況を説明するための概念図である。 一般的なLPP光源制御システムに起こる別の状況を説明するための概念図である。
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
図1は、本発明の一実施形態に係るターゲット軌道計測及び制御装置が適用される極端紫外光源装置の概要を示す模式図である。図1に示すように、このLPP光源は、ドライバレーザ101と、EUV光発生チャンバ102と、EUV光発生チャンバ102に付随するターゲット送出機構103と、レーザ光集光光学系104とを主要な構成要素として構成される。また、このEUV光発生チャンバ102には、後で詳しく説明するターゲット軌道計測及び制御装置の一部であるノズル調整機構113が設けられている。なお、ターゲット軌道計測及び制御装置とは、ターゲット軌道の計測と制御との両方を行う単一の装置でも良いし、ターゲット軌道計測装置とターゲット軌道制御装置とを通信回線で接続することにより構成される装置でも良い。
ドライバレーザ101は、ターゲット物質をプラズマ化させるために用いられるドライバレーザ光(パルスレーザ光)を発生する炭酸ガスレーザ等の高出力レーザ装置である。
EUV光発生チャンバ102は、その内部でEUV光の発生が行われるチャンバである。EUV光発生チャンバ102は、EUV光の吸収を防止するため、真空ポンプ105によって排気されている。また、EUV光発生チャンバ102には、ドライバレーザ101から発生したレーザ光120をEUV光発生チャンバ102内に導入するためのウインドウ106が取り付けられている。さらに、EUV光発生チャンバ102の内部には、ターゲット送出機構103の一部であるターゲット噴射ノズル103aと、ターゲット回収部107と、EUV光集光ミラー108とが配置されている。
ターゲット送出機構103は、EUV光を発生するために用いられるターゲット物質を、ターゲット噴射ノズル103aを介して、EUV光発生チャンバ102内に供給する。ターゲット物質としては、スズ(Sn)やリチウム(Li)等の溶融金属を用いることができる。ターゲット送出機構103は、そのような金属を溶融し、アルゴン(Ar)等の不活性ガスで加圧することにより、ターゲット噴射ノズル103aの数十μm程度の微細孔を通して溶融金属を噴出する。
微細孔から噴出された溶融金属は、ピエゾ素子等を用いてターゲット噴射ノズル103aに周期的振動を与えると、ターゲット噴射ノズル103aからある距離において一定の大きさを有する液滴とすることができる。発生した液滴ターゲット109は、所定のレーザ光照射位置130を通過するときにレーザ光を照射され、その一部が、EUV光を含む様々な波長成分を有する光を発生するプラズマ131に変化する。供給された液滴ターゲット109の内で、プラズマ化しなかったものは、ターゲット回収部107によって回収されるようにしても良い。
レーザ光集光光学系104は、ドライバレーザ101から出射されたレーザ光120をEUV光発生チャンバ102の方向に反射するミラー104aと、ミラー104aの位置及び角度(アオリ角)を調整するミラー調整機構104bと、ミラー104aによって反射されたレーザ光120を集光する集光素子104cと、集光素子104cをレーザ光の光軸に沿って移動させる集光素子調整機構104dとを含んでいても良い。レーザ光集光光学系104によって集光されたレーザ光120は、ウインドウ106、及び、EUV光集光ミラー108の中央部に形成された開口を通過して、液滴ターゲット109の軌道上に達するようにしても良い。レーザ光集光光学系104は、液滴ターゲット109の軌道上に焦点を形成するようにレーザ光120を集光する。それにより、ターゲット噴射ノズル103aから供給される液滴ターゲット109が励起されてプラズマ化し、プラズマからEUV光121が発生する。
EUV光集光ミラー108は、例えば、13.5nmの波長を有する光を高反射率で反射するMo/Si膜がその表面に形成された回転楕円体の反射面を有する凹面鏡である。EUV光集光ミラー108は、発生したEUV光121を反射して中間集光点(IF:intermediate focusing point)に集光させる。EUV光集光ミラー108によって反射されたEUV光121は、EUV光発生チャンバ102に設けられたゲートバルブ110を通過するようにしても良い。また、EUV光121は、プラズマ131から発生した光の内の不要な光(EUV光より波長が短い電磁波(光)やEUV光より波長が長い光(例えば、紫外線、可視光線、赤外線等))を除去して所定のEUV光(例えば、波長13.5nmの光)のみを透過させるスペクトル純度フィルタ(SPF:spectral purity filter)111を通過するようにしても良い。IF(中間集光点)に集光されたEUV光121は、その後、伝送光学系を介して露光機等へ導かれても良い。
ここで、液滴ターゲット109が最初にレーザ光120を照射された点と同じ点からプラズマが発生する場合には、レーザ光照射点とプラズマ発生位置とが一致することになる。これに対し、液滴ターゲット109をプレパルスレーザ光で照射して液滴ターゲット109を膨張させた後に、膨張したターゲットをメインパルスレーザ光で照射してプラズマを生成することによりEUV光を発生させる方式がある。この場合には、最初のレーザ光照射点とプラズマ発生位置とは、必ずしも一致しないことがある。そこで、本願においては、液滴ターゲット109が最初にレーザ光120を照射される位置を「所定のレーザ光照射位置」という。
ところで、10μm〜60μmの径を有するスズの液滴ターゲットは、例えば30〜60m/s程度の高速で所定のプラズマ発生位置を通過する。このとき、液滴ターゲットは、例えば数十μm程度の径を有するプラズマ発生領域において、例えば繰り返し周波数が50kHzから100kHzのパルスレーザ光に照射される。従って、EUV光を発生させるためには、パルスレーザ光のパルスのタイミングと液滴ターゲットの発生タイミングとが同期すると共に、EUV光源の出力やプラズマ発生位置(EUV光の発光点)の安定化のために、液滴ターゲットの軌跡が所定のプラズマ発生位置を通過することが必要である。液滴ターゲットの軌跡は、ターゲット物質を噴射するノズル部の温度変化や摩耗等の様々な要因により変動することがあるため、その3次元空間位置を計測して制御することが望ましい。
一般的なLPP光源制御システムは、ターゲットストリーム進路の画像を出力として供給する撮像装置(CCDカメラ)と、撮像装置によって撮像されたターゲットストリーム進路の位置誤差を検出するストリーム進路誤差検出器とを含んでいる。ストリーム進路誤差検出器は、ターゲットストリーム進路の位置誤差を検出する。ターゲットストリーム進路の位置誤差は、望ましいプラズマ開始サイト(プラズマ発生位置)と交差する望ましいターゲットストリーム進路からの、ターゲットストリーム進路に対して略垂直な軸線方向における位置誤差である。なお、2つの撮像装置を、光軸が互いに直交するように配置して、2次元の位置誤差を捉えることもできる。
図16に示すように、このLPP光源制御システムは、撮像装置によって取得される画像に基づいてストリーム進路誤差検出器によって検出されるターゲットストリーム進路の軸線方向における誤差を解消するように、ターゲット送出機構を軸線方向に変位させることによって、実際のターゲットストリーム進路と望ましいターゲットストリーム進路とを合致させるように制御する。液滴ターゲットの軌道位置を、平面内で2次元制御することも可能である。
しかしながら、実際の運転では、ターゲット噴射ノズルから噴射される液滴ターゲットの放射方向が変化して、所定の噴射方向に対して傾斜することがある。これは、ターゲット噴射ノズルの先端部が熱で浸食されて流路が偏ったり、ターゲット物質の一部が反応して生成された固体、例えば、スズ酸化物やスズ化合物が、ターゲット噴射ノズルの流路又は外部に固着したりして、液滴ターゲットの噴射方向を変化させることによるものと推測される。
一方、撮像装置によって取得される画像内にプラズマ発生位置を写し込む場合には、プラズマ発生位置における輝度が極端に高くなるので、相対的に輝度の低い液滴の位置を正確に検出することは難しい。従って、所定のプラズマ発生位置におけるターゲット軌道の位置誤差は、プラズマ発生位置から離れた位置(ターゲット噴射ノズルとプラズマ発生位置の間でプラズマ発生位置に近い位置)における位置誤差を用いて推定している。
図17に示すように、実際のターゲット軌道が所定のターゲット軌道に対して傾く場合には、所定のプラズマ発生位置におけるターゲット軌道の位置誤差ΔXは、計測位置におけるターゲット軌道の位置誤差ΔXと異なる。異なる位置誤差ΔXに基づいてターゲット送出機構の位置制御を行うと、液滴ターゲットが正確に所定のプラズマ発生位置を通過するようにはならない。このように、所定のプラズマ発生位置におけるターゲット軌道の位置誤差ΔXは直接計測ができないので、実際のターゲット軌道が所定のターゲット軌道に対して斜行する場合がある。
また、ターゲット物質としてスズを使用する場合には、ターゲット送出機構において溶融スズが300℃近くに加熱された状態になる。このとき、溶融スズを噴射するターゲット噴射ノズルの先端付近の部品が熱変形をして、設計位置から変位していたり、ターゲット噴射ノズルの流路が偏向していたりする場合がある。そのような場合に、ターゲット送出機構をリニアステージ等に搭載して移動させる構成を用いると、実際のターゲット軌道が所定のターゲット軌道に対してずれた際には、ターゲット軌道の一部しか撮影されないことがある。そうなると、ターゲット送出機構の移動量や液滴ターゲットの噴射方向の変化を正しく評価できないということが起こる可能性がある。
図18は、一般的なLPP光源制御システムにおける別の状況を説明するための概念図である。図18においては、ターゲット送出機構の位置ずれとターゲット噴射ノズルにおけるターゲット噴射方向の変化との両方が生じたときの状況が示されている。設計上のノズル位置は、所定のプラズマ発生位置の図中上方にあるが(破線)、実際のノズル位置は、図中右方向にずれている(実線)。また、実際のターゲット噴射方向は、所定の噴射方向に対して図中右方向に傾く可能性がある。
ここで、ターゲット噴射ノズルが所定のプラズマ発生位置の図中上方にあると仮定する(破線)。この場合には、撮像装置によって取得される画像から読み取ることのできるターゲット軌道の位置誤差δ'に基づいて、所定のプラズマ発生位置からのターゲット軌道の位置誤差δを求めることができる。しかしながら、実際のノズル位置が設計上のノズル位置からずれていた場合には、ターゲット送出機構のノズル位置を図中左方向に距離δだけ移動させても、液滴ターゲットが所定のプラズマ発生位置を通過するように制御することは困難かも知れない。
また、液滴ターゲットにドライバレーザ光を照射した後に発生するスズのデブリを最小限に抑えるために、液滴ターゲットを小径化(約直径10μm)したマスリミテッドターゲットの生成が提案されている。液滴ターゲットが小径化するに伴い、液滴ターゲットが通過する軌道のより高精度な制御が求められるであろう。なお、以下においては、「液滴ターゲットが通過する軌道」のことを、単に「ターゲット軌道」ともいう。
本実施形態においては、LPP光源のEUV光発生チャンバ装置において、ターゲット噴射ノズルから噴射される液滴ターゲットの噴射方向が所定の噴射方向から傾いた場合でも、ターゲット噴射ノズルの位置又は角度を調整してEUV光の安定供給を維持することができるように、ターゲット軌道計測及び制御装置が設けられている。ターゲット軌道を計測するターゲット軌道計測部は、チャンバ内部または外部のいずれに設置しても良い。ただし、そのチャンバが熱で変形する可能性がある場合には、計測誤差を減らすために、ターゲット軌道計測部は、チャンバ外部であって、かつ、チャンバとは別のフレームに設置することが望ましい。
図2は、本発明の一実施形態に係るターゲット軌道計測及び制御装置の構成例を示すブロック図である。このターゲット軌道計測及び制御装置において、ノズル調整機構113は、ターゲット噴射ノズル103aの位置と角度との内の少なくとも一方を調整する。ターゲット軌道計測部17は、ターゲット噴射ノズル103aから供給される液滴ターゲット109が形成するターゲット軌道112を計測することにより、ターゲット軌道112に関する軌道情報を取得する。ターゲット軌道角度検出部15は、ターゲット軌道計測部17によって取得された軌道情報によって表されるターゲット軌道と所定のターゲット軌道との間の角度偏差に関する値を求める。
ノズル調整コントローラ18は、少なくともターゲット軌道角度検出部15によって求められた角度偏差に関する値に基づいて、液滴ターゲット109が所定のレーザ光照射位置130を通過するようにノズル調整機構113を制御する。さらに、ノズル調整コントローラ18は、変位計21及び22の出力信号に基づいて、ターゲット噴射ノズル103aの位置を基準位置に一致させるようにノズル調整機構113を制御するようにしても良い。
また、本実施形態に係るターゲット軌道計測及び制御装置が適用されるLPP光源は、トリガタイミング調整部33を備えていても良い。トリガタイミング調整部33は、液滴ターゲットが所定のレーザ光照射位置(プラズマ発生位置)130に到達するタイミングに同期して、ドライバレーザ101がドライバレーザ光を所定のレーザ光照射位置130で液滴ターゲット109に照射するように、ドライバレーザ101のトリガタイミングを調整するトリガ信号をドライバレーザ101に送出する。
図2に示す構成例においては、ノズル調整機構113が、ノズル位置調整機構113aと、ノズル角度調整機構113bとを含んでいる。ノズル位置調整機構113aは、ターゲット噴射ノズル103aの位置を調整する。ノズル角度調整機構113bは、ターゲット噴射ノズル103aの角度を調整する。また、ノズル調整コントローラ18は、ノズル位置調整コントローラ23と、ノズル角度調整コントローラ16とを含んでいる。ノズル位置調整コントローラ23は、ターゲット噴射ノズル103aの位置を基準位置に一致させるようにノズル位置調整機構113aを制御する。ノズル角度調整コントローラ16は、ターゲット軌道角度検出部15によって求められた角度偏差を解消するようにノズル角度調整機構113bを制御する。ターゲット軌道計測及び制御装置は、図3に示すターゲット軌道角度調整システムと、図10に示すノズル位置調整システムとによって構成される。
図3は、ターゲット軌道角度調整システムの構成例を示すブロック図である。ターゲット軌道角度調整システムは、ノズル角度調整機構113bと、ターゲット軌道計測部17と、ターゲット軌道角度検出部15と、ノズル角度調整コントローラ16とを含んでいる。ノズル角度調整機構113bは、ターゲット噴射ノズル103aの角度を調整する。ターゲット軌道計測部17は、ターゲット噴射ノズル103aから供給されて連続して滴下する液滴ターゲットが形成するターゲット軌道112を視野に捉えて、ターゲット噴射ノズル103aの先端中央部と所定のレーザ光照射位置130とを結ぶ所定のターゲット軌道に略直交する平面内におけるターゲット軌道112を計測することにより、ターゲット軌道112に関する軌道情報を取得する。ターゲット軌道角度検出部15は、ターゲット軌道計測部17によって取得された軌道情報によって表されるターゲット軌道と所定のターゲット軌道との間の角度偏差に関する値(角度偏差を表す値、又は、角度偏差に比例する値等)を求めることにより、ターゲット軌道112の傾きを検出する。ノズル角度調整コントローラ16は、ターゲット噴射ノズル103aの角度を調整してターゲット軌道112の傾きが減少するようにノズル角度調整機構113bを制御する。
再び図2を参照すると、ターゲット軌道計測部17は、例えば、互いに異なる2つの方向において液滴ターゲット109の画像をそれぞれ取得する2つのビデオカメラ又はCCD(charge coupled device:電荷結合素子)カメラ等の2次元撮像装置11及び13を含んでも良い。撮像装置11及び13で液滴ターゲット109の軌道を撮像するには光量が足りない場合には、撮像用光源装置12及び14を使用して、撮像対象を照明することができる。また、所定のターゲット軌道と略直交する2次元平面内で液滴ターゲット109の軌道を捉えるために、2つの撮像装置11及び13は、それらの光軸が互いに直交するように配置され、互いに直交する2つの方向において液滴ターゲット109の画像をそれぞれ取得することが望ましい。
ノズル角度調整機構113bは、好ましくは所定のターゲット軌道と略直交する2次元平面内で互いに直交する第1の回転軸及び第2の回転軸を有し、ノズル角度調整コントローラ16から出力される制御信号に従って、ターゲット噴射ノズル103aの角度を2つの回転軸によって調整することができる。撮像装置11及び13の光軸がノズル角度調整機構113bの第1及び第2の回動軸とそれぞれ平行となるように撮像装置11及び13を配置しても良い。この場合には、撮像装置毎に1つの回動軸を回転させることによって、ターゲット噴射ノズル103aの角度を調整することができる。
図2〜図6を参照しながら、ターゲット軌道角度調整システムの動作を説明する。図4は、ターゲット軌道角度調整の手順を示す流れ図である。
初めに、図4に示すステップS1において、ターゲット軌道計測部17が、ターゲット軌道112に関する軌道情報を取得する。最も単純な手法は、ターゲット噴射ノズル103aの噴射口の位置が変化しないものとして、ビデオカメラやCCDカメラ等の2次元撮像装置を用いて取得されるターゲット軌道の画像に基づいて、ターゲット軌道112に関する軌道情報を求めるものである。
図5は、本発明の一実施形態に係るターゲット軌道計測及び制御方法における第1の手法を説明するための概念図である。図5においては、ターゲット噴射ノズル103aの先端中央部から所定のレーザ光照射位置130へ向かう方向をZ軸とし、Z軸と直交する平面上に互いに直交するX軸とY軸を置くものとして座標系が定められ、Y軸方向において観測したターゲット軌道112が示されている。
図5の左図において、ターゲット噴射ノズル103aの先端中央部のターゲット噴射口を原点(0,0)として、ターゲット軌道角度検出部15が、Z=Zで表される計測位置におけるターゲット軌道112のX軸方向における偏差量Xを求める。偏差量Xは、X軸方向における所定のターゲット軌道からの距離を表す。所定のターゲット軌道は、所定のレーザ光照射位置130を通る垂線であり、Z軸(X=Y=0)と一致する。従って、計測位置(Z=Z)におけるターゲット軌道112の座標は(X,Z)となり、図中実線で示す計測されたターゲット軌道112と図中破線で示す所定のターゲット軌道との間の角度偏差θは、tanθ=X/Zから求めることができる。
なお、撮像装置11及び13によって取得される画像中にターゲット噴射ノズル103aや所定のレーザ光照射位置130が含まれていなくても、計測位置(Z=Z)が決まっていて、計測位置(Z=Z)において計測されたターゲット軌道と所定のターゲット軌道の位置とが画像中に含まれていれば、画像から算定されるターゲット軌道112の偏差量X−Xを用いて、角度偏差θを求めることができる。図4に示すステップS2において、ターゲット軌道角度検出部15は、このようにして、計測されたターゲット軌道112と所定のターゲット軌道との間の角度偏差θを求める。ターゲット軌道との角度偏差θは、tanθ=(X−X)/(Z−Z)から求めることができる。
次に、図4に示すステップS3において、ノズル角度調整コントローラ16が、角度偏差θの絶対値が所定の閾値を超えているか否かを判定する。角度偏差θの絶対値が十分小さく閾値を超えていない場合(ステップS3におけるNO)には、ターゲット軌道112を調整する必要がないので、処理が最初のステップS1に戻る。一方、角度偏差θの絶対値が所定の閾値を超えている場合(ステップS3におけるYES)には、図4に示すステップS4において、ノズル角度調整コントローラ16が、ターゲット噴射ノズル103aの角度を調整するノズル角度調整機構113bを制御して、角度偏差θを解消するようにターゲット噴射ノズル103aの傾斜角度を調整する。
図5の右図は、調整後の状態を示す図である。ターゲット噴射ノズル103aの噴射口の位置が原点(0,0)として固定された状態で、角度偏差θの絶対値と同じ角度だけ反対向きにターゲット噴射ノズル103aを回転させると、ターゲット軌道112が所定のターゲット軌道に一致して、ターゲット軌道112が所定のレーザ光照射位置130を通過するようになる。
X軸方向において撮影した画像に基づいて、上記と同様の制御を行えば、Y方向におけるターゲット軌道112の傾きを修正することができる。図5に示す第1の手法を使う場合には、所定のターゲット軌道を画像中の垂直線として規定することができる。従って、計測されたターゲット軌道112の傾きは、計測位置(Z=Z)におけるターゲット軌道112の水平距離(X)から簡単に求めることができ、画像中に原点(0,0)も所定のレーザ光照射位置130も写し込む必要がない。また、計測位置は所定のレーザ光照射位置130の付近に置く必要がないので、プラズマの影響を受けずに正確な傾きを求めることができる。
図6は、本発明の一実施形態に係るターゲット軌道計測及び制御方法における第2の手法を説明するための概念図である。図6は、ターゲット噴射ノズル103aの先端中央部から所定のレーザ光照射位置130へ向かう方向をZ軸とし、Z軸と直交する平面上に互いに直交するX軸とY軸を置くものとして座標系が定められ、Y軸方向においてターゲット軌道を観測した画像である。
図6の左図において、ターゲット軌道角度検出部15が、Z=Zで表される第1の計測位置及びZ=Zで表される第2の計測位置において、X軸方向におけるターゲット軌道の偏差量X及びXをそれぞれ算定する。これにより、第1の計測位置(Z=Z)におけるターゲット軌道112の座標(X,Z)と、第2の計測位置(Z=Z)におけるターゲット軌道112の座標(X,Z)とが求まるので、図中実線で示す計測されたターゲット軌道112と図中破線で示す所定のターゲット軌道との間の角度偏差θは、tanθ=(X−X)/(Z−Z)から求めることができる。なお、偏差量X及びXは、必ずしもZ軸を基準にしなくても良くて、Z軸と平行な基準線に基づいて両者が計測されていれば良い。
図6に示す第2の手法によれば、ターゲット軌道上の任意の2点の座標から、ターゲット軌道112の傾きを知ることができる。こうして求めたターゲット軌道112の角度偏差θの絶対値が所定の閾値を超えている場合には、ノズル角度調整コントローラ16が、ノズル角度調整機構113bを制御して、角度偏差θを解消するようにターゲット噴射ノズル103aの姿勢を調整する。図6の右図に示すように、ターゲット噴射ノズル103aの先端中央部の噴射口位置を原点(0,0)とした状態で、角度偏差θの絶対値と同じ角度だけ反対向きにターゲット噴射ノズル103aを原点を中心に回転させることにより、ターゲット軌道112が所定のターゲット軌道に一致して、ターゲット軌道112が所定のレーザ光照射位置130を通過するようになる。
以上において、ノズル角度調整機構113bによりターゲット噴射ノズル103aの角度を変化させると、ターゲット噴射ノズル103aの先端の噴射口の位置が図中の水平方向に移動する。このために、別途、ノズル位置調整システムの働き等により、図中の水平方向における移動を補償して噴射口の位置を元の位置に維持する必要がある。しかしながら、ノズル位置調整コントローラ23の制御を伴わない場合にも、ノズル角度調整コントローラ16が、さらに高度な演算を行ってターゲット噴射ノズル103aの傾斜と先端位置の水平移動との関係を把握し、ノズル角度調整機構113bと一緒にノズル位置調整機構113aを制御すれば、噴射口を原点位置に保持することができる。また、ターゲット噴射ノズル103aの先端中央部の噴射口位置を中心として傾斜するゴニオステージをノズル角度調整機構113bとして使用しても良い。ゴニオステージとは、空間に位置する点を中心として物体を円周に沿って移動させるステージである。
図7は、ゴニオステージの例を示す斜視図である。図7においては、ゴニオステージの例として、6軸ステージ40が示されている。6軸ステージ40は、6個のアクチュエータ41〜46を含んでいる。アクチュエータ41の一端41aは、基準面40a(図2に示すノズル位置調整機構113aの下面)に回動可能に支持され、アクチュエータ41の他端41bは、ターゲット噴射ノズル103aが固定された可動面40bに回動可能に支持されている。他のアクチュエータ42〜46も、アクチュエータ41と同様に支持されている。図2に示すノズル角度調整コントローラ16がアクチュエータ41〜46を制御することにより、ターゲット噴射ノズル103aは、先端中央部の噴射口位置を中心として回動することができる。
ところで、図2に示すターゲット軌道計測部17は、図中の水平方向における距離を計測できれば良いので、ターゲット軌道計測部17として、2次元画像を取得するCCDカメラ等に替えて、ラインセンサや光位置センサ(PSD:position sensitive detector)等の1次元センサを用いても良い。
図8は、ラインセンサの動作を説明するための概念図である。転写光学系を介して、ラインセンサ上にターゲット軌道の影像を投影すると、投影場所に対応する位置に出力信号が発生する。ターゲット軌道で反射された反射光を入射するときには液滴ターゲットの通過位置の出力電圧が増加し、また、ターゲット軌道の影を検出するときには液滴ターゲットの通過位置の出力電圧が減少する。従って、そのように変化する出力信号に基づいて、ターゲット軌道の位置を検知することができる。CCDラインセンサは、2次元画像を取得する撮像装置よりも高速でターゲット軌道の位置を計測することができる。複数のCCDラインセンサを用いてターゲット軌道の位置を計測する場合には、ターゲット軌道に沿った少なくとも2カ所において、少なくとも2つのCCDラインセンサをそれぞれ設置すれば良い。
図9は、光位置センサの動作を説明するための概念図である。光位置センサは、センサに入射した光の光量の重心位置を求めることができるセンサである。図9に示すように、長さ2Dの感応部の中心から距離Xの位置にターゲット軌道からの反射光が入射して光量重心となっているとすると、センサの両端に流れ出る電流I及びIを用いて、光量重心位置Xが、次式から求まる。
=D×(I−I)/(I+I
光位置センサは、アナログ電圧の演算で光点位置を求めるので、ターゲット軌道の位置を極めて高速にまた高分解能で計測することができる。複数の光位置センサを用いてターゲット軌道の位置を計測する場合には、ターゲット軌道に沿った少なくとも2カ所において、少なくとも2つの光位置センサをそれぞれ設置すれば良い。
図10は、本発明の一実施形態に係るターゲット軌道計測及び制御装置におけるノズル位置調整システムの構成例を示すブロック図である。図11は、ノズル位置調整の手順を示す流れ図である。ノズル位置調整システムは、ノズル位置調整機構113aと、2つの変位計21及び22と、ノズル位置調整コントローラ23とを含んでいる。ノズル位置調整機構113aは、ターゲット噴射ノズル103aの位置を調整する。2つの変位計21及び22は、ターゲット噴射ノズル103aの位置変位を計測する。ノズル位置調整コントローラ23は、変位計21及び22の出力信号に基づいて、ターゲット噴射ノズル103aの位置を基準位置に一致させるようにノズル位置調整機構113aを制御することにより、ターゲット噴射ノズル103aの水平方向の位置変位を補償する。
2つの変位計21及び22は、それらの計測軸が互いに異なる方向となるように設置されており、所定のターゲット軌道と直交する2次元平面内におけるターゲット噴射ノズル103aの位置を計測することができる。2つの変位計21及び22の光軸は、互いに直交することが望ましい。変位計21及び22の各々としては、非接触かつ高い精度で位置計測を行うレーザ変位計又はレーザ干渉計等を用いることができる。
ターゲット物質は300℃近くに加熱されるので、部品の熱変形等により、ターゲット噴射ノズル103aの先端位置が本来の位置から変位することがある。そのような場合にも、所定のレーザ光照射位置130にターゲットを供給するために、ターゲット噴射ノズル103aの位置は熱による機械的変位の影響を受けずに計測されるのが好ましい。そこで、ノズル位置調整システムは、ターゲット送出機構103の熱による機械的変位から切り離された独立フレームに固定された変位計21及び22を備えると良い。そうすることで、ターゲット噴射ノズル103aの先端の位置を熱に影響されること無く計測できる(図11に示すステップS11)。
さらに、ノズル位置調整コントローラ23が、液滴ターゲットが所定のレーザ光照射位置130に到達するターゲット噴射ノズル103aの基準位置(原点位置)に対する現在のターゲット噴射ノズル103aの位置の偏差を算定する(ステップS12)。ノズル位置調整コントローラ23は、ターゲット噴射ノズル103aの位置による偏差を所定の閾値と比較して、偏差が閾値を超えているか否かを判定する(ステップS13)。偏差が閾値を超えていない場合(ステップS13におけるNO)には、処理が最初のステップS11に戻る。一方、偏差が閾値を超えている場合(ステップS13におけるYES)には、ノズル位置調整コントローラ23は、その偏差が解消して両者が一致する方向にターゲット噴射ノズル103aを移動させるようにノズル位置調整機構113aを制御する(ステップS14)。
ノズル位置調整機構113aは、ターゲット噴射ノズル103aを並進させてターゲット噴射ノズル103aの位置を調整する。なお、ノズル位置調整機構113aは、ターゲット送出機構103をリニアステージ等に搭載して移動させることにより、ターゲット噴射ノズル103aの位置を調整するようにしても良い。こうして、ターゲット噴射ノズル103aの位置は、液滴ターゲットを所定のレーザ光照射位置130に供給できる原点位置と一致するように調整されることになる。上記の図4及び図11に示す流れ図は、コンピュータを使った制御動作のアルゴリズムを説明したものであるが、また、工業計器等の制御原理の説明にもなっている。
ノズル位置調整システムをターゲット軌道角度調整システムと併用して、それぞれフィードバック制御を行うことによって、品質の高い制御結果を得ることができる。その場合には、まず、ノズル位置調整システムがターゲット噴射ノズル103aの位置を基準位置(原点位置)に配置する制御を行う。次に、ターゲット軌道角度調整システムがターゲット軌道の傾きを補償する制御を行うようにしても良い。さらに、2種類の制御を繰り返し行うようにしても良い。2種類の制御の分業によって、ターゲット軌道112を正確に所定のレーザ光照射位置130に維持することができる。
また、ターゲット噴射ノズル103aを傾斜させなくても良い。変位計21及び22によってターゲット噴射ノズル103aの位置を比較的高精度に計測できるので、ターゲット噴射ノズル103aを平行移動させるだけで、ターゲット軌道が所定のレーザ光照射位置130を通過するように調整しても良い。
図12は、本発明の一実施形態におけるノズル位置調整によりターゲット軌道を計測及び制御する手法を説明するための概念図である。図12においては、ターゲット軌道112が傾斜しているときに、ターゲット噴射ノズル103aの平行移動でターゲット軌道112が所定のレーザ光照射位置130に重なるように調整することが概念的に示されている。
ターゲット軌道角度検出部15(図2)によって所定のターゲット軌道からのターゲット軌道112の角度偏差θが求まっていれば、ノズル位置調整システムによって演算で求めた水平距離偏差ΔXだけターゲット噴射ノズル103aを正確に移動させることによって、液滴ターゲットを所定のレーザ光照射位置130に供給することができる。即ち、ターゲット軌道112が、ターゲット噴射ノズル103aの基準位置を中心として、所定のターゲット軌道に対して角度偏差θだけ傾いているときに、ターゲット噴射ノズル103aの先端中央部から所定のレーザ光照射位置130までのZ軸方向における距離をLとすると、X軸方向における距離偏差ΔXはL・tanθとなる。そこで、ノズル位置調整コントローラ23がノズル位置調整機構113aを制御することにより、ターゲット噴射ノズル103aを距離偏差ΔX=L・tanθだけ傾きと逆方向に移動させれば、ターゲット軌道112が所定のレーザ光照射位置130を通るようにできる。
再び図2を参照すると、極端紫外光源装置は、所定のレーザ光照射位置130を高速で通過する液滴ターゲット109にドライバレーザ光を正確に照射してプラズマ化するために、ドライバレーザ101のトリガタイミングを調整するトリガタイミング調整システムをさらに備えても良い。
このトリガタイミング調整システムは、ディテクタレーザ31と、受光素子32と、トリガタイミング調整部33とを含んでも良い。ディテクタレーザ31は、液滴ターゲット109の軌道に向けて探索用のディテクタレーザ光35を照射する。受光素子32は、液滴ターゲットの間を通過するディテクタレーザ光35又は液滴ターゲットによって反射されるディテクタレーザ光35を検出する。トリガタイミング調整部33は、受光素子32から供給される検出信号に基づいて、液滴ターゲット109が所定のレーザ光照射位置130を通過するタイミングを検知する。トリガタイミング調整部33は、さらに、ドライバレーザ101がドライバレーザ光120を所定のレーザ光照射位置130で液滴ターゲット109に照射するようにドライバレーザ101のトリガタイミングを調整するトリガ信号を生成し、トリガ信号をドライバレーザ101に出力する。ドライバレーザ101は、トリガ信号に同期してドライバレーザ光120を発生しても良い。
ドライバレーザ光120による散乱光が比較的強い場合や、液滴ターゲットが小さい場合には、ディテクタレーザ光35の透過光または反射光が比較的弱く、受光素子32がディテクタレーザ光35を正確に検出できなくなる可能性がある。このような場合には、ディテクタレーザ光35を、所定のレーザ光照射位置130の近傍を避けて、所定のレーザ光照射位置130より上方(ターゲット噴射ノズル103a側)の位置に向けて照射すると良い。トリガタイミング調整部33は、液滴ターゲットの通過タイミングを検知すると、検出位置を通過する際に検出された液滴ターゲットが所定のレーザ光照射位置130に到達するタイミングに合わせて、ドライバレーザ101に供給されるトリガ信号を活性化することができる。これにより、小さな液滴ターゲット109であってもドライバレーザ光120が照射され、液滴ターゲット109がプラズマ化する。
図13〜図15は、ノズル位置調整システム及びターゲット軌道角度調整システムの幾つかの態様を示すブロック図である。
図13は、本発明の一実施形態におけるノズル位置調整システム及びターゲット軌道角度調整システムの第2の態様を示すブロック図である。図13には、ターゲット噴射ノズル103aの位置変位とターゲット軌道112の傾きとを計測して、それぞれの偏差を解消するノズル位置調整システム及びターゲット軌道角度調整システムが示されている。
このノズル位置調整システム及びターゲット軌道角度調整システムは、ノズル位置調整機構113aと、ノズル角度調整機構113bと、ターゲット軌道計測部17と、ターゲット軌道角度検出部15と、変位計21及び22と、ノズル調整コントローラ24とを含んでいる。ノズル位置調整機構113aは、ターゲット噴射ノズル103aの位置を調整する。ノズル角度調整機構113bは、ターゲット噴射ノズル103aの角度を調整する。ターゲット軌道計測部17は、上記に列記した各種のセンサの内から選択されるセンサを使用してターゲット軌道を計測する。ターゲット軌道角度検出部15は、ターゲット軌道計測部17によって取得された軌道情報に基づいて、この軌道情報で表されるターゲット軌道112と所定のターゲット軌道との間の角度偏差に関する値を求めることにより、ターゲット軌道112の傾きを検出する。変位計21及び22は、ターゲット噴射ノズル103aの先端部の位置変位を検出する。ノズル調整コントローラ24は、変位計21及び22の出力信号とターゲット軌道角度検出部15によって求められた角度偏差に関する値とに基づいて、ターゲット噴射ノズル103aの位置調整及びターゲット軌道の角度調整をそれぞれ行うようにノズル位置調整機構113a及びノズル角度調整機構113bを制御する。
このノズル位置調整システム及びターゲット軌道角度調整システムにおいては、変位計21及び22が、ターゲット噴射ノズル103aの先端部の変位を直接的に計測して、ノズル調整コントローラ24が、その計測結果とターゲット軌道112の傾きの情報とに基づいて、ノズル位置調整機構113aの制御信号とノズル角度調整機構113bの制御信号とを生成する。例えば、ノズル調整コントローラ24は、まず、ターゲット噴射ノズル103aの位置を基準位置に配置する制御を行い、次に、ターゲット軌道の傾きを補償する制御を行う。さらに、ノズル調整コントローラ24は、2種類の制御を繰り返し行うようにしても良い。これによって、正確に所定のレーザ光照射位置130を通過するようにターゲット軌道112を制御することができる。この態様によれば、ターゲット軌道112の位置誤差に従ってターゲット噴射ノズル103aの水平位置を調整する態様と比べて、高精度な制御が可能である。
図14は、本発明の一実施形態におけるノズル位置調整システム及びターゲット軌道角度調整システムの第3の態様を示すブロック図である。図14の右下に画像例を示すように、撮像装置11及び13によって取得される画像中に、ターゲット噴射ノズル103aの先端部分が写し込まれているので、変位計21及び22を用いなくても、基準点となるターゲット噴射ノズル103aの先端中央部の座標(X,Z)と、Z=Zで表される計測位置におけるターゲット軌道の座標(X,Z)とを求めることができる。ターゲット軌道角度検出部15は、2つの座標からターゲット軌道112の角度偏差θを求め、ターゲット噴射ノズル103aの先端部座標からターゲット噴射ノズル103aの位置変位を求める。撮像装置11及び13は、ターゲット噴射ノズル103aの先端部分からの距離および画角が同じであると好ましい。
これらの情報に基づいて、ノズル調整コントローラ25が、ノズル位置調整機構113aを制御する。ノズル調整コントローラ25は、さらに、ターゲット噴射ノズル103aの先端を原点位置に維持すると共に、ノズル角度調整機構113bを制御する。これにより、ノズル調整コントローラ25は、ターゲット噴射ノズル103aの傾きを補償して、ターゲット噴射ノズル103aから送出される液滴ターゲットのターゲット軌道112をZ軸方向に維持する。このため、ターゲット噴射ノズル103aから送出されるターゲットのターゲット軌道112が、所定のレーザ光照射位置130を通過することが可能となる。図14に示す第3の態様は、図13に示す第2の態様に対して、撮像装置11及び13の視野にターゲット噴射ノズル103aを含ませることにより変位計21及び22を省いたもので、装置が簡略化されるという利点がある。
図15は、本発明の一実施形態におけるノズル位置調整システム及びターゲット軌道角度調整システムの第4の態様を示すブロック図である。第4の態様は、図13に示す第2の態様においてノズル角度調整機構113bを省いたもので、ノズル調整機構が簡略化されるという利点がある。
図15に示すノズル位置調整システム及びターゲット軌道角度調整システムは、ノズル位置調整機構113aと、ターゲット軌道計測部17と、ターゲット軌道角度検出部15と、変位計21及び22と、ノズル位置調整コントローラ26とを含んでいる。ノズル位置調整機構113aは、ターゲット噴射ノズル103aの位置を調整する。ターゲット軌道計測部17は、上記に列記した各種のセンサの内から選択されるセンサを使用してターゲット軌道を計測する。ターゲット軌道角度検出部15は、ターゲット軌道計測部17によって取得された軌道情報によって表されるターゲット軌道112と所定のターゲット軌道との間の角度偏差に関する値を求めることにより、ターゲット軌道112の傾きを検出する。変位計21及び22は、ターゲット噴射ノズル103aの先端部の位置変位を検出する。ノズル位置調整コントローラ26は、変位計21及び22の出力信号とターゲット軌道角度検出部15によって求められた角度偏差に関する値とに基づいて、ターゲット噴射ノズル103aの位置調整を行うようにノズル位置調整機構113aを制御する。
ターゲット噴射ノズル103aの位置偏差と計測されたターゲット軌道112の傾きとに基づいて、ノズル位置調整コントローラ26がノズル位置調整機構113aを制御する。これにより、ターゲット噴射ノズル103aを平行移動させて、ターゲット軌道112に所定のレーザ光照射位置130を通過させるようにすることができる。
本発明の一実施形態によれば、LPP光源のチャンバ装置において、ターゲット送出機構のターゲット噴射ノズルから噴射される液滴ターゲットの噴射方向が所定の噴射方向から傾いた場合でも、計測されたターゲット軌道と所定のターゲット軌道との間の角度偏差を求めて、その角度偏差に基づいて、液滴ターゲットが所定の位置を通過するようにターゲット噴射ノズルの位置と角度との内の少なくとも一方を調整することができる。
さらに、幾つかの実施形態によれば、次のようなメリットが得られるかも知れない。
(1)LLP型EUV光源装置が、常時効率良くEUV光を発生することができるかも知れない。
(2)液滴ターゲットの中心部に高精度にレーザ光を集光照射できる可能性が高いので、プラズマ発生位置(EUV光の発光点)から中間集光点(IF)よりも遠くの領域(ファーフィールド)における強度分布が均一になる可能性があり、EUV光のエネルギー安定性が向上するかも知れない。
(3)液滴ターゲットが小径化されても、高精度にレーザ光を液滴ターゲットに照射できる可能性があるため、デブリが減少するかも知れない。
また、以上の実施形態においては、液滴ターゲットが通過する所定のレーザ光照射位置にドライバレーザ光を集光することによってプラズマを生成してEUV光を発生させるLLP型EUV光源装置に本発明を適用した場合を示したが、本発明は、これらの実施形態に限定されるものではない。例えば、ターゲットを膨張させ又は弱くプラズマ化させるためのプレパルスレーザ光を液滴ターゲットに照射した後に、膨張したターゲット又は弱いプラズマに対してメインパルスレーザ光を照射してプラズマを生成してEUV光を発生させるLLP型EUV光源装置にも、本発明を適用することができる。
本発明は、半導体ウエハを露光するため等に用いられるEUV光を発生するLPP型EUV光源装置のチャンバ装置において利用することが可能である。
11、13…撮像装置、12、14…撮像用光源、15…ターゲット軌道角度検出部、16…ノズル角度調整コントローラ、17…ターゲット軌道計測部、18、24、25…ノズル調整コントローラ、21、22…変位計、23、26…ノズル位置調整コントローラ、31…ディテクタレーザ、32…受光素子、33…トリガタイミング調整部、35…ディテクタレーザ光、101…ドライバレーザ、102…EUV光発生チャンバ、103…ターゲット送出機構、103a…ターゲット噴射ノズル、104…レーザ光集光光学系、104a…ミラー、104b…ミラー調整機構、104c…集光素子、104d…集光素子調整機構、105…真空ポンプ、106…ウインドウ、107…ターゲット回収部、108…EUV光集光ミラー、109…液滴ターゲット、110…ゲートバルブ、111…SPF、112…ターゲット軌道、113…ノズル調整機構、113a…ノズル位置調整機構、113b…ノズル角度調整機構、120…レーザ光、121…EUV光、130…所定のレーザ光照射位置、131…プラズマ

Claims (15)

  1. ターゲット噴射ノズルから供給される液滴ターゲットに外部ドライバレーザからのドライバレーザ光を照射することにより生成されるプラズマから極端紫外光を発生するチャンバ装置内部のターゲット軌道を計測及び制御する装置であって、
    前記ターゲット噴射ノズルの位置と角度との内の少なくとも一方を調整するノズル調整機構と、
    前記ターゲット噴射ノズルから供給される液滴ターゲットが形成するターゲット軌道を計測することにより、ターゲット軌道に関する軌道情報を取得するターゲット軌道計測部と、
    前記ターゲット軌道計測部によって取得された軌道情報によって表されるターゲット軌道と所定のターゲット軌道との間の角度偏差に関する値を求めるターゲット軌道角度検出部と、
    前記ターゲット軌道角度検出部によって求められた角度偏差に関する値に基づいて、液滴ターゲットが所定の位置を通過するように前記ノズル調整機構を制御するノズル調整コントローラと、
    を具備する装置。
  2. 前記ターゲット噴射ノズルの位置変位を計測する変位計をさらに具備し、
    前記ノズル調整コントローラが、前記変位計の出力信号に基づいて、前記ターゲット噴射ノズルの位置を基準位置に一致させるように前記ノズル調整機構を制御する、請求項1記載の装置。
  3. 前記ターゲット軌道計測部が、前記ターゲット噴射ノズルの先端中央部の位置と共にターゲット軌道を計測することにより、ターゲット軌道に関する軌道情報を取得し、
    ターゲット軌道角度検出部が、前記ターゲット噴射ノズルの先端中央部の位置を基準点として、前記ターゲット軌道計測部によって取得された軌道情報によって表されるターゲット軌道と所定のターゲット軌道との間の角度偏差に関する値を求める、請求項1記載の装置。
  4. 前記ノズル調整機構が、前記ターゲット噴射ノズルの位置を調整するノズル位置調整機構と、前記ターゲット噴射ノズルの角度を調整するノズル角度調整機構とを含み、
    前記ノズル調整コントローラが、前記ターゲット軌道角度検出部によって求められた角度偏差を解消するように前記ノズル位置調整機構及び前記ノズル角度調整機構を制御する、請求項1〜3のいずれか1項記載の装置。
  5. 前記ノズル調整機構が、前記ターゲット噴射ノズルの位置を調整するノズル位置調整機構と、前記ターゲット噴射ノズルの角度を調整するノズル角度調整機構とを含み、
    前記ノズル調整コントローラが、前記ターゲット噴射ノズルの位置を基準位置に一致させるように前記ノズル位置調整機構を制御すると共に、前記ターゲット軌道角度検出部によって求められた角度偏差を解消するように前記ノズル角度調整機構を制御する、請求項1〜3のいずれか1項記載の装置。
  6. 前記ターゲット噴射ノズルから供給される液滴ターゲットにディテクタレーザ光を照射するディテクタレーザと、
    液滴ターゲット間を通過するディテクタレーザ光又は液滴ターゲットによって反射されるディテクタレーザ光を検出する受光素子と、
    前記受光素子から供給される検出信号に基づいて、液滴ターゲットが所定の位置を通過するタイミングを検知して、前記ドライバレーザのトリガタイミングを調整するトリガ信号を前記ドライバレーザに送出するトリガタイミング調整部と、
    をさらに具備する、請求項1〜5のいずれか1項記載の装置。
  7. 前記ターゲット軌道計測部が、少なくとも2つの撮像装置を含み、少なくとも2つの方向における液滴ターゲットの画像を取得してターゲット軌道に関する軌道情報を取得する、請求項1〜6のいずれか1項記載の装置。
  8. 前記2つの撮像装置が、互いに直交する2つの方向における液滴ターゲットの画像を取得する、請求項7記載の装置。
  9. 前記ノズル調整機構が、前記ターゲット噴射ノズルの角度を、互いに直交する第1の回転軸及び第2の回転軸の回りに調整し、
    前記2つの撮像装置が、前記第1及び第2の回転軸とそれぞれ平行な2つの方向における液滴ターゲットの画像を取得する、請求項8記載の装置。
  10. 前記ターゲット軌道計測部が、1次元ラインセンサを含む、請求項1〜6のいずれか1項記載の装置。
  11. 前記ターゲット軌道計測部が、少なくとも2つの1次元ラインセンサを含み、ターゲット軌道に沿った少なくとも2カ所においてターゲット軌道の位置を計測する、請求項10記載の装置。
  12. 前記ターゲット軌道計測部が、光位置センサを含む、請求項1〜6のいずれか1項記載の装置。
  13. 前記ターゲット軌道計測部が、少なくとも2つの光位置センサを含み、ターゲット軌道に沿った少なくとも2カ所においてターゲット軌道の位置を計測する、請求項12記載の装置。
  14. 前記ターゲット軌道計測部が、撮像対象を照明する撮像用光源を含む、請求項7〜13のいずれか1項記載の装置。
  15. ターゲット噴射ノズルから供給される液滴ターゲットに外部ドライバレーザからのドライバレーザ光を照射することにより生成されるプラズマから極端紫外光を発生するチャンバ装置内部のターゲット軌道を計測及び制御する方法であって、
    前記ターゲット噴射ノズルから供給される液滴ターゲットが形成するターゲット軌道を計測することにより、ターゲット軌道に関する軌道情報を取得するステップ(a)と、
    ステップ(a)において取得された軌道情報によって表されるターゲット軌道と所定のターゲット軌道との間の角度偏差に関する値を求めるステップ(b)と、
    ステップ(b)において求められた角度偏差に関する値に基づいて、液滴ターゲットが所定の位置を通過するように前記ターゲット噴射ノズルの位置と角度との内の少なくとも一方を調整するステップ(c)と、
    を具備する方法。
JP2010111286A 2009-05-21 2010-05-13 チャンバ装置におけるターゲット軌道を計測及び制御する装置及び方法 Active JP5603135B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010111286A JP5603135B2 (ja) 2009-05-21 2010-05-13 チャンバ装置におけるターゲット軌道を計測及び制御する装置及び方法

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009122647 2009-05-21
JP2009122647 2009-05-21
JP2010111286A JP5603135B2 (ja) 2009-05-21 2010-05-13 チャンバ装置におけるターゲット軌道を計測及び制御する装置及び方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011003887A true JP2011003887A (ja) 2011-01-06
JP5603135B2 JP5603135B2 (ja) 2014-10-08

Family

ID=43123972

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010111286A Active JP5603135B2 (ja) 2009-05-21 2010-05-13 チャンバ装置におけるターゲット軌道を計測及び制御する装置及び方法

Country Status (2)

Country Link
US (2) US8324600B2 (ja)
JP (1) JP5603135B2 (ja)

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013020926A (ja) * 2011-06-15 2013-01-31 Gigaphoton Inc 極端紫外光生成装置
WO2014042003A1 (ja) * 2012-09-11 2014-03-20 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成方法及び極端紫外光生成装置
JP2014056891A (ja) * 2012-09-11 2014-03-27 Gigaphoton Inc ターゲット供給装置の制御方法、および、ターゲット供給装置
JP2014086523A (ja) * 2012-10-23 2014-05-12 Gigaphoton Inc 極端紫外光生成装置
KR20140107460A (ko) * 2011-12-16 2014-09-04 사이머 엘엘씨 방울 생성기 조향 시스템
JP2014534559A (ja) * 2011-10-07 2014-12-18 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. 放射源
JP2015508217A (ja) * 2012-02-08 2015-03-16 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. 放射源及びリソグラフィ装置
KR20150060755A (ko) * 2012-09-28 2015-06-03 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. Euv 광에 대한 타겟 재료 밀림의 사전 보상
WO2016013102A1 (ja) * 2014-07-25 2016-01-28 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置
US9251991B2 (en) 2012-02-29 2016-02-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Laser ion source
KR20160062053A (ko) * 2013-09-26 2016-06-01 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. Euv 광원 내에서 타겟 재료의 액적을 제어하기 위한 시스템 및 방법
US9402297B2 (en) 2010-03-29 2016-07-26 Gigaphoton Inc. Extreme ultraviolet light generation system
JPWO2016079838A1 (ja) * 2014-11-20 2017-08-31 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置
US10531550B2 (en) 2015-09-24 2020-01-07 Gigaphoton Inc. Extreme ultraviolet light generation device
WO2020165942A1 (ja) * 2019-02-12 2020-08-20 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置、ターゲット制御方法、及び電子デバイスの製造方法
JP2022132361A (ja) * 2017-05-12 2022-09-08 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. Euv光源においてデブリを制御するための装置及び方法

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5603135B2 (ja) * 2009-05-21 2014-10-08 ギガフォトン株式会社 チャンバ装置におけるターゲット軌道を計測及び制御する装置及び方法
US10966308B2 (en) * 2010-10-04 2021-03-30 Asml Netherlands B.V. EUV light source with subsystem(s) for maintaining LPP drive laser output during EUV non-output periods
JP5846572B2 (ja) * 2011-07-27 2016-01-20 ギガフォトン株式会社 チャンバ装置、極端紫外光生成装置および極端紫外光生成装置の制御方法
TWI596384B (zh) * 2012-01-18 2017-08-21 Asml荷蘭公司 光源收集器元件、微影裝置及元件製造方法
US20150097107A1 (en) * 2012-03-20 2015-04-09 Fst Inc. Apparatus for generating extreme ultraviolet light using plasma
JP6099241B2 (ja) * 2012-06-28 2017-03-22 ギガフォトン株式会社 ターゲット供給装置
WO2014006193A1 (en) * 2012-07-06 2014-01-09 ETH Zürich Method for controlling an interaction between droplet targets and a laser and apparatus for conducting said method
EP2951643B1 (en) 2013-01-30 2019-12-25 Kla-Tencor Corporation Euv light source using cryogenic droplet targets in mask inspection
JP6168797B2 (ja) * 2013-03-08 2017-07-26 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置
US8872143B2 (en) 2013-03-14 2014-10-28 Asml Netherlands B.V. Target for laser produced plasma extreme ultraviolet light source
US8791440B1 (en) * 2013-03-14 2014-07-29 Asml Netherlands B.V. Target for extreme ultraviolet light source
US8680495B1 (en) * 2013-03-15 2014-03-25 Cymer, Llc Extreme ultraviolet light source
US9000405B2 (en) * 2013-03-15 2015-04-07 Asml Netherlands B.V. Beam position control for an extreme ultraviolet light source
WO2014189055A1 (ja) * 2013-05-21 2014-11-27 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置
JP6434404B2 (ja) * 2013-06-20 2018-12-05 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成システム
CN103513519A (zh) * 2013-09-13 2014-01-15 华中科技大学 一种极紫外光刻机光源中液滴靶空间位置的监控***
US9241395B2 (en) * 2013-09-26 2016-01-19 Asml Netherlands B.V. System and method for controlling droplet timing in an LPP EUV light source
US8809823B1 (en) * 2013-09-26 2014-08-19 Asml Netherlands B.V. System and method for controlling droplet timing and steering in an LPP EUV light source
US9338870B2 (en) 2013-12-30 2016-05-10 Asml Netherlands B.V. Extreme ultraviolet light source
US9357625B2 (en) 2014-07-07 2016-05-31 Asml Netherlands B.V. Extreme ultraviolet light source
US9625824B2 (en) 2015-04-30 2017-04-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Extreme ultraviolet lithography collector contamination reduction
WO2017042881A1 (ja) 2015-09-08 2017-03-16 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置
JP6637155B2 (ja) 2016-02-26 2020-01-29 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置
US10969690B2 (en) 2017-09-29 2021-04-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Extreme ultraviolet control system for adjusting droplet illumination parameters
US10802405B2 (en) * 2018-07-27 2020-10-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Radiation source for lithography exposure process
US11011337B2 (en) * 2018-11-19 2021-05-18 Nutech Ventures Fast spin-polarized electron source
US11340531B2 (en) 2020-07-10 2022-05-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Target control in extreme ultraviolet lithography systems using aberration of reflection image
JP2023135426A (ja) 2022-03-15 2023-09-28 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置及び電子デバイスの製造方法
WO2024104842A1 (en) * 2022-11-16 2024-05-23 Asml Netherlands B.V. A droplet stream alignment mechanism and method thereof

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000340394A (ja) * 1999-05-25 2000-12-08 Nikon Corp X線発生装置及びこれを有するx線露光装置及びx線の発生方法
JP2007088267A (ja) * 2005-09-22 2007-04-05 Komatsu Ltd 極端紫外光源装置
JP2007109451A (ja) * 2005-10-12 2007-04-26 Komatsu Ltd 極端紫外光源装置の初期アライメント方法
JP2007526607A (ja) * 2004-03-04 2007-09-13 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 蛍光灯及びそれを製造する方法
JP2007528607A (ja) * 2004-03-10 2007-10-11 サイマー インコーポレイテッド Euv光源
JP2007529869A (ja) * 2004-03-17 2007-10-25 サイマー インコーポレイテッド 高繰返し数レーザを生成するプラズマeuv光源
JP2008041436A (ja) * 2006-08-07 2008-02-21 Komatsu Ltd 極端紫外光源装置
JP2008277529A (ja) * 2007-04-27 2008-11-13 Komatsu Ltd 極端紫外光源装置の光学素子洗浄方法及び光学素子洗浄装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7372056B2 (en) * 2005-06-29 2008-05-13 Cymer, Inc. LPP EUV plasma source material target delivery system
US7164144B2 (en) 2004-03-10 2007-01-16 Cymer Inc. EUV light source
US7718985B1 (en) * 2005-11-01 2010-05-18 University Of Central Florida Research Foundation, Inc. Advanced droplet and plasma targeting system
JP5156192B2 (ja) * 2006-01-24 2013-03-06 ギガフォトン株式会社 極端紫外光源装置
JP5603135B2 (ja) * 2009-05-21 2014-10-08 ギガフォトン株式会社 チャンバ装置におけるターゲット軌道を計測及び制御する装置及び方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000340394A (ja) * 1999-05-25 2000-12-08 Nikon Corp X線発生装置及びこれを有するx線露光装置及びx線の発生方法
JP2007526607A (ja) * 2004-03-04 2007-09-13 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 蛍光灯及びそれを製造する方法
JP2007528607A (ja) * 2004-03-10 2007-10-11 サイマー インコーポレイテッド Euv光源
JP2007529869A (ja) * 2004-03-17 2007-10-25 サイマー インコーポレイテッド 高繰返し数レーザを生成するプラズマeuv光源
JP2007088267A (ja) * 2005-09-22 2007-04-05 Komatsu Ltd 極端紫外光源装置
JP2007109451A (ja) * 2005-10-12 2007-04-26 Komatsu Ltd 極端紫外光源装置の初期アライメント方法
JP2008041436A (ja) * 2006-08-07 2008-02-21 Komatsu Ltd 極端紫外光源装置
JP2008277529A (ja) * 2007-04-27 2008-11-13 Komatsu Ltd 極端紫外光源装置の光学素子洗浄方法及び光学素子洗浄装置

Cited By (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9402297B2 (en) 2010-03-29 2016-07-26 Gigaphoton Inc. Extreme ultraviolet light generation system
JP2013020926A (ja) * 2011-06-15 2013-01-31 Gigaphoton Inc 極端紫外光生成装置
JP2014534559A (ja) * 2011-10-07 2014-12-18 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. 放射源
KR102036205B1 (ko) * 2011-12-16 2019-10-24 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 방울 생성기 조향 시스템
US10426020B2 (en) 2011-12-16 2019-09-24 Asml Netherlands B.V. Droplet generator steering system
KR20140107460A (ko) * 2011-12-16 2014-09-04 사이머 엘엘씨 방울 생성기 조향 시스템
JP2015506078A (ja) * 2011-12-16 2015-02-26 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. 液滴発生器ステアリングシステム
JP2015508217A (ja) * 2012-02-08 2015-03-16 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. 放射源及びリソグラフィ装置
US9251991B2 (en) 2012-02-29 2016-02-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Laser ion source
JP2014056891A (ja) * 2012-09-11 2014-03-27 Gigaphoton Inc ターゲット供給装置の制御方法、および、ターゲット供給装置
US9277635B2 (en) 2012-09-11 2016-03-01 Gigaphoton Inc. Method for generating extreme ultraviolet light and device for generating extreme ultraviolet light
JPWO2014042003A1 (ja) * 2012-09-11 2016-08-18 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成方法及び極端紫外光生成装置
WO2014042003A1 (ja) * 2012-09-11 2014-03-20 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成方法及び極端紫外光生成装置
JP2015532505A (ja) * 2012-09-28 2015-11-09 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. Euv光のためのターゲット材料プッシュアウトの事前補償
KR102079053B1 (ko) 2012-09-28 2020-02-19 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. Euv 광에 대한 타겟 재료 밀림의 사전 보상
KR20150060755A (ko) * 2012-09-28 2015-06-03 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. Euv 광에 대한 타겟 재료 밀림의 사전 보상
JP2014086523A (ja) * 2012-10-23 2014-05-12 Gigaphoton Inc 極端紫外光生成装置
KR102253514B1 (ko) 2013-09-26 2021-05-18 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. Euv 광원 내에서 타겟 재료의 액적을 제어하기 위한 시스템 및 방법
KR20160062053A (ko) * 2013-09-26 2016-06-01 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. Euv 광원 내에서 타겟 재료의 액적을 제어하기 위한 시스템 및 방법
JP2016538703A (ja) * 2013-09-26 2016-12-08 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. Euv光源内でターゲット材料の液滴を制御するためのシステム及び方法
JPWO2016013515A1 (ja) * 2014-07-25 2017-04-27 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置
US9686845B2 (en) 2014-07-25 2017-06-20 Gigaphoton Inc. Extreme ultraviolet light generation apparatus
WO2016013515A1 (ja) * 2014-07-25 2016-01-28 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置
WO2016013102A1 (ja) * 2014-07-25 2016-01-28 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置
JPWO2016079838A1 (ja) * 2014-11-20 2017-08-31 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置
US10531550B2 (en) 2015-09-24 2020-01-07 Gigaphoton Inc. Extreme ultraviolet light generation device
JP2022132361A (ja) * 2017-05-12 2022-09-08 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. Euv光源においてデブリを制御するための装置及び方法
JP7312893B2 (ja) 2017-05-12 2023-07-21 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. Euv光源においてデブリを制御するための装置及び方法
WO2020165942A1 (ja) * 2019-02-12 2020-08-20 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置、ターゲット制御方法、及び電子デバイスの製造方法
JPWO2020165942A1 (ja) * 2019-02-12 2021-12-09 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置、ターゲット制御方法、及び電子デバイスの製造方法
US11287744B2 (en) 2019-02-12 2022-03-29 Gigaphoton Inc. Extreme ultraviolet light generation apparatus, target control method, and electronic device manufacturing method

Also Published As

Publication number Publication date
US8324600B2 (en) 2012-12-04
JP5603135B2 (ja) 2014-10-08
US20100294958A1 (en) 2010-11-25
US20130062539A1 (en) 2013-03-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5603135B2 (ja) チャンバ装置におけるターゲット軌道を計測及び制御する装置及び方法
JP4875879B2 (ja) 極端紫外光源装置の初期アライメント方法
JP6401283B2 (ja) Euv光源内でターゲット材料の液滴を制御するためのシステム及び方法
KR101949839B1 (ko) 광 빔 정렬용 에너지 센서
JP5964053B2 (ja) 極端紫外光生成装置
JP4642618B2 (ja) 極端紫外光源装置
US9241395B2 (en) System and method for controlling droplet timing in an LPP EUV light source
US7718985B1 (en) Advanced droplet and plasma targeting system
US10027084B2 (en) Alignment system and extreme ultraviolet light generation system
JP6775606B2 (ja) 極端紫外光生成システム
JP2004303725A (ja) プラズマの放射発散を安定化するための装置
JP2014534559A (ja) 放射源
JP2015524599A (ja) 液滴ターゲットとレーザとの間の相互作用を制御するための方法、および、前記方法を行なうための装置
JPWO2017056324A1 (ja) 極端紫外光生成システム
JP6232462B2 (ja) アライメントシステム
US20230101779A1 (en) Euv light generation apparatus, electronic device manufacturing method, and inspection method
WO2014119200A1 (ja) ミラー装置
NL2012718A (en) Radiation systems and associated methods.

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20130328

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20131127

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20131203

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140130

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140401

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20140411

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140526

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140729

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140821

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5603135

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250