JP2010531529A - トリプルジャンクション破壊に起因するイオン注入装置における不安定性を防ぐ高圧絶縁装置 - Google Patents
トリプルジャンクション破壊に起因するイオン注入装置における不安定性を防ぐ高圧絶縁装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010531529A JP2010531529A JP2010513344A JP2010513344A JP2010531529A JP 2010531529 A JP2010531529 A JP 2010531529A JP 2010513344 A JP2010513344 A JP 2010513344A JP 2010513344 A JP2010513344 A JP 2010513344A JP 2010531529 A JP2010531529 A JP 2010531529A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulator
- conductive layer
- metal electrode
- electrode
- triple junction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000012212 insulator Substances 0.000 title claims abstract description 111
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 title claims abstract description 29
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 78
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 78
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 17
- 230000032258 transport Effects 0.000 claims abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 claims description 6
- 230000006378 damage Effects 0.000 claims description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 23
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 23
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 13
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 11
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 10
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 7
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 7
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 5
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 5
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B17/00—Insulators or insulating bodies characterised by their form
- H01B17/56—Insulating bodies
- H01B17/64—Insulating bodies with conductive admixtures, inserts or layers
Abstract
【選択図】 図3
Description
Claims (21)
- トリプルジャンクション破壊を防ぐ装置であって、
第1の金属電極と、
第2の金属電極と、
前記第1の金属電極と前記第2の金属電極との間に配設される絶縁体と、
前記第1の金属電極と前記絶縁体との間に配設される第1の伝導層と、
前記第2の金属電極と前記絶縁体の前記第1の伝導層に対して反対側との間に配設される第2の伝導層と
を備え、
前記絶縁体は、前記第1の金属電極と前記第2の金属電極との間において、真空にさらされる面を少なくとも1つ有し、
前記第1の伝導層は、前記第1の電極、前記絶縁体、および前記真空の界面におけるトリプルジャンクション破壊の発生を防ぎ、
前記第2の伝導層は、前記第2の電極、前記絶縁体、および前記真空の界面におけるトリプルジャンクション破壊の発生を防ぐ
装置。 - 前記第1および第2の伝導層は、前記絶縁体にドーピングされた金属粒子を有する
請求項1に記載の装置。 - 前記第1および第2の伝導層は、前記絶縁体上に堆積されている
請求項1に記載の装置。 - 前記第1および第2の伝導層は、前記絶縁体上に接合されている
請求項1に記載の装置。 - 前記第1および第2の伝導層は、前記絶縁体上に接着されている
請求項4に記載の装置。 - 前記第1および第2の伝導層は、微小間隙を形成することなく、原子レベルで前記絶縁体に結合されている
請求項1に記載の装置。 - 第1のOリングおよび第2のOリング
をさらに備え、
前記第1のOリングは、前記第1の伝導層と前記第1の金属電極との間に挟まれており、
前記第2のOリングは、前記第2の伝導層と前記第2の金属電極との間に挟まれている
請求項1に記載の装置。 - イオン注入装置におけるトリプルジャンクションの不安定性を防ぐ装置であって、
第1の金属電極と、
第2の金属電極と、
前記第1の金属電極と前記第2の金属電極との間に配設されている絶縁体と、
前記第1の金属電極と前記絶縁体との間に配設される第1の伝導層と、
前記第2の金属電極と前記絶縁体の前記第1の伝導層に対して反対側との間に配設される第2の伝導層と
を備え、
前記絶縁体は、前記第1の金属電極と前記第2の金属電極との間において、前記イオン注入装置が生成するイオンビームを輸送する真空にさらされる面を少なくとも1つ有し、
前記第1の伝導層は、前記第1の電極、前記絶縁体、および前記真空の界面におけるトリプルジャンクション破壊の発生を防ぎ、
前記第2の伝導層は、前記第2の電極、前記絶縁体、および前記真空の界面におけるトリプルジャンクション破壊の発生を防ぐ
装置。 - 前記第1および第2の伝導層は、前記絶縁体にドーピングされた金属粒子を有する
請求項8に記載の装置。 - 前記第1および第2の伝導層は、前記絶縁体上に堆積されている
請求項8に記載の装置。 - 前記第1および第2の伝導層は、前記絶縁体上に接合されている
請求項8に記載の装置。 - 前記第1および第2の伝導層は、前記絶縁体上に接着されている
請求項11に記載の装置。 - 前記第1および第2の伝導層は、微小間隙を形成することなく、原子レベルで前記絶縁体に結合されている
請求項8に記載の装置。 - 第1のOリングおよび第2のOリング
をさらに備え、
前記第1のOリングは、前記第1の伝導層と前記第1の金属電極との間に挟まれており、
前記第2のOリングは、前記第2の伝導層と前記第2の金属電極との間に挟まれている
請求項8に記載の装置。 - 前記第1の金属電極と前記第2の金属電極との間に絶縁体を配設する段階と、
前記第1の金属電極と前記絶縁体との間に第1の伝導層を設ける段階と、
前記第2の金属電極と前記絶縁体の前記第1の伝導層とは反対側との間に第2の伝導層を設ける段階と
を備え、
前記絶縁体は、前記第1の金属電極と前記第2の金属電極との間において、前記イオン注入装置が生成するイオンビームを輸送する真空にさらされる面を少なくとも1つ有し、
前記第1の伝導層は、前記第1の電極、前記絶縁体、および前記真空の界面におけるトリプルジャンクション破壊の発生を防ぎ、
前記第2の伝導層は、前記第2の電極、前記絶縁体、および前記真空の界面におけるトリプルジャンクション破壊の発生を防ぐ
方法。 - 前記第1の伝導層を設ける段階および前記第2の伝導層を設ける段階は、前記絶縁体に金属粒子をドーピングする段階を有する
請求項15に記載の方法。 - 前記第1の伝導層を設ける段階および前記第2の伝導層を設ける段階は、前記絶縁体上に、前記第1の伝導層を堆積させる段階および前記第2の伝導層を堆積させる段階を有する
請求項15に記載の方法。 - 前記第1の伝導層を設ける段階および前記第2の伝導層を設ける段階は、前記絶縁体上に、前記第1の伝導層を接合する段階および前記第2の伝導層を接合する段階を有する
請求項15に記載の方法。 - 前記第1の伝導層を接合する段階および前記第2の伝導層を接合する段階は、前記絶縁体に、前記第1の伝導層を接着する段階および前記第2の伝導層を接着する段階を含む
請求項18に記載の方法。 - 前記第1の伝導層を設ける段階および前記第2の伝導層を設ける段階は、微小間隙を形成することなく、原子レベルで、前記絶縁体に、前記第1の伝導層を結合する段階および前記第2の伝導層を結合する段階を有する
請求項15に記載の方法。 - 第1のOリングおよび第2のOリングを設ける段階
をさらに備え、
前記第1のOリングは、前記第1の伝導層と前記第1の金属電極との間に挟まれており、
前記第2のOリングは、前記第2の伝導層と前記第2の金属電極との間に挟まれている
請求項15に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/767,657 | 2007-06-25 | ||
US11/767,657 US7622724B2 (en) | 2007-06-25 | 2007-06-25 | High voltage insulator for preventing instability in an ion implanter due to triple-junction breakdown |
PCT/US2008/066923 WO2009002736A2 (en) | 2007-06-25 | 2008-06-13 | High voltage insulator for preventing instability in an ion implanter due to triple-junction breakdown |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010531529A true JP2010531529A (ja) | 2010-09-24 |
JP2010531529A5 JP2010531529A5 (ja) | 2011-06-23 |
JP5534608B2 JP5534608B2 (ja) | 2014-07-02 |
Family
ID=40135494
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010513344A Active JP5534608B2 (ja) | 2007-06-25 | 2008-06-13 | トリプルジャンクション破壊に起因するイオン注入装置における不安定性を防ぐ高圧絶縁装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7622724B2 (ja) |
JP (1) | JP5534608B2 (ja) |
KR (1) | KR101446187B1 (ja) |
CN (1) | CN101689462B (ja) |
TW (1) | TWI443705B (ja) |
WO (1) | WO2009002736A2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104078299A (zh) * | 2013-03-29 | 2014-10-01 | 斯伊恩股份有限公司 | 用于离子注入装置的高电压电极的绝缘结构 |
JP2016171092A (ja) * | 2016-07-01 | 2016-09-23 | 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 | イオン注入装置のための高電圧電極の絶縁構造および高電圧絶縁方法 |
JP2017130404A (ja) * | 2016-01-22 | 2017-07-27 | 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 | イオン注入装置 |
JP2017539071A (ja) * | 2014-10-23 | 2017-12-28 | イー/ジー エレクトログラフ インコーポレーテッドE/G Electrograph Inc. | 電極の導電性を維持するためのイン・サイチュ トリプルジャンクションの形成 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5071292B2 (ja) * | 2008-07-24 | 2012-11-14 | 株式会社安川電機 | 真空機器 |
CN102867387A (zh) * | 2011-07-05 | 2013-01-09 | 北京中科信电子装备有限公司 | 一种烟雾探测联锁方法 |
US9335427B2 (en) | 2013-11-22 | 2016-05-10 | General Electric Company | High voltage shielding to enable paschen region operation for neutron detection systems |
US9214318B1 (en) | 2014-07-25 | 2015-12-15 | International Business Machines Corporation | Electromagnetic electron reflector |
US9903016B2 (en) | 2014-10-23 | 2018-02-27 | E/G Electro-Graph, Inc. | Device having preformed triple junctions to maintain electrode conductivity and a method for making and using the device |
CN107210101B (zh) * | 2014-10-23 | 2019-06-04 | E/G电图公司 | 电极、制造电极的方法及产生局部击穿的方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01129717A (ja) * | 1987-11-12 | 1989-05-23 | Toshiba Corp | 真空トリガ・ギャップ装置を用いた電力システム |
JPH05325809A (ja) * | 1992-05-27 | 1993-12-10 | Nissin Electric Co Ltd | イオン源 |
JPH1023620A (ja) * | 1996-07-01 | 1998-01-23 | Toshiba Corp | 電界緩和装置 |
JPH1021768A (ja) * | 1996-07-02 | 1998-01-23 | Toshiba Corp | 絶縁ブッシング |
JP2003077415A (ja) * | 2001-09-05 | 2003-03-14 | Mitsubishi Electric Corp | イオン注入装置およびそのイオン注入装置を用いた半導体装置の製造方法 |
JP2004014868A (ja) * | 2002-06-07 | 2004-01-15 | Tokyo Electron Ltd | 静電チャック及び処理装置 |
JP2004165368A (ja) * | 2002-11-12 | 2004-06-10 | Toshiba Corp | 超電導装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2395354B (en) | 2002-11-11 | 2005-09-28 | Applied Materials Inc | Ion implanter and a method of implanting ions |
KR100510559B1 (ko) | 2003-12-30 | 2005-08-26 | 삼성전자주식회사 | 이온 주입 장비의 매니퓰레이터 어셈블리 |
US7045798B2 (en) * | 2004-02-20 | 2006-05-16 | Applied Materials, Inc. | Characterizing an electron beam treatment apparatus |
CN1300371C (zh) * | 2004-09-06 | 2007-02-14 | 珠海市恩博金属表面强化有限公司 | 金属离子注入机 |
KR20060036002A (ko) * | 2004-10-23 | 2006-04-27 | 주식회사 유토시스 | 이온주입기의 고진공챔버 고전압 공급용 절연 컨넥터 |
KR100706374B1 (ko) * | 2005-07-28 | 2007-04-10 | (주)이오엠 | 이온주입기의 분리형 피드 쓰루 |
-
2007
- 2007-06-25 US US11/767,657 patent/US7622724B2/en active Active
-
2008
- 2008-06-13 JP JP2010513344A patent/JP5534608B2/ja active Active
- 2008-06-13 WO PCT/US2008/066923 patent/WO2009002736A2/en active Application Filing
- 2008-06-13 CN CN2008800216282A patent/CN101689462B/zh active Active
- 2008-06-13 KR KR1020107000055A patent/KR101446187B1/ko active IP Right Grant
- 2008-06-23 TW TW097123375A patent/TWI443705B/zh active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01129717A (ja) * | 1987-11-12 | 1989-05-23 | Toshiba Corp | 真空トリガ・ギャップ装置を用いた電力システム |
JPH05325809A (ja) * | 1992-05-27 | 1993-12-10 | Nissin Electric Co Ltd | イオン源 |
JPH1023620A (ja) * | 1996-07-01 | 1998-01-23 | Toshiba Corp | 電界緩和装置 |
JPH1021768A (ja) * | 1996-07-02 | 1998-01-23 | Toshiba Corp | 絶縁ブッシング |
JP2003077415A (ja) * | 2001-09-05 | 2003-03-14 | Mitsubishi Electric Corp | イオン注入装置およびそのイオン注入装置を用いた半導体装置の製造方法 |
JP2004014868A (ja) * | 2002-06-07 | 2004-01-15 | Tokyo Electron Ltd | 静電チャック及び処理装置 |
JP2004165368A (ja) * | 2002-11-12 | 2004-06-10 | Toshiba Corp | 超電導装置 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104078299A (zh) * | 2013-03-29 | 2014-10-01 | 斯伊恩股份有限公司 | 用于离子注入装置的高电压电极的绝缘结构 |
KR20140118685A (ko) | 2013-03-29 | 2014-10-08 | 가부시키가이샤 에스이엔 | 이온주입장치를 위한 고전압전극의 절연구조 |
JP2014194888A (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-09 | Sen Corp | イオン注入装置のための高電圧電極の絶縁構造 |
US9117630B2 (en) | 2013-03-29 | 2015-08-25 | Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co., Ltd. | Insulation structure of high voltage electrodes for ion implantation apparatus |
CN104078299B (zh) * | 2013-03-29 | 2017-05-17 | 斯伊恩股份有限公司 | 用于离子注入装置的高电压电极的绝缘结构 |
JP2017539071A (ja) * | 2014-10-23 | 2017-12-28 | イー/ジー エレクトログラフ インコーポレーテッドE/G Electrograph Inc. | 電極の導電性を維持するためのイン・サイチュ トリプルジャンクションの形成 |
JP2017130404A (ja) * | 2016-01-22 | 2017-07-27 | 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 | イオン注入装置 |
JP2016171092A (ja) * | 2016-07-01 | 2016-09-23 | 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 | イオン注入装置のための高電圧電極の絶縁構造および高電圧絶縁方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200908060A (en) | 2009-02-16 |
US20080315114A1 (en) | 2008-12-25 |
US7622724B2 (en) | 2009-11-24 |
KR101446187B1 (ko) | 2014-10-01 |
KR20100038357A (ko) | 2010-04-14 |
CN101689462A (zh) | 2010-03-31 |
WO2009002736A2 (en) | 2008-12-31 |
WO2009002736A3 (en) | 2009-02-19 |
JP5534608B2 (ja) | 2014-07-02 |
CN101689462B (zh) | 2012-04-11 |
TWI443705B (zh) | 2014-07-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5534608B2 (ja) | トリプルジャンクション破壊に起因するイオン注入装置における不安定性を防ぐ高圧絶縁装置 | |
US7102139B2 (en) | Source arc chamber for ion implanter having repeller electrode mounted to external insulator | |
TWI671778B (zh) | 離子束裝置、離子植入裝置、離子束放出方法 | |
JP5759071B2 (ja) | サージ保護システムを有するイオン注入システム | |
KR102094293B1 (ko) | 전계방출 소자 | |
US9928985B2 (en) | Robust emitter for minimizing damage from ion bombardment | |
US7892062B2 (en) | High-definition cathode ray tube and electron gun with lower power consumption | |
US7573046B1 (en) | Thermal field emission electron gun with reduced arcing | |
JP4537191B2 (ja) | 電子銃 | |
CN113646864B (zh) | 电子源以及带电粒子线装置 | |
EP3109892B1 (fr) | Dispositif de détection de particules de type résistif et procédé de détection de particules | |
JPS62190635A (ja) | イオン注入装置 | |
JP2003203591A (ja) | X線管およびその製造方法 | |
Bräutigam et al. | Extraction of D− beams from the cyclotron JULIC for injection into the cooler synchrotron COSY | |
KR20160061245A (ko) | 전계방출 소자 | |
JP2917627B2 (ja) | イオン注入装置 | |
JP2000331620A (ja) | イオン源 | |
JP5210281B2 (ja) | 電子放出素子、それを備えた表示装置及び撮像装置 | |
Ma et al. | High field characteristics of thin-film metal electrodes | |
JPS59148245A (ja) | 電子銃電極構体 | |
JPH08279339A (ja) | 電子線装置 | |
JPH08136187A (ja) | レールガン式2段加速装置 | |
KR20030032744A (ko) | 고전압 절연용 부시 | |
JPH02213024A (ja) | イオン源 | |
JPH04298935A (ja) | 陰極線管の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110428 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110428 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130318 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130402 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130628 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140401 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140421 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5534608 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |