JP2010528453A - 半導体素子のギャップ充填用化合物及び前記化合物を用いたコーティング組成物 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の他の態様によれば、酸触媒の存在下で、前記化学式1、2、3で示される化合物なる群から選択される一以上の化合物の加水分解物の重縮合によって調製される化合物及び溶媒を含む、半導体素子の微細ギャップ充填用組成物(以下では、単に「ギャップ充填用組成物」とも称する)を提供する。
本発明のギャップ充填用組成物は、半導体基板のアスペクト比が1以上の孔を、スピンコーティングで空気の細孔などの欠陥のないように、完全に埋めることができる。さらに、本発明のギャップ充填用組成物は、焼成による硬化後、フッ酸溶液での処理により、制御可能な速度で残余物を残すことなく孔から完全に除去することができる。さらに本発明の前記ギャップ充填用組成物は、保管中非常に安定である。したがって、本発明の前記ギャップ充填用組成物は半導体素子の製造用として非常に適したものである。
以下、本発明をより詳しく説明する。
の化合物の混合物を反応させて調製した加水分解物の重縮合生成物である半導体素子の微細ギャップ充填用化合物を提供する。
以下に、下記実施例を参照して本発明がより具体的に説明される。しかしながら、このような実施例は単に説明の目的のためのものであり、本発明の範囲を制限するものと解釈されてはいけない。
[実施例1]
機械撹拌機、冷却管、滴下漏斗、窒素ガス導入管を備えた3リットルの4口フラスコに、661gのメチルトリメトキシシラン(methyltrimethoxysilane)と119gのフェニルトリメトキシシラン(phenyltrimethoxysilane)とを、1820gのプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに溶解した後、206gの硝酸溶液(1000ppm)を溶液に添加した。その後、この混合物を50℃で1時間反応させた。減圧下で、反応混合物からメタノールを除去した。反応温度を60℃に維持しながら、1週間反応を行い、ポリマー(ポリマーA)を得た。前記ポリマーは重量平均分子量4,000、多分散度(PD)2を有すると測定された。10gのポリマーAを、100gのプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートで十分に攪拌しながら希釈して、ギャップ充填用組成物を溶液として調製した。
[実施例2]
実施例1で調製されたポリマーAの10gを、100gのプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートで十分に攪拌しながら希釈し、これに1gのメラミン系樹脂(Cymel 303LF、Cytec社(米国)製)と、0.1gのピリジニウムp−トルエンスルホン酸塩(pyridinium p−toluenesulfonate)を加え、ギャップ充填用組成物を溶液として調製した。
[比較例1]
10gのフェノールノボラック樹脂(PSM−4326、群栄化学工業(株)製)を、100gのプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートで十分に攪拌しながら、希釈し、サンプル溶液を調製した。
(1)ギャップ充填特性
孔(直径68nm、高さ1600nm)を有するパターン化シリコンウエハに、前記の調製溶液を、各々、同一の塗布条件でスピンコーティングした。前記コーティングされたウエハを240℃で50秒間焼成して硬化させた。当該ウエハの断面を走査電子顕微鏡で観察し、孔が前記組成物で欠陥なく完全に充填されているかを確認した。
(2)フッ酸溶液による除去率
孔(直径68nm、高さ1600nm)を有するパターン化シリコンウエハに、前記の溶液を、各々、同一の塗布条件でスピンコーティングした。前記コーティングされたウエハを240℃で50秒間焼成して硬化させた後、6.6%のフッ酸溶液(フッ化アンモニウム緩衝溶液)に5分間浸し、蒸溜水で洗浄し、十分に乾燥させた。その後、当該乾燥ウエハの断面を走査電子顕微鏡で観察して、残存する組成物の、孔の底からの高さを測定した。当該高さが低いほど、組成物がフッ酸溶液で高い割合で除去されたことを示す。
(3)フッ酸溶液による除去性能
孔(直径68nm、高さ1600nm)を有するパターン化シリコンウエハに、前記の溶液を、各々、同一の塗布条件でスピンコーティングした。前記コーティングされたウエハを240℃で50秒間焼成して硬化させた後、6.6%のフッ酸溶液(フッ化アンモニウム緩衝溶液)に23℃で30分間浸し、蒸溜水で洗浄し、十分に乾燥させた。その後、当該乾燥ウエハの断面を走査電子顕微鏡で観察して、組成物が孔内部に残っているかを確認した。
(4)保管安定性(分子量)
前記組成物を40℃で30日間保存した後、各々の分子量を測定した。保存の前後の分子量の差異を計算した。それぞれ、前記差異が5%以下である場合を良好、5%を超えた場合を不良と評価した。
(5)保管安定性(膜の厚さの変化)
前記組成物を、各々、8インチのシリコンウエハにスピンコーティングし、240℃で50秒間焼成して塗布膜を形成させた。一方、40℃で30日間保存した組成物を、各々、8インチのシリコンウエハにスピンコーティングし、240℃で50秒間焼成して塗布膜を形成させた。保存の前後の膜の厚さの差異を計算した。それぞれ、前記差異が5%以下である場合を良好、5%を超えた場合を不良と評価した。
Claims (17)
- 1,000〜30,000の重量平均分子量を有する、請求項1に記載の化合物。
- 1,000〜10,000の重量平均分子量を有する、請求項1に記載の化合物。
- 5〜900重量部の溶媒中、0.001〜5重量部の酸触媒の存在下、5〜90重量部の前記化学式1の化合物、0〜90重量部の前記化学式2の化合物、及び5〜90重量部の前記化学式3の化合物の混合物を反応させて調製された加水分解物の縮合生成物である、請求項1に記載の化合物。
- 請求項1〜5のいずれか1項に記載の化合物及び溶媒を含む、半導体素子の微細ギャップ充填用組成物。
- 前記化合物が、組成物100重量部に対して、1〜50重量部の量で存在する、請求項6に記載の組成物。
- 架橋成分及び架橋酸触媒をさらに含む、請求項6に記載の組成物。
- 前記架橋成分が、メラミン系架橋成分、置換尿素系架橋成分、エポキシ含有ポリマー、及びこれらの誘導体からなる群より選択される、請求項8に記載の組成物。
- 前記架橋成分が、前記化合物100重量部に対して、0.1〜30重量部の量で存在する、請求項8に記載の組成物。
- 前記架橋酸触媒が、鉱酸、スルホン酸、シュウ酸、マレイン酸、ヘキサミックシクロヘキシルスルホン酸(hexamic cyclohexylsulfonic acid)、フタル酸、及びこれらの混合物から選択される、請求項8に記載の組成物。
- 前記架橋酸触媒が、前記化合物100重量部に対して、0.01〜10重量部の量で存在する、請求項8に記載の組成物。
- 有機および無機無水物から選択される一つ以上の安定剤をさらに含む、請求項6に記載の組成物。
- 前記安定剤が、前記化合物100重量部に対して、0.01〜10重量部の量で存在する、請求項13に記載の組成物。
- 前記溶媒が、アルコール、アセテート、エステル、グライム、エーテル、及びカルボキシケトン、およびこれらの混合物から選択される、請求項6に記載の組成物。
- 前記溶媒が、前記化合物100重量部に対して、100〜3,000重量部の量で存在する、請求項6に記載の組成物。
- 界面活性剤をさらに含む、請求項6に記載の組成物。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011181563A (ja) * | 2010-02-26 | 2011-09-15 | Fujifilm Corp | トレンチ埋め込み用組成物 |
WO2023048062A1 (ja) * | 2021-09-24 | 2023-03-30 | 東レ株式会社 | 硬化膜形成用シロキサン樹脂組成物、硬化膜およびポリシロキサンの製造方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20110074253A (ko) * | 2009-12-24 | 2011-06-30 | 제일모직주식회사 | 미세 갭필용 중합체, 이를 포함하는 미세 갭필용 조성물, 및 이를 이용한 반도체 집적회로 디바이스의 제조방법 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10279687A (ja) * | 1997-03-31 | 1998-10-20 | Toray Dow Corning Silicone Co Ltd | 電気絶縁性薄膜形成用組成物および電気絶縁性薄膜の形成方法 |
JP2000327933A (ja) * | 1999-05-25 | 2000-11-28 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 絶縁薄膜製造用の組成物 |
JP2001240802A (ja) * | 2000-02-28 | 2001-09-04 | Jsr Corp | 膜形成用組成物および絶縁膜形成用材料 |
JP2002043308A (ja) * | 2000-07-26 | 2002-02-08 | Hitachi Chem Co Ltd | 絶縁皮膜、その製造方法及びその絶縁皮膜を用いた半導体装置 |
JP2002060690A (ja) * | 2000-08-21 | 2002-02-26 | Jsr Corp | 膜形成用組成物、絶縁膜形成用材料およびシリカ系膜 |
JP2005350558A (ja) * | 2004-06-10 | 2005-12-22 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 多孔質膜形成用組成物、パターン形成方法、及び多孔質犠性膜 |
JP2006229221A (ja) * | 1994-03-11 | 2006-08-31 | Kawasaki Microelectronics Kk | 絶縁膜形成用塗布液および半導体装置用絶縁膜の形成方法 |
JP2007016177A (ja) * | 2005-07-08 | 2007-01-25 | Fujitsu Ltd | シリカ系被膜形成用材料、シリカ系被膜及びその製造方法、多層配線及びその製造方法、並びに、半導体装置及びその製造方法 |
JP2007193318A (ja) * | 2005-12-21 | 2007-08-02 | Toray Ind Inc | 感光性シロキサン組成物、それから形成された硬化膜および硬化膜を有する素子 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5077354A (en) * | 1987-01-28 | 1991-12-31 | The Glidden Company | Acrylic modified silicone resin |
JP2831398B2 (ja) | 1989-09-28 | 1998-12-02 | 触媒化成工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
CN1125481A (zh) * | 1994-03-11 | 1996-06-26 | 川崎制铁株式会社 | 评价用于形成绝缘膜的硅氧烷的方法、形成绝缘膜的涂布液及其制备方法、半导体器件用绝缘膜成型方法以及采用绝缘膜成膜法制备半导体器件的方法 |
JPH08245792A (ja) * | 1995-03-10 | 1996-09-24 | Mitsubishi Electric Corp | シリコーンラダーポリマー、シリコーンラダープレポリマーおよびそれらの製造方法 |
JPH11181352A (ja) | 1997-12-25 | 1999-07-06 | Sumitomo Chem Co Ltd | シリカコーティング膜形成用塗布液 |
JP4041966B2 (ja) * | 2002-06-18 | 2008-02-06 | 信越化学工業株式会社 | ハードコート剤及びハードコート膜が形成された物品 |
JP3631236B2 (ja) * | 2002-07-12 | 2005-03-23 | 東京応化工業株式会社 | シリカ系有機被膜の製造方法 |
US7122079B2 (en) * | 2004-02-27 | 2006-10-17 | Molecular Imprints, Inc. | Composition for an etching mask comprising a silicon-containing material |
EP1662322B1 (en) * | 2004-11-26 | 2017-01-11 | Toray Industries, Inc. | Positive type photo-sensitive siloxane composition, curing film formed by the composition and device with the curing film |
WO2006073115A1 (ja) * | 2005-01-05 | 2006-07-13 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | シリコン含有感光性組成物、これを用いた薄膜パターンの製造方法、電子機器用保護膜、ゲート絶縁膜及び薄膜トランジスタ |
KR101271783B1 (ko) * | 2005-10-28 | 2013-06-07 | 도레이 카부시키가이샤 | 실록산 수지 조성물 및 그의 제조 방법 |
US20070212886A1 (en) * | 2006-03-13 | 2007-09-13 | Dong Seon Uh | Organosilane polymers, hardmask compositions including the same and methods of producing semiconductor devices using organosilane hardmask compositions |
US7846629B2 (en) * | 2006-11-08 | 2010-12-07 | Xerox Corporation | Imaging member |
-
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Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006229221A (ja) * | 1994-03-11 | 2006-08-31 | Kawasaki Microelectronics Kk | 絶縁膜形成用塗布液および半導体装置用絶縁膜の形成方法 |
JPH10279687A (ja) * | 1997-03-31 | 1998-10-20 | Toray Dow Corning Silicone Co Ltd | 電気絶縁性薄膜形成用組成物および電気絶縁性薄膜の形成方法 |
JP2000327933A (ja) * | 1999-05-25 | 2000-11-28 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 絶縁薄膜製造用の組成物 |
JP2001240802A (ja) * | 2000-02-28 | 2001-09-04 | Jsr Corp | 膜形成用組成物および絶縁膜形成用材料 |
JP2002043308A (ja) * | 2000-07-26 | 2002-02-08 | Hitachi Chem Co Ltd | 絶縁皮膜、その製造方法及びその絶縁皮膜を用いた半導体装置 |
JP2002060690A (ja) * | 2000-08-21 | 2002-02-26 | Jsr Corp | 膜形成用組成物、絶縁膜形成用材料およびシリカ系膜 |
JP2005350558A (ja) * | 2004-06-10 | 2005-12-22 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 多孔質膜形成用組成物、パターン形成方法、及び多孔質犠性膜 |
JP2007016177A (ja) * | 2005-07-08 | 2007-01-25 | Fujitsu Ltd | シリカ系被膜形成用材料、シリカ系被膜及びその製造方法、多層配線及びその製造方法、並びに、半導体装置及びその製造方法 |
JP2007193318A (ja) * | 2005-12-21 | 2007-08-02 | Toray Ind Inc | 感光性シロキサン組成物、それから形成された硬化膜および硬化膜を有する素子 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011181563A (ja) * | 2010-02-26 | 2011-09-15 | Fujifilm Corp | トレンチ埋め込み用組成物 |
WO2023048062A1 (ja) * | 2021-09-24 | 2023-03-30 | 東レ株式会社 | 硬化膜形成用シロキサン樹脂組成物、硬化膜およびポリシロキサンの製造方法 |
JP7428269B2 (ja) | 2021-09-24 | 2024-02-06 | 東レ株式会社 | 硬化膜形成用シロキサン樹脂組成物および硬化膜 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20080098295A (ko) | 2008-11-07 |
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TW200914498A (en) | 2009-04-01 |
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