JP2010278392A - 処理方法および記憶媒体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】表面部分にダメージ層が形成された低誘電率膜を有する被処理基板が収容された処理容器内にメチル基を有する処理ガスを導入して低誘電率膜に形成されたダメージ層に回復処理を施す処理方法であって、減圧状態にされた処理容器内に希釈ガスを導入して、処理容器内の圧力を回復処理の際の処理圧力よりも低圧の第1の圧力まで上昇させ(工程3)、その後、希釈ガスを停止し、処理ガスを処理容器内の被処理基板の存在領域に導入して、処理容器内の圧力を回復処理の際の処理圧力である第2の圧力まで上昇させ(工程4)、この処理圧力を維持し、被処理基板に対して回復処理を行う(工程5)。
【選択図】 図3
Description
また、これらの方法を実施するためのプログラムを記憶した記憶媒体を提供することを目的とする。
図1は本発明の方法を実施可能な処理装置の一例を示す断面図、図2は図1の処理装置に用いられるガス導入ヘッドを示す底面図である。
ここでは、デュアルダマシン法等により配線溝や接続孔を形成するためのエッチングやアッシングの際にLow−k膜の表面部分に形成されたダメージ層に対して、メチル基(−CH3)を有する処理ガスにより回復処理を施す。
ここでは、処理ガスとしてメチル基を有するシリル化剤であるTMSDMAを用い、希釈ガスとしてN2ガスを用い、ダメージを受けたLow−k膜を模擬したOH基を含有するフォトレジスト膜における処理前と処理後の膜厚変化Δtにより回復処理の程度を把握した。実際にLow−k膜を形成したウエハにエッチングおよびアッシング処理を施しダメージを導入して回復処理の程度を把握しようとすると、サンプルメーキングが難しく、精度が低いという問題があるが、回復処理の本質がOH基をメチル基またはメチル基を含有する基で置換することにあることに鑑みれば、このようにOH基を含有するフォトレジスト膜に回復処理を行うことにより、簡易にかつ精度良く回復処理の程度を把握することができる。
処理圧力(チャンバ内全圧):667Pa(5Torr)
TMSDMA分圧:100Pa(0.75Torr)]
TMSDMA流量:500mL/min(sccm)
N2流量;:2833mL/min(sccm)
温度:250℃
時間:10sec
図8は本発明の方法を実施可能な処理装置の他の例を示す断面図、図9は図8の処理装置に用いられるガス導入ヘッドを示す底面図である。
この装置は、ガス導入ヘッドの構造が異なっている他は、図1の装置と同様の構成を有しているので、図1の装置と同じものには同じ符号を付して説明を省略する。
11;チャンバ
12;載置台
15;ヒータ
20,20′;ガス導入ヘッド
21;処理ガス供給配管
22;希釈ガス供給配管
25,61a;処理ガス吐出孔
26,65;希釈ガス吐出孔
50;制御部
51;プロセスコントローラ
52;ユーザーインターフェース
53;記憶部(記憶媒体)
W;ウエハ
Claims (8)
- 表面部分にダメージ層が形成された低誘電率膜を有する被処理基板が収容された処理容器内にメチル基を有する処理ガスを導入して前記低誘電率膜に形成されたダメージ層に回復処理を施す処理方法であって、
所定の減圧状態にされた前記処理容器内に希釈ガスを導入して、前記処理容器内の圧力を回復処理の際の処理圧力よりも低圧の第1の圧力まで上昇させる工程と、
前記処理容器内の圧力を前記第1の圧力まで上昇させた後、前記希釈ガスを停止し、前記処理ガスを前記処理容器内の被処理基板の存在領域に導入して、前記処理容器内の圧力を回復処理の際の処理圧力である第2の圧力まで上昇させる工程と、
前記処理圧力を維持し、被処理基板に対して回復処理を行う工程と
を有することを特徴とする処理方法。 - 前記処理ガスを、前記処理容器内に収容された被処理基板の直上位置から前記処理容器内に導入することを特徴とする請求項1に記載の処理方法。
- 前記処理ガスの導入および前記希釈ガスの導入の際には、前記処理容器内にガスを導入しながら前記処理容器内の排気量を調整する圧力調整機構により前記処理容器内の圧力を調整することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の処理方法。
- 前記回復処理の際には、前記処理容器内を封じきることにより、その中の圧力を処理圧力に維持することを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の処理方法。
- 被処理基板は前記処理容器に水平に配置され、前記処理ガスは、被処理基板の上方の被処理基板の中央部に対応する位置に設けられ、被処理基板の径よりも小さい径の処理ガス吐出領域から前記処理容器内に導入されることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の処理方法。
- 前記希釈ガスは、前記処理容器内の被処理基板の上方の被処理基板の外側に対応する位置に設けられた希釈ガス吐出領域から前記処理容器内に導入されることを特徴とする請求項5に記載の処理方法。
- 前記希釈ガスの導入に先立って、前記希釈ガス吐出領域および前記処理ガス吐出領域から、前記希釈ガスおよび前記処理ガスを同時に前記処理容器内に導入し、前記処理容器内の圧力を前記第1の圧力よりも低い第3の圧力まで上昇させる工程をさらに有することを特徴とする請求項6に記載の処理方法。
- コンピュータ上で動作し、処理装置を制御するプログラムが記憶された記憶媒体であって、前記プログラムは、実行時に、請求項1から請求項7のいずれかの処理方法が行われるように、コンピュータに前記処理装置を制御させることを特徴とする記憶媒体。
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