JP2010271079A - 圧力センサモジュール及び圧力センサパッケージ、並びにこれらの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明に係る圧力センサモジュール20A(20)は、第一基板3と第二基板4とを重ねてなる基体2、該基体内の重なり面において、その中央域の内部に配された空間部5、前記空間部上に位置し、前記第一基板の薄板化された領域からなるダイアフラム部6、前記ダイアフラム部に配された感圧素子7、及び、前記第一基板の前記ダイアフラム部を除いた外周域に配され、前記感圧素子と電気的に接続された導電部8、を少なくとも有する圧力センサ10A(10)と、前記第二基板に配された、前記圧力センサの制御用集積回路と、を少なくとも備えたことを特徴とする。
【選択図】図1
Description
図10は、樹脂による圧力センサパッケージ110の構造例である。この例では、樹脂板等からなり、圧力導入孔111aを有する筐体111を備え、該筐体111内部に形成される空間の中に、前記圧力センサ100が絶縁材料からなる支持基板112上に配され、金線などを用いたワイヤーボンド113により、圧力センサ100の電極部106と筐体111に設けられた金属リード114とが電気的に接続される。図10(a)は絶対圧型圧力センサの構成例であり、図10(b)は相対圧型圧力センサの構成例である。
そこで、前記の特徴をもつ感圧素子を形成した半導体基板(以下、「圧力センサ本体」と呼称)に加えて、該感圧素子からの電気信号を補償するために、半導体の集積回路が接続されることがある。
本発明は、圧力センサ制御用の集積回路を備えた圧力センサパッケージにおいて、チップサイズに小型化することが可能な圧力センサパッケージを提供することを第二の目的とする。
本発明は、圧力センサ制御用の集積回路を備え、チップサイズに小型化することが可能な圧力センサモジュールを、簡便な方法で得ることが可能な圧力センサモジュールの製造方法を提供することを第三の目的とする。
本発明は、圧力センサ制御用の集積回路を備え、チップサイズに小型化することが可能な圧力センサパッケージを、簡便な方法で得ることが可能な圧力センサパッケージの製造方法を提供することを第四の目的とする。
本発明の請求項2に記載の圧力センサモジュールは、請求項1において、前記第二基板の外面からなる前記基体の他面に、前記圧力センサの制御用集積回路が配されたことを特徴とする。
本発明の請求項3に記載の圧力センサモジュールは、請求項1において、前記第二基板の内面からなる前記空間部に接する面に、前記圧力センサの制御用集積回路が配されたことを特徴とする。
本発明の請求項4に記載の圧力センサモジュールは、請求項1乃至請求項3のいずれかにおいて、前記第一基板の中央域に配された凹部により、前記空間部が構成されていることを特徴とする。
本発明の請求項5に記載の圧力センサパッケージは、請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の圧力センサモジュールと、前記基体の外周域において、一端が該基体の導電部と電気的に接続し、他端が前記第二基板の外面からなる前記基体の他面に露呈するように、前記基体を貫通してなる貫通配線部と、前記貫通配線部の他端と電気的に接続されたバンプと、を少なくとも備えたことを特徴とする。
本発明の請求項7に記載の圧力センサモジュールの製造方法は、第一基板と第二基板とを重ねてなる基体、該基体内の重なり面において、その中央域の内部に前記第一基板と略平行に配された空間部、前記空間部上に位置し、前記第一基板の薄板化された領域からなるダイアフラム部、前記ダイアフラム部に配された感圧素子、及び、前記第一基板の前記ダイアフラム部を除いた外周域に配され、前記感圧素子と電気的に接続された導電部、を少なくとも有する圧力センサと、前記第二基板に配された前記圧力センサの制御用集積回路と、を少なくとも備えた圧力センサモジュールの製造方法であって、前記第二基板の内面からなる前記空間部に接する面に、前記制御用集積回路が形成されてなる第二基板を用いることを特徴とする。
本発明の請求項8に記載の圧力センサモジュールの製造方法は、請求項6又は7において、外面に前記感圧素子が形成された前記第一基板に、内面側から凹部を形成する工程Aと、前記制御用集積回路が形成された前記第二基板を、内面側を前記凹部と対向させて前記第一基板に張り合わせる工程Bと、前記圧力センサと、前記制御用集積回路とを電気的に接続する工程Cと、を順に有することを特徴とする。
本発明の請求項9に記載の圧力センサパッケージの製造方法は、請求項6乃至請求項8のいずれかに記載の圧力センサモジュールの製造工程と、前記制御用集積回路と個別に電気的に接続されるバンプを形成する工程Gを、さらに有することを特徴とする。
また、本発明では、基体を構成する第一基板に感圧素子が配されて圧力センサを構成し、該基体を構成する第二基板に前記圧力センサの制御用集積回路が配されることで、小面積の圧力センサのチップサイズで構成された圧力センサモジュールを備えている。これにより本発明では、従来よりも、小型で補償機能を備えた圧力センサパッケージを提供することができる。
また本発明では、基体を構成する第一基板に感圧素子が配されて構成された圧力センサと、該基体を構成する第二基板に前記圧力センサの制御用集積回路とを備えた圧力センサモジュールの製造方法において、前記基体を構成する第二基板に、制御用集積回路が形成されてなる第二基板を用いている。これにより本発明では、圧力センサ制御用の集積回路を備え、チップサイズに小型化された圧力センサモジュールを、簡便な方法で得ることが可能な圧力センサモジュールの製造方法を提供することができる。
また本発明では、基体を構成する第一基板に感圧素子が配されて構成された圧力センサと、該基体を構成する第二基板に前記圧力センサの制御用集積回路とを備えた圧力センサパッケージの製造方法において、前記基体を構成する第二基板に、制御用集積回路が形成されてなる第二基板を用いている。さらに、バンプ形成技術を組み合わせてパッケージ化している。これにより本発明では、圧力センサ制御用の集積回路を備え、チップサイズに小型化された圧力センサパッケージを、簡便な方法で得ることが可能な圧力センサパッケージの製造方法を提供することができる。
図1は、本発明の圧力センサパッケージの一構成例を模式的に示す断面図である。
この圧力センサパッケージ1A(1)は圧力センサモジュール20A(20)を備え、該圧力センサモジュール20A(20)は、第一基板3と第二基板4とを重ねてなる基体2、該基体2内の重なり面において、その中央域の内部に前記第一基板3に配された空間部5、前記空間部5上に位置し、前記第一基板3の薄板化された領域からなるダイアフラム部6(「感圧部」とも呼ぶ)、前記ダイアフラム部6に配された感圧素子7である4つのp型抵抗体(ピエゾ抵抗素子)R1〜R4(図ではR1,R2の2つのみ記載)、及び、前記第一基板3の外面3bからなる前記基体2の一面2aにおいて、前記ダイアフラム部6を除いた外周域に配され、前記感圧素子7と電気的に接続された導電部8、を少なくとも有する圧力センサ10A(10)と、前記第二基板4の外面4bからなる前記基体2の他面2bに配された、前記圧力センサ10A(10)の制御用集積回路と、を少なくとも備えてなる。
この圧力センサモジュール20A(20)を構成する圧力センサ10A(10)において、前記第一基板3の中央域に配された凹部3aにより、前記空間部5が構成されている。
これにより、基体2を外から見た場合に、その外縁域と中央域とがほぼ同じ厚さをもつ構成とすることができる。
絶縁部は、感圧素子7の外気との接触を遮断するため、感圧素子7の耐食性を向上させるとともに、感圧素子7が空間部5(圧力基準室)を介さずに、直接、外部から受ける機械的な影響による圧力センサ10の特性変動を抑制する効果も奏する。
貫通配線部11の一端部は、基体2の一面2aにおいて導電部8と電気的に接続し、他端部は、他面2bにおいて、前記圧力センサ10の制御用集積回路の電極部14と電気的に接続されている。これにより、圧力センサ10と前記圧力センサ10の制御用集積回路とが、電気的に接続される。
本発明の圧力センサモジュールの製造方法は、第一基板3と第二基板4とを重ねてなる基体2、該基体2内の重なり面において、その中央域の内部に前記第一基板3と略平行に配された空間部5、前記空間部5上に位置し、前記第一基板3の薄板化された領域からなるダイアフラム部6、前記ダイアフラム部6に配された感圧素子7、及び、前記第一基板3の外面3bからなる前記基体2の一面2aにおいて、前記ダイアフラム部6を除いた外周域に配され、前記感圧素子7と電気的に接続された導電部8、を少なくとも有する圧力センサ10と、前記第二基板4に配された前記圧力センサ10の制御用集積回路と、を少なくとも備えた圧力センサモジュール20の製造方法であって、前記第二基板4の外面4bからなる前記基体の他面2bに、前記制御用集積回路が形成されてなる第二基板4を用いることを特徴とする。
本発明では、バンプ形成技術を組み合わせてパッケージ化している。これにより本発明では、圧力センサ制御用の集積回路を備え、チップサイズに小型化された圧力センサパッケージを、簡便な方法で得ることができる。
以下、工程順に図を用いて詳しく説明する。
(1)まず、図2(a)に示すように、外面3bに前記感圧素子7が形成された前記第一基板3を用意し、第一基板3の内面3cにおいて、中央域に第一凹部3aを形成する(工程A)。
この第一基板3は、例えばシリコンなどの半導体からなり、基体2の一面2aをなす外面3bにおいて中央域には、感圧素子7、さらに外周部には該感圧素子7と電気的に接続する導電部8が予め形成されている。このとき、感圧素子7がホイットストーンブリッジを構成するように形成される。
なお、これらの凹部3aを形成する方法はこれに限定されるものではなく、酸やアルカリ等の溶液を用いたウェットエッチング、サンドブラスト、レーザ等の物理的加工も可能である。
この第二基板4には、基体2の他面2bをなす外面4bに、前記圧力センサ10の制御用集積回路が、予め形成されている。
当該第一基板3及び第二基板4にシリコン単結晶を用いる場合、第一基板3と第二基板4の表面を熱酸化法などにより酸化した後、第一基板3と第二基板4の酸化膜を形成した面同士を接触させて熱処理することにより、基板を接合する方法が知られている。また、第一基板3と第二基板4の自然酸化膜を除去し疎水性にするために水素終端化処理を施し、水素終端化処理を施した第一基板3と第二基板4の表面を接触させて、分子間力による結合後に酸素を含む雰囲気で熱処理し、水素を基板表面から脱離させると同時にシリコン間の結合を形成することにより、半導体基板を接合する方法が知られる。
本実施形態では、前記のどの手法の基板張り合わせ技術を利用しても、密閉空間を作製することは可能である。
このように、凹部3aを形成した第一基板3と、制御用集積回路を形成した第二基板4を当該基板張り合わせ技術を利用して張り合わせることにより、感圧素子7と制御用集積回路が対向する面に形成された圧力センサモジュール20が得られる。
(3)まず、図2(c)に示すように、圧力センサ10における導電部8の裏面に接続するように貫通孔12を形成する。
詳しくは、図2(c)に示すように、第一基板3のダイアフラム部6の外周部で、感圧素子7に通電するための導電部8の近傍であり、かつ、制御用集積回路の電流導入部の近傍に、圧力センサ本体と制御用集積回路を電気的に接続するための貫通孔12を形成する。
貫通孔12は、例えばDRIE法(Boschプロセス)によりエッチングすることで形成することができる。なお、貫通孔12を形成する方法はこれに限定されるものではなく、レーザ等の物理的加工も可能である。
絶縁部としては、例えばSiO2をプラズマCVDにより1μm成膜することで形成できる。この絶縁部としてはSiO2に限定されるものではなく、SiNや樹脂等の他の絶縁材料であっても良い。また、製法もその他スパッタ、スピンコート等が利用できる。
この導電性物質13としては、例えばCuとし、めっきにより貫通孔12内に充填することができる。なお、導電性物質13はこれに限定されず、他の金属材料や半田等の合金とすることもできる。また、充填方法もCVDやスパッタを利用することができる。さらに、貫通孔12に充填する導電性物質13は、基体2の両面における電気的な接続を形成することが目的なので、当該貫通孔12内に空間がなくなるように完全に充填する必要はない。
第二基板4の外面4bからなる基体2の他面2bにおいて、貫通配線部11と電気的に接続するように、制御用集積回路の電極部14を形成する。
貫通配線部11の一端部は、導電部8と電気的に接続し、他端部は、他面2bにおいて、制御用集積回路の電極部14と電気的に接続され、これにより圧力センサ10と制御用集積回路とが、電気的に接続される。
制御用集積回路と個別に電気的に接続するように、それぞれバンプ21を形成する。
バンプ21は、例えばSn−Ag−Cu系からなる半田ボールを搭載して形成することができる。なお、半田ボールは、電極パッド等の導電部上に直接搭載することもできるし、一度再配線層を形成しておき、導電部とは別の場所で当該再配線層と電気的に接続するように搭載することもできる。
また、本発明では、バンプ21はこれに限定されるものではなく、他の組成の半田や、他の金属からなる半田、またCuやAuなどからなるバンプを用いることができ、作製法も、半田ペーストを用いた印刷法やメッキ法、ワイヤによるスタッドバンプ等が適用可能である。
これにより、図1に示す圧力センサパッケージ1A(1)が作製される。
基体2の内部を貫通する貫通配線部11を利用してバンプ21を形成することによって、ダイアフラム部6の対向面側に電気配線を引き出すことにより、バンプ21のみで、圧力センサ10と電子部品の実装用基板に電気的に接合することができるため、高密度の実装が可能になる。
図5は、本発明の圧力センサパッケージの一構成例を模式的に示す断面図である。
この圧力センサパッケージ1C(1)は圧力センサモジュール20C(20)を備え、該圧力センサモジュール20C(20)は、第一基板3と第二基板4とを重ねてなる基体2、該基体2内の重なり面において、その中央域の内部に前記第一基板3に配された空間部5、前記空間部5上に位置し、前記第一基板3の薄板化された領域からなるダイアフラム部6(「感圧部」とも呼ぶ)、前記ダイアフラム部6に配された感圧素子7である4つのp型抵抗体(ピエゾ抵抗素子)R1〜R4(図ではR1,R2の2つのみ記載)、及び、前記第一基板3の外面3bからなる前記基体2の一面2aにおいて、前記ダイアフラム部6を除いた外周域に配され、前記感圧素子7と電気的に接続された導電部8、を少なくとも有する圧力センサ10C(10)と、前記第二基板4の内面4cからなる前記空間部5に接する面に配された、前記圧力センサ10C(10)の制御用集積回路と、を少なくとも備えてなる。
この圧力センサモジュール20C(20)を構成する圧力センサ10C(10)において、前記第一基板3の中央域に配された凹部3aにより、前記空間部5が構成されている。
これにより、基体2を外から見た場合に、その外縁域と中央域とがほぼ同じ厚さをもつ構成とすることができる。
絶縁部は、感圧素子7の外気との接触を遮断するため、感圧素子7の耐食性を向上させるとともに、感圧素子7が空間部5(圧力基準室)を介さずに、直接、外部から受ける機械的な影響による圧力センサ10の特性変動を抑制する効果も奏する。
貫通配線部11の一端部は、基体2の一面2aにおいて導電部8と電気的に接続し、他端部は、他面2bにおいて導電部14と電気的に接続されている。
また、貫通配線部11とは異なる第一貫通配線部24、第二貫通配線部27は、それぞれ第二基板4の空間部5と重なる領域を貫通して、空間部5に通じるように設けられている。このとき、該第二貫通配線部27は、該貫通配線部11に対して該第一貫通配線部24よりも離れて設けられている。
導電部14は、第二基板4を貫通して配された第一貫通配線部24の一端と電気的に接続されており、第一貫通配線部24の他端は、第二基板4の内面4cからなる空間部5に接する面において、前記圧力センサ10の制御用集積回路の電極部28と電気的に接続されている。これにより、圧力センサ10と前記圧力センサ10の制御用集積回路とが、電気的に接続される。
本発明の圧力センサモジュールの製造方法は、第一基板3と第二基板4とを重ねてなる基体2、該基体2内の重なり面において、その中央域の内部に前記第一基板3と略平行に配された空間部5、前記空間部5上に位置し、前記第一基板3の薄板化された領域からなるダイアフラム部6、前記ダイアフラム部6に配された感圧素子7、及び、前記第一基板3の外面3bからなる前記基体2の一面2aにおいて、前記ダイアフラム部6を除いた外周域に配され、前記感圧素子7と電気的に接続された導電部8、を少なくとも有する圧力センサ10と、前記第二基板4に配された前記圧力センサ10の制御用集積回路と、を少なくとも備えた圧力センサモジュール20の製造方法であって、前記第二基板4の内面4cからなる前記空間部5に接する面に、前記制御用集積回路が形成されてなる第二基板4を用いることを特徴とする。
本発明では、バンプ形成技術を組み合わせてパッケージ化している。これにより本発明では、圧力センサ制御用の集積回路を備え、チップサイズに小型化された圧力センサパッケージを、簡便な方法で得ることができる。
以下、工程順に図を用いて詳しく説明する。
(1)まず、図6(a)に示すように、外面3bに前記感圧素子7が形成された前記第一基板3を用意し、第一基板3の内面3cにおいて、中央域に第一凹部3aを形成する(工程A)。
この第一基板3は、例えばシリコンなどの半導体からなり、基体2の一面2aをなす外面3bにおいて中央域には、感圧素子7、さらに外周部には該感圧素子7と電気的に接続する導電部8が予め形成されている。このとき、感圧素子7がホイットストーンブリッジを構成するように形成される。
なお、これらの凹部3aを形成する方法はこれに限定されるものではなく、酸やアルカリ等の溶液を用いたウェットエッチング、サンドブラスト、レーザ等の物理的加工も可能である。
この第二基板4には、基体2を構成する第二基板4の内面4cからなる前記空間部5に接する面に、前記圧力センサ10の制御用集積回路が、予め形成されている。また、電極部28及び29は、それぞれ第一貫通配線部24及び第二貫通配線部27が形成される位置に、予め形成されている。
当該第一基板3及び第二基板4にシリコン単結晶を用いる場合、第一基板3と第二基板4の表面を熱酸化法などにより酸化した後、第一基板3と第二基板4の酸化膜を形成した面同士を接触させて熱処理することにより、基板を接合する方法が知られている。また、第一基板3と第二基板4の自然酸化膜を除去し疎水性にするために水素終端化処理を施し、水素終端化処理を施した第一基板3と第二基板4の表面を接触させて、分子間力による結合後に酸素を含む雰囲気で熱処理し、水素を基板表面から脱離させると同時にシリコン間の結合を形成することにより、半導体基板を接合する方法が知られる。
本実施形態では、前記のどの手法の基板張り合わせ技術を利用しても、密閉空間を作製することは可能である。
このように、凹部3aを形成した第一基板3と、制御用集積回路を形成した第二基板4を当該基板張り合わせ技術を利用して張り合わせることにより、制御用集積回路が、圧力センサ10の内部に形成された圧力センサモジュール20が得られる。
(3)まず、図6(c)に示すように、圧力センサ10における導電部8の裏面に接続するように貫通孔12を形成する。また、前記内面4cの電極部28及び29の裏面に接続するように貫通孔22及び25をそれぞれ形成する。
詳しくは、図6(c)に示すように、第一基板3のダイアフラム部6の外周部で、感圧素子7に通電するための導電部8の近傍に貫通孔12を形成する。また、圧力センサの制御用集積回路の電流導入部に形成された電極部28、及び圧力センサの制御用集積回路の電流導出部に形成された電極部29の近傍に、ぞれぞれ貫通孔22及び25を形成する。
貫通孔12、22、及び25は、例えばDRIE法(Boschプロセス)によりエッチングすることで形成することができる。なお、貫通孔12、22、及び25を形成する方法はこれに限定されるものではなく、レーザ等の物理的加工も可能である。
絶縁部としては、例えばSiO2をプラズマCVDにより1μm成膜することで形成できる。この絶縁部としてはSiO2に限定されるものではなく、SiNや樹脂等の他の絶縁材料であっても良い。また、製法もその他スパッタ、スピンコート等が利用できる。
この導電性物質13、23、及び26としては、例えばCuとし、めっきにより貫通孔12、22、及び25内に充填することができる。なお、導電性物質13、23、及び26はこれに限定されず、他の金属材料や半田等の合金とすることもできる。また、充填方法もCVDやスパッタを利用することができる。さらに、貫通孔12、22、及び25に充填する導電性物質13、23、及び26は、基体2の両面における電気的な接続、及び第二基板4の両面における電気的な接続を形成することが目的なので、当該貫通孔12、22、及び25内に空間がなくなるように完全に充填する必要はない。
第二基板4の外面4bからなる基体2の他面2bにおいて、貫通配線部11と第一貫通配線部24とが電気的に接続するように、導電部14を形成する。
貫通配線部11の一端部は、導電部8と電気的に接続し、他端部は、他面2bにおいて、導電部14と電気的に接続される。また、第一貫通配線部24の一端部は、他面2bにおいて導電部14と電気的に接続し、他端部は、内面4cにおいて電極部28と電気的に接続される。これにより圧力センサ10と制御用集積回路とが、電気的に接続される。
制御用集積回路と個別に電気的に接続するように、それぞれバンプ21を形成する。
バンプ21は、例えばSn−Ag−Cu系からなる半田ボールを搭載して形成することができる。なお、半田ボールは、外面4bにおいて、第二貫通配線部27上に直接搭載することもできるし、一度再配線層を形成しておき、第二貫通配線部27とは別の場所で当該再配線層と電気的に接続するように搭載することもできる。
また、本発明では、バンプ21はこれに限定されるものではなく、他の組成の半田や、他の金属からなる半田、またCuやAuなどからなるバンプを用いることができ、作製法も、半田ペーストを用いた印刷法やメッキ法、ワイヤによるスタッドバンプ等が適用可能である。
これにより、図5に示す圧力センサパッケージ1C(1)が作製される。
基体2の内部を貫通する貫通配線部11、並びに第二基板を貫通する第一貫通配線部24及び第二貫通配線部27を利用してバンプ21を形成することによって、ダイアフラム部6の対向面側に電気配線を引き出すことにより、バンプ21のみで、圧力センサ10と電子部品の実装用基板に電気的に接合することができるため、高密度の実装が可能になる
例えば、ストレンゲージとして機能するp型抵抗体の配置および数に関しては、種々の変形例が考えられ、要は、ダイアフラム部(感圧部)の圧力歪を検出できれば、その配置や数はいかなるものでも構わない。
Claims (9)
- 第一基板と第二基板とを重ねてなる基体、
該基体内の重なり面において、その中央域の内部に配された空間部、
前記空間部上に位置し、前記第一基板の薄板化された領域からなるダイアフラム部、
前記ダイアフラム部に配された感圧素子、及び、
前記第一基板の前記ダイアフラム部を除いた外周域に配され、前記感圧素子と電気的に接続された導電部、を少なくとも有する圧力センサと、
前記第二基板に配された、前記圧力センサの制御用集積回路と、を少なくとも備えたことを特徴とする圧力センサモジュール。 - 前記第二基板の外面からなる前記基体の他面に、前記圧力センサの制御用集積回路が配されたことを特徴とする請求項1に記載の圧力センサモジュール。
- 前記第二基板の内面からなる前記空間部に接する面に、前記圧力センサの制御用集積回路が配されたことを特徴とする請求項1に記載の圧力センサモジュール。
- 前記第一基板の中央域に配された凹部により、前記空間部が構成されていることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の圧力センサモジュール。
- 請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の圧力センサモジュールと、
前記基体の外周域において、一端が該基体の導電部と電気的に接続し、他端が前記第二基板の外面からなる前記基体の他面に露呈するように、前記基体を貫通してなる貫通配線部と、
前記貫通配線部の他端と電気的に接続されたバンプと、を少なくとも備えたことを特徴とする圧力センサパッケージ。 - 第一基板と第二基板とを重ねてなる基体、
該基体内の重なり面において、その中央域の内部に前記第一基板と略平行に配された空間部、
前記空間部上に位置し、前記第一基板の薄板化された領域からなるダイアフラム部、
前記ダイアフラム部に配された感圧素子、及び、
前記第一基板の前記ダイアフラム部を除いた外周域に配され、前記感圧素子と電気的に接続された導電部、を少なくとも有する圧力センサと、
前記第二基板に配された前記圧力センサの制御用集積回路と、を少なくとも備えた圧力センサモジュールの製造方法であって、
前記第二基板の外面からなる前記基体の他面に、前記制御用集積回路が形成されてなる第二基板を用いることを特徴とする圧力センサモジュールの製造方法。 - 第一基板と第二基板とを重ねてなる基体、
該基体内の重なり面において、その中央域の内部に前記第一基板と略平行に配された空間部、
前記空間部上に位置し、前記第一基板の薄板化された領域からなるダイアフラム部、
前記ダイアフラム部に配された感圧素子、及び、
前記第一基板の前記ダイアフラム部を除いた外周域に配され、前記感圧素子と電気的に接続された導電部、を少なくとも有する圧力センサと、
前記第二基板に配された前記圧力センサの制御用集積回路と、を少なくとも備えた圧力センサモジュールの製造方法であって、
前記第二基板の内面からなる前記空間部に接する面に、前記制御用集積回路が形成されてなる第二基板を用いることを特徴とする圧力センサモジュールの製造方法。 - 外面に前記感圧素子が形成された前記第一基板に、内面側から凹部を形成する工程Aと、
前記制御用集積回路が形成された前記第二基板を、内面側を前記凹部と対向させて前記第一基板に張り合わせる工程Bと、
前記圧力センサと、前記制御用集積回路とを電気的に接続する工程Cと、を順に有することを特徴とする請求項6又は7に記載の圧力センサモジュールの製造方法。 - 前記請求項6乃至請求項8のいずれかに記載の圧力センサモジュールの製造工程と、
前記制御用集積回路と個別に電気的に接続されるバンプを形成する工程Gを、さらに有することを特徴とする圧力センサパッケージの製造方法。
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