JP2010251791A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明の半導体装置は、半導体チップ10Aと、前記半導体チップ10Aの表面上に第1の絶縁膜11を介して形成されたパッド電極12と、前記パッド電極12の一部上及び前記第1の絶縁膜11上に形成され、かつ前記パッド電極12を露出する開口部14を有した第2の絶縁膜13と、前記開口部14を通して前記パッド電極12と電気的に接続されて前記第2の絶縁膜11の一部上に延びる第1の配線層15と、前記パッド電極12を介して前記開口部14に対峙し、前記半導体チップ10Aの裏面から当該パッド電極12に到達し、かつ前記開口部14と実質的に同等の開口径を有するビアホール16と、前記ビアホール16内に形成され、かつ当該ビアホール16を通して前記パッド電極12と電気的に接続された貫通電極20と、を備えることを特徴とする。
【選択図】 図13
Description
Claims (11)
- 半導体チップと、
前記半導体チップの表面上に第1の絶縁膜を介して形成されたパッド電極と、
前記パッド電極の一部上及び前記第1の絶縁膜上に形成され、かつ前記パッド電極を露出する開口部を有した第2の絶縁膜と、
前記開口部を通して前記パッド電極と電気的に接続されて前記第2の絶縁膜の一部上に延びる第1の配線層と、
前記パッド電極を介して前記開口部に対峙し、前記半導体チップの裏面から当該パッド電極に到達し、かつ前記開口部と実質的に同等の開口径を有するビアホールと、
前記ビアホール内に形成され、かつ当該ビアホールを通して前記パッド電極と電気的に接続された貫通電極と、を備えることを特徴とする半導体装置。 - 前記貫通電極と電気的に接続された前記半導体チップの裏面上に延びる第2の配線層と、
前記第2の配線層を含む前記半導体チップ上に、当該第2の配線層の一部上を露出するように形成された保護層と、を備えることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。 - 前記第2の配線層の一部上に導電端子を備えることを特徴とする請求項2記載の半導体装置。
- 前記第1の配線層はプローブピンを接触させるための電極であることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記開口部の開口径とビアホールの開口径とが実質的に同一であることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記開口部の開口径とビアホールの開口径とが前記パッド電極より大きいことを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 半導体基板の表面上に第1の絶縁膜を介してパッド電極を形成する工程と、
前記パッド電極を覆うようにして、当該パッド電極上及び当該第1の絶縁膜上に、第2の絶縁膜を形成する工程と、
前記第2の絶縁膜の一部をエッチングして、前記パッド電極を露出する開口部を形成する工程と、
前記開口部内及び前記第2の絶縁膜の一部上に、当該開口部を通して前記パッド電極と電気的に接続された第1の配線層を形成する工程と、
前記パッド電極を介して前記開口部に対峙し、前記半導体基板の裏面から当該パッド電極に到達し、かつ前記開口部と実質的に同等の開口径を有するビアホールを形成する工程と、
前記ビアホールを通して前記パッド電極と電気的に接続された貫通電極を形成する工程と、
前記半導体基板を複数の半導体チップに切断分離する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記貫通電極と電気的に接続された前記半導体基板の裏面上に延びる第2の配線層を形成する工程と、
前記第2の配線層を含む前記半導体基板上に、当該第2の配線層の一部上を露出するようにして保護層を形成する工程と、を有することを特徴とする請求項7記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第2の配線層の一部上に導電端子を形成する工程を有することを特徴とする請求項8記載の半導体装置の製造方法。
- 前記開口部の開口径とビアホールの開口径とが実質的に同一となるように形成されていることを特徴とする請求項7乃至請求項9のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記開口部の開口径とビアホールの開口径とが前記パッド電極より大きくなるように形成されていることを特徴とする請求項7乃至請求項10のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
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