JP2010251388A - 固体撮像装置の製造方法、固体撮像装置、および電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体基板1における表面に凹部23を形成し、凹部23の底面からの不純物導入により凹部23の下方にn型不純物領域19rを形成する。その後、凹部23内にn型不純物領域19rに接する状態で選択的にn型半導体層35を形成し、n型不純物領域19rとn型半導体層35とからなる光電変換部を形成する。
【選択図】図5
Description
1.第1実施形態(赤色の受光領域のみに凹部を設ける例)
2.第2実施形態(各色の受光領域に異なる深さの凹部を設ける例)
3.第3実施形態(固体撮像装置を用いた電子機器の構成例)
尚、第1実施形態および第2実施形態においては、CMOSイメージセンサー等の固体撮像装置の製造方法を説明し、次いで得られた固体撮像装置の構成を説明する。また、n型を第1導電型としp型を第2導電型として説明を行うが、導電型は逆であっても良い。
図1〜図6は、本発明の第1実施形態を説明する工程図であり、以下これらの図に基づいて第1実施形態の固体撮像装置の製造方法を説明する。尚、図面においては赤色の受光画素Rと、緑色または青色の受光画素G,Bとの2画素分の断面図を示している。
図7〜図11は、本発明の第2実施形態を説明する工程図であり、以下これらの図に基づいて第2実施形態の固体撮像装置の製造方法を説明する。ここで説明する製造方法は、第1実施形態の方法を適用して各色の画素に凹部の深さが異なる複数の光電変換部が設けられた構成の固体撮像装置を形成する方法である。尚、図面においては赤色の受光画素R、緑色の受光画素G、および青色の受光画素Bとの3画素分の断面図を示している。
図12には、本発明の第3実施形態として、上述した固体撮像装置を設けた電子機器の構成図を示す。
Claims (15)
- 半導体基板における表面に凹部を形成する第1工程と、
前記凹部の底面からの不純物導入により当該凹部の下方に選択的に第1導電型の不純物領域を形成する第2工程と、
前記凹部内に半導体層を形成する第3工程とを行い、
前記不純物領域と前記半導体層とからなる光電変換部を形成する
固体撮像装置の製造方法。 - 前記第3工程では、少なくとも前記不純物領域に接する部分に第1導電型の不純物を含有させる状態で前記半導体層を形成する
請求項1記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記第3工程の後、少なくとも前記不純物領域に接する部分の前記半導体層に第1導電型の不純物を導入する工程を行なう
請求項1記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記第3工程では、前記半導体基板の表面高さにまで前記半導体層を形成する
請求項1〜3の何れかに記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記半導体層の表面層を第2導電型として形成する
請求項1〜4の何れかに記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記第3工程では、単結晶シリコンからなる前記半導体基板の凹部内に、前記半導体層として結晶性シリコンまたは結晶性シリコン−ゲルマニウムを形成する
請求項1〜5の何れかに記載の固体撮像装置の製造方法。 - 表面に凹部を有する半導体基板と、
前記凹部の底面から下方における前記半導体基板に設けられた第1導電型の不純物領域と、
前記凹部内に設けられた第1導電型の半導体層とを備え、
前記不純物領域と前記半導体層とで光電変換部が構成された
固体撮像装置。 - 前記半導体層の表面と前記半導体基板との表面とが同一高さである
請求項7に記載の固体撮像装置。 - 前記半導体層は、表面層が第2導電型である
請求項7または8に記載の固体撮像装置。 - 前記半導体基板は単結晶シリコンからなり、
前記半導体層は、結晶性シリコンまたは結晶性シリコン−ゲルマニウムからなる
請求項7〜9の何れかに記載の固体撮像装置。 - 前記光電変換部と共に、前記半導体基板の表面側に第1導電型の不純物領域のみからなる光電変換部が設けられた
請求項7〜10の何れかに記載の固体撮像装置。 - 前記不純物領域と前記半導体層とで構成された光電変換部は、前記不純物領域のみからなる光電変換部よりも長波長光の受光用として設けられた
請求項11に記載の固体撮像装置。 - 前記凹部の深さが異なる複数の光電変換部が設けられた、
請求項7〜10の何れかに記載の固体撮像装置。 - 前記光電変換部のうち長波長光の受光用ほど前記凹部の深さが大きい
請求項13に記載の固体撮像装置。 - 表面に凹部を有する半導体基板と、
前記凹部の底面から下方における前記半導体基板に設けられた第1導電型の不純物領域と、
前記凹部内に設けられた第1導電型の半導体層とを備え、
前記不純物領域と前記半導体層とで光電変換部が構成された固体撮像装置を有する
電子機器。
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