JP2010245478A - Plasma processing apparatus - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To improve the productivity and maintain uniformity of plasma processing, in a plasma processing apparatus provided with a plurality of shower electrodes. <P>SOLUTION: Plasma chambers 21 and 22 are provided with the plurality of shower electrodes 6 by making gaps 8. A tray 5, in which a plurality of substrates 4 are arranged at equal intervals, is conveyed between the shower electrodes 6 and a lower part electrode 7. At the start of film formation, the tray 5 is positioned so that the substrates 4 are right below the gaps 8 between the adjacent shower electrodes 6. During the film formation, the tray 5 moves in the direction of forward movement at a conveyance speed corresponding to the size of the gaps 8. The tray 5 moves by a distance shorter than the length of the substrates 4. During the period, thin films are formed on the substrates 4, areas, which are influenced by intense plasma discharges generated right below the gaps 8 between the shower electrodes 7, move on the substrates 4, and thereby, variation in thick film is reduced. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、太陽電池セル等の半導体デバイス製造において使用される、プラズマ処理によって基板に成膜するプラズマ処理装置に関する。   The present invention relates to a plasma processing apparatus for forming a film on a substrate by plasma processing, which is used in manufacturing semiconductor devices such as solar cells.

結晶シリコン太陽電池セルの製造工程において、エッチング処理、拡散剤塗布、拡散層形成、反射防止膜形成、裏面電極形成、表面電極形成などの処理をシリコンウエハに施す。反射防止膜をウエハに成膜する際には、プラズマ処理が必須となっているが、生産能力の向上、コスト削減のために、複数の基板を同時に処理するバッチ式処理が主流となっている。プラズマ処理の均一性に重大な影響を及ぼす電極については、均一性の向上という点においては、一体型であることが望ましいが、１バッチあたりの基板枚数の増加に伴う電極面積の増大により大型化が必要となり、メンテナンス性という点で課題が多い。そこで、複数の電極を組み合わせて、ひとつの電極として機能させる分割型電極が用いられる。   In the manufacturing process of the crystalline silicon solar battery cell, the silicon wafer is subjected to processes such as etching, diffusing agent formation, diffusion layer formation, antireflection film formation, back electrode formation, and surface electrode formation. Plasma processing is indispensable when depositing an antireflection film on a wafer, but batch-type processing that processes multiple substrates simultaneously is the mainstream in order to improve production capacity and reduce costs. . The electrodes that have a significant effect on the uniformity of the plasma treatment are preferably integrated in terms of improvement in uniformity, but the size increases due to an increase in the electrode area as the number of substrates per batch increases. There are many problems in terms of maintainability. Therefore, a split type electrode is used in which a plurality of electrodes are combined to function as one electrode.

また、プラズマ処理を利用したプラズマ処理装置では、生産効率向上のため、プラズマ処理を行うのに適した温度まで基板の温度を高める予備加熱チャンバと、基板に対してプラズマ処理を行うプラズマチャンバを直列に連結し、上記両チャンバ間で基板を移動させて処理を行うインライン式の構成とされる。さらに、予備加熱チャンバにおける予備加熱を行うのに必要な時間が、プラズマチャンバにおけるプラズマ処理を行うのに必要な時間よりも短い場合、予備加熱チャンバに続けて複数のプラズマチャンバを直列に連結した構成とし、所望のプラズマ処理を複数のプラズマチャンバにおける処理の組合せで行う。これによって、装置設置面積当りの生産能力を向上させることができる。   In addition, in a plasma processing apparatus using plasma processing, in order to improve production efficiency, a preheating chamber for raising the temperature of the substrate to a temperature suitable for performing plasma processing and a plasma chamber for performing plasma processing on the substrate are connected in series. And an in-line configuration in which processing is performed by moving the substrate between the two chambers. Furthermore, when the time required for preheating in the preheating chamber is shorter than the time required for performing plasma processing in the plasma chamber, a configuration in which a plurality of plasma chambers are connected in series following the preheating chamber. And a desired plasma process is performed by a combination of processes in a plurality of plasma chambers. Thereby, the production capacity per apparatus installation area can be improved.

次に、複数の電極を備えたプラズマチャンバの構造を図７に示す。なお、連結された複数のプラズマチャンバの構造は同一である。   Next, the structure of a plasma chamber provided with a plurality of electrodes is shown in FIG. In addition, the structure of the connected several plasma chamber is the same.

プラズマチャンバ１は、入口に仕切弁２、出口に仕切弁３を備えている。処理対象の基板４を載置したトレイ５が入口から出口に向かってプラズマチャンバ１内を搬送される。トレイ５には、複数の基板４が間隔をあけてマトリックス状に並べられている。   The plasma chamber 1 includes a gate valve 2 at the inlet and a gate valve 3 at the outlet. A tray 5 on which a substrate 4 to be processed is placed is transported in the plasma chamber 1 from the inlet toward the outlet. A plurality of substrates 4 are arranged in a matrix on the tray 5 at intervals.

プラズマチャンバ１内に、シャワー電極６と下部電極７とが設けられる。シャワー電極６と下部電極７とは対向して配置される。シャワー電極６は３つ設けられ、それぞれ隙間８をあけて配置される。   A shower electrode 6 and a lower electrode 7 are provided in the plasma chamber 1. The shower electrode 6 and the lower electrode 7 are disposed to face each other. Three shower electrodes 6 are provided and arranged with a gap 8 therebetween.

各シャワー電極６は、中間板１０に保持され、中間板１０は上部電極板１１に取り付けられている。上部電極板１１は、高周波電源１２に接続されている。シャワー電極６は、中間板１０を介して上部電極板１１に電気的に接続される。下部電極７は、接地され、ヒータを内蔵している。   Each shower electrode 6 is held by an intermediate plate 10, and the intermediate plate 10 is attached to the upper electrode plate 11. The upper electrode plate 11 is connected to a high frequency power source 12. The shower electrode 6 is electrically connected to the upper electrode plate 11 through the intermediate plate 10. The lower electrode 7 is grounded and has a built-in heater.

シャワー電極６と下部電極７との間でトレイ５を搬送する搬送手段１３が設けられる。搬送手段１３は、例えばローラコンベヤとされ、入口から入ってきたトレイ５を下部電極７上まで搬送し、さらに下部電極７上からトレイ５を出口まで搬送する。入口から出口に向かう方向が進行方向とされる。   A conveying means 13 for conveying the tray 5 between the shower electrode 6 and the lower electrode 7 is provided. The transport means 13 is, for example, a roller conveyor, and transports the tray 5 that has entered from the inlet to the lower electrode 7, and further transports the tray 5 from the lower electrode 7 to the outlet. The direction from the entrance to the exit is the traveling direction.

プラズマ処理用ガスは、ボンベ等のガス供給源１４からガス供給配管１５を通って、上部電極板１１、中間板１０、シャワー電極６で囲まれた空間１６に供給される。シャワー電極６に、数百個のガス噴出孔が形成されており、供給されたガスは、ガス噴出孔を通じてプラズマチャンバ１内に放出される。   The plasma processing gas is supplied from a gas supply source 14 such as a cylinder through a gas supply pipe 15 to a space 16 surrounded by the upper electrode plate 11, the intermediate plate 10, and the shower electrode 6. Several hundred gas ejection holes are formed in the shower electrode 6, and the supplied gas is discharged into the plasma chamber 1 through the gas ejection holes.

プラズマチャンバ１は、ポンプ等の排気手段１７によって内部に放出されたプラズマ処理用ガスを排出できるようになっている。排気手段１７は、プラズマチャンバ１内の圧力が設定された値になるよう、排気の調整を行う。プラズマチャンバ１に装着された圧力計１８の出力に基づいて、図示しない制御装置は、設定された圧力になるように、排気手段１７の駆動を制御する。   The plasma chamber 1 can discharge the plasma processing gas discharged to the inside by an exhaust means 17 such as a pump. The exhaust means 17 adjusts exhaust so that the pressure in the plasma chamber 1 becomes a set value. Based on the output of the pressure gauge 18 attached to the plasma chamber 1, a control device (not shown) controls the driving of the exhaust means 17 so that the set pressure is obtained.

上記のプラズマ処理装置では、一体型のシャワー電極を使用せず、複数のシャワー電極が進行方向に沿って並べて配置される。このとき、隣り合うシャワー電極の間に隙間が必要になる。すなわち、プラズマチャンバの昇温は、下部電極に内蔵されたヒータへの通電により行われるが、昇温中もしくは昇温前後のシャワー電極、中間板および上部電極板の温度分布が一定でない。そのため、隣り合うシャワー電極の間に隙間を設けなければ、温度変化によりシャワー電極、中間板、上部電極板のいずれかに熱応力が加わって、変形を引き起こすことになる。この変形により、シャワー電極と下部電極との距離が変化して、正常なプラズマ処理を行えなくなる。そこで、隙間をあけることにより、他のシャワー電極の熱応力の影響を受けなくなり、シャワー電極の変形を防ぐことができる。   In the above plasma processing apparatus, a plurality of shower electrodes are arranged side by side along the traveling direction without using an integrated shower electrode. At this time, a gap is required between adjacent shower electrodes. That is, the plasma chamber is heated by energizing a heater built in the lower electrode, but the temperature distribution of the shower electrode, the intermediate plate, and the upper electrode plate during or before the temperature increase is not constant. Therefore, unless a gap is provided between adjacent shower electrodes, thermal stress is applied to any of the shower electrode, the intermediate plate, and the upper electrode plate due to temperature change, causing deformation. Due to this deformation, the distance between the shower electrode and the lower electrode changes, and normal plasma processing cannot be performed. Therefore, by providing a gap, the shower electrode is not affected by the thermal stress of the other shower electrode, and deformation of the shower electrode can be prevented.

ここで、プラズマ放電は、高周波電源に接続されたシャワー電極と、接地された下部電極との間で発生する。しかし、隙間周辺での放電は、他の部分よりも強くなり、不均一な放電が生じる。この不均一な放電が、対向する下部電極上のトレイに置かれた基板へのプラズマ処理に不均一をもたらす。プラズマ放電の分布も隙間の形状を反映した形となる。その結果、プラズマ処理により成膜したウエハの膜厚にばらつきが生じる。   Here, the plasma discharge is generated between the shower electrode connected to the high frequency power source and the grounded lower electrode. However, the discharge around the gap is stronger than the other parts, and non-uniform discharge occurs. This non-uniform discharge causes non-uniformity in the plasma treatment on the substrate placed in the tray on the opposing lower electrode. The plasma discharge distribution also reflects the shape of the gap. As a result, the film thickness of the wafer formed by plasma processing varies.

基板に対するプラズマ処理の均一化を図る方法としては、一体型のシャワー電極を使用する方法がある。一度に処理できる基板枚数を減らさないためには、大面積のシャワー電極を使用しなければならない。大面積のシャワー電極では、取り外しを人手で行うことが非常に困難となり、メンテナンス性に劣る。一度に処理できる基板枚数を減らせば、大面積のシャワー電極を使用する必要はなくなる。しかし、一度に処理できる枚数が減り、半導体デバイスの生産効率が低下する。   As a method for achieving uniform plasma processing on the substrate, there is a method using an integrated shower electrode. In order not to reduce the number of substrates that can be processed at one time, a large-area shower electrode must be used. With a shower electrode with a large area, it is very difficult to remove it manually, resulting in poor maintainability. If the number of substrates that can be processed at one time is reduced, there is no need to use a large-area shower electrode. However, the number of sheets that can be processed at a time decreases, and the production efficiency of the semiconductor device decreases.

すなわち、複数の電極を備えたプラズマ処理装置では、生産性およびメンテナンス性に優れているが、プラズマ処理の均一性を確保できない。一方、プラズマ処理の均一性を図るために一体型のシャワー電極にすると、生産性もしくはメンテナンス性を犠牲にせざるを得ないという問題があった。   That is, a plasma processing apparatus provided with a plurality of electrodes is excellent in productivity and maintainability, but cannot ensure uniformity of plasma processing. On the other hand, when an integrated shower electrode is used to achieve uniformity in plasma processing, there is a problem in that productivity or maintainability must be sacrificed.

成膜処理によるプラズマ処理の均一性を向上させる技術が、例えば特許文献１に開示されている。プラズマＣＶＤ装置において、成膜中、基板ホルダを水平方向に往復移動させることにより、ガス供給条件に関係なく、膜の堆積量の違いを無くし、均一な厚さで膜を堆積することが記載されている。   For example, Patent Document 1 discloses a technique for improving the uniformity of plasma processing by film formation. In the plasma CVD apparatus, it is described that, by depositing the substrate holder back and forth in the horizontal direction during film formation, the difference in film deposition amount is eliminated regardless of the gas supply conditions, and the film is deposited with a uniform thickness. ing.

特開平６−２４８４６１号公報JP-A-6-248461

ところで、基板を載置したトレイが往復移動するとき、移動方向を変える際に減速して、一旦停止しなければならない。上記のプラズマＣＶＤ装置では、一体型のシャワー電極が用いられているが、複数のシャワー電極を用いた場合、トレイが往復移動しても、停止したときには、シャワー電極間の隙間の真下の位置がトレイに対して一定位置となる。その位置では、他の位置に比べて強いプラズマ放電にさらされる時間が長くなる。そのため、基板に形成される膜厚が他の箇所よりも厚くなり、均一な厚さに成膜することができない。   By the way, when the tray on which the substrate is placed reciprocates, it must decelerate and stop once when the moving direction is changed. In the above plasma CVD apparatus, an integrated shower electrode is used. However, when a plurality of shower electrodes are used, the position immediately below the gap between the shower electrodes when the tray stops even if the tray reciprocates. It becomes a fixed position with respect to the tray. At that position, the time of exposure to a strong plasma discharge is longer than at other positions. Therefore, the film thickness formed on the substrate becomes thicker than other portions, and it is impossible to form a film with a uniform thickness.

本発明は、上記に鑑み、複数のシャワー電極を用いて、生産性およびメンテナンス性とプラズマ処理の均一性とを両立できるプラズマ処理装置の提供を目的とする。   In view of the above, an object of the present invention is to provide a plasma processing apparatus that can achieve both productivity and maintainability and plasma processing uniformity using a plurality of shower electrodes.

本発明は、チャンバ内に、多数のガス噴出孔を有するシャワー電極と、下部電極とが対向して配置され、両電極の間で複数の基板を載置したトレイを搬送する搬送手段が設けられ、ガス噴出孔から反応ガスを供給して、シャワー電極と下部電極との間でプラズマを発生させて、基板上に薄膜を形成するプラズマ処理装置であって、複数のシャワー電極が隙間をあけて進行方向に沿って並べられ、搬送手段は、成膜中、隙間の大きさに応じた搬送速度でトレイを進行方向に移動させるものである。   According to the present invention, a shower electrode having a large number of gas ejection holes and a lower electrode are arranged in a chamber so as to face each other, and a transport means for transporting a tray on which a plurality of substrates are placed is provided between both electrodes. A plasma processing apparatus for forming a thin film on a substrate by supplying a reactive gas from a gas ejection hole and generating plasma between a shower electrode and a lower electrode, wherein a plurality of shower electrodes are spaced apart Arranged along the traveling direction, the transporting means moves the tray in the traveling direction at a transporting speed corresponding to the size of the gap during film formation.

シャワー電極間の隙間の影響によってプラズマ処理が不均一になる。この隙間に対して、成膜中に基板が停止していれば、基板の一部の領域が影響を集中的に受ける。そこで、成膜中にトレイを一方向に移動させることにより、隙間の影響が基板全体に分散してかかり、均一な成膜を行える。   The plasma treatment becomes non-uniform due to the influence of the gap between the shower electrodes. If the substrate is stopped during the film formation with respect to this gap, a part of the region of the substrate is affected intensively. Therefore, by moving the tray in one direction during film formation, the influence of the gap is dispersed over the entire substrate, and uniform film formation can be performed.

このとき、隙間の大きさに応じた搬送速度でトレイが移動する。隙間の大きさは基板の長さよりも小とされるが、隙間が基板に比して大きい場合、トレイの搬送速度は遅くされ、隙間が基板に比して小さい場合、トレイの搬送速度は速くされる。なお、成膜中のトレイの搬送速度は、トレイを搬送するときよりも遅い。   At this time, the tray moves at a conveyance speed corresponding to the size of the gap. The size of the gap is smaller than the length of the substrate, but if the gap is larger than the substrate, the tray transport speed is slowed down. If the gap is small compared to the substrate, the tray transport speed is faster. It will be lost. Note that the transport speed of the tray during film formation is slower than when transporting the tray.

このように搬送速度を制御することにより、特定の基板だけが隙間の影響を受けることになり、複数の基板に隙間の影響が及ぶことを防止できる。したがって、隙間の影響を最小限に抑えることができる。   By controlling the transport speed in this way, only a specific substrate is affected by the gap, and the influence of the gap on a plurality of substrates can be prevented. Therefore, the influence of the gap can be minimized.

トレイに、複数の基板が進行方向に沿って等間隔に並べられ、搬送手段は、成膜中に１つの基板の長さより短い距離だけトレイを移動させる。なお、成膜中の搬送速度は、隙間の大きさと基板の長さと成膜時間とによって決められる。成膜中、シャワー電極間の隙間は特定の基板だけに対向することになる。トレイが移動しても、その他の基板は隙間に対向せず、隙間の影響を受けない。   A plurality of substrates are arranged on the tray at equal intervals along the traveling direction, and the transport unit moves the tray by a distance shorter than the length of one substrate during film formation. Note that the conveyance speed during film formation is determined by the size of the gap, the length of the substrate, and the film formation time. During the film formation, the gap between the shower electrodes faces only a specific substrate. Even if the tray moves, the other substrates do not face the gap and are not affected by the gap.

成膜開始時に、シャワー電極間の隙間の真下に基板がくるように、トレイが位置決めされる。トレイが基板の長さより短い距離を移動して、成膜が終了したとき、隙間の真下には同じ基板がくる。隙間の真下に他の基板がくることはない。   At the start of film formation, the tray is positioned so that the substrate comes directly under the gap between the shower electrodes. When the tray is moved by a distance shorter than the length of the substrate and the film formation is completed, the same substrate comes directly under the gap. Other substrates do not come directly under the gap.

本発明によると、複数のシャワー電極を用いることにより、大面積のシャワー電極とすることができ、一度に大量の基板をプラズマ処理でき、生産性が向上する。しかも、１つのシャワー電極を小型にできるので、着脱を容易に行え、メンテナンス性を向上できる。そして、このようなシャワー電極に対して、成膜中にトレイを進行方向に移動させることにより、トレイを往復移動させたときに基板の一部の領域において、プラズマ放電にさらされる時間が長くなり、膜厚が厚くなるといった問題を解消でき、基板における膜厚のばらつきを減らすことができる。したがって、プラズマ処理の均一性を維持でき、均一な厚さの薄膜を形成することができる。   According to the present invention, by using a plurality of shower electrodes, a large-area shower electrode can be obtained, and a large number of substrates can be plasma-treated at a time, thereby improving productivity. And since one shower electrode can be reduced in size, attachment or detachment can be performed easily and maintenance property can be improved. For such a shower electrode, by moving the tray in the advancing direction during film formation, the time required for plasma discharge in a part of the substrate when the tray is reciprocated increases. The problem that the film thickness becomes thick can be solved, and the variation in the film thickness on the substrate can be reduced. Therefore, the uniformity of the plasma treatment can be maintained, and a thin film having a uniform thickness can be formed.

本発明のプラズマ処理装置の全体構成図Overall configuration diagram of plasma processing apparatus of the present invention 複数の基板を載置したトレイの平面図Top view of a tray with multiple substrates プラズマチャンバの内部構造を示し、（ａ）は成膜開始時の状態を示す図、（ｂ）は成膜終了時の状態を示す図The internal structure of a plasma chamber is shown, (a) is a diagram showing the state at the start of film formation, (b) is a diagram showing the state at the end of film formation 成膜開始時のシャワー電極間の隙間と基板との位置関係を示す図Diagram showing the positional relationship between the gap between the shower electrodes at the start of film formation and the substrate 成膜終了時のシャワー電極間の隙間と基板との位置関係を示す図Diagram showing the positional relationship between the gap between the shower electrodes at the end of film formation and the substrate トレイを移動させないときにおけるシャワー電極間の隙間と基板との位置関係を示す図The figure which shows the positional relationship between the clearance gap between shower electrodes when not moving a tray, and a board | substrate. 従来の成膜中のプラズマチャンバの内部構造を示す図The figure which shows the internal structure of the plasma chamber during the conventional film formation

本実施形態のプラズマ処理装置を図１に示す。プラズマ処理装置は、予備加熱チャンバ２０、第１プラズマチャンバ２１、第２プラズマチャンバ２２、アンロードチャンバ２３の４チャンバを直列に連結した構成になっている。なお、第１プラズマチャンバ２１および第２プラズマチャンバ２２の構造は、従来の図７に示したプラズマチャンバ１と同じである。   The plasma processing apparatus of this embodiment is shown in FIG. The plasma processing apparatus has a configuration in which four chambers of a preheating chamber 20, a first plasma chamber 21, a second plasma chamber 22, and an unload chamber 23 are connected in series. The structure of the first plasma chamber 21 and the second plasma chamber 22 is the same as that of the conventional plasma chamber 1 shown in FIG.

予備加熱チャンバ２０と第１プラズマチャンバ２１との間、第１プラズマチャンバ２１と第２プラズマチャンバ２２との間、第２プラズマチャンバ２２とアンロードチャンバ２３との間に、それぞれ仕切弁２４が設けられている。予備加熱チャンバ２０の入口およびアンロードチャンバ２３の出口には、ドア弁２５がそれぞれ設けられている。各弁２４，２５が全て閉じられることにより、各チャンバ２０〜２３は外部および他のチャンバ２０〜２３と隔離される。   Gate valves 24 are provided between the preheating chamber 20 and the first plasma chamber 21, between the first plasma chamber 21 and the second plasma chamber 22, and between the second plasma chamber 22 and the unload chamber 23, respectively. It has been. Door valves 25 are respectively provided at the inlet of the preheating chamber 20 and the outlet of the unload chamber 23. By closing all the valves 24 and 25, each chamber 20-23 is isolated from the outside and the other chambers 20-23.

各チャンバ２０〜２３には、それぞれ排気手段１７が設けられる。ポンプからなる排気手段１７の動作により、各チャンバ２０〜２３内は排気されて、１Ｐａ以下の真空状態となる。第１プラズマチャンバ２１および第２プラズマチャンバ２２には、ガス供給手段が設けられる。ガス供給手段は、ボンベ等のガス供給源１４からガス供給配管１５を通じてチャンバ２１，２２内に成膜用ガスを供給する。また、予備加熱チャンバ２０に、供給配管２６を通じて窒素が供給され、チャンバ２０内が大気圧になる。   Exhaust means 17 is provided in each of the chambers 20-23. The chambers 20 to 23 are evacuated by the operation of the evacuation unit 17 composed of a pump to be in a vacuum state of 1 Pa or less. The first plasma chamber 21 and the second plasma chamber 22 are provided with gas supply means. The gas supply means supplies film forming gas into the chambers 21 and 22 through a gas supply pipe 15 from a gas supply source 14 such as a cylinder. Further, nitrogen is supplied to the preheating chamber 20 through the supply pipe 26, and the inside of the chamber 20 becomes atmospheric pressure.

予備加熱チャンバ２０には、ランプヒータ２７が設けられている。ランプヒータ２７に通電すると、ランプヒータ２７から発せられる赤外線により、チャンバ２０内が加熱される。   A lamp heater 27 is provided in the preheating chamber 20. When the lamp heater 27 is energized, the inside of the chamber 20 is heated by infrared rays emitted from the lamp heater 27.

プラズマ処理装置は、処理対象の基板４としてのシリコンウェハに成膜を行う。複数のシリコンウェハがカーボン材からなるトレイ５に載置される。トレイ５は、各チャンバ２０〜２３に設けられた搬送手段１３によって搬送される。シリコンウェハの大きさは１５５ｍｍ×１５５ｍｍ、厚さが０．２ｍｍとされ、トレイ５の大きさは、１１００ｍｍ×１６５０ｍｍ、厚さ１０ｍｍとされる。図２に示すように、４８枚のシリコンウェハがトレイ５上に縦横に等間隔に並べられている。進行方向に沿って８枚のシリコンウェハが縦一列に並べられ、横６列とされる。各搬送手段１３は、ローラコンベヤとされ、各チャンバ２０〜２３の搬送手段１３により、トレイ５は、図１の右側から左側に向かう進行方向に移動する。   The plasma processing apparatus forms a film on a silicon wafer as the substrate 4 to be processed. A plurality of silicon wafers are placed on a tray 5 made of a carbon material. The tray 5 is conveyed by the conveying means 13 provided in each chamber 20-23. The silicon wafer has a size of 155 mm × 155 mm and a thickness of 0.2 mm, and the tray 5 has a size of 1100 mm × 1650 mm and a thickness of 10 mm. As shown in FIG. 2, 48 silicon wafers are arranged on the tray 5 at equal intervals vertically and horizontally. Eight silicon wafers are arranged in a vertical row along the direction of travel, forming a horizontal row of six. Each conveying means 13 is a roller conveyor, and the tray 5 moves in the traveling direction from the right side to the left side in FIG. 1 by the conveying means 13 of each chamber 20-23.

第１プラズマチャンバ２１および第２プラズマチャンバ２２には、３つのシャワー電極６が設けられ、トレイ５の数十ｍｍ程度上方に各シャワー電極６が位置する。隣り合うシャワー電極６は隙間８をあけて配置される。隙間８は、進行方向に直交する方向に形成され、進行方向に対する隙間８の大きさは、約１０ｍｍとされる。   Three shower electrodes 6 are provided in the first plasma chamber 21 and the second plasma chamber 22, and each shower electrode 6 is positioned about several tens of millimeters above the tray 5. Adjacent shower electrodes 6 are arranged with a gap 8 therebetween. The gap 8 is formed in a direction orthogonal to the traveling direction, and the size of the gap 8 with respect to the traveling direction is about 10 mm.

そして、プラズマ処理装置は、図示しない制御装置によって動作が制御される。制御装置は、仕切弁２４、ドア弁２５、ランプヒータ２７、排気手段１７、ガス供給手段、搬送手段１３および高周波電源１２を所定のシーケンスにしたがって制御する。   The operation of the plasma processing apparatus is controlled by a control device (not shown). The control device controls the gate valve 24, the door valve 25, the lamp heater 27, the exhaust unit 17, the gas supply unit, the transport unit 13, and the high-frequency power source 12 according to a predetermined sequence.

上記のプラズマ処理装置において、各チャンバ２０〜２３の排気手段１７が動作して、各チャンバ２０〜２３内を１Ｐａ以下の真空状態にしている。太陽電池セル用の複数の基板４を載置したトレイ５が予備加熱チャンバ２０の入口まで搬送される。予備加熱チャンバ２０に窒素が導入され、チャンバ２０内が大気圧にされる。予備加熱チャンバ２０のドア弁２５が開けられると、搬送手段１３によりトレイ５は、予備加熱チャンバ２０内に移動する。移動が終了した後、ドア弁２５が閉められ、排気手段２６により、予備加熱チャンバ２０の気圧が１Ｐａ以下になるまで真空引きが行われる。さらにランプヒータ２７により、チャンバ２０内が昇温され、トレイ５が５００℃程度になるまで加熱される。   In the above plasma processing apparatus, the exhaust means 17 of each of the chambers 20 to 23 is operated, and the inside of each of the chambers 20 to 23 is evacuated to 1 Pa or less. A tray 5 on which a plurality of substrates 4 for solar cells are placed is conveyed to the entrance of the preheating chamber 20. Nitrogen is introduced into the preheating chamber 20, and the inside of the chamber 20 is brought to atmospheric pressure. When the door valve 25 of the preheating chamber 20 is opened, the tray 5 is moved into the preheating chamber 20 by the conveying means 13. After the movement is completed, the door valve 25 is closed, and evacuation is performed by the exhaust means 26 until the atmospheric pressure of the preheating chamber 20 becomes 1 Pa or less. Further, the temperature inside the chamber 20 is raised by the lamp heater 27 and the tray 5 is heated to about 500 ° C.

次に、予備加熱チャンバ２０と第１プラズマチャンバ２１との間の仕切弁２４が開けられ、両チャンバ２０，２１内の搬送手段１３によって、トレイ５が予備加熱チャンバ２０から第１プラズマチャンバ２１に搬送される。第１プラズマチャンバ２１内において、トレイ５は下部電極７の上部に搬送される。下部電極７には、トレイ５を約５００℃に保持するためのヒータが埋め込まれており、ヒータはトレイ５の有無に関わらず通電された状態となっている。下部電極７上への移載が終了した後、仕切弁２４が閉められる。   Next, the gate valve 24 between the preheating chamber 20 and the first plasma chamber 21 is opened, and the tray 5 is moved from the preheating chamber 20 to the first plasma chamber 21 by the conveying means 13 in both the chambers 20, 21. Be transported. In the first plasma chamber 21, the tray 5 is transported to the upper part of the lower electrode 7. A heater for holding the tray 5 at about 500 ° C. is embedded in the lower electrode 7, and the heater is energized regardless of the presence or absence of the tray 5. After the transfer onto the lower electrode 7 is completed, the gate valve 24 is closed.

ガス供給手段は、モノシラン（ＳｉＨ４）・アンモニア（ＮＨ３）・窒素（Ｎ２）の混合ガスをガス供給配管１５を通じてチャンバ２１内の空間１６に供給する。この成膜用ガスは、シャワー電極６のガス噴出孔からチャンバ２１内に導入される。 The gas supply means supplies a mixed gas of monosilane (SiH 4 ), ammonia (NH 3 ), and nitrogen (N 2 ) to the space 16 in the chamber 21 through the gas supply pipe 15. The film forming gas is introduced into the chamber 21 through the gas ejection holes of the shower electrode 6.

制御装置は、圧力計１８からの検出信号に基づいて、排気手段１７を制御して、設定された圧力になるようにチャンバ２１内の圧力を調整する。圧力が１００Ｐａ程度に安定した後、１３．５６ＭＨｚの高周波電源１２が起動され、高周波電源１２に接続されたシャワー電極６に１０００Ｗ程度の高周波電圧が、数十秒程度のあらかじめ設定された成膜時間ｔ秒の間、印加される。シャワー電極６に高周波電圧が印加されると、プラズマが発生し、成膜用ガスが分解、活性化され、基板４がプラズマ処理される。トレイ５上の基板４上面に、反射防止膜としてのシリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）が形成される。なお、トレイ５の上面のうち、基板４が載置されていない露出面にも同様にシリコン窒化膜が形成される。   The control device controls the exhaust means 17 based on the detection signal from the pressure gauge 18 and adjusts the pressure in the chamber 21 so that the set pressure is reached. After the pressure stabilizes to about 100 Pa, the 13.56 MHz high frequency power supply 12 is activated, and a high frequency voltage of about 1000 W is applied to the shower electrode 6 connected to the high frequency power supply 12 for a preset film formation time of about several tens of seconds. Applied for t seconds. When a high frequency voltage is applied to the shower electrode 6, plasma is generated, the film forming gas is decomposed and activated, and the substrate 4 is plasma treated. A silicon nitride film (SiNx) as an antireflection film is formed on the upper surface of the substrate 4 on the tray 5. A silicon nitride film is similarly formed on the exposed surface of the tray 5 on which the substrate 4 is not placed.

成膜時間が経過すると、高周波電源１２が停止され、成膜用ガスの供給が停止される。第１プラズマチャンバ２１の圧力が１Ｐａ以下になるように、排気手段１７により排気が行われる。そして、第１プラズマチャンバ２１と第２プラズマチャンバ２２との間の仕切弁２４が開けられ、両チャンバ２１，２２内の搬送手段１３によって、トレイ５は第１プラズマチャンバ２１から第２プラズマチャンバ２２に搬送される。トレイ５は下部電極７上に移動する。第１プラズマチャンバ２１におけるプラズマ処理と同様のプラズマ処理が行われ、基板４上に成膜される。基板４上に形成されたシリコン窒化膜の上に、さらにシリコン窒化膜が積み重ねられる。これによって、太陽電池セルにおける所定の膜厚の反射防止膜が形成される。   When the film formation time elapses, the high frequency power supply 12 is stopped, and the supply of the film forming gas is stopped. Exhaust is performed by the exhaust means 17 so that the pressure of the first plasma chamber 21 is 1 Pa or less. Then, the gate valve 24 between the first plasma chamber 21 and the second plasma chamber 22 is opened, and the tray 5 is moved from the first plasma chamber 21 to the second plasma chamber 22 by the transfer means 13 in both the chambers 21 and 22. To be transported. The tray 5 moves on the lower electrode 7. A plasma process similar to the plasma process in the first plasma chamber 21 is performed, and a film is formed on the substrate 4. A silicon nitride film is further stacked on the silicon nitride film formed on the substrate 4. Thereby, an antireflection film having a predetermined thickness in the solar battery cell is formed.

成膜が終了すると、第２プラズマチャンバ２２とアンロードチャンバ２３との間の仕切弁２４が開けられ、両チャンバ２２，２３内の搬送手段１３によって、トレイ５が第２プラズマチャンバ２２からアンロードチャンバ２３に搬送される。トレイ５がアンロードチャンバ２３内に移動すると、仕切弁２４が閉められる。供給配管２６を通じてアンロードチャンバ２３に窒素が導入され、アンロードチャンバ２３内が大気圧となる。この状態で、ドア弁２５が開けられ、トレイ５がアンロードチャンバ２３から取り出される。トレイ５が取り出された後、ドア弁２５が閉められ、排気手段１７により、１Ｐａ以下になるように、アンロードチャンバ２３は真空引きされる。反射防止膜が形成された基板４は、次工程に送られる。   When film formation is completed, the gate valve 24 between the second plasma chamber 22 and the unload chamber 23 is opened, and the tray 5 is unloaded from the second plasma chamber 22 by the transfer means 13 in both the chambers 22 and 23. It is transferred to the chamber 23. When the tray 5 moves into the unload chamber 23, the gate valve 24 is closed. Nitrogen is introduced into the unload chamber 23 through the supply pipe 26, and the inside of the unload chamber 23 becomes atmospheric pressure. In this state, the door valve 25 is opened and the tray 5 is taken out from the unload chamber 23. After the tray 5 is taken out, the door valve 25 is closed and the unload chamber 23 is evacuated by the exhaust means 17 so that the pressure becomes 1 Pa or less. The substrate 4 on which the antireflection film is formed is sent to the next process.

ここで、各プラズマチャンバ２１，２２において、プラズマ処理が行われる成膜中、トレイ５は、シャワー電極６間の隙間８の大きさに応じた搬送速度で進行方向に移動される。制御装置は、隙間８の大きさ、基板４の長さおよび成膜時間によって決められた搬送速度でトレイ５が移動するように、搬送手段１３を制御する。各プラズマチャンバ２１，２２の搬送手段１３は、成膜中にトレイ５を１つの基板４の長さ以下の距離だけ移動させる。なお、成膜中の搬送速度は、トレイ搬送時の搬送速度とは異なり、搬送時よりも遅くされる。   Here, in the plasma chambers 21 and 22, the tray 5 is moved in the traveling direction at a conveyance speed corresponding to the size of the gap 8 between the shower electrodes 6 during film formation in which plasma processing is performed. The control device controls the transport means 13 so that the tray 5 moves at a transport speed determined by the size of the gap 8, the length of the substrate 4, and the film formation time. The transport means 13 of each plasma chamber 21, 22 moves the tray 5 by a distance equal to or shorter than the length of one substrate 4 during film formation. The transport speed during film formation is different from the transport speed during tray transport and is slower than during transport.

トレイ５が第１プラズマチャンバ２１および第２プラズマチャンバ２２の下部電極７上に移動されたとき、制御装置は、隙間８の真下に基板４がくるように搬送手段１３を制御して、トレイ５を位置決めする。図３（ａ）、図４に示すように、２つの隙間８の真下にそれぞれ横一列の基板４が位置する。隙間８の進行方向下流側の先端と、基板４の進行方向下流側の先端とが合うように、搬送手段１３が停止され、トレイ５は位置決めされる。これにより、隙間８の真下には、必ず基板４が存在する。   When the tray 5 is moved onto the lower electrode 7 of the first plasma chamber 21 and the second plasma chamber 22, the control device controls the transfer means 13 so that the substrate 4 is directly under the gap 8, and the tray 5 Positioning. As shown in FIG. 3A and FIG. 4, a horizontal row of substrates 4 is positioned immediately below the two gaps 8. The conveying means 13 is stopped and the tray 5 is positioned so that the tip of the clearance 8 downstream in the traveling direction matches the tip of the substrate 4 downstream in the traveling direction. Thus, the substrate 4 always exists immediately below the gap 8.

なお、シャワー電極６の数が増えた場合、シャワー電極６間の隙間８に応じて、トレイ５に載置される基板４の間隔が設定される。すなわち、成膜開始時にトレイ５が位置決めされたとき、各隙間８の真下に基板４がくるように、進行方向の基板４の間隔が設定される。   When the number of shower electrodes 6 increases, the interval between the substrates 4 placed on the tray 5 is set according to the gap 8 between the shower electrodes 6. That is, when the tray 5 is positioned at the start of film formation, the distance between the substrates 4 in the traveling direction is set so that the substrates 4 come directly under the gaps 8.

そして、成膜の開始とともに、搬送手段１３は、決められた搬送速度でトレイ５を進行方向に移動させる。基板４の進行方向の長さをＬ、シャワー電極６間の隙間８の大きさをΔＬ、成膜時間をｔとすると、搬送速度は（Ｌ−ΔＬ）／ｔとされる。基板４の長さは隙間８の大きさよりも大である。また、各列の基板４の間隔の大きさはシャワー電極６間の隙間８の大きさより大とされる。このようにトレイ５の搬送速度は隙間８の大きさに応じて決められ、隙間８が大きいとき、搬送速度は遅くなり、隙間８が小さいとき、搬送速度は速くなる。   Then, along with the start of film formation, the transfer means 13 moves the tray 5 in the traveling direction at a determined transfer speed. If the length of the substrate 4 in the traveling direction is L, the size of the gap 8 between the shower electrodes 6 is ΔL, and the film formation time is t, the transfer speed is (L−ΔL) / t. The length of the substrate 4 is larger than the size of the gap 8. The interval between the substrates 4 in each row is larger than the gap 8 between the shower electrodes 6. As described above, the transport speed of the tray 5 is determined according to the size of the gap 8. When the gap 8 is large, the transport speed is slow, and when the gap 8 is small, the transport speed is fast.

成膜時間ｔが経過して、成膜が終了したとき、トレイ５の搬送が停止され、図３（ｂ）、図５に示すように、２つの隙間８の真下にそれぞれ基板４が位置する。隙間８の進行方向上流側の後端と、基板４の進行方向上流側の後端とが合う。この成膜中、トレイ５は、基板４の長さより短い距離（Ｌ−ΔＬ）だけ移動する。隙間８に対向する基板４において、隙間８の真下を通過する時間は、ΔＬ／（Ｌ−ΔＬ）×ｔ以下となる。   When the film formation time t has passed and the film formation is completed, the conveyance of the tray 5 is stopped, and the substrates 4 are respectively located directly below the two gaps 8 as shown in FIGS. . The rear end on the upstream side in the traveling direction of the gap 8 matches the rear end on the upstream side in the traveling direction of the substrate 4. During the film formation, the tray 5 moves by a distance (L−ΔL) shorter than the length of the substrate 4. In the substrate 4 facing the gap 8, the time for passing right under the gap 8 is ΔL / (L−ΔL) × t or less.

シャワー電極６間の隙間８の真下および周辺では、プラズマ放電が他の部分と比べて強くなる。ここで、成膜中にトレイ５を移動させない場合、図６に示すように、シャワー電極６間の隙間８の真下に基板４が存在すると、成膜中、基板４の一部の領域だけが強いプラズマ放電にさらされ続ける。特に、第１プラズマチャンバ２１と第２プラズマチャンバ２２とにおいて２回の成膜が行われるとき、第１プラズマチャンバ２１と第２プラズマチャンバ２２は同じ構造であるので、各チャンバ２１，２２において、トレイ５はシャワー電極６に対して同じ位置に停止される。そのため、合計２ｔの時間、基板４の同じ領域が強いプラズマにさらされる。この領域に成膜された薄膜は、基板４の他の領域に比べて厚い膜となる。したがって、１つの基板４において、膜厚のばらつきが生じる。   The plasma discharge is stronger than the other portions immediately below and around the gap 8 between the shower electrodes 6. Here, when the tray 5 is not moved during film formation, as shown in FIG. 6, if the substrate 4 exists just below the gap 8 between the shower electrodes 6, only a partial region of the substrate 4 is formed during film formation. Continue to be exposed to a strong plasma discharge. In particular, when the film formation is performed twice in the first plasma chamber 21 and the second plasma chamber 22, the first plasma chamber 21 and the second plasma chamber 22 have the same structure. The tray 5 is stopped at the same position with respect to the shower electrode 6. Therefore, the same region of the substrate 4 is exposed to strong plasma for a total time of 2t. The thin film formed in this region is thicker than the other regions of the substrate 4. Accordingly, variations in film thickness occur in one substrate 4.

上記のように、成膜中、トレイ５をゆっくりと進行方向に移動させることにより、横一列の基板４だけが隙間８の真下を移動することになり、強いプラズマ放電にさらされる領域が基板４全体に広がる。しかも、基板４において、隙間８の真下に対向する時間が短くなるので、強いプラズマにさらされる時間も短くなり、形成された膜厚が厚くならず、かつ膜厚のばらつきも小さくなる。   As described above, by slowly moving the tray 5 in the advancing direction during film formation, only the horizontal row of substrates 4 moves immediately below the gap 8, and the region exposed to strong plasma discharge is the substrate 4. Spread throughout. In addition, since the time of facing the substrate 8 directly below the gap 8 is shortened, the time of exposure to strong plasma is shortened, the formed film thickness is not increased, and the variation in film thickness is reduced.

例えば、トレイ５に、基板４として、厚さ２００μｍ、大きさ１５５ｍｍ×１５５ｍｍのシリコンウェハを４８枚載せ、プラズマチャンバ２１，２２内で１５０ｓｅｃの間、成膜を行う。トレイ５は、搬送速度０．９７ｍｍ／ｓｅｃでプラズマチャンバ２１，２２内を移動する。トレイ５を移動させながら成膜を行うと、シャワー電極６間の隙間８の真下に発生するプラズマ放電の影響が低減される。シャワー電極６間の隙間８の真下にある基板４の膜厚の標準偏差が、移動させないときの３．２から２．０に減少した。   For example, 48 silicon wafers having a thickness of 200 μm and a size of 155 mm × 155 mm are placed on the tray 5 as the substrate 4 and film formation is performed in the plasma chambers 21 and 22 for 150 seconds. The tray 5 moves in the plasma chambers 21 and 22 at a conveyance speed of 0.97 mm / sec. When film formation is performed while moving the tray 5, the influence of plasma discharge generated immediately below the gap 8 between the shower electrodes 6 is reduced. The standard deviation of the film thickness of the substrate 4 immediately below the gap 8 between the shower electrodes 6 decreased from 3.2 when not moved to 2.0.

トレイ５を搬送させないで成膜した場合のシャワー電極６間の隙間８の真下に対向する領域を除く他の領域の膜厚の標準偏差が１．８であるので、トレイ５を移動させることにより、膜厚のばらつきを抑えることができる。   When the film is formed without transporting the tray 5, the standard deviation of the film thickness in the other areas except for the area directly opposite the gap 8 between the shower electrodes 6 is 1.8. , Variation in film thickness can be suppressed.

したがって、複数のシャワー電極によって、大面積のシャワー電極とすることにより、一度に大量の基板を成膜でき、生産性を高めることができる。しかも、プラズマ処理の均一性を維持でき、基板に対して均一な成膜を行え、製品の歩留まりを高めることができる。さらに、個々のシャワー電極は小型であるので、チャンバでの着脱を容易に行え、メンテナンス性に優れている。   Therefore, by forming a large-area shower electrode with a plurality of shower electrodes, a large number of substrates can be formed at a time, and productivity can be improved. In addition, the uniformity of the plasma treatment can be maintained, uniform film formation can be performed on the substrate, and the product yield can be increased. Furthermore, since each shower electrode is small, it can be easily attached and detached from the chamber, and is excellent in maintainability.

また、成膜中のトレイの移動距離を基板の長さより短くすることにより、進行方向において１つの基板だけがシャワー電極間の隙間の真下を移動する。これにより、複数の基板にまたがって隙間が対向することがなく、隙間の影響を最小限に抑えることができるとともに、トレイの移動距離が大きくならないので、下部電極を大型する必要がなく、チャンバの大型化を防ぐことができる。   Further, by making the moving distance of the tray during film formation shorter than the length of the substrate, only one substrate moves directly below the gap between the shower electrodes in the traveling direction. Thus, the gap does not face across a plurality of substrates, the influence of the gap can be minimized, and the moving distance of the tray does not increase, so there is no need to increase the size of the lower electrode. An increase in size can be prevented.

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で上記実施形態に多くの修正および変更を加え得ることは勿論である。上記のプラズマ処理装置は、太陽電池セルの反射防止膜の形成に用いられるが、プラズマチャンバに供給するガスを変えることにより、例えばｐ型半導体膜やｎ型半導体膜を形成できる。さらに、これ以外に液晶パネルや半導体の成膜に使用してもよい。   In addition, this invention is not limited to the said embodiment, Of course, many corrections and changes can be added to the said embodiment within the scope of the present invention. The above plasma processing apparatus is used for forming an antireflection film of a solar battery cell. By changing the gas supplied to the plasma chamber, for example, a p-type semiconductor film or an n-type semiconductor film can be formed. In addition, it may be used for film formation of liquid crystal panels and semiconductors.

また、成膜開始時のトレイの位置として、進行方向において、隙間の真下に複数の基板がかからないようにすればよい。このとき、シャワー電極間の隙間の大きさがトレイに載置された基板の間隔の大きさより大の場合、成膜中のトレイの移動距離は基板の長さより小とされる。これにより、進行方向において、成膜中に複数の基板に隙間が対向することを防げる。   Further, the position of the tray at the start of film formation may be such that a plurality of substrates are not directly under the gap in the traveling direction. At this time, when the size of the gap between the shower electrodes is larger than the size of the interval between the substrates placed on the tray, the moving distance of the tray during film formation is made smaller than the length of the substrate. Thereby, it is possible to prevent the gaps from facing the plurality of substrates during film formation in the traveling direction.

４ 基板
５ トレイ
６ シャワー電極
７ 下部電極
８ 隙間
１３ 搬送手段
２１ 第１プラズマチャンバ
２２ 第２プラズマチャンバ 4 Substrate 5 Tray 6 Shower electrode 7 Lower electrode 8 Gap 13 Transport means 21 First plasma chamber 22 Second plasma chamber

Claims (4)

チャンバ内に、多数のガス噴出孔を有するシャワー電極と、下部電極とが対向して配置され、両電極の間で複数の基板を載置したトレイを搬送する搬送手段が設けられ、ガス噴出孔から反応ガスを供給して、シャワー電極と下部電極との間でプラズマを発生させて、基板上に薄膜を形成するプラズマ処理装置であって、複数のシャワー電極が隙間をあけて進行方向に沿って並べられ、搬送手段は、成膜中、隙間の大きさに応じた搬送速度でトレイを進行方向に移動させることを特徴とするプラズマ処理装置。 In the chamber, a shower electrode having a large number of gas ejection holes and a lower electrode are arranged to face each other, and a conveying means for conveying a tray on which a plurality of substrates are placed is provided between both electrodes. Is a plasma processing apparatus for forming a thin film on a substrate by generating a plasma between a shower electrode and a lower electrode by supplying a reactive gas from a plurality of shower electrodes along a traveling direction with a gap therebetween A plasma processing apparatus, wherein the transport means moves the tray in the traveling direction at a transport speed corresponding to the size of the gap during film formation. トレイに、複数の基板が進行方向に沿って等間隔に並べられ、搬送手段は、成膜中に１つの基板の長さより短い距離だけトレイを移動させることを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置。 2. The plasma according to claim 1, wherein a plurality of substrates are arranged on the tray at equal intervals along the traveling direction, and the transfer means moves the tray by a distance shorter than the length of one substrate during film formation. Processing equipment. 成膜開始時に、シャワー電極間の隙間の真下に基板がくるように、トレイが位置決めされたことを特徴とする請求項２記載のプラズマ処理装置。 3. The plasma processing apparatus according to claim 2, wherein the tray is positioned so that the substrate comes directly under the gap between the shower electrodes at the start of film formation. 成膜中の搬送速度は、隙間の大きさと基板の長さと成膜時間とによって決められることを特徴とする請求項２または３記載のプラズマ処理装置。 4. The plasma processing apparatus according to claim 2, wherein the conveyance speed during film formation is determined by the size of the gap, the length of the substrate, and the film formation time.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101270601B1 (en) 2011-05-04 2013-06-03 엘아이지에이디피 주식회사 Apparatus for substrate using plasma ion and method of using the same
CN104947062A (en) * 2014-03-26 2015-09-30 斯克林集团公司 Vacuum film forming device

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02294482A (en) * 1989-05-08 1990-12-05 Fujitsu Ltd Thin film forming device
JP2002346375A (en) * 2001-05-24 2002-12-03 Matsushita Electric Works Ltd Plasma treatment apparatus and plasma treatment method
JP2006005007A (en) * 2004-06-15 2006-01-05 Sekisui Chem Co Ltd Method and device for forming amorphous silicon layer

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02294482A (en) * 1989-05-08 1990-12-05 Fujitsu Ltd Thin film forming device
JP2002346375A (en) * 2001-05-24 2002-12-03 Matsushita Electric Works Ltd Plasma treatment apparatus and plasma treatment method
JP2006005007A (en) * 2004-06-15 2006-01-05 Sekisui Chem Co Ltd Method and device for forming amorphous silicon layer

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101270601B1 (en) 2011-05-04 2013-06-03 엘아이지에이디피 주식회사 Apparatus for substrate using plasma ion and method of using the same
CN104947062A (en) * 2014-03-26 2015-09-30 斯克林集团公司 Vacuum film forming device
JP2015185788A (en) * 2014-03-26 2015-10-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Vacuum deposition device

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