KR101017163B1 - Plasma chemical vapor deposition apparatus - Google Patents

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Abstract

본 발명은 고밀도 플라즈마 화학기상증착공정 진행시 웨이퍼의 중심부분과 에지부분간의 증착률을 균일하게 가지도록 함으로써 반도체 소자의 품질 및 수율을 향상시킬 수 있도록 한 고밀도 플라즈마 화학기상증착장치에 관한 것이다.The present invention relates to a high-density plasma chemical vapor deposition apparatus to improve the quality and yield of semiconductor devices by having a uniform deposition rate between the central portion and the edge portion of the wafer during the high-density plasma chemical vapor deposition process.

이를 실현하기 위한 본 발명은 내부에 밀폐되는 공간이 형성되는 공정챔버와, 상기 공정챔버 내에 구비되어 웨이퍼가 안착되는 정전척과, 상기 정전척에 전원을 인가하게 되는 전원부를 구비하는 고밀도 플라즈마 화학기상증착장치에 있어서, 상기 정전척에 안착된 웨이퍼 측으로 반응가스를 분사시킬 수 있도록 상기 공정챔버의 일측에 설치되되 모터의 동력 전달받아 정/역회전 가능하게 설치되는 가스분사부; 상기 가스분사부에 반응가스를 공급하게 되는 가스공급부; 상기 정전척의 양측에 대향되게 설치되되 서로 반대방향으로 회전가능하게 설치되어 지속적으로 RF를 형성시키는 RF실드; 상기 RF실드에 전원을 인가하게 되는 RF전원공급부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.To achieve this, the present invention provides a high-density plasma chemical vapor deposition comprising a process chamber having a space enclosed therein, an electrostatic chuck provided in the process chamber, and a power supply unit configured to apply power to the electrostatic chuck. An apparatus, comprising: a gas injection unit installed at one side of the process chamber so as to inject a reaction gas onto a wafer seated on the electrostatic chuck, and installed in a forward / reverse rotation by receiving power from a motor; A gas supply unit supplying a reaction gas to the gas injection unit; An RF shield installed opposite to the opposite sides of the electrostatic chuck and rotatably installed in opposite directions to continuously form an RF; It characterized in that it comprises a; RF power supply unit for applying power to the RF shield.

반도체, 화학기상증착공정, RF실드, 플라즈마 Semiconductor, Chemical Vapor Deposition Process, RF Shield, Plasma

Description

고밀도 플라즈마 화학기상증착장치{Plasma chemical vapor deposition apparatus}High density plasma chemical vapor deposition apparatus

본 발명은 고밀도 플라즈마 화학기상증착장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 고밀도 플라즈마 화학기상증착공정 진행시 웨이퍼의 중심부분과 에지부분간의 증착률을 균일하게 가지도록 함으로써 반도체 소자의 품질 및 수율을 향상시킬 수 있도록 한 고밀도 플라즈마 화학기상증착장치에 관한 것이다.The present invention relates to a high density plasma chemical vapor deposition apparatus, and more particularly, to improve the quality and yield of semiconductor devices by having a uniform deposition rate between the central portion and the edge of the wafer during the high density plasma chemical vapor deposition process. The present invention relates to a high density plasma chemical vapor deposition apparatus.

일반적으로 반도체 소자는 노광공정, 확산공정, 식각공정, 화학기상증착공정 등 다양한 단위공정을 통하여 제조된다.In general, semiconductor devices are manufactured through various unit processes such as an exposure process, a diffusion process, an etching process, and a chemical vapor deposition process.

반도체 소자를 제조하는 단위공정 중에서 화학기상증착공정(Chemical Vapour Depositon)은 여러 가지 재질의 막을 웨이퍼에 형성시키기 위해 사용되며, 이들 막을 형성시키기 위해 막 성분을 포함하는 반응가스를 공정챔버 내에 공급하여 공정챔버 내의 일정온도와 압력하에서 화학반응을 통해 막을 형성하게 된다.Chemical vapor deposition (Chemical Vapor Depositon) is used to form a film of various materials on the wafer in the unit process of manufacturing a semiconductor device, the reaction gas containing the film component is supplied to the process chamber to form these films The film is formed through a chemical reaction at a certain temperature and pressure in the chamber.

근래에는 화학기상증착공정의 효율을 높이기 위해 웨이퍼 상면에 고밀도 플라즈마를 형성시켜 반응을 촉진하는 고밀도 플라즈마(High Density Plasma, HDP)가 많이 사용된다.Recently, in order to increase the efficiency of chemical vapor deposition process, a high density plasma (High Density Plasma, HDP) that forms a high density plasma on the upper surface of the wafer to promote the reaction is frequently used.

도 1은 종래의 고밀도 플라즈마 화학기상증착장치를 도시한 개략적인 구성도이다.1 is a schematic configuration diagram showing a conventional high density plasma chemical vapor deposition apparatus.

도 1을 참조하면, 종래의 고밀도 플라즈마 화학기상증착장치는 공정챔버(110) 내부의 정전척(120) 상에 웨이퍼(W)가 안착되면 정전척(120)에 1200V DC 전압이 가해져서 웨이퍼(W)를 척킹하게 되며, 공정챔버(110) 내측의 정전척(120) 상측에 설치되는 내부 돔(130)에 RF전원공급부(140)로부터 RF가 인가됨과 아울러 인젝터노즐(131)을 통해 SiH4, Ar, O2 등의 반응가스가 공급되어 웨이퍼(W) 상에 증착 및 에칭을 실시하게 된다.Referring to FIG. 1, in the conventional high density plasma chemical vapor deposition apparatus, when the wafer W is seated on the electrostatic chuck 120 inside the process chamber 110, a 1200 V DC voltage is applied to the electrostatic chuck 120 to provide a wafer ( W) is chucked, and RF is applied from the RF power supply unit 140 to the internal dome 130 installed above the electrostatic chuck 120 inside the process chamber 110, and through the injector nozzle 131, SiH 4. Reaction gases such as, Ar and O 2 are supplied to perform deposition and etching on the wafer (W).

그러나 이와 같은 종래의 고밀도 플라즈마 화학기상증착장치는 인젝터노즐(131)이 공정챔버(110) 내측의 내주면을 따라 8개 정도 설치되어 있으나, 공정을 마친 웨이퍼(W)의 중심부분과 에지부분에 대한 증착 및 에칭의 균일성이 좋지 못하여 프로세스 데이터가 나빠지게 됨으로써 반도체 소자의 수율을 감소시키는 원인이 된다.However, in the conventional high-density plasma chemical vapor deposition apparatus as described above, eight injector nozzles 131 are installed along the inner circumferential surface of the process chamber 110, but the center portion and the edge portion of the finished wafer W are processed. The uniformity of deposition and etching is poor, resulting in poor process data, which reduces the yield of semiconductor devices.

또한, 상기 공정 후 내부 돔(130)의 내벽에 고착된 파우더 등과 같은 반응부산물이 다음 공정 시 웨이퍼(W)에 파티클로 인한 결함이나 스크래치를 유발시킴으로써 웨이퍼의 수율을 저하시키는 문제점이 있다.In addition, the reaction by-products such as powder adhered to the inner wall of the inner dome 130 after the process may cause defects or scratches due to particles in the wafer W during the next process, thereby lowering the yield of the wafer.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하고자 안출된 것으로, 고밀도 플라즈마 화학기상증착공정 진행시 웨이퍼의 중심부분과 에지부분간의 증착률을 균일하게 가지도록 함으로써 반도체 소자의 품질 및 수율을 향상시킬 수 있도록 한 고밀도 플라즈마 화학기상증착장치를 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention has been made to solve the above-described problems, high density to improve the quality and yield of the semiconductor device by having a uniform deposition rate between the center portion and the edge portion of the wafer during the high-density plasma chemical vapor deposition process It is an object of the present invention to provide a plasma chemical vapor deposition apparatus.

상술한 바와 같은 목적을 구현하기 위한 본 발명의 고밀도 플라즈마 화학기상증착장치는, 내부에 밀폐되는 공간이 형성되는 공정챔버와, 상기 공정챔버 내에 구비되어 웨이퍼가 안착되는 정전척과, 상기 정전척에 전원을 인가하게 되는 전원부를 구비하는 고밀도 플라즈마 화학기상증착장치에 있어서, 상기 정전척에 안착된 웨이퍼 측으로 반응가스를 분사시킬 수 있도록 상기 공정챔버의 일측에 설치되되 모터의 동력 전달받아 정/역회전 가능하게 설치되는 가스분사부; 상기 가스분사부에 반응가스를 공급하게 되는 가스공급부; 상기 정전척의 양측에 대향되게 설치되되 서로 반대방향으로 회전가능하게 설치되어 지속적으로 RF를 형성시키는 RF실드; 상기 RF실드에 전원을 인가하게 되는 RF전원공급부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.The high-density plasma chemical vapor deposition apparatus of the present invention for realizing the above object includes a process chamber in which a space enclosed therein is formed, an electrostatic chuck provided in the process chamber to seat a wafer, and a power source for the electrostatic chuck. In the high-density plasma chemical vapor deposition apparatus having a power supply to apply a, it is installed on one side of the process chamber to inject the reaction gas to the side of the wafer seated on the electrostatic chuck can be forward / reverse rotation by receiving the power of the motor Gas injection unit is installed; A gas supply unit supplying a reaction gas to the gas injection unit; An RF shield installed opposite to the opposite sides of the electrostatic chuck and rotatably installed in opposite directions to continuously form an RF; It characterized in that it comprises a; RF power supply unit for applying power to the RF shield.

이 경우 상기 정전척은 상기 가스분사부에서 분사되는 반응가스의 유속을 증가시킬 수 있도록 상기 가스분사부와 서로 반대방향으로 회전되는 것을 특징으로 한다.In this case, the electrostatic chuck is rotated in the opposite direction to the gas injection unit so as to increase the flow rate of the reaction gas injected from the gas injection unit.

또한, 상기 가스분사부의 바깥둘레에는 상기 정전척 측으로 불활성가스를 분사하여 상기 가스분사부의 내측에서 분사되는 반응가스가 외측으로 분산되는 것을 차단하는 커튼가스분사노즐을 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the outer periphery of the gas injection unit is characterized in that it comprises a curtain gas injection nozzle for injecting an inert gas toward the electrostatic chuck side to prevent the reaction gas injected from the inside of the gas injection unit to be dispersed to the outside.

또한, 상기 RF실드는, 상기 웨이퍼의 에지부분에 원활한 RF가 형성되도록 하는 제1실드와, 상기 웨이퍼의 중심부분에 원활한 RF가 형성되도록 하는 제2실드로 이루어져 상기 웨이퍼 상에 균일한 증착막이 형성될 수 있도록 한 것을 특징으로 한다.The RF shield may include a first shield to form a smooth RF at an edge of the wafer and a second shield to form a smooth RF at a central portion of the wafer to form a uniform deposition film on the wafer. It is characterized in that it can be.

또한, 상기 제1실드와 상기 제2실드는 상기 웨이퍼로부터의 이격거리를 조절할 수 있도록 개별적으로 왕복이송가능하게 설치된 것을 특징으로 한다.In addition, the first shield and the second shield is characterized in that it is installed to be reciprocating individually to adjust the separation distance from the wafer.

또한, 상기 가스분사부와 상기 RF실드에는 상기 공정챔버 내에 잔류하는 반응가스를 최소화시킬 수 있도록 히팅라인이 형성되는 것을 특징으로 한다.In addition, the gas injection unit and the RF shield is characterized in that the heating line is formed to minimize the reaction gas remaining in the process chamber.

본 발명에 따른 고밀도 플라즈마 화학기상증착장치는, 반응가스 및 플라즈마를 웨이퍼의 중심부분과 에지부분에 균일하게 집중되도록 함으로써 웨이퍼 상에 균일한 두께의 증착막을 형성할 수 있고, 증착 공정이 완료되고난 후에 공정챔버 내에 잔류하는 반응가스 및 파우더를 원활하게 제거할 수 있는 장점이 있다.In the high-density plasma chemical vapor deposition apparatus according to the present invention, by depositing the reaction gas and the plasma uniformly in the central portion and the edge portion of the wafer, a deposition film having a uniform thickness can be formed on the wafer, and the deposition process is completed. There is an advantage that can smoothly remove the reaction gas and powder remaining in the process chamber after.

이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대한 구성 및 작용을 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the configuration and operation of the preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

여기서, 각 도면의 구성요소들에 대해 참조부호를 부가함에 있어서 동일한 구성요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호로 표기되었음에 유의하여야 한다.Here, it should be noted that in adding reference numerals to the elements of each drawing, the same elements are denoted by the same reference numerals as much as possible even if they are shown on different drawings.

도 2는 본 발명에 따른 고밀도 플라즈마 화학기상증착장치의 개략적인 내부구성도이고, 도 3은 본 발명에 따른 가스분사부의 저면도이다.Figure 2 is a schematic internal configuration of the high-density plasma chemical vapor deposition apparatus according to the present invention, Figure 3 is a bottom view of the gas injection unit according to the present invention.

도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명은 내부에 밀폐되는 공간이 형성되는 공정챔버(10)와, 상기 공정챔버(10) 내에 구비되어 웨이퍼(W)가 안착되는 정전척(11)과, 상기 정전척(11)에 전원을 인가하게 되는 전원부(미도시)를 구비하는 구성은 종래와 동일하다. 이 경우 웨이퍼(W)의 중심부분과 에지부분간의 증착률을 균일하게 할 수 있도록 한 본 발명에 따른 고밀도 플라즈마 화학기상증착장치는 가스분사부(20), RF실드(30)를 포함하여 구성된다.2 and 3, the present invention includes a process chamber 10 having a space sealed therein, an electrostatic chuck 11 provided in the process chamber 10, and a wafer W seated thereon; The configuration including a power supply unit (not shown) for applying power to the electrostatic chuck 11 is the same as in the prior art. In this case, the high-density plasma chemical vapor deposition apparatus according to the present invention, which allows the deposition rate between the central portion and the edge portion of the wafer W to be uniform, comprises a gas injection portion 20 and an RF shield 30. .

상기 가스분사부(20)는 정전척(11)에 안착된 웨이퍼(W) 측으로 반응가스를 분사시킬 수 있도록 공정챔버(10)의 일측에 설치된다. 상기 가스분사부(20)의 일측면에는 반응가스를 균일하게 분사할 수 있도록 복수의 분사공(21)이 형성되며, 가스분사부(20)의 바깥둘레에는 정전척(11) 측으로 불활성가스(일례로 질소)를 분사하여 분사공(21)에서 분사되는 반응가스가 웨이퍼(W)에 집중되지 못하고 외측으로 분산되는 것을 최대한 차단할 수 있도록 복수의 커튼가스분사노즐(23)이 형성된다.The gas injection unit 20 is installed at one side of the process chamber 10 to inject the reaction gas toward the wafer W mounted on the electrostatic chuck 11. A plurality of injection holes 21 are formed on one side of the gas injection unit 20 so as to uniformly inject the reaction gas, and an inert gas (11) is formed on the outer circumference of the gas injection unit 20 toward the electrostatic chuck 11. For example, a plurality of curtain gas injection nozzles 23 are formed to maximally prevent the reaction gas injected from the injection hole 21 from being dispersed in the outside without being concentrated in the wafer W by spraying nitrogen).

이 경우 상기 가스분사부(20)에는 공급라인(미도시)를 통해 연결된 가스공급부(25)에서 SiH4, Ar, O2 등의 반응가스를 공급해주게 되고, 상기 커튼가스분사노즐(23)에는 질소공급부(26)에서 질소를 공급해주게 된다.In this case, the gas injection unit 20 supplies a reaction gas such as SiH 4 , Ar, O 2 from the gas supply unit 25 connected through a supply line (not shown), and supplies the curtain gas injection nozzle 23 to the gas injection unit 23. Nitrogen is supplied from the nitrogen supply unit 26.

이러한 가스분사부(20)는 모터(M)의 동력을 전달받아 정/역회전 가능하게 설치되어 일측으로 회전하게 되면서 반응가스를 분사하게 된다. 이 경우 상기 정전척(11)은 가스분사부(20)와 서로 반대방향으로 회전됨으로써 가스분사부(20)에서 분사되는 반응가스의 유속을 증가시킬 수 있게 된다.The gas injection unit 20 is installed to be capable of forward / reverse rotation by receiving the power of the motor M and rotates to one side to inject the reaction gas. In this case, the electrostatic chuck 11 may be rotated in the opposite direction to the gas injection unit 20 to increase the flow rate of the reaction gas injected from the gas injection unit 20.

상기 RF실드(30)는 정전척(11)의 양측에 대향되게 설치되며, RF전원공급부(35)를 통해 전원이 인가됨에 따라 정전척(11)에 안착된 웨이퍼(W) 상에 플라즈마가 형성된다. 이 경우 상기 RF실드(30)는 모터(미도시)의 동력을 전달받아 서로 반대방향으로 회전가능하게 설치됨으로써 지속적인 RF 유속을 발생시키게 됨으로써 웨이퍼(W) 상에 균일한 증착막이 형성될 수 있게 된다.The RF shield 30 is installed opposite to both sides of the electrostatic chuck 11, and plasma is formed on the wafer W seated on the electrostatic chuck 11 as power is applied through the RF power supply 35. do. In this case, the RF shield 30 is rotatably installed in opposite directions by receiving power from a motor (not shown), thereby generating a continuous RF flow rate, thereby forming a uniform deposition film on the wafer W. .

일례로, 상기 RF실드(30)는 웨이퍼(W)의 에지(edge)부분에 원활한 RF 형성이 이루어지도록 하는 제1실드(31)와, 상기 웨이퍼(W)의 중심부분에 원활한 RF 형성이 이루어지도록 하는 제2실드(32)로 이루어진다. 이 경우 상기 제1실드(31)와 제2실드(32)는 정전척(11)에 안착된 웨이퍼(W)로부터의 이격거리를 조절할 수 있도록 실린더와 같은 이송수단(미도시)을 이용하여 개별적으로 왕복이송가능하게 설치된다.In one example, the RF shield 30 is the first shield 31 to form a smooth RF formed on the edge (edge) of the wafer (W), and a smooth RF formed in the central portion of the wafer (W) It consists of a second shield 32 to lose. In this case, the first shield 31 and the second shield 32 are individually used by using a transfer means (not shown), such as a cylinder, to adjust the separation distance from the wafer W seated on the electrostatic chuck 11. It is installed to reciprocate.

한편, 상기 가스분사부(20)와 RF실드(30)에는 공정챔버(10)에서의 해당공정이 완료된 후 내부에 잔류하는 반응가스를 최소화시킬 수 있도록 히팅라인(27)(37)이 각각 구비된다.Meanwhile, heating lines 27 and 37 are respectively provided in the gas injection unit 20 and the RF shield 30 so as to minimize the reaction gas remaining therein after the corresponding process in the process chamber 10 is completed. do.

그러면, 이상과 같은 구성의 본 발명에 따른 고밀도 플라즈마 화학기상증착장치의 작용에 대하여 다시 도 2를 참조하여 설명해보기로 한다.Then, the operation of the high-density plasma chemical vapor deposition apparatus according to the present invention having the above configuration will be described with reference to FIG. 2 again.

먼저, 정전척(11) 상에 웨이퍼(W)가 로딩되면 가스분사부(20)에서 웨이퍼(W) 상에 반응가스를 집중적으로 분사하게 되고, 웨이퍼(W)의 양측에 위치하는 RF실드(30)에 의해 웨이퍼(W) 부분에만 플라즈마가 집중되게 형성된다. 즉, 상기 RF실드(30)를 구성하고 있는 제1실드(31)와 제2실드(32)가 웨이퍼(W)로부터의 이격거리를 조절돼가면서 반응가스 및 플라즈마가 웨이퍼(W)의 중심부분과 에지부분에 균일하게 집중됨으로써 웨이퍼(W) 상에 균일한 두께의 증착막이 형성될 수 있게 된다.First, when the wafer W is loaded on the electrostatic chuck 11, the gas injection unit 20 injects the reaction gas intensively on the wafer W, and the RF shields located at both sides of the wafer W ( 30) the plasma is concentrated only on the wafer W portion. That is, while the first shield 31 and the second shield 32 constituting the RF shield 30 are controlled at a separation distance from the wafer W, the reaction gas and plasma are separated from the center portion of the wafer W. By uniformly concentrating on the edge portion and the deposition film of a uniform thickness can be formed on the wafer (W).

상기와 같은 증착 공정이 완료되고난 후에는 가스분사부(20)와 커튼가스분사노즐(23)를 통해 질소가 분사됨과 아울러 히팅라인(27)(37)에서 열을 가하게 되면서, 상기 공정챔버(10) 내에 잔류하는 반응가스 및 파우더는 제거되거나 일측에 마련된 배기구(13)를 통해 외부로 배출된다.After the deposition process is completed, nitrogen is injected through the gas injection unit 20 and the curtain gas injection nozzle 23 and heat is applied to the heating lines 27 and 37, thereby providing the process chamber ( Reaction gas and powder remaining in 10) is removed or discharged to the outside through the exhaust port 13 provided on one side.

이상에서는 본 발명을 특정의 바람직한 실시 예를 들어 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 상기한 실시 예에 한정되지 않으며 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변경과 수정이 가능함은 물론이다.Although the present invention has been shown and described with reference to certain preferred embodiments, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and the general knowledge in the technical field to which the present invention pertains falls within the scope of the technical spirit of the present invention. Of course, various changes and modifications are possible.

도 1은 종래 고밀도 플라즈마 화학기상증착장치를 도시한 개략적인 구성도,1 is a schematic configuration diagram showing a conventional high density plasma chemical vapor deposition apparatus,

도 2는 본 발명에 따른 고밀도 플라즈마 화학기상증착장치의 개략적인 내부구성도,Figure 2 is a schematic internal configuration of the high density plasma chemical vapor deposition apparatus according to the present invention,

도 3은 본 발명에 따른 가스분사부의 저면도이다.3 is a bottom view of a gas injection part according to the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

10 : 공정챔버 11 : 정전척10 process chamber 11 electrostatic chuck

13 : 배기구 20 : 가스분사부13 exhaust port 20 gas injection unit

21 : 분사공 23 : 커튼가스분사노즐21: injection hole 23: curtain gas injection nozzle

25 : 가스공급부 26 : 질소공급부25 gas supply unit 26 nitrogen supply unit

27, 37 : 히팅라인 30 : RF실드27, 37: heating line 30: RF shield

31 : 제1실드 32 : 제2실드31: first shield 32: second shield

35 : RF전원공급부35: RF power supply

Claims (6)

내부에 밀폐되는 공간이 형성되는 공정챔버와, 상기 공정챔버 내에 구비되어 웨이퍼가 안착되는 정전척과, 상기 정전척에 전원을 인가하게 되는 전원부를 구비하는 고밀도 플라즈마 화학기상증착장치에 있어서,In the high-density plasma chemical vapor deposition apparatus having a process chamber which is formed in a space sealed therein, an electrostatic chuck provided in the process chamber, the wafer is seated, and a power supply unit for applying power to the electrostatic chuck, 상기 정전척에 안착된 웨이퍼 측으로 반응가스를 분사시킬 수 있도록 상기 공정챔버의 일측에 설치되되 모터의 동력을 전달받아 정회전 및 역회전이 가능하게 설치되는 가스분사부;A gas injection unit installed at one side of the process chamber so as to inject the reaction gas to the wafer seated on the electrostatic chuck, and being capable of forward rotation and reverse rotation by receiving power of a motor; 상기 가스분사부에 반응가스를 공급하게 되는 가스공급부;A gas supply unit supplying a reaction gas to the gas injection unit; 상기 정전척의 양측에 대향되게 설치되되 서로 반대방향으로 회전가능하게 설치되어 지속적으로 RF를 형성시키는 RF실드;An RF shield installed opposite to the opposite sides of the electrostatic chuck and rotatably installed in opposite directions to continuously form an RF; 상기 RF실드에 전원을 인가하게 되는 RF전원공급부;를 포함하며,And an RF power supply unit for applying power to the RF shield. 상기 정전척은 상기 가스분사부에서 분사되는 반응가스의 유속을 증가시킬 수 있도록 상기 가스분사부와 서로 반대방향으로 회전되는 것을 특징으로 하는 고밀도 플라즈마 화학기상증착장치.The electrostatic chuck is a high-density plasma chemical vapor deposition apparatus, characterized in that rotated in the opposite direction to the gas injection unit to increase the flow rate of the reaction gas injected from the gas injection unit. 삭제delete 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 가스분사부의 바깥둘레에는 상기 정전척 측으로 불활성가스를 분사하여 상기 가스분사부의 내측에서 분사되는 반응가스가 외측으로 분산되는 것을 차단하는 커튼가스분사노즐을 포함하는 것을 특징으로 하는 고밀도 플라즈마 화학기상증착장치.High-density plasma chemical vapor deposition on the outer periphery of the gas injection unit includes a curtain gas injection nozzle for injecting an inert gas toward the electrostatic chuck to prevent the reaction gas injected from the inside of the gas injection unit to be dispersed to the outside. Device. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 RF실드는, 상기 웨이퍼의 에지부분에 원활한 RF가 형성되도록 하는 제1실드와, 상기 웨이퍼의 중심부분에 원활한 RF가 형성되도록 하는 제2실드로 이루어져 상기 웨이퍼 상에 균일한 증착막이 형성될 수 있도록 한 것을 특징으로 하는 고밀도 플라즈마 화학기상증착장치.The RF shield may include a first shield to form a smooth RF at an edge portion of the wafer and a second shield to form a smooth RF at a central portion of the wafer to form a uniform deposition film on the wafer. High density plasma chemical vapor deposition apparatus, characterized in that. 제 4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 제1실드와 상기 제2실드는 상기 웨이퍼로부터의 이격거리를 조절할 수 있도록 개별적으로 왕복이송가능하게 설치된 것을 특징으로 하는 고밀도 플라즈마 화학기상증착장치.And the first shield and the second shield are individually reciprocally transported to adjust the separation distance from the wafer. 제 1항, 제 3항 내지 제 5항 중 어느 하나의 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 and 3 to 5, 상기 가스분사부와 상기 RF실드에는 상기 공정챔버 내에 잔류하는 반응가스를 최소화시킬 수 있도록 히팅라인이 형성되는 것을 특징으로 하는 고밀도 플라즈마 화학기상증착장치.And a heating line is formed in the gas injection unit and the RF shield to minimize the reaction gas remaining in the process chamber.
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