JP2010237217A - 磁気検出装置、地磁気センサ - Google Patents
磁気検出装置、地磁気センサ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010237217A JP2010237217A JP2010126956A JP2010126956A JP2010237217A JP 2010237217 A JP2010237217 A JP 2010237217A JP 2010126956 A JP2010126956 A JP 2010126956A JP 2010126956 A JP2010126956 A JP 2010126956A JP 2010237217 A JP2010237217 A JP 2010237217A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- magnetic detection
- detection device
- recess
- conversion element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
【解決手段】平板状の基板と、前記基板の一方面からその厚み方向に形成された凹部と、前記凹部内表面に形成された第1の磁性膜と、前記基板の一方面に対向する対向面に形成された第2の磁性膜と、前記第1及び第2の磁性膜の間に形成された磁電変換素子とを有する磁気検出装置であって、前記凹部は、その周壁が前記基板の一方面に対し垂直に形成され、前記凹部の底面部は、前記対向面と対向する平坦部と、前記平坦部から前記周壁部に向かうに従って大径となる傾斜部分とを有し、前記磁電変換素子の感度領域は、前記底面部と前記第2の磁性膜との間に形成した。
【選択図】図13
Description
図1は、本発明の第1の実施形態に係る磁気検出装置1の構成の一例を示す図である。図1(a)は、磁気検出装置1の正面図、図1(b)は図1(a)のX−X’断面図、図1(c)は図1(a)のY−Y’断面図である。図1に示す磁気検出装置1は、シリコン支持基板2上に埋込酸化膜3、p型のSOI(Semiconductor On Insulator)層4、及び絶縁層9を積層したSOI基板5を有し、SOI層4に磁電変換素子6が形成されている。また、磁電変換素子6の両端部には、配線11が接続されている。
次に、本発明の第2の実施形態に係る磁気検出装置1cについて説明する。図6は、本発明の第2の実施形態に係る磁気検出装置1cの構成の一例を示す図である。図6(a)は、磁気検出装置1cの正面図、図6(b)は図6(a)のX−X’断面図、図6(c)は図6(a)のY−Y’断面図である。図6に示す磁気検出装置1cと図1に示す磁気検出装置1とでは、下記の点で異なる。
次に、本発明の第3の実施形態に係る磁気検出装置1dについて説明する。図8は、本発明の第3の実施形態に係る磁気検出装置1dの構成の一例を示す図である。図8(a)は、磁気検出装置1dの正面図、図8(b)は図8(a)のX−X’断面図、図8(c)は図8(a)のY−Y’断面図である。図8に示す磁気検出装置1dと図1に示す磁気検出装置1とでは、下記の点で異なる。すなわち、図8に示す磁気検出装置1dでは、凹部7bの周壁部に形成された磁性体部8bと、凹部7bの底面部に形成された磁性体部8bとが分離されている。また、凹部7bの周壁部は、埋込酸化膜3の近傍において埋込酸化膜3に向かう方向に径が拡大するように形成されることにより、凹部7bの周壁部と底面部との接合部は、凹部7bの径の方向に切り欠き部12(いわゆるノッチ)が形成されている。
次に、本発明の第4の実施形態に係る磁気検出装置1eについて説明する。図11は、本発明の第4の実施形態に係る磁気検出装置1eの構成の一例を示す図である。図11(a)は、磁気検出装置1dの正面図、図11(b)は図11(a)のX−X’断面図、図11(c)は図11(a)のY−Y’断面図である。図11に示す磁気検出装置1eと図8に示す磁気検出装置1dとでは、下記の点で異なる。すなわち、図11に示す磁気検出装置1eでは、磁電変換素子6aの感度領域である高抵抗領域63と相対する位置において絶縁層9が、磁電変換素子6aとの間に絶縁層を残して例えばエッチングにより研削され、底部の面積が磁電変換素子6aにおける高抵抗領域63の平面視での形状、面積と略同等にされた凹状の部分が形成されている。
次に、本発明の第5の実施形態に係る磁気検出装置1fについて説明する。図13は、本発明の第5の実施形態に係る磁気検出装置1fの構成の一例を示す図である。図13(a)は、磁気検出装置1fの正面図、図13(b)は図13(a)のX−X’断面図、図13(c)は図13(a)のY−Y’断面図である。図13に示す磁気検出装置1fと図1に示す磁気検出装置1とでは、下記の点で異なる。
次に、本発明の第6の実施形態に係る磁気検出装置1gについて説明する。図15は、本発明の第6の実施形態に係る磁気検出装置1gの構成の一例を示す図である。図15(a)は、磁気検出装置1gの正面図、図15(b)は図15(a)のX−X’断面図、図15(c)は図15(a)のY−Y’断面図である。図15に示す磁気検出装置1fと図13に示す磁気検出装置1gとでは、下記の点で異なる。
2 支持基板
3 埋込酸化膜
4 SOI層
5 SOI基板
6,6a 磁電変換素子
7,7a,7b,7c,7d 凹部
8,8a,8b,8c,8d 磁性体部
9 絶縁層
10 磁性体部
11 配線
12 切り欠き部
13 凸部
63 高抵抗領域
71 周壁部分
72 平坦部
73 傾斜部分
74 底部
Claims (4)
- 平板状の基板と、前記基板の一方面からその厚み方向に形成された凹部と、
前記凹部内表面に形成された第1の磁性膜と、
前記基板の一方面に対向する対向面に形成された第2の磁性膜と、
前記第1及び第2の磁性膜の間に形成された磁電変換素子とを有する磁気検出装置であって、
前記凹部は、その周壁が前記基板の一方面に対し垂直に形成され、
前記凹部の底面部は、前記対向面と対向する平坦部と、前記平坦部から前記周壁部に向かうに従って大径となる傾斜部分とを有し、
前記磁電変換素子の感度領域は、前記底面部と前記第2の磁性膜との間に形成されていることを特徴とする磁気検出装置。 - 前記凹部の底面部は、前記磁電変換素子に向かって凸状のドーム形状にされており、
前記磁電変換素子の感度領域は、前記凹部の底面部と前記第2の磁性膜とが最も近接する位置に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の磁気検出装置。 - 前記第2の磁性膜は、前記磁電変換素子の感度領域に向かって凸状の部分を有することを特長とする請求項1又は2記載の磁気検出装置。
- 請求項1〜3記載の磁気検出装置を用いることを特徴とする地磁気センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010126956A JP5186533B2 (ja) | 2010-06-02 | 2010-06-02 | 磁気検出装置、地磁気センサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010126956A JP5186533B2 (ja) | 2010-06-02 | 2010-06-02 | 磁気検出装置、地磁気センサ |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004218808A Division JP4552554B2 (ja) | 2004-07-27 | 2004-07-27 | 磁気検出装置、地磁気センサ、及び磁気検出装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010237217A true JP2010237217A (ja) | 2010-10-21 |
JP5186533B2 JP5186533B2 (ja) | 2013-04-17 |
Family
ID=43091629
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010126956A Expired - Fee Related JP5186533B2 (ja) | 2010-06-02 | 2010-06-02 | 磁気検出装置、地磁気センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5186533B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102011114773A1 (de) * | 2011-09-30 | 2013-04-04 | Infineon Technologies Ag | Vorrichtung mit einem Backbias-Magneten und einem Halbleiterchipelement |
JP2017166925A (ja) * | 2016-03-15 | 2017-09-21 | エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社 | 半導体装置とその製造方法 |
JP2017173123A (ja) * | 2016-03-23 | 2017-09-28 | アルプス電気株式会社 | 磁気センサおよびその製造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS49135587A (ja) * | 1973-04-28 | 1974-12-27 | ||
JPS5099284A (ja) * | 1973-12-28 | 1975-08-06 | ||
JPH09129944A (ja) * | 1995-10-31 | 1997-05-16 | Hitachi Ltd | 磁電変換素子 |
JP2000349363A (ja) * | 1999-06-07 | 2000-12-15 | Yazaki Corp | 磁電変換素子及びその製造方法 |
-
2010
- 2010-06-02 JP JP2010126956A patent/JP5186533B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS49135587A (ja) * | 1973-04-28 | 1974-12-27 | ||
JPS5099284A (ja) * | 1973-12-28 | 1975-08-06 | ||
JPH09129944A (ja) * | 1995-10-31 | 1997-05-16 | Hitachi Ltd | 磁電変換素子 |
JP2000349363A (ja) * | 1999-06-07 | 2000-12-15 | Yazaki Corp | 磁電変換素子及びその製造方法 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102011114773A1 (de) * | 2011-09-30 | 2013-04-04 | Infineon Technologies Ag | Vorrichtung mit einem Backbias-Magneten und einem Halbleiterchipelement |
US9164156B2 (en) | 2011-09-30 | 2015-10-20 | Infineon Technologies Ag | Apparatus having a back-bias magnet and a semiconductor chip element |
DE102011114773B4 (de) * | 2011-09-30 | 2017-09-21 | Infineon Technologies Ag | Vorrichtung mit einem Backbias-Magneten und einem Halbleiterchipelement und zugehöriges Herstellungsverfahren |
JP2017166925A (ja) * | 2016-03-15 | 2017-09-21 | エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社 | 半導体装置とその製造方法 |
JP2017173123A (ja) * | 2016-03-23 | 2017-09-28 | アルプス電気株式会社 | 磁気センサおよびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5186533B2 (ja) | 2013-04-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6474833B2 (ja) | モノリシック三軸リニア磁気センサ及びその製造方法 | |
JP5152495B2 (ja) | 磁気センサーおよび携帯情報端末装置 | |
TWI440875B (zh) | 穿隧磁電阻結構以及集成式3軸向磁場感測器與感測電路的製造方法 | |
JP6496005B2 (ja) | モノシリック3次元磁界センサ及びその製造方法 | |
JP4626728B2 (ja) | 磁気検出装置 | |
JP5157611B2 (ja) | 磁気センサ及びその製造方法 | |
US20110316531A1 (en) | Device for measuring the direction and/or strength of a magnetic field | |
US10062836B2 (en) | Magnetic sensor and method of manufacturing the same | |
US20130000136A1 (en) | Magnetoresistive sensor and manufacturing method thereof | |
JP6868963B2 (ja) | 磁気センサおよびその製造方法 | |
CN105527451B (zh) | 磁阻器件 | |
JP2009216390A (ja) | 3軸磁気センシング装置およびその製造方法 | |
JP2016223894A (ja) | 磁気センサ | |
JP5186533B2 (ja) | 磁気検出装置、地磁気センサ | |
JP4552554B2 (ja) | 磁気検出装置、地磁気センサ、及び磁気検出装置の製造方法 | |
JP6609947B2 (ja) | 磁気検出装置 | |
US10497859B2 (en) | Two-dimensional magnetic field sensor with a single integrated magnetic field concentrator | |
WO2017199787A1 (ja) | 磁気センサ | |
JP2005159273A (ja) | 磁電変換素子、磁気検出装置及び地磁気センサ | |
JP5103158B2 (ja) | 磁気式座標位置検出装置 | |
US10890629B2 (en) | Magnetic sensor | |
JP2006064530A (ja) | 磁気センサ | |
JP5240657B2 (ja) | センシング素子、センシング装置、方位検出装置及び情報機器 | |
JP2015190900A (ja) | 磁界検出素子および磁界検出方法 | |
JP2012119518A (ja) | 回転角センサ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20120111 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120605 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120717 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20121010 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130115 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130121 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160125 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |