JP5103158B2

JP5103158B2 - 磁気式座標位置検出装置

Info

Publication number: JP5103158B2
Application number: JP2007329323A
Authority: JP
Inventors: 栄男小関
Original assignee: Kohden Co Ltd
Current assignee: Kohden Co Ltd
Priority date: 2007-12-20
Filing date: 2007-12-20
Publication date: 2012-12-19
Anticipated expiration: 2027-12-20
Also published as: JP2009150786A

Description

本発明は、磁気センサを用いて移動する検出体の位置を検出する磁気式座標位置検出装置に関するものである。

移動する検出体の位置を検出し情報として利用する装置としてポインティングデバイスやリニアエンコーダーへの応用がある。近年この装置が携帯電話やモバイル電子機器に用いられるようになり小型化が求められている。このような位置検出装置として、特許文献１〜３の技術が存在する。特許文献１及び３の技術は、ポインティングデバイスへの応用であり、特許文献２の技術は、手ぶれ補正用エンコーダへの応用である。

前記特許文献１、２における位置検出装置の基本的構造を図８に示す。この図８（ａ）、図８（ｂ）に示すように、１つずつパッケージされた４個の磁気センサ３３、３４、３５、３６を実装基板３２上の基板中心を原点としてＸ軸とＹ軸上の対称な位置にそれぞれ配置する。この状態で、Ｚ軸方向に着磁された磁石３１が磁気センサの上部のＸ−Ｙ座標を移動することで、移動による磁石３１の磁束密度の変化を前記４つの磁気センサが検出する。例えば磁気センサ３３と３４の距離をｘ１〜ｘ５（ｘ１＞ｘ２＞ｘ３＞ｘ４＞ｘ５であり、かつ、ｘ１とｘ５の距離の差は約１ｍｍ）の５段階に設定し、距離ｘ１より大きい直径を有する磁石３１がＸ軸方向で移動したときの磁気センサ３３と３４の信号を差動アンプを通して確認すると、図８（ｃ）のような出力が異なるグラフとなる。この図８（ｃ）は、磁気センサ間の距離に応じて出力が変化することを表している。すなわち、検出に用いられる磁気センサは１つずつパッケージされた磁気センサをそれぞれ実装基板上に配置しているので、磁気センサを実装する際の位置精度が悪いとＸ軸方向とＹ軸方向との感度差が生じる。

前記特許文献３における位置検出装置の基本的構造を図９に示す。図９（ａ）、図９（ｂ）に示すように、１つずつパッケージされた４個の磁気センサ３９、４０、４１、４２を実装基板３８上の基板中心を原点としてＸ軸とＹ軸上の対称な位置にそれぞれ配置する。この特許文献３の場合は、図８の構成と異なり、磁石３７が磁気センサ３９〜４２と同じ高さでＸ−Ｙ座標を移動する。この状態で、Ｚ軸方向に着磁された磁石３７が磁気センサの上部のＸ−Ｙ座標を移動することで、移動による磁石３７の磁束密度の変化を前記４つの磁気センサが検出する。例えば磁気センサ３９と４０の距離をｘ’１〜ｘ’５（ｘ’１＞ｘ’２＞ｘ’３＞ｘ’４＞ｘ’５であり、かつ、ｘ’１とｘ’５の距離の差は約１ｍｍ）の５段階に設定し、磁石３７がＸ軸方向で移動したとき磁気センサ３９と４０の信号を差動アンプを通して確認すると図９（ｃ）のような出力が異なるグラフとなる。すなわち、検出に用いられる磁気センサは１つずつパッケージされた磁気センサをそれぞれ実装基板上に配置しているので、磁気センサを実装する装置の位置精度が悪いとＸ軸方向とＹ軸方向との出力のピークトゥピークが異なり検出限界範囲に差が生じる。
特開２００２−１５０９０４号公報特開２００６−４７０５４号公報特開２００６−１４６５２４号公報

以上のように、特許文献１乃至３における位置検出装置においては、４つの磁気センサをそれぞれ実装する必要があり、実装の位置決めの精度が悪いと、Ｘ軸方向とＹ軸方向との感度差が生じたり、検出限界範囲に差が生じたりするという問題があった。また、別々の磁気センサを用いているので、個々の特性のばらつきが生じやすく出力信号として所望する値が得られない可能性がある。さらに、４個の磁気センサは配線が独立しており実装基板上で接続する必要があるため、ノイズ等の影響を受けやすいという問題があった。

本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、特性を損なうことなく、４個の磁気センサを１個の磁気センサにまとめ小型化することで、個々の特性ばらつき、固定する実装基板上での配置精度、配線接続による問題等を解消し、また低磁界に感度のある磁気センサ組成を用いることで安価な検出磁石が利用できる磁気式座標位置検出を提供することを目的とするものである。

本発明の請求項１は、検出対象に取付けられ平面上で一定の半径内で移動する移動磁石と、前記移動磁石の位置変化による磁気ベクトルの変化を検出する磁気センサとを備えた磁気式座標位置検出装置であって、前記磁気センサは、基板（センサ内基板）上に形成された複数の異方性磁気抵抗素子とバイアス磁石とを備えてパッケージされており、前記移動磁石と前記バイアス磁石は、移動磁石の移動する前記平面に対して垂直な方向に着磁され、かつ互いに対抗する面が同極に着磁されてなることを特徴とする磁気式座標位置検出装置である。

本発明の請求項２は、請求項１に加えて、前記磁気センサは、前記バイアス磁石の磁極面に平行な基板上に、前記バイアス磁石の磁極面の磁気的中心を原点としてＸ軸及びＹ軸上の原点から同一距離の位置に４つの領域を形成し、この各々の領域に対して、軸線と４５°（又は１３５°）の角度をなす方向に延伸した異方性磁気抵抗素子をそれぞれ形成して、合計４つの異方性磁気抵抗素子から構成されることを特徴とする磁気式座標位置検出装置である。

本発明の請求項３は、請求項１に加えて、前記磁気センサは、前記バイアス磁石の磁極面に平行な基板上に、前記バイアス磁石の磁極面の磁気的中心を原点としてＸ軸及びＹ軸上の原点から同一距離の位置に４つの領域を形成し、この各々の領域に対して、互いの延伸する方向が成す角度が垂直でかつ軸線と４５°（又は１３５°）の角度をなす方向に延伸した２つの異方性磁気抵抗素子を隣接させて形成して、合計８つの異方性磁気抵抗素子から構成されることを特徴とする磁気式座標位置検出装置である。

請求項１記載の発明によれば、磁気センサは、基板（センサ内基板）上に形成された複数の異方性磁気抵抗素子とバイアス磁石とを一緒にパッケージングして形成しているので、従来技術のホール素子や半導体磁気抵抗素子より低磁界に対しての感度を高くすることができるため、移動磁石が小型であっても、また安価なフェライト磁石であっても装置を構成することが可能となる。また、例えば、複数の異方性磁気抵抗素子を１個の磁気センサにまとめて小型化することで、個々の特性ばらつき、固定する実装基板上での配置精度、配線接続による問題を解消し、低磁界に感度のある磁気センサ組成を用いることで安価な検出磁石が利用できる磁気式座標位置検出を提供できる。
さらに、移動磁石と前記バイアス磁石は、移動磁石の移動する前記平面に対して垂直な方向に着磁され、かつ互いに対抗する面が同極に着磁されるように構成したので、２つの磁石のそれぞれの磁気ベクトルの合成磁気ベクトルが発生し、この合成磁気ベクトルは移動磁石とバイアス磁石の位置関係が変化すると同期した変化をし、この場合の移動磁石の大きさが可動エリア（検出限界範囲）のファクターとなるため、移動磁石の大きさを変更するだけで、検出エリア（検出限界範囲）の設定変更が簡単に行える。

請求項２記載の発明によれば、磁気センサ内の基板上の４つの領域に、軸線と４５°（又は１３５°）の角度をなす方向に延伸した異方性磁気抵抗素子をそれぞれ形成して、合計４つの異方性磁気抵抗素子から構成されるようにしたので、４つの異方性磁気抵抗素子とバイアス磁石とを一緒にパッケージングして磁気センサを形成することができるため、従来の問題点であった実装の位置決めの精度を気にする必要がなくなる。また、４つの異方性磁気抵抗素子を使用しているため、Ｖｃｃ−Ｇｎｄ間の入力抵抗が大きくなって流れる電流値が低くなり、結果、消費電力の低減に繋がる。

請求項３記載の発明によれば、磁気センサ内の４つの領域のそれぞれに対して、互いの延伸する方向が成す角度が垂直でかつ軸線と４５°（又は１３５°）の角度をなす方向に延伸した２つの異方性磁気抵抗素子を隣接させて形成して、合計８つの異方性磁気抵抗素子から構成するようにしたので、８つの異方性磁気抵抗素子を用いてホイートストンブリッジを構成することができ、これにより、電気的ノイズに強くなり、高い出力を得る事ができる。

本発明による磁気式座標位置検出装置は、検出対象に取付けられ平面上で一定の半径内で移動する移動磁石と、前記移動磁石の位置変化による磁気ベクトルの変化を検出する磁気センサとを備えた磁気式座標位置検出装置であって、前記磁気センサは、基板（センサ内基板）上に形成された複数の異方性磁気抵抗素子とバイアス磁石とを備えてパッケージされ、前記移動磁石と前記バイアス磁石は、移動磁石の移動する前記平面に対して垂直な方向に着磁され、かつ互いに対抗する面が同極に着磁されてなり、前記磁気センサは、前記バイアス磁石の磁極面に平行な基板上に、前記バイアス磁石の磁極面の磁気的中心を原点としてＸ軸及びＹ軸上の原点から同一距離の位置に４つの領域を形成し、この各々の領域に対して、互いの延伸する方向が成す角度が垂直でかつ軸線と４５°（又は１３５°）の角度をなす方向に延伸した２つの異方性磁気抵抗素子を隣接させて形成して、合計８つの異方性磁気抵抗素子から構成されることを特徴とする。

本発明の実施の形態を、図面を参照して詳細に説明する。
図１（ａ）は、本発明の磁気式座標位置検出装置１０の斜視図である。検出部である磁気センサ１１が実装基板１３上に固定されており、磁気センサ１１の上部の平面座標で磁石１２が移動する構成となっている。初期状態では、移動磁石１２が磁気センサ１１の真上に位置する。

図１（ｂ）は、前記磁気式座標位置検出装置１０の側面図である。磁気センサ１１は、Ｓｉ基板若しくはガラス基板等からなるセンサ内基板１４に形成された異方性磁気抵抗素子（１７〜２０、又は、２１ａ〜２４ａ、２１ｂ〜２４ｂ）がリードフレーム１６に取付けられ、リードフレーム１６の裏面にバイアス磁石１５を備えてパッケージされている。移動磁石１２とバイアス磁石１５はＺ軸方向に着磁され、かつ互いに対抗する面が同極となるように設置される。なお、移動磁石１２とバイアス磁石１５の極が対向しているのであれば、バイアス磁石１５、成膜されたセンサ内基板１４、移動磁石１２のＺ軸方向での位置置換に制限はない。

前記磁気センサ１１におけるセンサ内基板１４上に形成された異方性磁気抵抗素子（１７〜２０、又は、２１ａ〜２４ａ、２１ｂ〜２４ｂ）は、図８及び図９で説明した従来技術に使用されているセンサ面に対して垂直方向の磁界を検出するホール素子や、ローレンツ力による荷電粒子の変化を利用した半導体磁気抵抗素子（ＳＭＲ）とは異なり、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏなどの強磁性金属を主成分とする合金の薄膜で構成され、薄膜形成面に水平の磁界が印加されると抵抗値が下がる。本発明は、この効果を利用した異方性磁気抵抗素子（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ−Ｍａｇｎｅｔｏ−Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）である。異方性磁気抵抗素子（１７〜２０、又は、２１ａ〜２４ａ、２１ｂ〜２４ｂ）は、低磁界に対しての感度が従来技術のホール素子や半導体磁気抵抗素子より高い。よって移動磁石が小型であっても、また安価なフェライト磁石であっても装置を構成することが可能となる。

また、従来技術磁気センサにおいて使用されているスピンバルブ式の巨大磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ）の場合（例えば、特開２００６−２７６９８３号公報）には、製造工程が複雑でありかつ製造コストが高いという問題があったが、本発明のように異方性磁気抵抗素子を用いて磁気センサを構成することで、製造工程も簡単で製造コストも安く済むというメリットがあるため、異方性磁気抵抗素子を採用している。

図２（ａ）に示すのは、磁気センサ１１におけるバイアス磁石１５と異方性磁気抵抗素子１７〜２０との位置関係を示した図である。センサ内基板１４はバイアス磁石１５に平行で、バイアス磁石１５の中心に基板１４の中心が一致するように配置される。基板１４の中心からＸＹ軸方向で同一距離の４つの領域に、軸線に対して４５°（又は１３５°）の角度をなす方向に延伸した異方性磁気抵抗素子１７、１８、１９、２０がそれぞれ形成される。

前記異方性磁気抵抗素子１７〜２０を結線する場合の回路構成を図２（ｂ）に示す。この図２（ｂ）に示すように、それぞれの異方性磁気抵抗素子１７〜２０は、ブリッジ回路として接続される。これらはセンサ内基板１４上若しくはリードフレーム１６上で結線されパッケージの端子として４本になり、磁気センサ１１を固定する実装基板１３と接続する結線の数を抑える事が可能となる。また、異方性磁気抵抗素子を使用しているためＶｃｃ−Ｇｎｄ間の入力抵抗が大きくなって流れる電流値が低くなり、結果、消費電力の低減に繋がる。

図３に示すのは本発明の実施例２であり、これは、図１に示した磁気センサ１１におけるセンサ内基板１４に配置される異方性磁気抵抗素子の構成を実施例１とは変更したものである。
図３（ａ）は磁気センサ１１におけるバイアス磁石１５と異方性磁気抵抗素子との位置関係を示した図である。センサ内基板１４はバイアス磁石１５に平行で、バイアス磁石１５の中心にセンサ内基板１４の中心が一致するように配置される。センサ内基板１４の中心からＸＹ軸方向で同一距離の４つの領域のそれぞれには、互いの延伸する方向が垂直でかつ軸線に対して４５°（又は１３５°）の角度をなす方向に延伸した２つの隣接する異方性磁気抵抗素子が形成され、合計８つの異方性磁気抵抗素子２１ａ、２１ｂ、２２ａ、２２ｂ、２３ａ、２３ｂ、２４ａ、２４ｂが形成されている。

前記８つの異方性磁気抵抗素子（２１ａ〜２４ａ、２１ｂ〜２４ｂ）を結線する場合の回路構成を図３（ｂ）に示す。それぞれの異方性磁気抵抗素子は、センサ内基板１４上若しくはリードフレーム１６上で結線され、パッケージの端子としては６本になる。図３（ｂ）に示すように、異方性磁気抵抗素子（２１ａ〜２４ａ、２１ｂ〜２４ｂ）はホイートストンブリッジとして構成され、電気的ノイズに強くなり、高い出力を得る事ができる。

以上の説明から分かるように、本発明の実施例１と実施例２で示したセンサ内基板１４上の中心からＸＹ軸方向に同一距離の４つの領域に形成された異方性磁気抵抗素子が、図８及び図９で説明した従来技術における４つの磁気センサ（３３〜３６、若しくは３９〜４２）に該当する。異方性磁気抵抗素子は、例えば、センサ内基板１４上にフォトリソ工程で成膜され、その精度はｎｍオーダーとなるため、従来技術において問題であった設置の際の位置決めミスが無くなり、実装基板への設置精度の向上が図られることが分かる。また、４つの領域に形成された異方性磁気抵抗素子は同時成膜される為、個々の素子の特性ばらつきは極めて小さくなることも分かる。

次に検出原理を説明する。
図４（ａ）（ｂ）に示すのは、移動磁石１２における磁気ベクトルの発生を表した模式図であり、図５（ａ）（ｂ）に示すのは、バイアス磁石１５における磁気ベクトルの発生を表した模式図である。この図４及び図５から分かるように、極磁面より放射状に磁気ベクトルが発生する。この移動磁石１２とバイアス磁石１５が互いに同極同士で対向すると、バイアス磁石１５の近傍（バイアス磁石の磁界＞移動磁石の磁界）の極磁面に平行でバイアス磁石１５の大きさとほぼ同じ大きさの平面座標（異方性磁気抵抗素子が形成されＳｉ基板若しくはガラス基板に相当）では、移動磁石１２とバイアス磁石１５のそれぞれの磁気ベクトルの合成磁気ベクトルが発生する。平面座標での合成磁気ベクトルは、移動磁石１２とバイアス磁石１５の位置関係が変化すると、同期した変化を伴う。
このように、移動磁石１２のみならずバイアス磁石１５も使用（極の向きに係わらず）することによって、移動磁石１２の移動に伴う合成磁気ベクトルの変化を生じさせることができ、これは移動磁石１２のみの場合と比較して大きな磁気ベクトルの変化となるため、磁気センサとしての感度が高まる。
さらに、移動磁石１２のみを使用した場合、若しくは、バイアス磁石１５と移動磁石１２を異極同士を対向させて使用する場合においては、移動磁石１２の半径の半分の距離を越えて移動したところから出力が横倍となってしまってそれ以上の移動の位置検出が出来ないが、バイアス磁石１５と移動磁石１２を同極同士を対向させて使用することによって移動磁石１２の半径分の移動までリニアに検出可能となるため、検出エリアが広がる。以下において詳細に説明する。

図６に示すのは、平面座標で移動磁石１２が＋Ｘ軸方向に移動した時の合成磁気ベクトルの変化を表した模式図である。図６（ａ）は、移動磁石１２とバイアス磁石１５の中心が重なっている場合であり、この場合の合成磁気ベクトルは、中心から放射状に発生している。図６（ｂ）は、移動磁石１２が平面座標で＋Ｘ軸方向に半径の半分程度の距離だけ移動した場合であり、図６（ｃ）は、移動磁石１２が平面座標で＋Ｘ軸方向に略半径の距離移動した場合である。図６（ａ）の状態から（ｂ）、（ｃ）の状態に移動磁石１２が移動していくと、平面座標すなわち異方性磁気抵抗素子が形成されたセンサ内基板１４の中心からＸＹ軸方向に同一距離の４つの領域での合成磁気ベクトルは、Ｙ軸領域においては合成磁気ベクトルの向き（α）が変化し、Ｘ軸領域では合成磁気ベクトルはほとんど変化しない。すなわち、移動磁石１２のＸ軸方向への移動については、異方性磁気抵抗素子が形成された前記４つの領域のうちＹ軸領域において検出可能であり、移動磁石１２のＹ軸方向への移動については、前記４つの領域のうちＸ軸領域において検出可能であるといえる。換言すれば、移動磁石１２がその大きさの半径内のどの位置に移動しても前記４つの領域での合成磁気ベクトルの変化を検出することによって、座標位置検出が可能となるということである。

実際に実施例に従い装置を構築した。構築した装置は、図３（ａ）に示す８つの異方性磁気抵抗素子を形成した２ｍｍ×２ｍｍのＳｉ基板と、バイアス磁石１５としてフェライト焼結材Φ１．５ｍｍ×０．３５ｍｍと、移動磁石１２としてフェライト焼結材のΦ６ｍｍ×１ｍｍ、Φ４ｍｍ×１ｍｍ及びΦ３ｍｍ×１ｍｍを用いた。
図７（ａ）に示すのは、移動磁石１２をＸ軸方向に移動した時のＯｕｔＡとＯｕｔＡ’信号の差動アンプからの出力例である。図７（ｂ）に示すのは、移動磁石１２をＹ軸方向に移動した時のＯｕｔＢとＯｕｔＢ’信号の差動アンプからの出力例である。
Ｘ軸、Ｙ軸での移動距離に伴うそれぞれの出力は同じになる事が確認できる。移動磁石１２のほぼ直径に比例して出力カーブが変わる。換言すれば、移動磁石１２の大きさが可動エリア（検出限界範囲）のファクターとなる。よって単に移動磁石１２の大きさ変えることで検出エリア（検出限界範囲）の変更設定が容易に行う事が可能である。

前記図７（ａ）（ｂ）に示した出力カーブは正弦波形状に近似している為、ＯｕｔＡ，Ａ’の差動出力Ａと、ＯｕｔＢ，Ｂ’の差動出力Ｂを、ａｒｃｓｉｎ（Ａ／Ａの最大出力）、ａｒｃｃｏｓ（Ｂ／Ｂの最大出力）で変換すれば、正確に座標位置が検出できる。
また、移動磁石を人間が操作する場合、移動磁石の移動した方向θは、ａｒｃｔａｎ（Ａ／Ｂ）の信号で得ることができ、移動磁石の移動スピードは、ｋ×（Ａ^２＋Ｂ^２）^０．５の信号にて得ることができる。このような処理を用いることによって、人間の感覚に近い操作性を得ることが可能となる。

前記実施例１、２においては、異方性磁気抵抗素子を４つ又は８つ用いて磁気センサを構成する例を説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、検出対象の移動方向が一方向（例えばＸ軸方向のみ）の場合には、異方性磁気抵抗素子を２つとして、固定抵抗と組み合わせてブリッジ回路を構成することで、位置検出が可能となる。

本発明の磁気式座標位置検出装置１０を表したものであり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は側面図である。（ａ）は、磁気センサ１１におけるバイアス磁石１５と異方性磁気抵抗素子１７〜２０との位置関係を示した模式図であり、（ｂ）は、前記異方性磁気抵抗素子１７〜２０の結線方法を表した回路図である。図１における磁気式座標位置検出装置１０における磁気センサ１１の他の実施例を表したもので、（ａ）は磁気センサにおけるバイアス磁石１５と異方性磁気抵抗素子との位置関係を示した模式図であり、（ｂ）は、前記異方性磁気抵抗素子２１ａ〜２４ａ、２１ｂ〜２４ｂの結線方法を表した回路図である。移動磁石１２における磁気ベクトルの発生を表した模式図である。バイアス磁石１５における磁気ベクトルの発生を表した模式図である。平面座標で移動磁石１２が＋Ｘ軸方向に移動した時の合成磁気ベクトルの変化を表した模式図である。移動磁石１２をＸ軸方向に移動した時のＯｕｔＡとＯｕｔＡ’信号の差動アンプからの出力図であり、移動磁石１２をＹ軸方向に移動した時のＯｕｔＢとＯｕｔＢ’信号の差動アンプからの出力図である。従来技術における位置検出装置の基本的構造を表したものであり、（ａ）は側面図、（ｂ）は斜視図、（ｃ）は出力図である。従来技術における位置検出装置の基本的構造の他の例を表したものであり、（ａ）は側面図、（ｂ）は斜視図、（ｃ）は出力図である。

符号の説明

１０…磁気式座標位置検出装置、１１…磁気センサ、１２…移動磁石、１３…実装基板、１４…センサ内基板、１５…バイアス磁石、１６…リードフレーム、１７〜２０…異方性磁気抵抗素子、２１ａ〜２４ａ及び２１ｂ〜２４ｂ…異方性磁気抵抗素子、３１…磁石、３２…実装基板、３３〜３６…磁気センサ、３７…磁石、３８…実装基板、３９〜４２…磁気センサ。

Claims

検出対象に取付けられ平面上で一定の半径内で移動する移動磁石と、前記移動磁石の位置変化による磁気ベクトルの変化を検出する磁気センサとを備えた磁気式座標位置検出装置であって、前記磁気センサは、基板（センサ内基板）上に形成された複数の異方性磁気抵抗素子とバイアス磁石とを備えてパッケージされており、前記移動磁石と前記バイアス磁石は、移動磁石の移動する前記平面に対して垂直な方向に着磁され、かつ互いに対抗する面が同極に着磁されてなることを特徴とする磁気式座標位置検出装置。
前記磁気センサは、前記バイアス磁石の磁極面に平行な基板上に、前記バイアス磁石の磁極面の磁気的中心を原点としてＸ軸及びＹ軸上の原点から同一距離の位置に４つの領域を形成し、この各々の領域に対して、軸線と４５°（又は１３５°）の角度をなす方向に延伸した異方性磁気抵抗素子をそれぞれ形成して、合計４つの異方性磁気抵抗素子から構成されることを特徴とする請求項１記載の磁気式座標位置検出装置。
前記磁気センサは、前記バイアス磁石の磁極面に平行な基板上に、前記バイアス磁石の磁極面の磁気的中心を原点としてＸ軸及びＹ軸上の原点から同一距離の位置に４つの領域を形成し、この各々の領域に対して、互いの延伸する方向が成す角度が垂直でかつ軸線と４５°（又は１３５°）の角度をなす方向に延伸した２つの異方性磁気抵抗素子を隣接させて形成して、合計８つの異方性磁気抵抗素子から構成されることを特徴とする請求項１記載の磁気式座標位置検出装置。