JP2010231233A - 液晶表示装置用基板及びそれを用いた液晶表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ガラス基板3上にマトリクス状に配列された複数の画素領域Pから引き出されたゲートバスライン6に電気的に接続された第1の端子電極52aと、画素電極の形成材料でガラス基板3上に直接形成された第2の端子電極52bと、第1及び第2の端子電極52a、52bを電気的に接続する電極繋ぎ換え領域52cとを備え、外部回路とゲートバスライン6とを電気的に接続する外部接続端子を有するように構成する。
【選択図】図5
Description
シベーション膜に開口されたコンタクトホールを介して、画素電極と同一材料の酸化導電膜からなる上部電極が積層されて下部電極の酸化を防止している。上部電極にドレインバスライン駆動回路の接続端子が接続されて各ドレインバスラインに所定の階調電圧が印加されるようになっている。
ャネル保護膜をエッチングストッパとして一括エッチングし、TFT部のゲート絶縁膜上にa−Si層の動作半導体層を形成すると共に、チャネル保護膜の両側にソース電極及びドレイン電極を形成してTFTが完成する。
イン端子下部電極を形成する。
らなる厚さ400nmのパッシベーション膜を成膜する。次いで、レジストを塗布した後、フォトリソグラフィ法を用いて、ソース電極、ドレイン端子下部電極、及びゲート端子下部電極上にそれぞれ開口部を持つレジストパターンを形成する。そしてこのレジストパターンをマスクとしてパッシベーション膜又はパッシベーション膜及び絶縁膜をエッチングし、コンタクトホールをそれぞれ開口する。
nmと薄膜なのに対し、OC層は、膜厚が1000〜3000nmと極めて厚くなる点に特徴を有している。また、OC層は、OC層を形成する樹脂の誘電率が約3あるいはそれ以下で比較的小さいため、膜厚が厚いことと併せて、TFT特性を劣化させる寄生容量を低減できるという利点を有している。
さらに、OC層にコンタクトホールを開口して下層電極と電気的接続をとる場合においても、OC層の厚い樹脂層に形成するコンタクトホールの形状やホール位置と上下電極との位置関係に十分考慮する必要が生じる。
、外部回路と前記バスラインとを電気的に接続する外部接続端子とを有することを特徴とする液晶表示装置用基板によって達成される。
度が異なることが見出された。
との貼り合せ精度が多少低くても高開口率で高精細のパネルを量産できるようになる。
また、本発明によれば、額縁領域上の液晶層を遮光層として効率的に利用することができる。
いる。
4のエッジ位置を示している。エッジ4’は、TFT基板1端辺よりほぼゲート端子/ドレイン端子の形成領域分だけ内方に位置するようになっている。
表示領域50内の各画素領域Pの周辺部は樹脂CF層42が少なくとも1層形成されており遮光層(BM)として機能するようになっている。BM層は、表示領域50内の複数の画素領域Pをそれぞれ画定してコントラストを稼ぐためと、TFT2を遮光して光リーク電流の発生を防止させるために用いられる。
また、TFT基板1を対向基板4と貼り合せるために、光硬化性樹脂からなるメインシール(シール剤)58がTFT基板1の額縁領域周囲に形成されている。
導電性を有する保護膜70は、両基板を貼り合わせた際には、不図示の対向基板4のコモン電極に接続されるようになっている。なお、コモン電極は両基板の貼り合わせ時では蓄積容量バスライン12とは電気的に分離されているか、あるいは少なくとも高抵抗状態で接続されている。
対向基板4のコモン電極とTFT基板1の蓄積容量バスライン12とは、ゲートバスライン駆動回路14とドレインバスライン駆動回路16とが実装されることによりトランスファを介して同電位に保たれるようになっている。
また、隣接するゲート端子52間のOC層44は、電極繋ぎ換え領域52c側の第1の端子電極52a端面にほぼ一致する端面を有している。さらに、OC層44は、当該端面のほぼ中方部から突出して、ガラス基板3の基板面に平行な断面形状が例えば鋭角の頂角を有する三角形形状に形成された突起60を有している。
このような構成により、OC層44はゲート端子形成領域51内の第2の端子電極52bの形成領域上に存在しないため、図6のC−C線での断面を表す図7に示すように、第
2の端子電極52bは、電極繋ぎ換え領域52cからガラス基板3端辺に向かう方向でガラス基板3上に直接形成されている。
また、隣接するドレイン端子54間のOC層44は、電極繋ぎ換え領域54c側の第1の端子電極54a端面にほぼ一致する端面を有している。さらに、OC層44は、当該端面のほぼ中方部から突出して、ガラス基板3の基板面に平行な断面形状が例えば鋭角の頂角を有する三角形形状に形成された突起60を有している。
このような構成により、OC層44はドレイン端子形成領域53内の第2の端子電極54bの形成領域上に存在しないため、図9のE−E線での断面を表す図10に示すように、第2の端子電極54bは、電極繋ぎ換え領域54cからガラス基板3端辺に向かう方向でガラス基板3上に直接形成されている。
の保護膜を形成した後、例えばAl(アルミニウム)合金を膜厚例えば130nm、MoN(窒化モリブデン)を膜厚例えば70nm、およびMo(モリブデン)を膜厚例えば15nmでこの順にスパッタリングにより全面に成膜し、厚さ約215nmの金属層を形成する。Al合金としては、AlにNd(ネオジミウム)、Si(ケイ素)、Cu(銅)、Ti(チタン)、W(タングステン)、Ta(タンタル)、Sc(スカンジウム)等を1つまたは複数含む材料を用いることができる。
ズマCVD法により約30nmの厚さに透明ガラス基板3全面に形成する。次いで、ドレイン電極26、ソース電極30、蓄積容量電極38、ドレインバスライン8、及びドレイン端子54の第1の端子電極54aを形成するための例えばTi/Al/Tiからなる金属層62をスパッタリングによりそれぞれ20/75/40nmの厚さに成膜する。金属層62は、Ti/Al/Ti等の複合膜以外にも、例えば、Cr(クロム)、Mo(モリブデン)、Ta(タンタル)、Ti(チタン)、Al(アルミニウム)等の単体あるいはそれらの複合膜を用いることができる。
ルファスシリコン層34’に対して塩素系ガスを用いたドライエッチングを施して、図15、図22、図29、図33、図38、及び図42に示すように、ドレインバスライン8
、ドレイン端子54の第1の端子電極54a、ドレイン電極26、ソース電極30、蓄積容量電極38、及びオーミック層36並びに動作半導体層34を形成する。このエッチング処理において、チャネル保護膜28はエッチングストッパとして機能するので、その下層のアモルファスシリコン層34’はエッチングされずに残存して所望の動作半導体層34が形成される。
子電極54aが形成される。また、図15に示すように、ゲートバスライン6上にゲート絶縁膜32を介して動作半導体層34が形成され、動作半導体層34上にチャネル保護膜28、及びドレイン電極26、ソース電極30を備えたTFT構造の原型が形成される。ドレイン電極26及びソース電極30は、オーミックコンタクト層36、金属層62がこの順に積層された構造として形成される。また、図22に示すように、蓄積容量バスライン12上に絶縁膜32を介してアモルファスシリコン層34’が形成され、その上にn+
型a−Si層36’、金属層62がこの順に積層された蓄積容量電極38が形成されている。
なるため、より遮光能力を向上させることができる。
以上に鑑み遮光機能を満たすべくTFT2上を選択的に樹脂CF層42により遮光すればよい。
に中央部側からAlが剥き出しになるが、周辺部にはTi(あるいはMo)が残存するため、その後の画素電極10との接続は問題ない。同様に、ゲート端子形成領域51の電極繋ぎ換え領域52bの第1の端子電極52b及びドレイン端子形成領域54の電極繋ぎ換え領域54bの第1の端子電極54bの金属層Ti(あるいはMo)もフッ素系ガスに対する耐性が低いため一部、主に中央部側からAlが剥き出しになるが、周辺部にはTi(あるいはMo)が残存するため、その後の第2の端子電極52b、54bとの各接続に問題は生じない。
上記エッチングプロセスが終了したら、200〜230℃の範囲内で熱処理を行う。
このプレチルト角の付与時に蓄積容量バスライン12に印加される電圧はコモン電圧とは異なるため、額縁領域56上の保護膜70は蓄積容量バスライン12に対しては電気的に分離されているか、高抵抗接続になっていることが重要である。
成膜温度:ゲート絶縁膜(SiN膜)32>270℃≧SiN膜40
屈折率(R.I.):ゲート絶縁膜(SiN膜)32の屈折率が1.82〜1.92であるとき、SiN膜40の屈折率は、1.92を超えること
エッチングレート(E.R.):(SiN膜40)/(ゲート絶縁膜(SiN膜)32)≧0.7
例えば、上記実施の形態での例示に限らず、本発明は、配線金属の種類や構造、及び膜厚や形成方法、あるいはエッチング方法が異なっていてももちろん適用可能である。
また、上記実施の形態では、蓄積容量(CS)バスライン12が画素中央を横切るいわゆる独立CS方式の画素構造を例にとって説明しているが、本発明はこれに限らず、独立CS方式に代えて、次段のゲートバスラインを蓄積容量バスラインとして利用するいわゆるCSオンゲート方式の画素構造にももちろん適用可能である。
(付記1)
対向配置される対向基板とともに液晶を挟持する絶縁性基板と、
前記絶縁性基板上にマトリクス状に配列された複数の画素領域に形成された画素電極と、
前記画素電極とバスラインとに接続されたスイッチング素子と、
前記バスラインに電気的に接続された第1の端子電極と、前記画素電極の形成材料で前記絶縁性基板上に形成された第2の端子電極と、前記第1及び第2の端子電極を電気的に接続する電極繋ぎ換え領域とを備え、外部回路と前記バスラインとを電気的に接続する外部接続端子と
を有することを特徴とする液晶表示装置用基板。
付記1記載の液晶表示装置用基板において、
前記スイッチング素子と前記画素電極との間に形成された絶縁性樹脂材料からなるオーバーコート層をさらに有し、
前記オーバーコート層は、少なくとも前記第2の端子電極と前記絶縁性基板との間に形成されていないこと
を特徴とする液晶表示装置用基板。
付記2記載の液晶表示装置用基板において、
前記オーバーコート層は、前記電極繋ぎ換え領域近傍に突起を有していること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
対向配置される対向基板とともに液晶を挟持する絶縁性基板と、
前記絶縁性基板上にマトリクス状に配列されてスイッチング素子と樹脂カラーフィルタ層と画素電極とがこの順に形成された複数の画素領域からなる表示領域と、
前記表示領域外周囲に前記樹脂カラーフィルタ層を積層して形成した遮光層を備えた額縁領域と、
前記表示領域の前記樹脂カラーフィルタ層と前記画素電極との間に形成された絶縁性樹脂材料からなるオーバーコート層と
を有することを特徴とする液晶表示装置用基板。
対向配置される対向基板とともに液晶を挟持する絶縁性基板と、
前記絶縁性基板上にマトリクス状に配列され、スイッチング素子が形成された複数の画素領域と、
前記スイッチング素子上方を覆って前記画素領域上に形成される少なくとも1層の樹脂カラーフィルタ層と
を有することを特徴とする液晶表示装置用基板。
付記5記載の液晶表示装置用基板において、
前記樹脂カラーフィルタ層は、前記スイッチング素子上方で、複数色の層が積層されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
付記5又は6に記載の液晶表示装置用基板において、
前記複数色の樹脂カラーフィルタ層のうち少なくとも1層は、基板面法線方向に見て、隣接する画素の前記スイッチング素子上を覆うように張り出したT字状パターン又は┣状(ト字状)パターンを有していること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
付記6記載の液晶表示装置用基板において、
前記スイッチング素子に直接接触する前記樹脂カラーフィルタ層は、前記複数色の樹脂カラーフィルタ層のうちで最も体積抵抗の大きい材料で形成されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
付記8記載の液晶表示装置用基板において、
前記スイッチング素子に直接接触する前記樹脂カラーフィルタ層は、前記体積抵抗が、2.0×1016乃至2.2×1016Ω・cm又はそれ以上であること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
付記5乃至9のいずれか1項に記載の液晶表示装置用基板において、
前記スイッチング素子と前記樹脂カラーフィルタ層との間にSiNの層間絶縁膜が設けられていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
付記10記載の液晶表示装置用基板において、
前記層間絶縁膜の屈折率は、前記スイッチング素子のゲート絶縁膜の屈折率が1.82〜1.92であるとき、1.92を超えていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
付記10又は11に記載の液晶表示装置用基板において、
前記層間絶縁膜の膜厚は、10nm以上150nm以下であること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
付記10乃至12のいずれか1項に記載の液晶表示装置用基板において、
前記層間絶縁膜のパターニング時のエッチングレートは、
(前記層間絶縁膜のエッチング時間)/(前記ゲート絶縁膜のエッチング時間)≧0.7であること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
対向配置される対向基板とともに液晶を挟持する絶縁性基板と、
前記絶縁性基板上にマトリクス状に配列された複数の画素領域に形成された樹脂カラーフィルタ層と、
前記樹脂カラーフィルタ層の上層に形成された画素電極と、
前記樹脂カラーフィルタ層の下方に形成され、前記画素電極と接続された蓄積容量電極と、
前記蓄積容量電極に開口した第1開口パターンと、前記第1開口パターン上方で前記画素電極に開口され、前記第1開口パターンに内包される大きさの第2開口パターンと、前記樹脂カラーフィルタ層に前記第1開口パターンを内包する位置及び大きさに開口された第3開口パターンとを備えた位置ずれ確認用バーニアパターンと
を有することを特徴とする液晶表示装置用基板。
対向配置される対向基板とともに液晶を挟持する絶縁性基板と、
前記絶縁性基板上にマトリクス状に配列されて、スイッチング素子と、シリコン窒化膜と、樹脂カラーフィルタ層と、画素電極とがこの順に形成された複数の画素領域からなる表示領域と、
前記表示領域の前記樹脂カラーフィルタ層と前記画素電極との間に形成された絶縁性樹脂材料からなるオーバーコート層と、
開口面積が、前記樹脂カラーフィルタ層>前記シリコン窒化膜>前記オーバーコート層となるように前記スイッチング素子上に開口されたコンタクトホールと
を有することを特徴とする液晶表示装置用基板。
対向配置される対向基板とともに液晶を挟持する絶縁性基板と、
前記絶縁性基板上にマトリクス状に配列されて、スイッチング素子と、シリコン窒化膜と、樹脂カラーフィルタ層と、画素電極とがこの順に形成された複数の画素領域からなる表示領域と、
前記表示領域の前記樹脂カラーフィルタ層と前記画素電極との間に形成された絶縁性樹脂材料からなるオーバーコート層と、
開口面積が、前記オーバーコート層>前記樹脂カラーフィルタ層>前記シリコン窒化膜となるように前記スイッチング素子上に開口されたコンタクトホールと
を有することを特徴とする液晶表示装置用基板。
付記15又は16に記載の液晶表示装置用基板において、
前記コンタクトホール端と前記画素領域端部との最短距離は、6μm以上であること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
付記15乃至17のいずれか1項に記載の液晶表示装置用基板において、
前記コンタクトホールは、テーパ部の距離が前記オーバーコート層の膜厚の1.5倍以上、又はテーパ角度が45°以下であること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
付記15乃至17のいずれか1項に記載の液晶表示装置用基板において、
前記コンタクトホール端と前記画素領域端部との最短距離は、前記オーバーコート層の膜厚の2.5倍以上であること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
対向配置される対向基板とともに液晶を挟持する絶縁性基板と、
前記絶縁性基板上にマトリクス状に配列されてスイッチング素子と樹脂カラーフィルタ層と画素電極とがこの順に形成された複数の画素領域からなる表示領域と、
前記表示領域外周囲に前記樹脂カラーフィルタ層を積層して形成した遮光層と
、前記画素電極の形成材料で形成され前記遮光層の前記カラーフィルタ層上層を
覆う保護膜とを備えた額縁領域と
を有することを特徴とする液晶表示装置用基板。
付記20記載の液晶表示装置用基板において、
前記保護膜は、前記対向基板に配置されたコモン電極と電気的に接続されること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
付記20記載の液晶表示装置用基板において、
前記保護膜は、前記画素領域に設けられた蓄積容量を構成する蓄積容量配線に対して絶縁され、あるいは高抵抗で接続されること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
一対の基板と、前記一対の基板間に封入された液晶とを有する液晶表示装置であって、
前記基板の一方に、付記1乃至22のいずれか1項に記載の液晶表示装置用基板を用いること
を特徴とする液晶表示装置。
付記23記載の液晶表示装置において、
前記液晶は、液晶分子にプレチルト角を付与するポリマーを含んでいること
を特徴とする液晶表示装置。
2 TFT
3 ガラス基板
4 対向基板
4’ 対向基板4のエッジ
6 ゲートバスライン
8 ドレインバスライン
10 画素電極
12 蓄積容量バスライン
14 ゲートバスライン駆動回路
16 ドレインバスライン駆動回路
18 制御回路
20、24 偏光板
22 バックライトユニット
26 ドレイン電極
28 チャネル保護膜
30 ソース電極
32 ゲート絶縁膜
34 動作半導体層
36 オーミックコンタクト層
38 蓄積容量電極
40 SiN膜(層間絶縁膜)
42 樹脂CF層
44 OC層
46、48 コンタクトホール
50 表示領域
51 ゲート端子形成領域
52 ゲート端子
52a、54a 第1の端子電極
52b、54b 第2の端子電極
52c、54c 電極繋ぎ換え領域
53 ドレイン端子形成領域
54 ドレイン端子
56 額縁領域
58 メインシール
60 突起
62 金属層
64 第1開口パターン
66 第2開口パターン
68 第3開口パターン
70 保護膜
80 コモン電極
82 球状スペーサ
84 液晶
86 柱状スペーサ
Claims (9)
- 対向配置される対向基板とともに液晶を挟持する絶縁性基板と、
前記絶縁性基板上にマトリクス状に配列されてスイッチング素子と樹脂カラーフィルタ層と画素電極とがこの順に形成された複数の画素領域からなる表示領域と、
前記表示領域外周囲に前記樹脂カラーフィルタ層を積層して形成した遮光層を備えた額縁領域と、
前記表示領域の前記樹脂カラーフィルタ層と前記画素電極との間に形成された絶縁性樹脂材料からなるオーバーコート層と
を有することを特徴とする液晶表示装置用基板。 - 対向配置される対向基板とともに液晶を挟持する絶縁性基板と、
前記絶縁性基板上にマトリクス状に配列され、スイッチング素子が形成された複数の画素領域と、
前記スイッチング素子上方を覆って前記画素領域上に形成される少なくとも1層の樹脂カラーフィルタ層と
を有することを特徴とする液晶表示装置用基板。 - 請求項2記載の液晶表示装置用基板において、
前記複数色の樹脂カラーフィルタ層のうち少なくとも1層は、基板面法線方向に見て、隣接する画素の前記スイッチング素子上を覆うように張り出したT字状パターン又は┣状(ト字状)パターンを有していること
を特徴とする液晶表示装置用基板。 - 対向配置される対向基板とともに液晶を挟持する絶縁性基板と、
前記絶縁性基板上にマトリクス状に配列された複数の画素領域に形成された樹脂カラーフィルタ層と、
前記樹脂カラーフィルタ層の上層に形成された画素電極と、
前記樹脂カラーフィルタ層の下方に形成され、前記画素電極と接続された蓄積容量電極と、
前記蓄積容量電極に開口した第1開口パターンと、前記第1開口パターン上方で前記画素電極に開口され、前記第1開口パターンに内包される大きさの第2開口パターンと、前記樹脂カラーフィルタ層に前記第1開口パターンを内包する位置及び大きさに開口された第3開口パターンとを備えた位置ずれ確認用バーニアパターンと
を有することを特徴とする液晶表示装置用基板。 - 対向配置される対向基板とともに液晶を挟持する絶縁性基板と、
前記絶縁性基板上にマトリクス状に配列されて、スイッチング素子と、シリコン窒化膜と、樹脂カラーフィルタ層と、画素電極とがこの順に形成された複数の画素領域からなる表示領域と、
前記表示領域の前記樹脂カラーフィルタ層と前記画素電極との間に形成された絶縁性樹脂材料からなるオーバーコート層と、
開口面積が、前記樹脂カラーフィルタ層>前記シリコン窒化膜>前記オーバーコート層となるように前記スイッチング素子上に開口されたコンタクトホールと
を有することを特徴とする液晶表示装置用基板。 - 対向配置される対向基板とともに液晶を挟持する絶縁性基板と、
前記絶縁性基板上にマトリクス状に配列されて、スイッチング素子と、シリコン窒化膜と、樹脂カラーフィルタ層と、画素電極とがこの順に形成された複数の画素領域からなる表示領域と、
前記表示領域の前記樹脂カラーフィルタ層と前記画素電極との間に形成された絶縁性樹脂材料からなるオーバーコート層と、
開口面積が、前記オーバーコート層>前記樹脂カラーフィルタ層>前記シリコン窒化膜となるように前記スイッチング素子上に開口されたコンタクトホールと
を有することを特徴とする液晶表示装置用基板。 - 対向配置される対向基板とともに液晶を挟持する絶縁性基板と、
前記絶縁性基板上にマトリクス状に配列されてスイッチング素子と樹脂カラーフィルタ層と画素電極とがこの順に形成された複数の画素領域からなる表示領域と、
前記表示領域外周囲に前記樹脂カラーフィルタ層を積層して形成した遮光層と、前記画素電極の形成材料で形成され前記遮光層の前記カラーフィルタ層上層を覆う保護膜とを備えた額縁領域と
を有することを特徴とする液晶表示装置用基板。 - 一対の基板と、前記一対の基板間に封入された液晶とを有する液晶表示装置であって、
前記基板の一方に、請求項1乃至7のいずれか1項に記載の液晶表示装置用基板を用いること
を特徴とする液晶表示装置。 - 請求項8記載の液晶表示装置において、
前記液晶は、液晶分子にプレチルト角を付与するポリマーを含んでいること
を特徴とする液晶表示装置。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013190815A1 (ja) * | 2012-06-22 | 2013-12-27 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板の製造方法及び表示装置の製造方法 |
WO2018181142A1 (ja) * | 2017-03-31 | 2018-10-04 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板、液晶表示装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08146402A (ja) * | 1994-11-24 | 1996-06-07 | Sony Corp | カラー表示装置 |
JP2000098422A (ja) * | 1998-09-24 | 2000-04-07 | Advanced Display Inc | 液晶表示装置およびその製造方法 |
JP2000122074A (ja) * | 1998-10-12 | 2000-04-28 | Toshiba Electronic Engineering Corp | 液晶表示装置 |
JP2000137242A (ja) * | 1998-10-30 | 2000-05-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置およびその製造方法 |
JP2000347174A (ja) * | 1999-03-26 | 2000-12-15 | Seiko Epson Corp | 液晶装置及びその製造方法並びにそれを用いた電子機器 |
JP2001183648A (ja) * | 1999-12-24 | 2001-07-06 | Nec Corp | カラー液晶表示装置及びその製造方法 |
-
2010
- 2010-06-18 JP JP2010138974A patent/JP2010231233A/ja active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08146402A (ja) * | 1994-11-24 | 1996-06-07 | Sony Corp | カラー表示装置 |
JP2000098422A (ja) * | 1998-09-24 | 2000-04-07 | Advanced Display Inc | 液晶表示装置およびその製造方法 |
JP2000122074A (ja) * | 1998-10-12 | 2000-04-28 | Toshiba Electronic Engineering Corp | 液晶表示装置 |
JP2000137242A (ja) * | 1998-10-30 | 2000-05-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置およびその製造方法 |
JP2000347174A (ja) * | 1999-03-26 | 2000-12-15 | Seiko Epson Corp | 液晶装置及びその製造方法並びにそれを用いた電子機器 |
JP2001183648A (ja) * | 1999-12-24 | 2001-07-06 | Nec Corp | カラー液晶表示装置及びその製造方法 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013190815A1 (ja) * | 2012-06-22 | 2013-12-27 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板の製造方法及び表示装置の製造方法 |
CN104303221A (zh) * | 2012-06-22 | 2015-01-21 | 夏普株式会社 | 有源矩阵基板的制造方法和显示装置的制造方法 |
CN104303221B (zh) * | 2012-06-22 | 2016-09-07 | 夏普株式会社 | 有源矩阵基板的制造方法和显示装置的制造方法 |
WO2018181142A1 (ja) * | 2017-03-31 | 2018-10-04 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板、液晶表示装置 |
JPWO2018181142A1 (ja) * | 2017-03-31 | 2019-12-26 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板、液晶表示装置 |
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