JP2010230612A - 試料作製装置、及び試料作製装置における制御方法 - Google Patents
試料作製装置、及び試料作製装置における制御方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】本発明は、試料における摘出試料となる領域や、それ以外の領域、若しくは、摘出試料を移送する移送手段や、摘出試料を保持できる試料ホルダに、画像認識の精度を向上させる指標を設け、摘出試料と試料の相対的移動等を高精度に画像認識することに関する。本発明によれば、集束イオンビームを用いた微小試料のサンプリングにおいて、摘出試料と試料との分離加工の終点検知等を自動的に実施できるようになる。このため、例えば、無人化した試料摘出が可能となり、大量の試料作製を行うことが可能となる。
【選択図】 図1
Description
2 試料上マーク
3 試料摘出部
4 周囲加工穴
5,105 プローブ
6 底切り加工パターン
7 プローブ接着デポ膜
8 底切り加工穴
9 薄壁下側の加工溝
10 再付着膜
11 FIB
12 マーク付きプローブ
13 プローブ上マーク
14,15 プローブ先端点
16 プローブ先端段差
17 ガスノズル
18 試料キャリア
19 キャリア上マーク
20 摘出試料
21 キャリア固定用デポ膜加工パターン
22 キャリア固定用デポ膜
23 薄膜化部
24 回転プローブ
25 回転プローブ先端
26 基板分離加工パターン
27 マーク位置測定時のFIB走査範囲
100 荷電粒子線装置
101 イオンビームカラム
102 電子ビームカラム
103 真空試料室
104 試料ステージ
106 プローブ駆動部
108 検出器
109 ディスプレイ
110 計算処理部
111 試料
112 ノズル先端
115 デポガス源
121 イオンビーム制御手段
122 電子ビーム制御手段
123 検出器制御手段
124 ステージ制御手段
125 デポガス源制御手段
126 プローブ制御手段
Claims (25)
- 試料を載置できる試料ステージと、
イオンビームを照射できるイオンビーム光学系と、
イオンビーム照射により前記試料から分離された摘出試料を移送できる移送手段と、
前記イオンビーム光学系を制御できる演算装置と、
を備えた試料作製装置であって、
イオンビームを前記試料に照射して前記摘出試料を前記試料から分離する際に、前記試料において前記摘出試料となる領域に形成されているマークと、それ以外の領域に形成されているマークを測定し、当該マーク間の相対位置が所定条件となった場合にイオンビーム照射を停止するように構成されている装置。 - 試料を載置できる試料ステージと、
イオンビームを照射できるイオンビーム光学系と、
イオンビーム照射により前記試料から分離された摘出試料を移送できる移送手段と、
前記イオンビーム光学系を制御できる演算装置と、
を備えた試料作製装置であって、
イオンビームを前記試料に照射して前記摘出試料を前記試料から分離する際に、前記試料において前記摘出試料となる領域を保持する移送手段に形成されているマークと、前記試料において前記摘出試料となる領域以外の領域に形成されているマークを測定し、当該マーク間の相対位置が所定条件となった場合にイオンビーム照射を停止するように構成されている装置。 - 試料を載置できる試料ステージと、
イオンビームを照射できるイオンビーム光学系と、
イオンビーム照射により前記試料から分離された摘出試料を移送できる移送手段と、
前記イオンビーム光学系を制御できる演算装置と、
を備えた試料作製装置であって、
前記移送手段を移動させて前記摘出試料に当該移送手段を接触させる際に、当該移送手段に形成されているマークと、前記試料において前記摘出試料となる領域に形成されているマークを測定し、当該マーク間の相対位置が所定条件となった場合に前記移送手段を停止するように構成されている装置。 - 試料を載置できる試料ステージと、
イオンビームを照射できるイオンビーム光学系と、
イオンビーム照射により前記試料から分離された摘出試料を移送できる移送手段と、
前記イオンビーム光学系を制御できる演算装置と、
を備えた試料作製装置であって、
前記移送手段を移動させて前記摘出試料に当該移送手段を接触させる際に、当該移送手段に形成されているマークと、前記試料において前記摘出試料となる領域以外の領域に形成されているマークを測定し、当該マーク間の相対位置が所定条件となった場合に前記移送手段を停止するように構成されている装置。 - 試料を載置できる試料ステージと、
イオンビームを照射できるイオンビーム光学系と、
イオンビーム照射により前記試料から分離された摘出試料を移送できる移送手段と、
前記摘出試料を保持できる試料ホルダと、
前記イオンビーム光学系を制御できる演算装置と、
を備えた試料作製装置であって、
前記移送手段に保持されている前記摘出試料を前記試料ホルダに移送する際に、前記摘出試料に形成されているマークと、前記試料ホルダに形成されているマークを測定し、当該マーク間の相対位置が所定条件となった場合に前記移送手段の移動を停止するように構成されている装置。 - 試料を載置できる試料ステージと、
イオンビームを照射できるイオンビーム光学系と、
イオンビーム照射により前記試料から分離された摘出試料を移送できる移送手段と、
前記摘出試料を保持できる試料ホルダと、
前記イオンビーム光学系を制御できる演算装置と、
を備えた試料作製装置であって、
前記移送手段に保持されている前記摘出試料を前記試料ホルダに移送する際に、前記摘出試料を移送する前記移送手段に形成されているマークと、前記試料ホルダに形成されているマークを測定し、当該マーク間の相対位置が所定条件となった場合に前記移送手段の移動を停止するように構成されている装置。 - 請求項1〜6のいずれかに記載の試料作成装置であって、
電子ビームを照射できる電子ビームカラムを備え、
当該電子ビームによりマークの測定を行うことを特徴とする装置。 - 請求項1〜7のいずれかに記載の試料作成装置であって、
マークを測定する際のイオンビームの条件を、試料を加工する際のイオンビームの条件を変更できることを特徴とする装置。 - 請求項1〜8のいずれかに記載の試料作成装置であって、
前記イオンビームが、集束イオンビームであることを特徴とする装置。 - 請求項1〜8のいずれかに記載の試料作成装置であって、
前記イオンビームが、投射型イオンビームであることを特徴とする装置。 - 請求項1〜10のいずれかに記載の試料作成装置であって、
前記移送手段が、プローブを含むことを特徴とする装置。 - 請求項11記載の試料作成装置であって、
前記プローブにおける前記摘出試料と接触予定領域に段差が設けられていることを特徴とする装置。 - 請求項11記載の試料作成装置において、
前記プローブが、プローブ軸方向に並んだ2個以上の段差を先端に有することを特徴とする装置。 - 請求項11記載の試料作製装置において、
前記プローブが、プローブ軸の略垂直方向に並んだ少なくとも2個以上の段差を先端に有することを特徴とする装置。 - 請求項1〜10のいずれかに記載の試料作成装置であって、
前記移送手段が、マイクロマニピュレーターを含むことを特徴とする装置。 - 請求項1〜15のいずれかに記載の試料作成装置であって、
前記摘出試料と前記移送手段の間に圧力が生じるように、前記試料ステージ、及び/又は前記移送手段を微小駆動させることを特徴とする装置。 - 請求項1〜15のいずれかに記載の試料作成装置であって、
前記摘出試料と前記移送手段の間に圧力が生じるように、前記試料ステージと前記移送手段の相対平行移動、及び/又は相対傾斜移動を行うことを特徴とする装置。 - 請求項11〜14記載の試料作成装置であって、
前記摘出試料と前記プローブの間に圧力が生じるように、前記プローブをプローブ軸回りに回転させることを特徴とする装置。 - 請求項1〜18記載の試料作成装置であって、
前記試料にイオンビームを照射することにより、前記試料において前記摘出試料となる領域に形成されているマーク、及び/又は前記試料において前記摘出試料となる領域以外の領域に形成されているマーク、を作成することを特徴とする装置。 - 試料を載置できる試料ステージと、イオンビームを照射できるイオンビーム光学系と、イオンビーム照射により前記試料から分離された摘出試料を移送できる移送手段と、前記イオンビーム光学系を制御できる演算装置と、を備えた試料作製装置における制御方法であって、
イオンビームを前記試料に照射して前記摘出試料を前記試料から分離する際に、前記試料において前記摘出試料となる領域に形成されているマークと、それ以外の領域に形成されているマークを測定し、当該マーク間の相対位置が所定条件となった場合にイオンビーム照射を停止する方法。 - 試料を載置できる試料ステージと、イオンビームを照射できるイオンビーム光学系と、イオンビーム照射により前記試料から分離された摘出試料を移送できる移送手段と、前記イオンビーム光学系を制御できる演算装置と、を備えた試料作製装置における制御方法であって、
イオンビームを前記試料に照射して前記摘出試料を前記試料から分離する際に、前記試料において前記摘出試料となる領域を保持する移送手段に形成されているマークと、前記試料において前記摘出試料となる領域以外の領域に形成されているマークを測定し、当該マーク間の相対位置が所定条件となった場合にイオンビーム照射を停止する方法。 - 試料を載置できる試料ステージと、イオンビームを照射できるイオンビーム光学系と、イオンビーム照射により前記試料から分離された摘出試料を移送できる移送手段と、前記イオンビーム光学系を制御できる演算装置と、を備えた試料作製装置における制御方法であって、
前記移送手段を移動させて前記摘出試料に当該移送手段を接触させる際に、当該移送手段に形成されているマークと、前記試料において前記摘出試料となる領域に形成されているマークを測定し、当該マーク間の相対位置が所定条件となった場合に前記移送手段を停止する方法。 - 試料を載置できる試料ステージと、イオンビームを照射できるイオンビーム光学系と、イオンビーム照射により前記試料から分離された摘出試料を移送できる移送手段と、前記イオンビーム光学系を制御できる演算装置と、を備えた試料作製装置における制御方法であって、
前記移送手段を移動させて前記摘出試料に当該移送手段を接触させる際に、当該移送手段に形成されているマークと、前記試料において前記摘出試料となる領域以外の領域に形成されているマークを測定し、当該マーク間の相対位置が所定条件となった場合に前記移送手段を停止する方法。 - 試料を載置できる試料ステージと、イオンビームを照射できるイオンビーム光学系と、イオンビーム照射により前記試料から分離された摘出試料を移送できる移送手段と、前記摘出試料を保持できる試料ホルダと、前記イオンビーム光学系を制御できる演算装置と、を備えた試料作製装置における制御方法であって、
前記移送手段に保持されている前記摘出試料を前記試料ホルダに移送する際に、前記摘出試料に形成されているマークと、前記試料ホルダに形成されているマークを測定し、当該マーク間の相対位置が所定条件となった場合に前記移送手段の移動を停止する方法。 - 試料を載置できる試料ステージと、イオンビームを照射できるイオンビーム光学系と、イオンビーム照射により前記試料から分離された摘出試料を移送できる移送手段と、前記摘出試料を保持できる試料ホルダと、前記イオンビーム光学系を制御できる演算装置と、を備えた試料作製装置における制御方法であって、
前記移送手段に保持されている前記摘出試料を前記試料ホルダに移送する際に、前記摘出試料を移送する前記移送手段に形成されているマークと、前記試料ホルダに形成されているマークを測定し、当該マーク間の相対位置が所定条件となった場合に前記移送手段の移動を停止する方法。
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