JP2008008672A - 加速度センサ - Google Patents
加速度センサ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008008672A JP2008008672A JP2006177059A JP2006177059A JP2008008672A JP 2008008672 A JP2008008672 A JP 2008008672A JP 2006177059 A JP2006177059 A JP 2006177059A JP 2006177059 A JP2006177059 A JP 2006177059A JP 2008008672 A JP2008008672 A JP 2008008672A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- sensor
- surface side
- sensor substrate
- acceleration
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Landscapes
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
【課題】加速度を検出可能な複数方向それぞれについて容易に動作確認を行うことが可能な加速度センサを提供する。
【解決手段】重り部12と4つの撓み部13とからなる可動部にゲージ抵抗Rx1〜Rx4,Ry1〜Ry4,Rz1〜Rz4が設けられ3方向の加速度をそれぞれ検出可能なセンサ基板1と、センサ基板1の一表面側に接合された第1のカバー基板2と、センサ基板1の他表面側に接合された第2のカバー基板3とを備え、各カバー基板2,3とセンサ基板1のフレーム部11とで、パッケージを構成している。可動部を静電気力により強制的に動かす動作確認用の駆動手段として、重り部12に設けられた可動電極15と第1のカバー基板2に設けられ可動電極15に対向した固定電極26との対を複数有し、可動電極15と固定電極26との対ごとに独立して動作確認用の駆動電圧を印加可能としてある。
【選択図】図1
【解決手段】重り部12と4つの撓み部13とからなる可動部にゲージ抵抗Rx1〜Rx4,Ry1〜Ry4,Rz1〜Rz4が設けられ3方向の加速度をそれぞれ検出可能なセンサ基板1と、センサ基板1の一表面側に接合された第1のカバー基板2と、センサ基板1の他表面側に接合された第2のカバー基板3とを備え、各カバー基板2,3とセンサ基板1のフレーム部11とで、パッケージを構成している。可動部を静電気力により強制的に動かす動作確認用の駆動手段として、重り部12に設けられた可動電極15と第1のカバー基板2に設けられ可動電極15に対向した固定電極26との対を複数有し、可動電極15と固定電極26との対ごとに独立して動作確認用の駆動電圧を印加可能としてある。
【選択図】図1
Description
本発明は、例えば、自動車や携帯電話などに用いられ加速度を検出する加速度センサに関するものである。
従来から、加速度センサとして、加速度が作用したときのピエゾ抵抗からなるゲージ抵抗のひずみによる抵抗値の変化により加速度を検出するピエゾ抵抗形の加速度センサが知られている。
ここで、ピエゾ抵抗形の加速度センサとしては、半導体基板を用いて形成され矩形枠状のフレーム部の内側に配置される重り部が一方向へ延長された撓み部を介してフレーム部に揺動自在に支持されたセンサ基板と、当該センサ基板の厚み方向の両側それぞれに接合された2つのガラス製のカバーとを備えたもの(例えば、特許文献1参照)や、枠状のフレーム部の内側に配置される重り部が四方へ延長された4つの撓み部を介してフレーム部に揺動自在に支持され、複数方向(例えば、互いに直交する3方向であって、それぞれ、x軸方向、y軸方向、z軸方向と呼んでいる)の加速度を各別に検出可能なセンサ基板と、当該センサ基板を収納したパッケージとを備えたもの(例えば、特許文献2参照)などが提案されている。また、複数方向それぞれの加速度を各別に検出可能なセンサ基板(加速度センサエレメント)としては、上記特許文献2に記載のものに比べてセンサ基板のサイズを大きくすることなく重り部の質量を重くできて感度を高めることができるものも提案されている(例えば、特許文献3参照)。なお、上述のピエゾ抵抗形の加速度センサでは、重り部と撓み部とで可動部を構成している。また、上記特許文献2,3に開示された加速度センサにおけるセンサ基板では、各軸方向の加速度を検出する3つのブリッジ回路それぞれが、可動部の適宜位置に配置された4つのゲージ抵抗を配線により接続することによって構成されている。
また、上記特許文献1に開示された加速度センサは、重り部を静電気力により強制的に動かすための固定電極をカバーに設け、固定電極と重り部との間に電圧を印加して静電気力により重り部を動かして感度などのセンサ特性が適正であるか否かなどの自己診断を行えるように構成されている。
特開平3−134552号公報
特開2006−133123号公報
特開2002−296293号公報
ところで、上記特許文献2に開示された加速度センサのように複数方向の加速度を各別に検出可能な多軸加速度センサでは、対象機器に組み込んだ後の出荷前の動作確認を行うにあたって、対象機器全体に加速度を作用させて動作確認を行っているのが現状であり、動作確認の検査に非常に手間がかかっている。
そこで、上記特許文献2に開示された多軸加速度センサに対して、上記特許文献1に記載の加速度センサと同様の自己診断機能を付加するために、パッケージにおける重り部との対向部位に固定電極を設けることが考えられるが、センサ基板の厚み方向(z軸方向)についてのみしか動作確認を行うことができず、他の方向(x軸方向、y軸方向)についての動作確認を行うことができない。
本発明は上記事由に鑑みて為されたものであり、その目的は、加速度を検出可能な複数方向それぞれについて容易に動作確認を行うことが可能な加速度センサを提供することにある。
請求項1の発明は、半導体基板を用いて形成され加速度の作用により可動部に生じる応力を検出する複数のゲージ抵抗が可動部に設けられ複数方向の加速度をそれぞれ検出可能なセンサ基板と、センサ基板の厚み方向への可動部の変位空間を有するパッケージとを備えた加速度センサであって、可動部を静電気力により強制的に動かす動作確認用の駆動手段を備え、当該駆動手段は、センサ基板の一表面側において可動部に設けられた可動電極とパッケージに設けられ可動電極に対向した固定電極との対を複数有し、可動電極と固定電極との対ごとに動作確認用の駆動電圧を印加可能としてあることを特徴とする。
この発明によれば、複数のゲージ抵抗が可動部に設けられ複数方向の加速度をそれぞれ検出可能なセンサ基板における可動部を静電気力により強制的に動かす動作確認用の駆動手段が、センサ基板の一表面側において可動部に設けられた可動電極とパッケージに設けられ可動電極に対向した固定電極との対を複数有し、可動電極と固定電極との対ごとに動作確認用の駆動電圧を印加可能としてあるので、動作確認用の駆動電圧を印加する可動電極と固定電極との対を適宜選択することにより、可動部の変形状態を変えることが可能となり、加速度を検出可能な複数方向それぞれについて容易に動作確認を行うことが可能になる。
請求項2の発明は、請求項1の発明において、前記センサ基板は、重り部を囲むフレーム部を有し重り部が十字状に配置された4つの撓み部を介してフレーム部に揺動自在に支持されてなり、前記可動部が、重り部と各撓み部とで構成され、互いに直交する3方向それぞれの加速度を検出可能とするように前記ゲージ抵抗が配置されてなり、重り部が、各撓み部の一端部が連結されたコア部と、コア部と一体に形成され平面視においてコア部とフレーム部とフレーム部の周方向において隣り合う各一対の撓み部の間の空間にそれぞれ配置された4つの付随部とを有し、各付随部それぞれに前記可動電極が設けられてなることを特徴とする。
この発明によれば、加速度を検出可能な3方向それぞれについて容易に動作確認を行うことが可能になる。
請求項3の発明は、請求項2の発明において、前記パッケージは、前記センサ基板の前記一表面側に接合された第1のカバー基板と、前記センサ基板の前記他表面側に接合された第2のカバー基板と、前記センサ基板の前記フレーム部とで構成されてなり、第1のカバー基板が半導体基板を用いて形成され、第1のカバー基板に前記固定電極が形成されるとともに通電用の貫通孔配線が形成されてなることを特徴とする。
この発明によれば、マイクロマシニング技術を利用することで前記固定電極と前記可動電極との間隔を精度良く制御することができるとともに短くすることができ、前記重り部を強制的に動かすための駆動電圧の低電圧化を図れるとともに、駆動電圧に応じた変位量のばらつきを小さくすることができる。
請求項4の発明は、請求項1または請求項2の発明において、前記パッケージは、前記センサ基板がバンプを介してフリップチップ実装された第1のカバー基板と、第1のカバー基板における前記センサ基板の実装面側において前記センサ基板を囲む形で第1のカバー基板に接合された第2のカバー基板とで構成されてなり、第1のカバー基板および第2のカバー基板それぞれが半導体基板を用いて形成され、第1のカバー基板に前記固定電極が形成されるとともに通電用の貫通孔配線が形成されてなることを特徴とする。
この発明によれば、バンプの突出高さを制御することで前記固定電極と前記可動電極との間隔を精度良く制御することができるとともに短くすることができ、前記重り部を強制的に動かすための駆動電圧の低電圧化を図れるとともに、駆動電圧に応じた変位量のばらつきを小さくすることができる。
請求項5の発明は、請求項1または請求項2の発明において、前記パッケージは、前記センサ基板が一表面側に実装されたベース基板と、ベース基板の前記一表面側において前記センサ基板を囲む形でベース基板の前記一表面側に接合された金属製のキャップとで構成され、当該キャップにおける前記重り部との対向部位に前記固定電極を設けてなることを特徴とする。
この発明によれば、金属製のキャップが前記固定電極への通電路の一部を構成することとなるので、前記固定電極に通電するための配線をキャップに形成する必要がなく、製造プロセスの簡略化を図れるとともに信頼性を高めることができる。
請求項6の発明は、請求項1または請求項2の発明において、前記パッケージは、前記センサ基板が一表面側に実装されたベース基板と、ベース基板の前記一表面側において前記センサ基板を囲む形でベース基板の前記一表面側に接合された金属製のキャップとで構成され、当該キャップにおける前記重り部との対向部位を前記重り部側へ突出させ前記固定電極に兼用してなることを特徴とする。
この発明によれば、金属製のキャップの一部を前記固定電極に兼用しているので、キャップにおける前記重り部との対向部位に別途に前記固定電極を設ける必要がなく、製造時に固定電極を形成する工程を省くことができる。
請求項7の発明は、請求項1ないし請求項6の発明において、前記センサ基板と前記パッケージとの少なくとも一方に、前記可動電極と前記固定電極との接触を防止するストッパが設けられてなることを特徴とする。
この発明によれば、前記重り部を強制的に動かした際に前記可動電極と前記固定電極とが付着するスティッキング現象の発生を防止することができる。
請求項8の発明は、請求項1ないし請求項7の発明において、前記センサ基板は、前記駆動電圧を印加させる前記可動電極と前記固定電極との対を選択する制御回路が集積化されてなることを特徴とする。
この発明によれば、動作確認を行うにあたっては制御回路によって、前記駆動電圧を印加させる前記可動電極と前記固定電極との対が選択されるので、動作確認を容易に行うことが可能となる。
請求項1の発明では、加速度を検出可能な複数方向それぞれについて容易に動作確認を行うことが可能になるという効果がある。
(実施形態1)
以下、本実施形態の加速度センサについて図1〜図5を参照しながら説明する。
以下、本実施形態の加速度センサについて図1〜図5を参照しながら説明する。
本実施形態の加速度センサは、ピエゾ抵抗からなるゲージ抵抗Rx1〜Rx4,Ry1〜Ry4,Rz1〜Rz4が形成されたセンサ基板(加速度センサ本体)1と、センサ基板1の一表面側(図1(b)の上面側)に接合された第1のカバー基板2と、センサ基板1の他表面側(図1(b)の下面側)に接合された第2のカバー基板3とを備えている。ここにおいて、センサ基板1および各カバー基板2,3の外周形状は矩形状であり、各カバー基板2,3はセンサ基板1と同じ外形寸法に形成されている。
上述のセンサ基板1は、シリコン基板からなる支持基板10a上のシリコン酸化膜からなる絶縁層(埋込酸化膜)10b上にn形のシリコン層(活性層)10cを有するSOIウェハを加工することにより形成してあり、第1のカバー基板2は第1のシリコンウェハを加工することにより形成し、第2のカバー基板3は第2のシリコンウェハを加工することにより形成してある。ここで、本実施形態では、SOIウェハにおける支持基板10aの厚さを300μm〜500μm程度、絶縁層10bの厚さを0.3μm〜1.5μm程度、シリコン層10cの厚さを4μm〜10μm程度とし、また、第1のシリコンウェハの厚さを200μm〜300μm程度、第2のシリコンウェハの厚さを100〜300μm程度としてあるが、これらの数値は特に限定するものではない。また、SOIウェハの主表面であるシリコン層10cの表面は(100)面としてある。なお、本実施形態では、上述のSOIウェハがセンサ基板1の基礎となる半導体基板を構成し、第1のシリコンウェハが第1のカバー基板2の基礎となる半導体基板を構成し、第2のシリコンウェハが第2のカバー基板3の基礎となる半導体基板を構成している。
センサ基板1は、図3に示すように、枠状(本実施形態では、矩形枠状)のフレーム部11を備え、フレーム部11の内側に配置される重り部12が一表面側(図1(b)および図3(b)の上面側)において可撓性を有する4つの短冊状の撓み部13を介してフレーム部11に揺動自在に支持されている。言い換えれば、センサ基板1は、枠状のフレーム部11の内側に配置される重り部12が重り部12から四方へ延長された4つの撓み部13を介してフレーム部11に揺動自在に支持されている。ここで、フレーム部11は、上述のSOIウェハの支持基板10a、絶縁層10b、シリコン層10cそれぞれを利用して形成してある。これに対して、撓み部13は、上述のSOIウェハにおけるシリコン層10cを利用して形成してあり、フレーム部11よりも十分に薄肉となっている。
重り部12は、上述の4つの撓み部13を介してフレーム部11に支持された直方体状のコア部12aと、センサ基板1の上記一表面側から見てコア部12aの四隅それぞれに連続一体に連結された直方体状の4つの付随部12bとを有している。言い換えれば、重り部12は、フレーム部11の内側面に一端部が連結された各撓み部13の他端部が外側面に連結されたコア部12aと、コア部12aと一体に形成されコア部12aとフレーム部11との間の空間に配置される4つの付随部12bとを有している。つまり、各付随部12bは、センサ基板1の上記一表面側から見た平面視において、フレーム部11とコア部12aと互いに直交する方向に延長された2つの撓み部13,13とで囲まれる空間に配置されており、各付随部12bそれぞれとフレーム部11との間にはスリット14が形成され、撓み部13を挟んで隣り合う付随部12b間の間隔が撓み部13の幅寸法よりも長くなっている。ここにおいて、コア部12aは、上述のSOIウェハの支持基板10a、絶縁層10b、シリコン層10cそれぞれを利用して形成し、各付随部12bは、SOIウェハの支持基板10aを利用して形成してある。しかして、センサ基板1の上記一表面側において各付随部12bの表面は、コア部12aの表面を含む平面からセンサ基板1の上記他表面側(図1(b)および図3(b)の下面側)へ離間して位置している。なお、センサ基板1の上述のフレーム部11、重り部12、各撓み部13は、リソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して形成すればよい。
ところで、図3(a),(b)それぞれの右下に示したように、センサ基板1の上記一表面に平行な面内でフレーム部11の一辺に沿った一方向をx軸の正方向、この一辺に直交する辺に沿った一方向をy軸の正方向、センサ基板1の厚み方向の一方向をz軸の正方向と規定すれば、重り部12は、x軸方向に延長されてコア部12aを挟む2つ1組の撓み部13,13と、y軸方向に延長されてコア部12aを挟む2つ1組の撓み部13,13とを介してフレーム部11に支持されていることになる。なお、上述のx軸、y軸、z軸の3軸により規定した直交座標では、センサ基板1において上述のシリコン層10cにより形成された部分の表面における重り部12の中心位置を原点としている。
重り部12のコア部12aからx軸の正方向に延長された撓み部13(図3(a)の右側の撓み部13)は、コア部12a近傍に2つ1組のゲージ抵抗Rx2,Rx4が形成されるとともに、フレーム部11近傍に1つのゲージ抵抗Rz2が形成されている。一方、重り部12のコア部12aからx軸の負方向に延長された撓み部13(図3(a)の左側の撓み部13)は、コア部12a近傍に2つ1組のゲージ抵抗Rx1,Rx3が形成されるとともに、フレーム部11近傍に1つのゲージ抵抗Rz3が形成されている。ここに、コア部12a近傍に形成された4つのゲージ抵抗Rx1,Rx2,Rx3,Rx4は、x軸方向の加速度を検出するために形成されたもので、平面形状が細長の長方形状であって、長手方向が撓み部13の長手方向に一致するように形成してあり、図4における左側のブリッジ回路Bxを構成するように図示しない配線(センサ基板1に形成されている拡散層配線、金属配線など)によって接続されている。なお、ゲージ抵抗Rx1〜Rx4は、x軸方向の加速度がかかったときに撓み部13において応力が集中する応力集中領域に形成されている。
また、重り部12のコア部12aからy軸の正方向に延長された撓み部13(図3(a)の上側の撓み部13)はコア部12a近傍に2つ1組のゲージ抵抗Ry1,Ry3が形成されるとともに、フレーム部11近傍に1つのゲージ抵抗Rz1が形成されている。一方、重り部12のコア部12aからy軸の負方向に延長された撓み部13(図3(a)の下側の撓み部13)はコア部12a近傍に2つ1組のゲージ抵抗Ry2,Ry4が形成されるとともに、フレーム部11側の端部に1つのゲージ抵抗Rz4が形成されている。ここに、コア部12a近傍に形成された4つのゲージ抵抗Ry1,Ry2,Ry3,Ry4は、y軸方向の加速度を検出するために形成されたもので、平面形状が細長の長方形状であって、長手方向が撓み部13の長手方向に一致するように形成してあり、図4における中央のブリッジ回路Byを構成するように図示しない配線(センサ基板1に形成されている拡散層配線、金属配線など)によって接続されている。なお、ゲージ抵抗Ry1〜Ry4は、y軸方向の加速度がかかったときに撓み部13において応力が集中する応力集中領域に形成されている。
また、フレーム部11近傍に形成された4つのゲージ抵抗Rz1,Rz2,Rz3,Rz4は、z軸方向の加速度を検出するために形成されたものであり、図4における右側のブリッジ回路Bzを構成するように図示しない配線(センサ基板1に形成されている拡散層配線、金属配線など)によって接続されている。ただし、2つ1組となる撓み部13,13のうち一方の組の撓み部13,13に形成したゲージ抵抗Rz1,Rz4は長手方向が撓み部13,13の長手方向と一致するように形成されているのに対して、他方の組の撓み部13,13に形成したゲージ抵抗Rz2,Rz3は長手方向が撓み部13,13の幅方向(短手方向)と一致するように形成されている。
また、センサ基板1は、当該センサ基板1の上記一表面側において重り部12の各付随部12bそれぞれの表面側に金属材料(例えば、Al、Al−Si、Au、Cu、Ti、Niなど)からなる可動電極15が形成されている。要するに、センサ基板1には、重り部12と各撓み部13とで構成される可動部に4個の可動電極15が形成されている。なお、各可動電極15については後述する。
ここで、センサ基板1の基本的な動作の一例について説明する。
いま、センサ基板1に加速度がかかっていない状態で、センサ基板1に対してx軸の正方向に加速度がかかったとすると、x軸の負方向に作用する重り部12の慣性力によってフレーム部11に対して重り部12が変位し、結果的にx軸方向を長手方向とする撓み部13,13が撓んで当該撓み部13,13に形成されているゲージ抵抗Rx1〜Rx4の抵抗値が変化することになる。この場合、ゲージ抵抗Rx1,Rx3は引張応力を受け、ゲージ抵抗Rx2,Rx4は圧縮応力を受ける。一般的にゲージ抵抗は引張応力を受けると抵抗値(抵抗率)が増大し、圧縮応力を受けると抵抗値(抵抗率)が減少する特性を有しているので、ゲージ抵抗Rx1,Rx3は抵抗値が増大し、ゲージ抵抗Rx2,Rx4は抵抗値が減少することになる。したがって、図4に示した一対の入力端子VDD,GND間に外部電源から一定の直流電圧を印加しておけば、図4に示した左側のブリッジ回路Bxの出力端子X1,X2間の電位差がx軸方向の加速度の大きさに応じて変化する。同様に、y軸方向の加速度がかかった場合には図4に示した中央のブリッジ回路Byの出力端子Y1,Y2間の電位差がy軸方向の加速度の大きさに応じて変化し、z軸方向の加速度がかかった場合には図4に示した右側のブリッジ回路Bzの出力端子Z1,Z2間の電位差がz軸方向の加速度の大きさに応じて変化する。しかして、上述のセンサ基板1は、各ブリッジ回路Bx〜Bzそれぞれの出力電圧の変化を検出することにより、当該センサ基板1に作用したx軸方向、y軸方向、z軸方向それぞれの加速度を検出することができる。本実施形態では、重り部12と各撓み部13とで可動部を構成している。
ところで、センサ基板1は、上述の3つのブリッジ回路Bx,By,Bzに共通の2個の入力端子VDD,GNDと、ブリッジ回路Bxの2個の出力端子X1,X2と、ブリッジ回路Byの2個の出力端子Y1,Y2(図4参照)と、ブリッジ回路Bzの2個の出力端子Z1,Z2(図4参照)と、4個の可動電極15それぞれに金属材料からなる配線17を介して電気的に接続された4個の通電用端子とを備えており、これらの各入力端子VDD,GNDおよび各出力端子X1,X2,Y1,Y2,Z1,Z2および各通電用端子が、上記一表面側(つまり、第1のカバー基板2側)に第1の接続用接合金属層19として設けられており、第1のカバー基板2に形成された通電用の貫通孔配線24と電気的に接続されている。すなわち、センサ基板1には、12個の第1の接続用接合金属層19が形成され、第1のカバー基板2には、各第1の接続用接合金属層19と接続される貫通孔配線24が12箇所に形成されている。なお、12個の第1の接続用接合金属層19は、外周形状が矩形状(本実施形態では、正方形状)であり、フレーム部11の周方向に離間して配置されている。
また、センサ基板1のフレーム部11上には、フレーム部11よりも開口面積が大きな枠状(矩形枠状)の第1の封止用接合金属層18が形成されており、上述の12個の第1の接続用接合金属層19は、フレーム部11において第1の封止用接合金属層18よりも内側に配置されている。要するに、センサ基板1は、第1の封止用接合金属層18の幅寸法をフレーム部11の幅寸法に比べて小さく設定し、第1の封止用接合金属層18と各接続用接合金属層19とを同一平面上に形成してある。
ここにおいて、センサ基板1は、上記一表面側において上記シリコン層10c上にシリコン酸化膜とシリコン窒化膜との積層膜からなる絶縁膜16が形成されており、第1の接続用接合金属層19および第1の封止用接合金属層18および上記金属配線は絶縁膜16上に形成されている。
また、第1の封止用接合金属層18および第1の接続用接合金属層19は、接合用のAu膜と絶縁膜16との間に密着性改善用のTi膜を介在させてある。言い換えれば、第1の封止用接合金属層18および第1の接続用接合金属層19は、絶縁膜16上に形成されたTi膜と当該Ti膜上に形成されたAu膜との積層膜により構成されている。要するに、第1の接続用接合金属層19と第1の封止用接合金属層18とは同一の金属材料により形成されているので、第1の接続用接合金属層19と第1の封止用接合金属層18とを同時に形成することができるとともに、第1の接続用接合金属層19と第1の封止用接合金属層18とを略同じ厚さに形成することができる。なお、第1の封止用接合金属層18および第1の接続用接合金属層19は、Ti膜の膜厚を15〜50nm、Au膜の膜厚を500nmに設定してあり、金属配線の膜厚は1μmに設定してあるが、これらの数値は一例であって特に限定するものではない。ここにおいて、各Au膜の材料は、純金に限らず不純物を添加したものでもよい。また、本実施形態では、各Au膜と絶縁膜16との間に密着性改善用の密着層としてTi膜を介在させてあるが、密着層の材料はTiに限らず、例えば、Cr、Nb、Zr、TiN、TaNなどでもよい。
上述の各ゲージ抵抗Rx1〜Rx4,Ry1〜Ry4,Rz1〜Rz4および上記各拡散層配線は、上記シリコン層10cにおけるそれぞれの形成部位に適宜濃度のp形不純物をドーピングすることにより形成されており、上記金属配線は、絶縁膜16上にスパッタ法や蒸着法などにより成膜した金属膜(例えば、Al膜、Al合金膜など)をリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用してパターニングすることにより形成されており、上記金属配線は絶縁膜16に設けたコンタクトホールを通して拡散層配線と電気的に接続されている。また、上述の各可動電極15は、重り部12の各付随部12b上にスパッタ法や蒸着法などにより成膜した金属膜をリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用してパターニングすることにより形成されている。なお、各可動電極15に接続された配線17は、付随部12b上と絶縁膜16上とに跨って形成されている。また、第1の接続用接合金属層19と上記金属配線とは、第1の接続用接合金属層19における上記金属配線との接続部位が、第1のカバー基板2におけるセンサ基板1との対向面に形成された後述の変位空間形成用凹部21内に位置する形で電気的に接続されている。ここにおいて、本実施形態では、第1のカバー基板2における変位空間形成用凹部21が、センサ基板1の第1の接続用接合金属層における上記金属配線との接続部位が配置される凹所を兼ねている。
第1のカバー基板2は、図1に示すように、センサ基板1側(図1(b)における下面側)の表面に、センサ基板1の重り部12と各撓み部13とで構成される可動部の変位空間を確保する上述の変位空間形成用凹部21が形成されるとともに、変位空間形成用凹部21の周部に厚み方向に貫通する複数(本実施形態では、12個)の貫通孔22が形成されており、厚み方向の両面および貫通孔22の内面とに跨って熱絶縁膜(シリコン酸化膜)からなる絶縁膜23が形成され、貫通孔配線24と貫通孔22の内面との間に絶縁膜23の一部が介在している。ここにおいて、変位空間形成用凹部21は、リソグラフィ技術およびエッチング技術などのマイクロマシニング技術を利用して形成してある。また、第1のカバー基板2の12個の貫通孔配線24は、当該第1のカバー基板2の周方向に離間して形成されている。また、貫通孔配線24の材料としては、Cuを採用しているが、Cuに限らず、例えば、Niなどを採用してもよい。
また、第1のカバー基板2は、センサ基板1側の表面において変位空間形成用凹部21の周部に、各貫通孔配線24それぞれと電気的に接続された複数個(本実施形態では、12個)の第2の接続用接合金属層29が形成されている。第1のカバー基板2は、センサ基板1側の表面の周部には、全周に亘って枠状(矩形枠状)の第2の封止用接合金属層28が形成されており、上述の12個の第2の接続用接合金属層29は、外周形状が細長の長方形状であり、第2の封止用接合金属層28よりも内側に配置されている。ここにおいて、第2の接続用接合金属層29は、長手方向の一端部が貫通孔配線24と接合されており、他端側の部位がセンサ基板1の上記金属配線よりも外側でセンサ基板1の第1の接続用接合金属層19と接合されて電気的に接続されるように配置してある。要するに、カバー基板2の周方向において貫通孔配線24と当該貫通孔配線24に対応する第1の接続用接合金属層19との位置をずらしてあり、第2の接続用接合金属層29を、長手方向が第2の封止用接合金属層28の周方向に一致し且つ貫通孔配線24と第1の接続用接合金属層19とに跨る形で配置してある。
また、第2の封止用接合金属層28および第2の接続用接合金属層29は、接合用のAu膜と絶縁膜23との間に密着性改善用のTi膜を介在させてある。言い換えれば、第2の封止用接合金属層28および第2の接続用接合金属層29は、絶縁膜23上に形成されたTi膜と当該Ti膜上に形成されたAu膜との積層膜により構成されている。要するに、第2の接続用接合金属層29と第2の封止用接合金属層28とは同一の金属材料により形成されているので、第2の接続用接合金属層29と第2の封止用接合金属層28とを同時に形成することができるとともに、第2の接続用接合金属層29と第2の封止用接合金属層28とを略同じ厚さに形成することができる。なお、第2の封止用接合金属層28および第2の接続用接合金属層29は、Ti膜の膜厚を15〜50nm、Au膜の膜厚を500nmに設定してあるが、これらの数値は一例であって特に限定するものではない。ここにおいて、各Au膜の材料は、純金に限らず不純物を添加したものでもよい。また、本実施形態では、各Au膜と絶縁膜23との間に密着性改善用の密着層としてTi膜を介在させてあるが、密着層の材料はTiに限らず、例えば、Cr、Nb、Zr、TiN、TaNなどでもよい。
また、第1のカバー基板2におけるセンサ基板1側とは反対側の表面には、各貫通孔配線24それぞれと電気的に接続された複数の外部接続用電極25が形成されている。なお、各外部接続用電極25の外周形状は矩形状となっている。
これに対して、第2のカバー基板3は、図1(b)および図5に示すように、センサ基板1との対向面に、重り部12の変位空間を形成する所定深さ(例えば、5μm〜10μm程度)の凹部31を形成してある。ここにおいて、凹部31は、リソグラフィ技術およびエッチング技術などのマイクロマシニング技術を利用して形成してある。なお、本実施形態では、カバー基板3におけるセンサ基板1との対向面に、重り部12の変位空間を形成する凹部31を形成してあるが、重り部12のコア部12aおよび各付随部12bのうち支持基板10aを利用して形成されている部分の厚さを、フレーム部11において支持基板10aを利用して形成されている部分の厚さに比べて、センサ基板1の厚み方向への重り部12の許容変位量分だけ薄くするようにすれば、カバー基板3に凹部31を形成しなくても、センサ基板1の上記他表面側には上記他表面に交差する方向への重り部12の変位を可能とする隙間が重り部12とカバー基板3との間に形成される。
ところで、本実施形態の加速度センサは、センサ基板1の上記一表面側に接合された第1のカバー基板2と、センサ基板1の上記他表面側に接合された第2のカバー基板3と、センサ基板1のフレーム部11とで、センサ基板1の厚み方向への可動部の変位空間を有するパッケージを構成しており、重り部12と各撓み部13とからなる可動部を静電気力により強制的に動かす動作確認用の駆動手段として、センサ基板1の上記一表面側において可動部に設けられた可動電極15と第1のカバー基板2に設けられ可動電極15に対向した固定電極26との対を複数有し、可動電極15と固定電極26との対ごとに独立して動作確認用の駆動電圧を印加可能としてある。すなわち、第1のカバー基板2の中央部には、厚み方向に貫通する複数(本実施形態では、4個)の貫通孔22が形成されており、各貫通孔22の内側に絶縁膜23の一部が介在する形で固定電極26への通電用の貫通孔配線24が形成されている。なお、各固定電極26は、第1のカバー基板2における変位空間形成用凹部21の内底面に形成されている。
また、上述の加速度センサにおけるセンサ基板1と第1のカバー基板2とは、第1の封止用接合金属層18と第2の封止用接合金属層28とが接合される(第1のカバー基板2はセンサ基板1のフレーム部11の全周に亘って周部が封着される)とともに、第1の接続用接合金属層19と第2の接続用接合金属層29とが接合されて電気的に接続され、センサ基板1と第2のカバー基板3とは、互いの対向面の周部同士が接合されている(第2のカバー基板3はセンサ基板1のフレーム部11の全周に亘って周部が封着されている)。また、本実施形態の加速度センサは、上述のSOIウェハにセンサ基板1を複数形成したセンサウェハと、上述の第1のシリコンウェハに第1のカバー基板2を複数形成した第1のパッケージウェハと、上述の第2のシリコンウェハに第2のカバー基板3を複数形成した第2のパッケージウェハとをウェハレベルで接合することでウェハレベルパッケージ構造体を形成してから、センサ基板1のサイズにダイシング工程により分割されている。したがって、第1のカバー基板2と第2のカバー基板3とがセンサ基板1と同じ外形サイズとなり、小型のチップサイズパッケージを実現できるとともに、製造が容易になる。
ここにおいて、本実施形態では、センサウェハと第1のパッケージウェハおよび第2のパッケージウェハとの接合方法として、センサ基板1の残留応力を少なくするためにより低温での直接接合が可能な常温接合法を採用している。常温接合法では、接合前に互いの接合表面へアルゴンのプラズマ若しくはイオンビーム若しくは原子ビームを真空中で照射して各接合表面の清浄化・活性化を行ってから、接合表面同士を接触させ、常温下で直接接合する。本実施形態では、上述の常温接合法により、常温下で適宜の荷重を印加して、第1の封止用接合金属層18と第2の封止用接合金属層28とを直接接合するのと同時に、第1の接続用接合金属層19と第2の接続用接合金属層29とを直接接合しており、また、上述の常温接合法により、常温下でセンサ基板1のフレーム部11と第2のカバー基板3の周部とを直接接合している。
しかして、本実施形態におけるウェハレベルパッケージ100では、センサウェハと第1のパッケージウェハとの封止用接合金属層18,28同士および接続用接合金属層19,29同士が直接接合され、センサウェハと第2のパッケージウェハとが常温接合法のような低温プロセスで直接接合されており、センサウェハと第1のパッケージウェハおよび第2のパッケージウェハとを半田リフローのような熱処理を必要とする方法により接合する場合に比べて、ゲージ抵抗Rx1〜Rx4,Ry1〜Ry4,Rz1〜Rz4が熱応力の影響を受けにくくなるという利点があり、また、プロセス温度の低温化を図れるとともに、製造プロセスの簡略化を図れるという利点がある。また、センサウェハがSOIウェハを用いて形成され、第1のパッケージウェハおよび第2のパッケージウェハがそれぞれシリコンウェハを用いて形成されているので、センサ基板1と各カバー基板2,3との線膨張率差に起因して各撓み部13に発生する応力を低減でき、線膨張率差に起因した応力が上記ブリッジ回路Bx,By,Bzの出力信号に与える影響を低減できるから、センサ特性の温度依存性を小さくすることが可能となる。なお、本実施形態では、センサ基板1がSOIウェハを加工して形成してあるが、SOIウェハに限らず、例えば、シリコンウェハを加工して形成してもよい。
以上説明した本実施形態の加速度センサでは、複数のゲージ抵抗Rx1〜Rx4,Ry1〜Ry4,Rz1〜Rz4が可動部に設けられ複数方向の加速度をそれぞれ検出可能なセンサ基板1における可動部を静電気力により強制的に動かす動作確認用の駆動手段が、センサ基板1の上記一表面側において可動部に設けられた可動電極15とパッケージに設けられ可動電極15に対向した固定電極26との対を複数有し、可動電極15と固定電極26との対ごとに独立して動作確認用の駆動電圧を印加可能としてあるので、動作確認用の駆動電圧を印加する可動電極15と固定電極26との対を適宜選択することにより、可動部の変形状態を変える(x軸方向のみ加速度が作用したときの可動部の変形状態、y軸方向のみ加速度が作用したときの可動部の変形状態、z軸方向のみ加速度が作用したときの可動部の変形状態などを再現する)ことが可能となり、各ブリッジ回路Bx,By,Bzそれぞれの出力を対応する外部接続用電極25,25の対を通して確認することにより、対象機器に組み込んだ後の出荷前の状態でも加速度を検出可能な複数方向それぞれについて適正なセンサ特性が得られるか否の動作確認を容易に行うことが可能になる。
ここで、説明を簡単にするために、4個の可動電極15について、図1(a)における左上の可動電極15の符号を15a、右上の可動電極15の符号を15b、左下の可動電極15の符号を15c、右下の可動電極15の符号を15dとし、各可動電極15a,15b,15c,15dそれぞれに対向する固定電極26の符号を26a,26b,26c,26dとして説明する。
本実施形態の加速度センサでは、例えば、可動電極15b・固定電極26b間と可動電極15d・固定電極26d間とに同じ電圧値の駆動電圧を同時に印加するか、あるいは、可動電極15a・固定電極26a間と可動電極15c・固定電極26c間とに同じ電圧値の駆動電圧を同時に印加すると、ブリッジ回路Bxの出力電圧が変化する。また、可動電極15d・固定電極26d間と可動電極15c・固定電極26c間とに同じ電圧値の駆動電圧を同時に印加するか、あるいは、可動電極15a・固定電極26a間と可動電極15b・固定電極26b間とに同じ電圧値の駆動電圧を同時に印加すると、ブリッジ回路Byの出力電圧が変化する。また、全ての可動電極15a〜15dと全ての固定電極26a〜25dとの対に同じ電圧値の駆動電圧を同時に印加すると、ブリッジ回路Bzの出力電圧が変化する。したがって、x軸方向、y軸方向、z軸方向それぞれの動作を確認することができる。また、上述の駆動電圧の電圧値を変化させることにより、付随部12bの変位量を制御することができるが、付随部12bの変位量は加速度が作用したときの加速度の大きさに依存するから、上記電圧値を変化させることによって、付随部12bの変位量(つまり、加速度)と出力電圧との関係を検査することができ、センサ特性が適正であるか否かをより詳細に確認することができる。ここにおいて、センサ基板1と第1のカバー基板2とはそれぞれマイクロマシニング技術を利用して形成されており、可動電極15と固定電極26との間隔を精度良く制御することができるとともに短くすることができ、重り部12を強制的に動かすための駆動電圧の低電圧化を図れるとともに、駆動電圧に応じた変位量のばらつきを小さくすることができる。また、上述のようにセンサ基板1と第1のカバー基板2とを常温接合法により接合しており、センサ基板1の残留応力を低減できるので、可動電極15と固定電極26との間の距離の高精度化を図れ、駆動電圧の電圧値に比例した出力電圧を得ることが可能となる。
なお、上述の実施形態では、センサ基板1において各可動電極15それぞれを互いに異なる第1の接続用接合金属層19に接続してあるが、上述の入力端子VDD,GNDのいずれか一方に対応する第1の接続用接合金属層19に共通接続するようにしてもよいし、あるいは、各可動電極15をフローティング電極としてもよい。
(実施形態2)
以下、本実施形態の加速度センサについて図6および図7を参照しながら説明する。
以下、本実施形態の加速度センサについて図6および図7を参照しながら説明する。
本実施形態の加速度センサの基本構成は実施形態1と略同じであり、センサ基板1に、ゲージ抵抗Rx1〜Rx4,Ry1〜Ry4,Rz1〜Rz4と協働する集積回路4が形成されている点などが実施形態1と相違する。ここにおいて、集積回路4は、CMOSを用いた集積回路(CMOS IC)であり、実施形態1にて説明したブリッジ回路Bx,By,Bzの出力信号に対して増幅、オフセット調整、温度補償などの信号処理を行って出力する信号処理回路や、信号処理回路において用いるデータを格納したEEPROMなどが集積化されている。なお、実施形態1と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
本実施形態におけるセンサ基板1は、実施形態1にて説明したフレーム部11の一部、重り部12、各撓み部13、ゲージ抵抗Rx1〜Rx4,Ry1〜Ry4,Rz1〜Rz4などが形成されたセンサ領域部E1と、上述の集積回路4が形成されたIC領域部E2と、実施形態1にて説明した第1の封止用接合金属層18、第1の接続用接合金属層19などが形成された接合領域部E3とを備え、平面視において中央部に位置するセンサ領域部E1をIC領域部E2が囲み、IC領域部E2を接合領域部E3が囲むように各領域部E1〜E3のレイアウトが設計されている。ここで、本実施形態では、実施形態1におけるセンサ基板1のフレーム部11の外形寸法を大きくしてあり(言い換えれば、フレーム部11の幅寸法を大きくしてあり)、フレーム部11に集積回路4を形成してある。なお、センサ基板1は、実施形態1と同様にSOIウェハを用いて形成されており、IC領域部E2では、多層配線技術を利用してセンサ基板1における当該IC領域部E2の占有面積の縮小化を図っている。
また、本実施形態では、実施形態1と同様に、第1のシリコンウェハを用いて形成された第1のカバー基板2および第2のシリコンウェハを用いて形成された第2のカバー基板3がセンサ基板1と同じ外形寸法に形成されており、本実施形態における第1のカバー基板2は、実施形態1にて説明した変位空間形成用凹部21の開口面の投影領域内にセンサ領域部E1およびIC領域部E2が収まるように変位空間形成用凹部21の開口面積を実施形態1に比べて大きくしてあり、IC領域部E2の多層構造部が変位空間形成用凹部21内に配置されるようになっている。
以上説明した本実施形態の加速度センサでは、実施形態1の加速度センサと、実施形態1の加速度センサのゲージ抵抗Rx1〜Rx4,Ry1〜Ry4,Rz1〜Rz4と協働する集積回路を形成したICチップとを1つのパッケージに収納したセンサモジュールに比べて小型化および低コスト化を図れ、また、ゲージ抵抗Rx1〜Rx4,Ry1〜Ry4,Rz1〜Rz4と集積回路4との間の配線長を短くすることができ、センサ性能の向上を図れる。
ところで、上述の集積回路4に、駆動電圧を印加させる可動電極15と固定電極26との対を選択して適宜の駆動電圧を印加させる制御回路を集積化してもよく、当該制御回路を集積化しておくことにより、動作確認を行うにあたっては制御回路によって、駆動電圧を印加させる可動電極15と固定電極26との対が選択され適宜駆動電圧が印加されることとなるので、動作確認を容易に行うことが可能となる。ここで、制御回路により可動電極15と固定電極26との対を選択して駆動電圧を印加させたときのブリッジ回路Bx,By,Bzの出力電圧を信号処理回路で信号処理して得られた出力値がEEPROMに予め記憶させた適正値の範囲内にあるか否かで正常に動作しているか否かを自己診断することが可能となる。
(実施形態3)
本実施形態の加速度センサの基本構成は実施形態1と略同じであり、図8に示すように、第1のカバー基板2における固定電極26が4個の可動電極15に対して1個だけ設けられている点が相違する。要するに、本実施形態では、実施形態1にて説明した駆動手段が、4個の可動電極15に対して1個の固定電極26を共用している点が相違し、実施形態1に比べて外部接続用電極25の数が少なくなっている。他の構成は実施形態1と同じなので説明を省略する。なお、実施形態2の加速度センサにおいて、本実施形態の技術思想を適用してもよい。
本実施形態の加速度センサの基本構成は実施形態1と略同じであり、図8に示すように、第1のカバー基板2における固定電極26が4個の可動電極15に対して1個だけ設けられている点が相違する。要するに、本実施形態では、実施形態1にて説明した駆動手段が、4個の可動電極15に対して1個の固定電極26を共用している点が相違し、実施形態1に比べて外部接続用電極25の数が少なくなっている。他の構成は実施形態1と同じなので説明を省略する。なお、実施形態2の加速度センサにおいて、本実施形態の技術思想を適用してもよい。
(実施形態4)
本実施形態の加速度センサの基本構成は実施形態1と略同じであり、図9に示すように、重り部12の各付随部12bそれぞれにおける第2のカバー基板3側に可動電極15が設けられ、各可動電極15に対向する4個の固定電極26が第2のカバー基板3における凹部31の内底面に形成され、第2のカバー基板3におけるセンサ基板1側とは反対の表面側に、当該第2のカバー基板3の厚み方向に貫設した貫通孔配線24を介して固定電極26と電気的に接続された4個の外部接続用電極25が設けられている点が相違する。他の構成は実施形態1と同じなので説明を省略する。なお、実施形態2の加速度センサにおいて、本実施形態の技術思想を適用してもよい。
本実施形態の加速度センサの基本構成は実施形態1と略同じであり、図9に示すように、重り部12の各付随部12bそれぞれにおける第2のカバー基板3側に可動電極15が設けられ、各可動電極15に対向する4個の固定電極26が第2のカバー基板3における凹部31の内底面に形成され、第2のカバー基板3におけるセンサ基板1側とは反対の表面側に、当該第2のカバー基板3の厚み方向に貫設した貫通孔配線24を介して固定電極26と電気的に接続された4個の外部接続用電極25が設けられている点が相違する。他の構成は実施形態1と同じなので説明を省略する。なお、実施形態2の加速度センサにおいて、本実施形態の技術思想を適用してもよい。
(実施形態5)
本実施形態の加速度センサの基本構成は実施形態1と略同じであり、図10に示すように、第1のカバー基板2における変位空間形成用凹部21の内底面に、可動電極15と固定電極26との接触を防止するストッパ5を突設してある点が相違する。なお、他の構成は実施形態1と同じなので説明を省略する。
本実施形態の加速度センサの基本構成は実施形態1と略同じであり、図10に示すように、第1のカバー基板2における変位空間形成用凹部21の内底面に、可動電極15と固定電極26との接触を防止するストッパ5を突設してある点が相違する。なお、他の構成は実施形態1と同じなので説明を省略する。
しかして、本実施形態の加速度センサでは、重り部12を静電気力により強制的に動かした際に可動電極15と固定電極26とが付着するスティッキング現象の発生を防止することができる。
なお、本実施形態では、可動電極15と固定電極26との接触を防止するストッパ5をパッケージに設けてあるが、ストッパ5はパッケージに限らずセンサ基板1に設けてもよく、パッケージとセンサ基板1との少なくとも一方に設ければ、重り部12を静電気力により強制的に動かした際に可動電極15と固定電極26とが付着するスティキング現象の発生を防止することができる。また、他の実施形態の加速度センサにおいて、本実施形態の技術思想を適用してもよい。
(実施形態6)
本実施形態の加速度センサの基本構成は実施形態3と略同じであり、図11に示すように、センサ基板1がバンプ9を介して第1のカバー基板2にフリップチップ実装されており、第1のカバー基板2と、第1のカバー基板2におけるセンサ基板1の実装面側においてセンサ基板1を囲む形で第1のカバー基板2に接合された第2のカバー基板3とでパッケージが構成されている点などが相違する。なお、実施形態3と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
本実施形態の加速度センサの基本構成は実施形態3と略同じであり、図11に示すように、センサ基板1がバンプ9を介して第1のカバー基板2にフリップチップ実装されており、第1のカバー基板2と、第1のカバー基板2におけるセンサ基板1の実装面側においてセンサ基板1を囲む形で第1のカバー基板2に接合された第2のカバー基板3とでパッケージが構成されている点などが相違する。なお、実施形態3と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
本実施形態の加速度センサでは、実施形態1にて説明したセンサ基板1の第1の接続用接合金属層19をセンサ基板1のパッドとして、各パッド19と実施形態1にて説明した第1のカバー基板2の第2の接続用接合金属層29とをバンプ9を介して電気的および機械的に接続してある。また、第2のカバー基板3は、実施形態1と同様に、第2のシリコンウェハを用いて形成されているが、本実施形態における第2のカバー基板3には、第1のカバー基板2との対向面に、センサ基板1を収納する収納凹所32が形成されており、第1のカバー基板2と第2のカバー基板3との周部同士が全周に亘って接合されている。なお、本実施形態では、バンプ9の突出高さにより可動電極15と固定電極26との間隔を制御することができるので、第1のカバー基板2には、実施形態1にて説明した変位空間形成用凹部21(図1(b)参照)は形成されていない。
しかして、本実施形態の加速度センサでは、バンプ9の突出高さを制御することで固定電極26と可動電極15との間隔を精度良く制御することができるとともに短くすることができ、重り部12を静電気力により強制的に動かすための駆動電圧の低電圧化を図れるとともに、駆動電圧に応じた変位量のばらつきを小さくすることができる。なお、センサ基板1として実施形態2におけるセンサ基板1を用いてもよい。
(実施形態7)
本実施形態の加速度センサの基本構成は実施形態3と略同じであり、図12に示すように、センサ基板1が一表面側に実装された金属製のベース基板(ステム)6と、ベース基板6の上記一表面側においてセンサ基板1を囲む形でベース基板6の上記一表面側に接合された金属製のキャップ7とでパッケージが構成され、キャップ7における重り部12との対向部位に固定電極26を設けてある点などが相違する。なお、実施形態1と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
本実施形態の加速度センサの基本構成は実施形態3と略同じであり、図12に示すように、センサ基板1が一表面側に実装された金属製のベース基板(ステム)6と、ベース基板6の上記一表面側においてセンサ基板1を囲む形でベース基板6の上記一表面側に接合された金属製のキャップ7とでパッケージが構成され、キャップ7における重り部12との対向部位に固定電極26を設けてある点などが相違する。なお、実施形態1と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
本実施形態では、実施形態1にて説明したセンサ基板1の第1の接続用接合金属層19をセンサ基板1のパッドとして利用しており、ベース基板6には、センサ基板1の各パッド19とボンディングワイヤ61,61を介して電気的に接続される複数本の端子ピン69が挿通される複数の端子用孔66が厚み方向に貫設されており、端子ピン69が端子用孔66に挿通された形で絶縁性を有する封着用のガラスからなる封止部67により封着されている。また、センサ基板1は、ベース基板6と重り部12との間に重り部12の変位空間を確保するために、重り部12において支持基板10aにより形成される部分の厚みを、フレーム部11において支持基板10aにより形成される部分の厚みよりも薄くしてある。
しかして、本実施形態の加速度センサでは、金属製のキャップ7が固定電極26への通電路の一部を構成することとなるので、固定電極26に通電するための配線をキャップ7に形成する必要がなく、製造プロセスの簡略化を図れるとともに信頼性を高めることができる。なお、センサ基板1として実施形態2におけるセンサ基板1を用いてもよい。
(実施形態8)
本実施形態の加速度センサの基本構成は実施形態7と略同じであり、図13に示すように、キャップ7における重り部12との対向部位を重り部12側へ突出させ固定電極26に兼用している点が相違する。なお、他の構成は実施形態7と同じなので説明を省略する。
本実施形態の加速度センサの基本構成は実施形態7と略同じであり、図13に示すように、キャップ7における重り部12との対向部位を重り部12側へ突出させ固定電極26に兼用している点が相違する。なお、他の構成は実施形態7と同じなので説明を省略する。
しかして、本実施形態の加速度センサでは、金属製のキャップ7の一部を固定電極26に兼用しているので、製造時に、キャップ7における重り部12との対向部位に別途に固定電極26を形成する工程(例えば、固定電極26を貼り付ける工程、成膜技術などを利用して固定電極26を形成する工程)が不要となる。なお、センサ基板1として実施形態2におけるセンサ基板1を用いてもよい。
ところで、上記各実施形態では、センサ基板1の重り部12における各付随部12bがコア部12aよりも薄く形成されているが、各付随部12bとコア部12aとの厚みを揃え、センサ基板1の上記一表面側における各付随部12bの表面とコア部12aの表面とを面一としてもよい。また、上記各実施形態では、重り部12に可動電極15を設けているが、可動電極15は重り部12に限らず撓み部13に設けるようにしてもよい。
1 センサ基板
2 第1のカバー基板
3 第2のカバー基板
4 集積回路
5 ストッパ
6 ベース基板
7 キャップ
9 バンプ
11 フレーム部
12 重り部
12a コア部
12b 付随部
13 撓み部
15 可動電極
24 貫通孔配線
25 外部接続用電極
26 固定電極
Rx1〜Rx4 ゲージ抵抗
Ry1〜Ry4 ゲージ抵抗
Rz1〜Rz4 ゲージ抵抗
2 第1のカバー基板
3 第2のカバー基板
4 集積回路
5 ストッパ
6 ベース基板
7 キャップ
9 バンプ
11 フレーム部
12 重り部
12a コア部
12b 付随部
13 撓み部
15 可動電極
24 貫通孔配線
25 外部接続用電極
26 固定電極
Rx1〜Rx4 ゲージ抵抗
Ry1〜Ry4 ゲージ抵抗
Rz1〜Rz4 ゲージ抵抗
Claims (8)
- 半導体基板を用いて形成され加速度の作用により可動部に生じる応力を検出する複数のゲージ抵抗が可動部に設けられ複数方向の加速度をそれぞれ検出可能なセンサ基板と、センサ基板の厚み方向への可動部の変位空間を有するパッケージとを備えた加速度センサであって、可動部を静電気力により強制的に動かす動作確認用の駆動手段を備え、当該駆動手段は、センサ基板の一表面側において可動部に設けられた可動電極とパッケージに設けられ可動電極に対向した固定電極との対を複数有し、可動電極と固定電極との対ごとに動作確認用の駆動電圧を印加可能としてあることを特徴とする加速度センサ。
- 前記センサ基板は、重り部を囲むフレーム部を有し重り部が十字状に配置された4つの撓み部を介してフレーム部に揺動自在に支持されてなり、前記可動部が、重り部と各撓み部とで構成され、互いに直交する3方向それぞれの加速度を検出可能とするように前記ゲージ抵抗が配置されてなり、重り部が、各撓み部の一端部が連結されたコア部と、コア部と一体に形成され平面視においてコア部とフレーム部とフレーム部の周方向において隣り合う各一対の撓み部の間の空間にそれぞれ配置された4つの付随部とを有し、各付随部それぞれに前記可動電極が設けられてなることを特徴とする請求項1記載の加速度センサ。
- 前記パッケージは、前記センサ基板の前記一表面側に接合された第1のカバー基板と、前記センサ基板の前記他表面側に接合された第2のカバー基板と、前記センサ基板の前記フレーム部とで構成されてなり、第1のカバー基板が半導体基板を用いて形成され、第1のカバー基板に前記固定電極が形成されるとともに通電用の貫通孔配線が形成されてなることを特徴とする請求項2記載の加速度センサ。
- 前記パッケージは、前記センサ基板がバンプを介してフリップチップ実装された第1のカバー基板と、第1のカバー基板における前記センサ基板の実装面側において前記センサ基板を囲む形で第1のカバー基板に接合された第2のカバー基板とで構成されてなり、第1のカバー基板および第2のカバー基板それぞれが半導体基板を用いて形成され、第1のカバー基板に前記固定電極が形成されるとともに通電用の貫通孔配線が形成されてなることを特徴とする請求項1または請求項2記載の加速度センサ。
- 前記パッケージは、前記センサ基板が一表面側に実装されたベース基板と、ベース基板の前記一表面側において前記センサ基板を囲む形でベース基板の前記一表面側に接合された金属製のキャップとで構成され、当該キャップにおける前記重り部との対向部位に前記固定電極を設けてなることを特徴とする請求項1または請求項2記載の加速度センサ。
- 前記パッケージは、前記センサ基板が一表面側に実装されたベース基板と、ベース基板の前記一表面側において前記センサ基板を囲む形でベース基板の前記一表面側に接合された金属製のキャップとで構成され、当該キャップにおける前記重り部との対向部位を前記重り部側へ突出させ前記固定電極に兼用してなることを特徴とする請求項1または請求項2記載の加速度センサ。
- 前記センサ基板と前記パッケージとの少なくとも一方に、前記可動電極と前記固定電極との接触を防止するストッパが設けられてなることを特徴とする請求項1ないし請求項6のいずれか1項に記載の加速度センサ。
- 前記センサ基板は、前記駆動電圧を印加させる前記可動電極と前記固定電極との対を選択する制御回路が集積化されてなることを特徴とする請求項1ないし請求項7のいずれか1項に記載の加速度センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006177059A JP2008008672A (ja) | 2006-06-27 | 2006-06-27 | 加速度センサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006177059A JP2008008672A (ja) | 2006-06-27 | 2006-06-27 | 加速度センサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008008672A true JP2008008672A (ja) | 2008-01-17 |
Family
ID=39067029
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006177059A Withdrawn JP2008008672A (ja) | 2006-06-27 | 2006-06-27 | 加速度センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008008672A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010223640A (ja) * | 2009-03-20 | 2010-10-07 | Denso Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2010238836A (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | Mems構造体、memsデバイス及びその製造方法 |
WO2011016348A1 (ja) * | 2009-08-07 | 2011-02-10 | アルプス電気株式会社 | Memsセンサ |
US8413507B2 (en) | 2009-06-09 | 2013-04-09 | Denso Corporation | Semiconductor dynamic quantity sensor and method of manufacturing the same |
CN111983256A (zh) * | 2019-05-22 | 2020-11-24 | 爱睦威株式会社 | 加速度传感器核心单元和防止载置加速度传感器的基板挠曲的方法 |
-
2006
- 2006-06-27 JP JP2006177059A patent/JP2008008672A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010223640A (ja) * | 2009-03-20 | 2010-10-07 | Denso Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2010238836A (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | Mems構造体、memsデバイス及びその製造方法 |
US8413507B2 (en) | 2009-06-09 | 2013-04-09 | Denso Corporation | Semiconductor dynamic quantity sensor and method of manufacturing the same |
WO2011016348A1 (ja) * | 2009-08-07 | 2011-02-10 | アルプス電気株式会社 | Memsセンサ |
CN111983256A (zh) * | 2019-05-22 | 2020-11-24 | 爱睦威株式会社 | 加速度传感器核心单元和防止载置加速度传感器的基板挠曲的方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2008008672A (ja) | 加速度センサ | |
JP3938198B1 (ja) | ウェハレベルパッケージ構造体およびセンサエレメント | |
JP4839826B2 (ja) | センサモジュール | |
JP4925275B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP3938204B1 (ja) | ウェハレベルパッケージ構造体およびセンサエレメント | |
JP3938199B1 (ja) | ウェハレベルパッケージ構造体およびセンサ装置 | |
JP3938205B1 (ja) | センサエレメント | |
JP4081496B2 (ja) | ウェハレベルパッケージ構造体、加速度センサ | |
JP2007263766A (ja) | センサ装置 | |
JP4715503B2 (ja) | センサモジュールの製造方法 | |
JP4665733B2 (ja) | センサエレメント | |
JP2010008172A (ja) | 半導体装置 | |
JP5033045B2 (ja) | 半導体素子の実装構造 | |
JP5069410B2 (ja) | センサエレメント | |
JP4000169B2 (ja) | チップサイズパッケージ | |
JP3938203B1 (ja) | センサエレメントおよびウェハレベルパッケージ構造体 | |
JP2007171153A (ja) | センサエレメント | |
JP2008157825A (ja) | センサ装置 | |
JP4816065B2 (ja) | センサモジュールの製造方法 | |
JP2006300904A (ja) | 物理量センサ | |
JP2007263767A (ja) | センサ装置 | |
JP2008244174A (ja) | センサ素子の製造方法 | |
JP2007266320A (ja) | センサモジュール | |
JP3938196B1 (ja) | センサモジュール | |
JP4000170B2 (ja) | チップサイズパッケージ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20090901 |