JP2010208869A - 多結晶体または単結晶体の製造装置および製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】防波機構を融液液面と離面しないように設けることにより、液面に生じる揺れの程度を減ずる多結晶体または単結晶体の製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】原料融液４０１、４０３を貯留する第１の耐熱性容器３と第２の耐熱性容器２とを備え、第２の耐熱性容器２中の原料融液４０１を第１の耐熱性容器３中に供給する製造装置であって、第１の耐熱性容器３中の原料融液４０３の液面と離面しないように第１の耐熱性容器３中に防波機構３０１を設ける。
【選択図】図１

Description

本発明は、耐熱性容器中に貯留された半導体などの原料融液から単結晶体または多結晶体を製造する製造装置および製造方法に関する。

従来から、シリコン、ＧａＡｓといった半導体の単結晶体は、ＩＣ、ＬＳＩなどの集積回路の基板材料として広く用いられている。また、半導体の多結晶体は、太陽電池などの基板材料として広く用いられている。そして、そのような単結晶体および多結晶体の製造方法、製造装置については種々のものが提案されている。

太陽電池の作製などに用いられるシリコン多結晶体は、例えば、特開平１１−２１１２０号公報（特許文献１）、特開平１１−９２２８４号公報（特許文献２）に開示されているようなキャスト法により製造されている。キャスト法は、坩堝内で溶解したシリコンを坩堝底面から徐々に冷却することによってシリコン融液を固化させ、坩堝底面から上方に向けて成長した長い柱状結晶構造を主体とするインゴット（凝固塊）を製造する方法である。

また、ウエブ（ｗｅｂ）法やＥＦＧ(edge-defined film-fed growth)法によるシリコン多結晶体からなるシリコンリボンの成長方法も研究されている。また、近年ではより速い成長を目指して、シリコン融液から直接的にシリコン多結晶体からなる薄板状のシリコンリボンを作製するＲＧＳ(ribbon growth on substrate)法が注目されるようになっている（２６ｔｈＰＶＳＣ，１９９７，ｐｐ．９１−９３）。ＲＧＳ法の原理は、凝固成長面に近い面からの高速熱移動（抜熱）によってシリコンリボンの高速成長を行うものである。具体的には、溶融シリコンの側部周囲を支える側部支持枠に対してその開放下面を支える下面支持平板を冷却しながら相対的に横方向に移動させることにより、その下面支持平板上にシリコンリボンを高速成長させる方法である。

さらに別のシリコン多結晶体からなる基板を製造する方法としては、シリコン融液に下地板を接触させて液相からの凝固によって直接的にシート状のシリコン基板を得る方法（シート形成法）が知られており、例えば、特開２００１−２２３１７２号公報（特許文献３）、特開２００１−２４７３９６号公報（特許文献４）等に開示されている。

上述のような半導体などの原料融液から単結晶体および多結晶体を製造する方法において、特に、連続的に結晶体を製造する場合（連続追装方法）においては、結晶体の製造により消費された原料融液を随時容器外から供給する必要がある。一般に、これらのシリコン融液の供給を行うためには、ヒータにより固体原料（例えば、棒状の多結晶シリコン）を溶解して、原料融液とし、その液滴を上方から耐熱性容器に滴下するタイプの製造装置が、耐熱性容器の上方に備えられていることが多い。しかし、かかる従来の製造装置においては、原料融液の液滴が落下するときに耐熱性容器中の原料融液の液面に揺れが生じることによって、育成中のシリコン結晶に悪影響を及ぼし、単結晶体および多結晶体の製造が困難となったり、結晶特性が劣化するといった問題があった。また、シート形成法のように融液中から直接にシリコン板が形成される方法においては、製造されるシリコン板の表面形状等に悪影響を及ぼす恐れもある。

よって上記原料融液の追装によって生じる融液表面の揺れを防止するため、特開平７−２７７８７２号公報（特許文献５）に様々な液面振動防止機構が開示されている。ここで、上述したように、原料融液は結晶体の製造により消費され、融液面が下降することになるが、特許文献５ではこのとき供給管の下端を斜めに切断することによって供給管が液面から離脱する際に生じる液面の揺れを防止している。

特開平１１−２１１２０号公報 特開平１１−９２２８４号公報 特開２００１−２２３１７２号公報 特開２００１−２４７３９６号公報 特開平７−２７７８７２号公報

上述した特許文献５に記載の半導体結晶製造装置においては供給管が融液液面から離脱する際の液面の揺れを減ずることはできても液面と供給管が離脱することに変わりは無く、完全にこれによって生じる液面の防止はできない。

よって本発明は、防波機構を融液液面と離面しないように設けることにより、液面に生じる揺れの程度を減ずることを課題とする。

本発明は、原料融液を貯留する第１の耐熱性容器と第２の耐熱性容器とを備え、該第２の耐熱性容器中の原料融液を前記第１の耐熱性容器中に供給する製造装置であって、前記第一の耐熱性容器中の原料融液の液面と離面しないように前記第一の耐熱性容器中に防波機構を設けることを特徴とする製造装置である。

さらに該第２の耐熱性容器中の原料融液を前記第１の耐熱性容器中に供給するための原料供給機構を備え、前記防波機構と該原料供給機構とが別体として構成されていることが好ましい。

また、前記防波機構の水平方向の断面形状が、円弧、波型、直線または折れ線の形状であることが好ましい。

また、前記防波機構は、前記第２の耐熱性容器から原料融液が滴下される落下地点の前記第１の耐熱性容器中の原料融液の液面を取り囲むような障壁であることが好ましい。

また、前記第１の耐熱性容器と前記防波機構とが一体となっているか、または、互いに当接するように配置されていることが好ましい。

また、前記第２の耐熱性容器中の原料融液の液滴が前記第１の耐熱性容器中の原料融液に落下する地点が、前記防波機構内であって、第１の耐熱性容器中の原料融液において結晶体が製造される範囲から遠い位置となるように、前記防波機構が配置されることが好ましい。

また、前記原料供給機構が前記第２の耐熱性容器に接続された供給管を含み、前記供給管の取込口が前記第２の耐熱性容器に貯留された原料融液の液面と同じ高さに位置することが好ましい。

また、前記供給管内を加熱するための加熱機構をさらに備えることが好ましい。
また、前記原料融液はシリコン融液であることが好ましい。

さらに、本発明は、上記の製造装置を用いた多結晶体または単結晶体の製造方法にも関する。

前記第１の耐熱性容器中の原料融液に下地板を接触させて液相状態にある原料融液からの凝固によって直接的に多結晶体からなるシート状の基板を得ることが好ましい。

本発明によれば、防波機構を融液液面と離面しないように設けることにより、液面に生じる揺れの程度を減ずることができる。

第一の実施形態の一例を説明するための模式的な縦断面図である。 シート形成法を用いた基板製造装置の一例を示す側断面図である。 図２に示される基板製造装置の動作状態を示す側断面図である。 第一の実施形態の別の例を説明するための模式的な縦断面図である。 第二の実施形態を説明するための模式的な上面図である。 第三の実施形態を説明するための模式的な上面図である。

＜第一の実施形態＞
本実施形態は、多結晶体または単結晶体を第１の耐熱性容器に貯留された原料融液から製造する装置であって、該第１の耐熱性容器に原料融液を供給する製造装置である。

図１を用いて本実施形態の原料融液供給装置を説明する。本実施形態の製造装置は、原料融液４０１を貯留する第２の耐熱性容器２と、該第２の耐熱性容器２中の原料融液４０１を第１の耐熱性容器３中に供給するための供給管６とを備えており、前記供給管６の排出口６０１が前記第１の耐熱性容器３中の原料融液４０３の液面から離れた上部に位置しており、かつ、前記第２の耐熱性容器２中の原料融液が前記排出口６０１から滴下されることにより前記第１の耐熱性容器３中に供給されるような構造を有している。

そして、供給管の排出口６０１の下部となる第１の耐熱性容器３中の原料融液４０３の液面に防波機構３０１が設けられている。ここで、防波機構３０１は、第２の耐熱性容器からの原料融液４０２が滴下されるときに生じる揺れを防ぐ障壁となっており、単なる壁構造となっていれば良いが、第１の耐熱性容器３中の原料融液４０３の液面を取り囲むような障壁であり、原料融液４０３の液面の上下に一定の高さを有している。

本発明の防波機構は、本実施形態のものに限られず、第２の耐熱性容器から原料融液が第１の耐熱性容器中の原料融液に滴下等される際に生じる原料融液の液面の揺れが液面全体に拡散することを防止するための機構であればよく、障壁の形状としては、例えば、水平方向の断面形状が中空の円形、楕円形、多角形など第２の耐熱性容器から原料融液の液滴が落下する位置（液滴落下地点）を中空部内に取り囲むような実質的に閉じた形状が挙げられる。また、障壁の水平方向の断面形状が、液滴落下地点を部分的に取り囲むような形状であり、閉じられていない形状であってもよく、例えば、水平方向の断面形状が、円弧や波型、直線や折れ線の形状のもの等が挙げられ、折れ線としては多角形の半分のみのような形状が挙げられる。また、障壁の表面に凹凸形状などをもつものであっても良い。障壁の形状は液滴の滴下によって液面に生じる波紋が円形に広がること、また液滴の落下地点と防波機構との位置関係を考慮して適宜決定される。

第１の耐熱性容器中の原料融液の液面に配置された状態での障壁の液面より上の部分の高さは５ｍｍ以上２０ｍｍ以下であることが好ましい。前記高さが５ｍｍより低いと、融液の波立ちが防波機構を乗り越えて伝播する恐れがあり、また前記高さが２０ｍｍより高いと防波機構からの輻射による抜熱によって融液が凝固してしまう恐れがあるためである。また障壁の液面より下側の部分の高さ（深さ）は２０ｍｍ以上であることが好ましい。該障壁の材料は、原料融液の温度に対する耐熱性を有し、原料融液と反応しない材料であればよく、例えば、高純度黒鉛、炭化けい素、石英などが挙げられる。

本実施形態においては、供給管６（原料供給機構）と防波構造３０１が離れて構成されていることにより、この間に自由な空間ができ、例えば以下に説明するようなシート形成法などにおいては下地板を運搬する軌道について自由度の大きい設計が可能となり、また他の製造方法においても製造装置の設計の自由度を大きくすることができる。

ここで、本実施形態では原料供給機構として、原料の追装を重力による自然落下を利用して行うものを示すが、例えば第２の耐熱性容器２に貯留されている原料融液４０１の液面が第一の耐熱性容器３に貯留されている融液４０３の液面より低い場合などに、第２の耐熱性容器２に貯留されている原料融液４０１を押し上げるような機構を備えていても良く、第２の耐熱性容器２からの原料融液４０１が第一の耐熱性容器３に貯留されている融液４０３の上面から供給される態様であれば本発明は適用可能である。

また、本実施形態は管状の供給管６を示すが、特に管状である必要は無く、棒状の表面を融液が伝って第一の耐熱性容器３に原料融液が供給されるような態様であっても良い。

さらに、第２の耐熱性容器２には原料供給機構として供給管６が接続されており、供給管６の取込口６０２は第２の耐熱性容器２に貯留された原料融液４０１の液面と同じ高さに接続され、供給管６の排出口６０１は第１の耐熱性容器中の原料融液４０３の上部に離れて位置している。このような構造とすることで、固体原料５を第２の耐熱性容器中の原料融液４０１に補充することにより溢れ出した原料融液４０２が供給管６の内壁の下側部分に沿って流れ、排出口６０１から滴下されることで、第１の耐熱性容器中の原料融液４０３へと供給される。

また、通常は第１の耐熱性容器および第２の耐熱性容器の周囲に該容器内の原料融液を加熱するための加熱装置が設けられているが、本発明においては、さらに、前記供給管６内を加熱するための供給管加熱機構１２をさらに備えていることが好ましい。加熱機構を供給管に対しても設けることにより供給管内で原料融液の凝固等が生じることを防止できるからである。このように供給管を加熱する加熱機構を備えている場合は、熱遮蔽板３０２を設けることにより、加熱機構を融液の輻射熱から保護することが出来る。加熱機構は抵抗加熱方式であっても良く、これと同等の能力をもつ高周波加熱方式等であっても良い。

ここで、供給管６はその中心軸が水平方向に対して下向きに傾斜しており、原料融液４０２が供給管６の内壁の下側部分に沿って流れることによって融液が緩やかに移動することができるように設計されていてもよい。また、図１のように供給管傾斜部６０３が直線的に水平方向との角度を有する構造であってもよく、供給管が少なくとも一部または全部が曲線的に構成されていてもよい。

さらに、本発明は、上記の製造装置を用いた多結晶体または単結晶体の製造方法にも関するものである。多結晶体または単結晶体の製造方法は、耐熱性容器中に貯留された原料融液を用いて該融液を液相から凝固させる等の方法により多結晶体または単結晶体を得る方法であれば、特に限定されるものではないが、例えば、原料融液から単結晶体を製造するチョクラルスキー法（ＣＺ法）や、原料融液から多結晶体を製造するキャスト法、ウエブ法、ＥＦＧ(edge-defined film-fed growth)法、原料融液に下地板を接触させて液相状態にある原料融液からの凝固によって直接的に多結晶体からなるシート状のシリコン基板を得る方法（シート形成法）が挙げられる。

（シート形成法）
シート形成法の一例について基本的な手順を図２、３を用いて以下に説明する。

図２を参照して、基板製造装置７は、主室１０内に、坩堝３および坩堝を加熱して原料となるシリコンを溶融するための加熱機構（図示せず）を有する。坩堝３には、加熱機構によって溶融した原料融液４０３が貯留され、その原料融液４０３に下地板１の表層部を浸漬させる浸漬機構９が配置されている。主室１０にはアルゴン等の不活性ガスが導入され、不活性な雰囲気に保たれる。

主室１０の外壁に取り付けられた昇降機構９０１には懸垂支柱９０２が接続されている。昇降機構９０１内のモータによって、懸垂支柱９０２は昇降動作を行なうことが可能である。懸垂支柱９０２は、主室１０内へと貫通している。貫通部は、パッキンや磁性流体シールなどによって、主室内外を隔離し、主室内に外気が混入することを防いでいる。懸垂支柱９０２の先には、回転モータ軸９０７を有する回転機構９０３が接続されている。回転機構９０３の下には、主軸支柱９０４が２本接続されており、主軸支柱９０４の下端には主軸９０５が水平方向に貫通している。この主軸９０５と、回転機構内のモータ軸とは、動力伝達機構９０６によって接続されているため、主軸９０５は回転機構９０３によって回転動作を行なうことが可能である。動力伝達機構９０６は、チェーンや、ベルト、ギアなどを使用することができる。主軸９０５には台座支持部９０８が接続しており、その先に台座１１が接続されている。台座１１は、下地板１を保持する部材である。

次に、図２および３を用いて、下地板１を原料融液４０３に浸漬し、下地板表面にシリコン基板を製造する方法を説明する。浸漬機構９が下地板１を把握した後、昇降機構９０１によって浸漬機構全体を下降しつつ、回転機構９０３によって台座１１を回転させることで、下地板１を矢印８０２のように動作させ、下地板交換位置８０１から融液に浸す位置へ移動させる。そのまま、昇降機構９０１の昇降動作と回転機構９０３の回転動作を用いて、矢印８０３のように下地板１を原料融液４０３へ浸し、下地板１の表面にシリコン基板４１を形成する。この後、シリコン基板を付着させた下地板１は矢印８０４のように原料融液４０３から取出される。この後、シリコン基板を付着させた下地板１は、矢印８０５のように昇降動作および回転動作によって、下地板交換位置８０１に戻る。一連の動作のうち、昇降動作は矢印８０６によって示される。シリコン基板と一体の下地板１が高温から冷却される段階で、それらの熱膨張係数差に起因して下地板１とシリコン基板は自然に分離し、または小さい衝撃を下地板１に加えることにより分離され、原料融液の液相からの凝固によって直接的に形成されたシート状のシリコン基板が得られる。

このようなシート形成法によって得られるシリコンシートの平均厚さは、１００μｍから１ｍｍの範囲内に設定されることが好ましい。シリコンシートの厚さを１００μｍ以上にすることにより、そのシートを利用した太陽電池の作製プロセスにおいて高いハンドリング性を得ることができる。また、シート厚を１ｍｍ以下にすることにより、シートの製造時間を短縮でき、低コストのシリコン板の提供が可能になる。シート製造の容易さの観点からは、シートの平均厚さが２００〜６００μｍの範囲内にあることがより好ましい。かかるシリコン板を直接製造する際に用いる製造装置を、本発明の構成を有する製造装置とすることにより、表面形状や結晶構造等の良好なシリコン板を得ることができる。なお、シート形成法においては、シリコン板をシリコン融液から直接製造することにより、キャスト法の場合のようなシリコンインゴットのスライス工程等が不要である。

シート形成法においては、シリコン多結晶体を形成させる下地板の初期温度をシリコン融点（１４１５℃）よりも１２０℃から１０００℃だけ低い温度範囲で制御すること、適当な厚さのグラファイト材料を用いることによって下地板の熱容量を適切にすること、下地板の加熱冷却を行う温度制御手段内に冷媒として気体を用いること、シリコン融液への下地板の浸漬時間を最適厚さのシリコンシートが得られるよう制御すること、さらには、下地板の表面の微細凹凸形状によりシリコン溶液の固化を促進させる等の基本的条件を設定することが好ましく、これらの条件を設定することにより、下地板の表面上に多結晶シリコンシートを高速かつ安定に形成することができる。

シート形成法に用いられる下地板の材質としては、例えば、グラファイトや、その表面に炭化珪素を熱ＣＶＤ法で形成した下地板を用いることができ、このほかにも、窒化珪素のようなセラミックスや高温に耐える耐熱性金属や、セラミックスを部分的もしくは全面的にコートしたカーボン、セラミックス、または耐熱金属も使用することができ、このような下地板を用いることによって下地板とシリコンシートの剥離が容易に行え、良好な形状、特性のシリコンシートを得ることができる。

下地板の表面には、下地板の回転方向に沿った溝、または規則的もしくは不規則に配置した微細凹凸面などが形成されていてもよい。下地板の表面に形成された溝や微細凹凸面は、シリコンシートの成長を高速化する機能を有する。

シリコンシート製造時におけるシリコン融液の温度は、シートの成長条件との兼ね合い等に応じて、通常、過冷却温度の１３８０℃以上からより高温の１６００℃までの範囲内（例えば、１４５０℃）に設定され得る。シリコン融液面が規定の高さになった後に、下地板の温度制御を行い、下地板の表面温度がシリコン融点に比べて１０００℃から１２０℃だけ低い温度（例えば、１２００℃）に安定化した状態で、その表面がシリコン融液に浸漬される。

本発明において用いられる原料融液は、通常、半導体や金属などの融液であり、半導体の融液としてはシリコン、ＧａＡｓなどの融液が挙げられ、中でもシリコン融液であることが好ましい。

さらに、図４を用いて本実施形態の別の例を説明する。この例は、第２の耐熱性容器、第１の耐熱性容器（坩堝）および供給管を備え、防波機構と原料供給機構とが別体として構成されている点で一致するが、第一の実施形態とは、防波機構の形状が液滴落下地点を部分的に取り囲む形状であり、閉じられていない形状である点で異なる。

図４（ａ）においては、図１に示した上記第一の実施形態と同様に、第２の耐熱性容器２に供給管６が接続されており、供給管６の取込口６０２は第２の耐熱性容器２に貯留された原料融液４０１の液面と同じ高さに接続され、供給管６の排出口６０１は第１の耐熱性容器中の原料融液４０３の上部に離れて位置している。このような構造とすることで、固体原料５を第２の耐熱性容器中の原料融液４０１に補充することにより溢れ出した原料融液４０２が供給管６の内壁の下側部分に沿って流れ、排出口６０１から滴下されることで、第１の耐熱性容器中の原料融液４０３へと供給される。

図４に示す例においては、防波機構３０１が板状体（水平方向の断面形状が直線の形状）であることを特徴とする。図４（ｂ）は図４（ａ）のＡ−Ａでの縦断面図であるが、防波機構３０１は図４（ｂ）に示すような主面を有する板状体であり、熱遮蔽板３０２の下部に接し原料融液４０３に浸漬する位置に設置されている。この例では、防波機構３０１は図４（ｂ）における横方向において、坩堝３の側壁から離れた状態であるが、板状の防波機構３０１の横幅を長くして両端が坩堝３の側壁に当接するようにしてもよい。

＜第二の実施形態＞
本実施形態は、第２の耐熱性容器、第１の耐熱性容器（坩堝）および供給管を備え、防波機構と原料供給機構とが別体として構成されている点で一致するが、第一の実施形態とは、坩堝と防波機構が一体となっている点が異なる。

本実施形態においては、坩堝および防波機構の水平断面図である図５（ａ）、（ｂ）に示すように、坩堝３と防波機構３０１が一体となっており、原料融液の液滴落下地点４０４の周囲を取り囲んでいる。図５（ａ）は水平方向の断面形状がコの字型の防波機構３０１が坩堝３と一体となった形態、図５（ｂ）は水平方向の断面形状が円弧状の防波機構３０１が坩堝３と一体となった形態を示している。

このような本実施形態の防波機構を用いることで、坩堝と防波機構の間に抜熱源となる障壁がなくなるために、抜熱による原料融液の凝固を抑制できる。また、本実施形態では坩堝と防波機構が一体となっている場合を説明したが、コの字型などの防波機構が坩堝の側壁に当接されているような構造においても、本実施形態と同様の効果が奏される。

また、本実施形態では、図５（ａ）、（ｂ）に示すように、原料融液の液滴落下地点４０４と防波機構３０１との距離を長くしている。このように、原料融液の液滴落下地点４０４と防波機構３０１との距離を長くすることによって、液面に生じた波をある程度、防波機構と坩堝の間で広げ、波が弱まったところで防波機構によってその波を遮断するため、より結晶体製造範囲４０６の液面の揺れの程度を減ずることができる。

＜第三の実施形態＞
本実施形態は、防波機構の第１の耐熱性容器（坩堝）に対する設置位置を変更した実施形態である。

本発明は原料融液を液滴にして滴下して原料融液を供給するため、防波機構３０１の下から回り込んで液面に揺れを生じさせる恐れがある。本実施形態は、第２の耐熱性容器の液滴落下地点４０４と結晶体製造範囲４０６の距離を長くしたものである。すなわち、本実施形態は、図６（ｂ）に示すように液滴落下地点４０４が結晶体製造範囲４０６に対して出来るだけ遠い位置となるように、液滴落下地点４０４、防波機構３０１および結晶体製造範囲４０６が配置された形態である。

図６（ａ）に示すように液滴落下地点４０４および防波機構３０１を結晶体製造範囲４０６の真横に配置するよりも、図６（ｂ）に示すように液滴落下地点４０４および防波機構３０１を結晶体製造範囲４０６に対して斜めの位置に配置することにより、液滴落下地点４０４と結晶体製造範囲４０６の距離４０７を長くすることができ、防波機構３０１の下から回り込んで伝わる衝撃を減衰させ、結晶体製造範囲における液面の揺れの程度を減ずることができる。

今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

１ 下地板、２ 第２の耐熱性容器、３ 第１の耐熱性容器（坩堝）、３０１ 防波機構、３０２ 熱遮蔽板、４ 原料融液、４０１ 第２の耐熱性容器中の原料融液、４０２ 供給管中の原料融液、４０３ 第１の耐熱性容器中の原料融液、４０４ 液滴落下地点、４０６ 結晶体製造範囲、４０７ 距離、４１ シリコン基板、５ 固体原料、６ 供給管、６０１ 排出口、６０２ 取込口、７ 基板製造装置、８０１ 下地板交換位置、９ 浸漬機構、９０１ 昇降機構、９０２ 懸垂支柱、９０３ 回転機構、９０４ 主軸支柱、９０５ 主軸、９０６ 動力伝達機構、９０７ 回転モータ軸、９０８ 台座支持部、１０ 主室、１１ 台座、１２ 供給管加熱機構。

Claims (11)

1. 原料融液を貯留する第１の耐熱性容器と第２の耐熱性容器とを備え、該第２の耐熱性容器中の原料融液を前記第１の耐熱性容器中に供給する製造装置であって、
   前記第一の耐熱性容器中の原料融液の液面と離面しないように前記第一の耐熱性容器中に防波機構を設けることを特徴とする製造装置。
2. さらに該第２の耐熱性容器中の原料融液を前記第１の耐熱性容器中に供給するための原料供給機構を備え、前記防波機構と該原料供給機構とが別体として構成されていることを特徴とする請求項１に記載の製造装置。
3. 前記防波機構の水平方向の断面形状が、円弧、波型、直線または折れ線の形状であることを特徴とする請求項１または２に記載の製造装置。
4. 前記防波機構は、前記第２の耐熱性容器から原料融液が滴下される落下地点の前記第１の耐熱性容器中の原料融液の液面を取り囲むような障壁である、請求項１から３のいずれかに記載の製造装置。
5. 前記第１の耐熱性容器と前記防波機構とが一体となっているか、または、互いに当接するように配置されていることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の製造装置。
6. 前記第２の耐熱性容器中の原料融液の液滴が前記第１の耐熱性容器中の原料融液に落下する地点が、前記防波機構内であって、第１の耐熱性容器中の原料融液において結晶体が製造される範囲から遠い位置となるように、前記防波機構が配置されることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の製造装置。
7. 前記原料供給機構が前記第２の耐熱性容器に接続された供給管を含み、
   前記供給管の取込口が前記第２の耐熱性容器に貯留された原料融液の液面と同じ高さに位置することを特徴とする請求項２に記載の製造装置。
8. 前記供給管内を加熱するための加熱機構をさらに備えた、請求項１から７のいずれかに記載の製造装置。
9. 前記原料融液はシリコン融液である、請求項１から８のいずれかに記載の製造装置。
10. 請求項１から９のいずれかに記載の製造装置を用いた多結晶体または単結晶体の製造方法。
11. 前記第１の耐熱性容器中の原料融液に下地板を接触させて液相状態にある原料融液からの凝固によって直接的に多結晶体からなるシート状の基板を得る、請求項１０に記載の製造方法。

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