JP5196438B2 - 原料融液供給装置、多結晶体または単結晶体の製造装置および製造方法 - Google Patents
原料融液供給装置、多結晶体または単結晶体の製造装置および製造方法 Download PDFInfo
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Description
本発明は、多結晶体または単結晶体を第1の耐熱性容器に貯留された原料融液から製造する方法において、該第1の耐熱性容器に原料融液を供給する原料融液供給装置である。
シート形成法の一例について基本的な手順を図2、3を用いて以下に説明する。
本実施形態は、第2の耐熱性容器、第1の耐熱性容器および供給管を備え、融液が供給管内壁に沿って第2の耐熱性容器から第1の耐熱性容器に供給される点で一致するが、第一の実施形態とは供給管の形状が異なる。
本実施形態は供給管の第2の耐熱性容器に対する取付位置を変更した実施形態である。
本実施形態は、第2の耐熱性容器、第1の耐熱性容器および供給管を備え、融液が供給管内壁に沿って第2の耐熱性容器から第1の耐熱性容器に供給される点で一致するが、第一の実施形態とは供給管が第一の耐熱性容器中の原料融液液面に没入している深さが異なる。
本実施形態では第二の耐熱性容器中の原料融液の液面と第一の耐熱性容器中の原料融液の液面との差を小さくする、または供給管の鉛直下向きになっている部分を短くすることによって原料融液の供給に際し、生じる衝撃を小さくすることができる。
Claims (4)
- 原料融液を貯留する第1の耐熱性容器と、第2の耐熱性容器と、該第2の耐熱性容器中の原料融液を前記第1の耐熱性容器中に供給するための供給管とを備え、
前記供給管には、前記第2の耐熱性容器の側面に接続された取込口と、該取込口から水平方向に対して下向きに傾斜して伸びた傾斜部と、該傾斜部から前記第1の耐熱性容器中の原料融液に接するように下方に伸びた排出口とが設けられており、
前記第2の耐熱性容器中の原料融液の液面の位置が前記第1の耐熱性容器中の原料融液の液面よりも高い位置でありかつ前記供給管の前記取込口の上端と下端との間の位置であると共に、前記供給管の前記排出口が前記第1の耐熱性容器中の原料融液に没入する状態で、前記第2の耐熱性容器中の原料融液が前記供給管の内壁に沿って流れて前記第1の耐熱性容器中に供給され、
前記原料融液を前記第1の耐熱性容器に供給する際に、前記原料融液を沿わせる側の供給管の内壁面と対向する内壁面との間の距離を、それに直交して対向する内壁面間の距離よりも長くしたことを特徴とする原料融液供給装置。 - 前記供給管内を加熱するための加熱機構をさらに備えたことを特徴とする請求項1に記載の原料融液供給装置。
- 請求項1または2に記載の原料融液供給装置を備えた、多結晶体または単結晶体の製造装置。
- 請求項1または2に記載の原料融液供給装置を用いた多結晶体または単結晶体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009010131A JP5196438B2 (ja) | 2009-01-20 | 2009-01-20 | 原料融液供給装置、多結晶体または単結晶体の製造装置および製造方法 |
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Publication Number | Publication Date |
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JP2010168228A JP2010168228A (ja) | 2010-08-05 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP5196438B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6349205B2 (ja) | 2014-09-05 | 2018-06-27 | 住友化学株式会社 | 半導体製造装置および半導体製造方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2903061A1 (de) * | 1979-01-26 | 1980-08-07 | Heliotronic Gmbh | Verfahren zur herstellung grosskristalliner vorzugsorientierter siliciumfolien |
JPH03215383A (ja) * | 1990-01-17 | 1991-09-20 | Osaka Titanium Co Ltd | 原料供給装置 |
DE4106589C2 (de) * | 1991-03-01 | 1997-04-24 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Kontinuierliches Nachchargierverfahren mit flüssigem Silicium beim Tiegelziehen nach Czochralski |
DE4318184A1 (de) * | 1993-06-01 | 1994-12-08 | Wacker Chemitronic | Verfahren und Vorrichtung zum Ziehen von Einkristallen |
JP3078752B2 (ja) * | 1996-07-11 | 2000-08-21 | 株式会社スーパーシリコン研究所 | 単結晶製造用多結晶原料の高周波加熱溶解方法及び装置 |
JP2007290914A (ja) * | 2006-04-25 | 2007-11-08 | Sharp Corp | 融液原料供給装置および多結晶体または単結晶体製造装置 |
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JP2010168228A (ja) | 2010-08-05 |
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