JP2010205969A - 光半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体層11〜14の光取り出し面と反対側に形成された支持電極層101及び空隙101aと、その上に形成された反射電極層102とを設け、空隙101a及び反射電極層102を反射ミラーとして作用させる。
【選択図】 図1
Description
2:支持体
3:接合層
4:n側電極
5:ボンディングパッド
10:GaAs成長基板
11:n型クラッド層
12:活性層
13:p型クラッド層
14:電流拡散層
15:SiO2層
16:反射電極層(p側電極)
17:バリア層
21:導電性支持基板
22:中間電極層
23:裏面電極層
24:密着層
31,32:接着層
33:共晶接合層
100:多孔質酸化シリコン層
100a、100a’、100a”:フォトレジストパターン
101:支持電極層
101’:支持電極層(ブロック層)
101a:空隙
101b:多孔質酸化シリコン層100上の支持電極層
102:反射電極層(p側電極)
Claims (11)
- エピタキシャル成長の半導体層と、
前記半導体層の光取り出し面と反対面に設けられた反射電極層と、
該反射電極層と前記半導体層の前記反対面との間に設けられ、前記半導体層を支持しかつ前記半導体層を前記反射電極層に電気的に接続する支持電極層とを具備し、
前記支持電極層の総面積が前記反射電極層の面積より小さく、前記支持電極層の周囲の空隙及び前記反射電極層を反射ミラーとして作用させる光半導体装置。 - 前記支持電極層が非閉ループ状構造である請求項1に記載の光半導体装置。
- 前記支持電極層が閉ループ状構造であり、該閉ループ状構造の内部に多孔質酸化シリコンが充たされている請求項1に記載の光半導体装置。
- さらに、前記半導体層の光取り出し面に設けられたボンディングパッドを具備し、
前記多孔質酸化シリコンが前記ボンディングパッドに対向している請求項3に記載の光半導体装置。 - エピタキシャル成長の半導体層と、
前記半導体層の光取り出し面に設けられたボンディングパッドと、
前記半導体層の光取り出し面と反対面に設けられた反射電極層と、
該反射電極層と前記半導体層の前記反対面との間に設けられ、前記半導体層を支持しかつ前記半導体層を前記反射電極層に電気的に接続する非閉ループ状構造の支持電極層と、
前記反射電極層と前記半導体層の前記反対面との間に設けられ、前記ボンディングパッドに対向して前記半導体層を支持する閉ループ状構造のブロック層と
を具備し、該ブロック層の内部に多孔質酸化シリコンが充たされており、
前記支持電極層及び前記ブロック層の周囲の空隙及び前記反射電極層を反射ミラーとして作用させる光半導体装置。 - 前記ブロック層の材料が前記支持電極層の材料と同一である請求項5に記載の光半導体装置。
- 半導体層の光取り出し面と反対面に多孔質酸化シリコン層を形成する工程と、
該多孔質酸化シリコン層に孔を形成する工程と、
該孔内にブロック層を形成する工程と、
該ブロック層及び前記多孔質酸化シリコン層上に反射電極層を形成する工程と、
該反射電極層の形成後に前記多孔質酸化シリコンを毛細管現象を利用したウェットエッチングにより除去する工程と
を具備する光半導体装置の製造方法。 - 前記孔が非閉ループ状構造である請求項7に記載の光半導体装置の製造方法。
- 前記孔が閉ループ状構造であり、前記ブロック層が閉ループ状構造であり、前記ウェットエッチング後に前記ブロック層の閉ループ状構造の内側に前記多孔質酸化シリコン層を残存させた請求項7に記載の光半導体装置の製造方法。
- 前記ブロック層が支持電極層である請求項7に記載の光半導体装置の製造方法。
- 前記ブロック層が絶縁性である請求項7に記載の光半導体装置の製造方法。
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