JP2010200585A - スイッチング回路 - Google Patents
スイッチング回路 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010200585A JP2010200585A JP2009045852A JP2009045852A JP2010200585A JP 2010200585 A JP2010200585 A JP 2010200585A JP 2009045852 A JP2009045852 A JP 2009045852A JP 2009045852 A JP2009045852 A JP 2009045852A JP 2010200585 A JP2010200585 A JP 2010200585A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diode
- bipolar
- unipolar
- switching circuit
- current
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Power Conversion In General (AREA)
- Inverter Devices (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
【解決手段】ユニポーラダイオード101とバイポーラダイオード102とが同じ方向に並列接続された並列回路と、前記並列回路に接続されたスイッチング素子103とを備える
【選択図】 図1
Description
《第1実施形態》
図1は、誘導性負荷を持つスイッチング測定回路である。誘導性負荷を持つ実用回路としては、モータを接続したインバータ回路や、DC/DCコンバータなどが挙げられる。図2に示すスイッチング測定回路は、それらの実用回路に用いられる半導体デバイスのスイッチング特性を測定するためのものであり、実用回路における半導体デバイスや回路の動作を、単純な回路で再現できるものである。図2は比較例1の駆動回路における、ユニポーラダイオード及びスイッチング素子の時間に対する電流特性を説明するための図であり、図3は比較例2の駆動回路における、パイポーラダイオード及びスイッチング素子の時間に対する電流特性を説明するための図である。図4は、本例の駆動回路におけるユニポーラダイオードとバイポーラダイオードとの並列回路及びスイッチング素子の時間に対する電流特性を説明するための図である。
図6は、発明の他の実施形態に係る駆動回路である。本例では上述した第1実施形態に対して、本例のスイッチング回路10〜60を用いて三相インバータ回路を形成し駆動回路とする。
101、201…ユニポーラダイオオード
102、202…バイポーラダイオード
103、203…スイッチング素子
21…負荷インダクタンス
22…パルスジェネレータ
23…ゲート抵抗
24…直流電源
25…平滑コンデンサ
26…寄生インダクタンス
27…三相モータ
28…リレースイッチ
Claims (12)
- ユニポーラダイオードとバイポーラダイオードとが同じ方向に並列接続された並列回路と、
前記並列回路に接続されたスイッチング素子とを備えた
スイッチング回路。 - 前記スイッチング素子がオンからオフになることで発生する還流電流は、前記並列回路に流れ、前記ユニポーラダイオード及び前記バイポーラダイオードを導通状態にすることを特徴とする
請求項1記載のスイッチング回路。 - 前記バイポーラダイオードの立ち上がり電圧は、前記ユニポーラダイオードの立ち上がり電圧以下であることを特徴とする
請求項1又は2記載のスイッチング回路。 - 前記ユニポーラダイオード及び前記バイポーラダイオードが導通状態の時、
前記ユニポーラダイオードに流れる電流は、前記バイポーラダイオードに流れる電流より大きいことを特徴とする
請求項1〜3のいずれか一項に記載のスイッチング回路。 - 前記バイポーラダイオードは、ソフトリカバリダイオードであることを特徴とする
請求項1〜4のいずれか一項に記載のスイッチング回路。 - 前記バイポーラダイオードを形成する半導体材料は、
前記ユニポーラダイオードを形成する半導体材料よりバンドギャップが狭い
ことを特徴とする
請求項1〜5のいずれか一項に記載のスイッチング回路。 - 前記ユニポーラダイオードは、炭化珪素もしくは窒化ガリウムの基体材料に金属を接合したショットキーダイオードであることを特徴とする
請求項1〜6のいずれか一項に記載のスイッチング回路。 - 前記ユニポーラダイオードは、炭化珪素もしくは窒化ガリウムの基体材料に前記基体材料よりバンドギャップが狭い半導体をヘテロ接合したヘテロ接合ダイオードであることを特徴とする
請求項1〜6のいずれか一項に記載のスイッチング回路。 - 前記バイポーラダイオードは、シリコン、シリコンゲルマニウム又はゲルマニウム材料を含むPNダイオードであることを特徴とする
請求項7〜8のいずれか一項に記載のスイッチング回路。 - 前記バイポーラダイオードはシリコン、もしくはシリコンゲルマニウムもしくはゲルマニウムのMOSFETに内蔵された寄生PNダイオードであることを特徴とする
請求項1〜8いずれか一項に記載のスイッチング回路。 - 多数キャリアが逆回復電荷となる第1のダイオードと多数キャリアと小数キャリアの両方が逆方向電荷となるダイオードとが同じ方向に並列接続された並列回路と、
前記並列回路に接続されたスイッチング素子とを備えた
スイッチング回路。 - 請求項1〜11のいずれか一項に記載のスイッチング回路と、
前記スイッチング回路に接続された負荷インダクタンスとを備えた駆動回路において、
前記スイッチング回路がオンになることにより、直流電流が前記負荷インダクタンスに流れ、
前記スイッチング回路がオフになると、前記並列回路が導通し前記負荷インダクタンスと閉回路を形成することを特徴とする
駆動回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009045852A JP2010200585A (ja) | 2009-02-27 | 2009-02-27 | スイッチング回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009045852A JP2010200585A (ja) | 2009-02-27 | 2009-02-27 | スイッチング回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010200585A true JP2010200585A (ja) | 2010-09-09 |
Family
ID=42824694
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009045852A Pending JP2010200585A (ja) | 2009-02-27 | 2009-02-27 | スイッチング回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2010200585A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012119435A (ja) * | 2010-11-30 | 2012-06-21 | Toyota Central R&D Labs Inc | Iii族窒化物半導体装置 |
CN104467468A (zh) * | 2013-09-25 | 2015-03-25 | 东芝照明技术株式会社 | 整流电路、电子电路及电子设备 |
US9564802B2 (en) | 2013-09-20 | 2017-02-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Electric power conversion device |
US9654026B2 (en) | 2012-08-10 | 2017-05-16 | Mitsubishi Electric Corporation | Three-level power converting apparatus with reduced conduction loss |
US9654027B2 (en) | 2014-05-23 | 2017-05-16 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and power converter using the same |
US10707357B2 (en) | 2018-05-14 | 2020-07-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5933872A (ja) * | 1982-08-20 | 1984-02-23 | Toshiba Corp | 逆導通型半導体装置 |
JP2002299643A (ja) * | 2001-03-29 | 2002-10-11 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2002314099A (ja) * | 2001-04-09 | 2002-10-25 | Denso Corp | ショットキーダイオード及びその製造方法 |
JP2003219687A (ja) * | 2002-01-23 | 2003-07-31 | Mitsubishi Electric Corp | モータ駆動装置及び送風機及び圧縮機及び冷凍空調装置 |
JP2004088012A (ja) * | 2002-08-29 | 2004-03-18 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | ダイオード |
JP2006024690A (ja) * | 2004-07-07 | 2006-01-26 | Toshiba Corp | 電力用半導体装置 |
JP2007181287A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
JP2008053312A (ja) * | 2006-08-22 | 2008-03-06 | Toyota Motor Corp | 半導体装置 |
JP2008092663A (ja) * | 2006-10-02 | 2008-04-17 | Hitachi Ltd | ゲート駆動回路 |
JP2008271207A (ja) * | 2007-04-20 | 2008-11-06 | Hitachi Ltd | フリーホイールダイオードとを有する回路装置 |
JP2009011117A (ja) * | 2007-06-29 | 2009-01-15 | Kansai Electric Power Co Inc:The | 電力変換装置 |
JP2009032769A (ja) * | 2007-07-25 | 2009-02-12 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体装置 |
-
2009
- 2009-02-27 JP JP2009045852A patent/JP2010200585A/ja active Pending
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5933872A (ja) * | 1982-08-20 | 1984-02-23 | Toshiba Corp | 逆導通型半導体装置 |
JP2002299643A (ja) * | 2001-03-29 | 2002-10-11 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2002314099A (ja) * | 2001-04-09 | 2002-10-25 | Denso Corp | ショットキーダイオード及びその製造方法 |
JP2003219687A (ja) * | 2002-01-23 | 2003-07-31 | Mitsubishi Electric Corp | モータ駆動装置及び送風機及び圧縮機及び冷凍空調装置 |
JP2004088012A (ja) * | 2002-08-29 | 2004-03-18 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | ダイオード |
JP2006024690A (ja) * | 2004-07-07 | 2006-01-26 | Toshiba Corp | 電力用半導体装置 |
JP2007181287A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
JP2008053312A (ja) * | 2006-08-22 | 2008-03-06 | Toyota Motor Corp | 半導体装置 |
JP2008092663A (ja) * | 2006-10-02 | 2008-04-17 | Hitachi Ltd | ゲート駆動回路 |
JP2008271207A (ja) * | 2007-04-20 | 2008-11-06 | Hitachi Ltd | フリーホイールダイオードとを有する回路装置 |
JP2009011117A (ja) * | 2007-06-29 | 2009-01-15 | Kansai Electric Power Co Inc:The | 電力変換装置 |
JP2009032769A (ja) * | 2007-07-25 | 2009-02-12 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体装置 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012119435A (ja) * | 2010-11-30 | 2012-06-21 | Toyota Central R&D Labs Inc | Iii族窒化物半導体装置 |
US9654026B2 (en) | 2012-08-10 | 2017-05-16 | Mitsubishi Electric Corporation | Three-level power converting apparatus with reduced conduction loss |
US9564802B2 (en) | 2013-09-20 | 2017-02-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Electric power conversion device |
CN104467468A (zh) * | 2013-09-25 | 2015-03-25 | 东芝照明技术株式会社 | 整流电路、电子电路及电子设备 |
JP2015065767A (ja) * | 2013-09-25 | 2015-04-09 | 東芝ライテック株式会社 | 整流回路、電子回路及び電子機器 |
US9654027B2 (en) | 2014-05-23 | 2017-05-16 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and power converter using the same |
US10707357B2 (en) | 2018-05-14 | 2020-07-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5277579B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2009159184A (ja) | フリーホイールダイオードとを有する回路装置、及び、ダイオードを用いた回路装置とそれを用いた電力変換器 | |
JP4169761B2 (ja) | 変換器回路、少なくとも1つのスイッチング・デバイスを有する回路および回路モジュール | |
US10200028B2 (en) | Electric assembly including a reverse conducting switching device and a rectifying device | |
JP5746954B2 (ja) | インバータ装置 | |
CN111418071B (zh) | 半导体装置以及功率变换装置 | |
Antoniou et al. | A new way to alleviate the RC IGBT snapback phenomenon: The Super Junction solution | |
JP2014130909A (ja) | 電力用半導体装置 | |
JP5970194B2 (ja) | 半導体スイッチング素子の駆動回路並びにそれを用いた電力変換回路 | |
JP5453848B2 (ja) | 半導体装置及び電力変換装置 | |
JP2010200585A (ja) | スイッチング回路 | |
KR102178107B1 (ko) | 프리휠링 SiC 다이오드를 갖는 RC-IGBT | |
US20060071280A1 (en) | Semiconductor diode, electronic component, voltage source inverter and control method | |
JP2014241434A (ja) | 半導体装置 | |
JP2010206012A (ja) | 半導体装置 | |
JP5577607B2 (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP5487645B2 (ja) | 半導体装置及び電力変換装置 | |
JP5832845B2 (ja) | 半導体モジュール及び電力変換モジュール | |
JP2007236077A (ja) | モータ駆動装置 | |
JP2010206108A (ja) | 半導体装置 | |
EP4235786A1 (en) | Semiconductor switching module with insulated gate bipolar transistor and unipolar switching device | |
JP5572962B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2007288094A (ja) | Igbtとそれを駆動するゲート駆動回路 | |
JP5476746B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP5444758B2 (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20111219 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130710 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130716 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130910 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140218 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140421 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20141028 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150128 |
|
A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20150205 |
|
A912 | Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20150227 |