JP2010199116A - 薄膜トランジスタ、その製造方法、表示装置、及び半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明にかかる薄膜トランジスタは、基板上に形成されたゲート電極2と、ゲート電極を覆うゲート絶縁膜3と、ゲート絶縁膜3上に形成され、ゲート電極2の対面に配置された半導体層4と、半導体層4上に、n型不純物を含むn型オーミックコンタクト層6を介して形成された、ソース電極7及びドレイン電極8と、ソース電極7の下のn型オーミックコンタクト層6と半導体層4との間、ドレイン電極8の下のn型オーミックコンタクト層6と半導体層4との間にそれぞれ形成されたp型半導体層5と、を備えるものである。
【選択図】図2
Description
4 半導体層、5 p型半導体層、
6 n型オーミックコンタクト層、
7 ソース電極、8 ドレイン電極、
9 層間絶縁膜、9a コンタクトホール、
10 画素電極、15 レーザー光、16 エッチング、
31 第1ゲート絶縁膜、32 第2ゲート絶縁膜、
41 第1半導体層、42 第2半導体層、
50 TFT、51 保持容量、100 TFT基板、
101 表示領域、102 額縁領域、
103 ゲート配線、104 ソース配線、
105 走査信号駆動回路、106 表示信号駆動回路、
107 画素、108、109 外部配線
Claims (8)
- 基板上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成され、前記ゲート電極の対面に配置された半導体層と、
前記半導体層上に、n型不純物を含むオーミックコンタクト層を介して形成された、ソース電極及びドレイン電極と、
前記ソース電極の下の前記オーミックコンタクト層と前記半導体層との間、前記ドレイン電極の下の前記オーミックコンタクト層と前記半導体層との間にそれぞれ形成されたp型半導体層と、を備える薄膜トランジスタ。 - 前記ゲート絶縁膜は、
前記ゲート電極上に形成されたSiN膜からなる第1ゲート絶縁膜と、
前記第1ゲート絶縁膜上に形成されたSiO膜からなる第2ゲート絶縁膜と、を有し、
前記第2ゲート絶縁膜と接する前記半導体層の界面部には、結晶性を有する半導体膜が形成されている請求項1に記載の薄膜トランジスタ。 - 請求項1又は2に記載の薄膜トランジスタを用いた表示装置。
- 請求項1又は2に記載の薄膜トランジスタを用いた半導体装置。
- 基板上に、ゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上に、半導体層、p型不純物を含むp型半導体層、及びn型不純物を含むオーミックコンタクト層がこの順に積層された積層膜を形成する工程と、
前記積層膜をパターニングする工程と、
パターニングされた前記積層膜上に、ソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極をマスクとして、前記オーミックコンタクト層と前記p型半導体層とをエッチングする工程と、を備える薄膜トランジスタの製造方法。 - 前記p型半導体層に含まれる前記p型不純物は、イオン注入法を用いて導入される請求項5に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記ゲート絶縁膜を形成する工程は、
前記ゲート電極上に、SiN膜からなる第1ゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記第1ゲート絶縁膜上に、SiO膜からなる第2ゲート絶縁膜を形成する工程と、を有し、
前記半導体層は、少なくとも前記第2ゲート絶縁膜と接する側に、結晶性を有する半導体膜が形成される請求項5又は6に記載の薄膜トランジスタの製造方法。 - 前記積層膜を形成する工程は、
前記第2ゲート絶縁膜上に非晶質半導体膜を形成する工程と、
前記非晶質半導体膜にレーザー光を照射することによって、前記非晶質半導体膜を前記結晶性を有する半導体膜に変換する工程と、を含む請求項7に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
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