JP2010186118A - Electro-optical device and electronic apparatus - Google Patents

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稔 森脇
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To improve numerical aperture in a pixel area while securing large accumulated capacity in an electro-optical device such as liquid crystal device. <P>SOLUTION: The electro-optical device includes, on a substrate 10: a pixel electrode 9; and a capacitor electrode 71 which is disposed so as to face the pixel electrode via a dielectric film 72 on an under layer side of the pixel electrode and is formed in an area wider than the total area provided by summing opening areas of respective pixels over the total image display area. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた、例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。   The present invention relates to a technical field of an electro-optical device such as a liquid crystal device, and an electronic apparatus such as a liquid crystal projector including the electro-optical device.

この種の電気光学装置の一例である液晶装置では、光源から出射された光源光を液晶で変調することによって画像表示領域に所望の画像が表示される。より具体的には、各々透明な画素電極と対向電極との間に挟持された液晶をこれら電極間に加わる電圧に応じて駆動することによって、光を変調し、光透過率の変化に応じて画像の輝度が調整される。このような電気光学装置では、その動作時において、画像信号に応じた電位が画素電極に保持されるように、画素電極に電気的に接続された蓄積容量が設けられる。   In a liquid crystal device which is an example of this type of electro-optical device, a desired image is displayed in an image display region by modulating light source light emitted from a light source with liquid crystal. More specifically, the liquid crystal sandwiched between the transparent pixel electrode and the counter electrode is driven according to the voltage applied between these electrodes, thereby modulating the light and responding to the change in light transmittance. The brightness of the image is adjusted. In such an electro-optical device, a storage capacitor electrically connected to the pixel electrode is provided so that a potential corresponding to an image signal is held in the pixel electrode during the operation.

例えば特許文献１では、蓄積容量を形成することによって表示光が遮られないように、画像を表示する表示領域のうち、不透明な配線部等が形成された領域であり、且つ、実質的に光を透過させない非開口領域に設ける技術が開示されている。   For example, in Patent Document 1, an opaque wiring portion or the like is formed in a display area for displaying an image so that display light is not blocked by forming a storage capacitor, and is substantially light. A technique for disposing in a non-opening region that does not transmit light is disclosed.

特開２００４−４７２２号公報JP 2004-4722 A

しかしながら、上記の背景技術によれば、蓄積容量を非開口領域内に形成しなければならないため、形成可能な容量電極の面積が著しく制限されてしまう。蓄積容量の容量値は、容量電極の面積に比例するため、上記の背景技術では、大きな容量値を有する蓄積容量を形成することができない。   However, according to the background art described above, since the storage capacitor must be formed in the non-opening region, the area of the capacitor electrode that can be formed is significantly limited. Since the capacitance value of the storage capacitor is proportional to the area of the capacitor electrode, the above-described background art cannot form a storage capacitor having a large capacitance value.

本発明は、例えば上述した問題点に鑑みなされたものであり、例えば、画素領域における開口率を高く維持しつつ、大きな容量値を有する蓄積容量を形成し得る液晶装置等の電気光学装置、及びそのような電気光学装置を備える電子機器を提供することを課題とする。   The present invention has been made in view of the above-described problems, for example, an electro-optical device such as a liquid crystal device capable of forming a storage capacitor having a large capacitance value while maintaining a high aperture ratio in a pixel region, and It is an object to provide an electronic apparatus including such an electro-optical device.

本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、基板上に、画素毎に配置された画素電極と、前記画素電極の下層側に誘電体膜を介して前記画素電極に対向するように設けられ、前記基板上で平面的に見て、前記画素の各々において光が透過可能な開口領域を、前記画素が配列された画像表示領域全体に渡って合計した合計面積よりも広く形成された容量電極とを備える。   In order to solve the above problems, an electro-optical device according to an aspect of the invention is configured so that a pixel electrode arranged for each pixel on a substrate and a pixel film facing the pixel electrode through a dielectric film on a lower layer side of the pixel electrode. Provided, and when viewed in plan on the substrate, an opening region through which light can be transmitted in each of the pixels is formed to be wider than a total area totaled over the entire image display region in which the pixels are arranged. A capacitor electrode.

本発明の電気光学装置では、基板上に、例えば、走査線、データ線等の配線や画素スイッチング用のトランジスタ等の電子素子が、絶縁膜を介して相互に絶縁されつつ必要に応じて積層されることで画素電極を駆動するための回路が構成され、その上層側に画像電極が配置されている。電気光学装置の動作時には、例えば、走査線を通じて、画素電極に電気的に接続された画素スイッチング用のＴＦＴのスイッチング動作が制御されると共に、データ線を通じて画像信号が供給されることで、該ＴＦＴを介して画素電極に対し、画像信号に応じた電圧を印加する。これにより、複数の画素電極が配列された画像表示領域（又は「画素領域」或いは「画素アレイ領域」とも呼ぶ）における画像表示が可能となる。   In the electro-optical device of the present invention, electronic elements such as wirings such as scanning lines and data lines and pixel switching transistors are stacked on the substrate as needed while being insulated from each other via an insulating film. Thus, a circuit for driving the pixel electrode is configured, and the image electrode is disposed on the upper layer side. During the operation of the electro-optical device, for example, the switching operation of the pixel switching TFT electrically connected to the pixel electrode is controlled through the scanning line, and an image signal is supplied through the data line. A voltage corresponding to the image signal is applied to the pixel electrode via the. As a result, it is possible to display an image in an image display area in which a plurality of pixel electrodes are arranged (also referred to as “pixel area” or “pixel array area”).

容量電極は、画素電極の下層側に誘電体膜を介して前記画素電極に対向するように設けられることにより、蓄積容量を形成している。即ち、本発明における画素電極は、例えば液晶等の液晶分子の配向状態を制御するという本来の画素電極としての機能を有することに加えて、蓄積容量を構成する一対の容量電極のうち一方の容量電極としての機能を兼ねるように形成されている。このように蓄積容量を形成することで、駆動電圧の保持特性を高めることによって画質の向上を図ると共に、基板上の積層構造をシンプルにすることができるので、製造コストの削減や電気光学装置の高精細化に貢献することができる。   The capacitor electrode is provided on the lower layer side of the pixel electrode so as to face the pixel electrode through a dielectric film, thereby forming a storage capacitor. That is, the pixel electrode in the present invention has a function as an original pixel electrode for controlling the alignment state of liquid crystal molecules such as liquid crystal, for example, and in addition one capacitor of a pair of capacitor electrodes constituting a storage capacitor. It is formed so as to function as an electrode. By forming the storage capacitor in this way, it is possible to improve the image quality by enhancing the holding characteristics of the drive voltage, and to simplify the laminated structure on the substrate, thereby reducing the manufacturing cost and the electro-optical device. It can contribute to high definition.

本発明では特に、容量電極は、画素の各々において光が透過可能な開口領域が、画像表示領域全体に渡って合計した合計面積よりも広くなるように形成されている。   In the present invention, in particular, the capacitor electrode is formed such that the opening area through which light can be transmitted in each pixel is wider than the total area totaled over the entire image display area.

「開口領域」とは、画像表示領域に配列された画素の各々において、光が透過可能な領域、即ち、表示に寄与する光が透過又は反射する領域であり、画素毎に設けられている。例えば、特定の画素において画素電極が形成されている領域であって、透過率の変更に応じて液晶等の電気光学物質を抜けてきた出射光の階調を変化させることが可能となる領域である。換言すれば、「開口領域」とは、画素に集光される光を透過させない、或いは光透過率が透明電極に比べて相対的に小さい配線、遮光膜、及び各種素子等の遮光体で遮られることがない領域を意味する。尚、本願において、開口領域は各画素に設けられるが、例えば隣接する２つの画素における開口領域が互いに一体的に形成されることにより、複数の画素にまたがって光を透過可能な領域として形成されていてもよい。   The “opening region” is a region through which light can be transmitted in each of the pixels arranged in the image display region, that is, a region through which light contributing to display is transmitted or reflected, and is provided for each pixel. For example, in a region where a pixel electrode is formed in a specific pixel, the tone of the emitted light that has passed through the electro-optical material such as liquid crystal can be changed in accordance with the change in transmittance. is there. In other words, the “opening area” is a light shielding body such as a wiring, a light shielding film, and various elements that does not transmit the light condensed on the pixel or has a relatively small light transmittance compared to the transparent electrode. It means the area that is never done. In the present application, an opening region is provided in each pixel. For example, the opening regions in two adjacent pixels are formed integrally with each other, thereby forming a region that can transmit light across a plurality of pixels. It may be.

本発明における「合計面積」とは、各画素における開口領域を画像表示領域全体に渡って合計した面積である。典型的な電気光学装置では、画像表示領域における透過率を向上させるために、各画素において、開口領域は非開口領域よりも広くなるように形成されている。そのため、背景技術に示したような典型的な電気光学装置のように容量電極が非開口領域に設けられる場合、容量電極の面積は少なくとも非開口領域より小さく形成され、大きな容量値を有する蓄積容量を形成することができない。その点、本発明では例えば、容量電極を透明な導電性材料で形成することによって、容量電極を非開口領域に限らず、開口領域にも形成することができるので、より容量値の大きい蓄積容量を形成することが可能となる。例えば、基板上の開口領域及び非開口領域に渡ってベタ状に形成することで、大きな容量値を有する蓄積容量を形成することができる。   The “total area” in the present invention is the total area of the aperture areas in each pixel over the entire image display area. In a typical electro-optical device, in order to improve the transmittance in the image display region, the opening region is formed to be wider than the non-opening region in each pixel. Therefore, in the case where the capacitor electrode is provided in the non-opening region as in a typical electro-optical device as shown in the background art, the capacitor electrode has an area that is at least smaller than the non-opening region and has a large capacitance value. Can not form. In that respect, in the present invention, for example, by forming the capacitor electrode with a transparent conductive material, the capacitor electrode can be formed not only in the non-opening region but also in the opening region. Can be formed. For example, a storage capacitor having a large capacitance value can be formed by forming a solid shape over the open region and the non-open region on the substrate.

尚、透過型の電気光学装置であれば、容量電極をこのように透明な導電性材料で形成する必要があるが、反射型の電気光学装置であれば、必ずしも容量電極をこのように透明な導電性材料で形成する必要はない。   In the case of a transmissive electro-optical device, the capacitive electrode needs to be formed of such a transparent conductive material. However, in the case of a reflective electro-optical device, the capacitive electrode is not necessarily transparent. It is not necessary to form with a conductive material.

以上のように、本発明に係る電気光学装置によれば、大きな容量値を有する蓄積容量を、画像表示領域における透過率を低下させることなく形成することができる。その結果、表示光が明るく、鮮明で高品位な画像表示が可能な電気光学装置を実現することができる。   As described above, according to the electro-optical device of the invention, a storage capacitor having a large capacitance value can be formed without reducing the transmittance in the image display region. As a result, it is possible to realize an electro-optical device that has bright display light and can display a clear and high-quality image.

本発明の電気光学装置の一の態様では、前記容量電極は、前記画素の各々において、前記開口領域よりも広く形成されている。   In one aspect of the electro-optical device of the present invention, the capacitor electrode is formed wider than the opening region in each of the pixels.

この態様によれば、個々の画素に注目した場合に、各画素における容量電極の面積が、開口領域よりも広くなるように容量電極が形成されることで、大きな容量値を有する蓄積容量を形成することができる。また、画素間における透過率のバラツキも軽減することができる。即ち、仮に容量電極が画像表示領域の一部に形成されている場合（つまり、画像表示領域内に、容量電極が広く形成されて画素と、容量電極が殆ど又は全く形成されていない画素が含まれる場合）は、容量電極が透過性の高い透明な導電性材料から形成されているとしても、少なからず画素間に透過率のバラツキが生じてしまう。本態様では、このような場合に比べて、少なからず各画素における透過率のバラツキを抑えることができるため、ムラのない高品位な画像を表示可能な電気光学装置を実現することができる。   According to this aspect, when attention is paid to each pixel, the capacitor electrode is formed so that the area of the capacitor electrode in each pixel is larger than the opening region, thereby forming a storage capacitor having a large capacitance value. can do. In addition, variation in transmittance between pixels can be reduced. That is, if the capacitive electrode is formed in a part of the image display area (that is, the image display area includes a pixel in which the capacitive electrode is widely formed and a pixel in which little or no capacitive electrode is formed) In such a case, even if the capacitor electrode is formed of a transparent conductive material having high transparency, there is a considerable variation in transmittance between pixels. In this aspect, the variation in the transmittance of each pixel can be suppressed as compared with such a case, so that an electro-optical device that can display a high-quality image without unevenness can be realized.

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記容量電極は、前記画素毎に開口部又は切り欠き部を有する。   In another aspect of the electro-optical device of the invention, the capacitor electrode has an opening or a notch for each pixel.

この態様によれば、容量電極に開口部又は切り欠き部を形成することによって、容量電極の大きさを調整することができる。「開口部」は、容量電極を構成する膜のうち、基板上で平面的に見て、基本的に容量電極を構成する膜により周囲を完全に囲まれている開口を規定する部分を意味する。「切り欠き部」は、容量電極を構成する膜のうち、基板上で平面的に見て、基本的に容量電極を構成する膜により周囲を不完全に囲まれている（即ちいずれか一方等が囲まれていない）切り欠きを周囲から規定する部分を意味する。   According to this aspect, the size of the capacitor electrode can be adjusted by forming an opening or a notch in the capacitor electrode. “Aperture” means a portion of the film constituting the capacitor electrode that defines an opening that is basically completely surrounded by the film constituting the capacitor electrode when viewed in plan on the substrate. . The “notch” is basically incompletely surrounded by the film constituting the capacitive electrode as viewed in plan on the substrate among the films constituting the capacitive electrode (that is, either one or the like). It means the part that defines the notch from the surroundings.

画素の保持特性を向上させる観点からは、容量電極をできるだけ広く形成することによって蓄積容量の容量値を大きくすることが好ましいが、容量値が大きくなると、例えば画素に駆動電圧を供給するための駆動回路等のサイズが増大してしまい、液晶装置等の電気光学装置に要求される高精細化等の要請に応えることが困難になる可能性がある。そのため、実際には単純に容量値を大きくするのではなく、適度な大きさの容量値を有するように調整することが必要となる。容量値は、面積に比例するので、調整は比較的容易であり、所望の容量値を比較的簡単に得られる。本態様では、容量電極に開口部又は切り欠き部を設けることによって、容量電極の面積を調整することで、蓄積容量の容量値を最適な値に調整することが可能である。   From the viewpoint of improving the retention characteristics of the pixel, it is preferable to increase the capacitance value of the storage capacitor by forming the capacitor electrode as wide as possible. However, when the capacitance value increases, for example, driving for supplying a driving voltage to the pixel The size of the circuit or the like increases, which may make it difficult to meet the demand for higher definition required for electro-optical devices such as liquid crystal devices. Therefore, in practice, it is necessary not to simply increase the capacitance value but to adjust the capacitance value to have an appropriate size. Since the capacitance value is proportional to the area, adjustment is relatively easy, and a desired capacitance value can be obtained relatively easily. In this aspect, the capacitance value of the storage capacitor can be adjusted to an optimum value by adjusting the area of the capacitance electrode by providing the capacitance electrode with an opening or a notch.

上述の開口部又は切り欠き部を有する態様では、前記開口部又は切り欠き部は、前記基板上で平面的に見て、前記画素の中央部を含むように配置するとよい。   In the aspect having the above-described opening or notch, the opening or notch may be arranged so as to include the central portion of the pixel when viewed in plan on the substrate.

この態様では、容量電極が開口部又は切り欠き部を画素の中央部に配置することにより、表示光の透過率を高めることができる。ここに「画素の中央部」とは、各画素の輪郭或いは縁から各画素の中央寄りに位置する部分あり、各画素の輪郭或いは縁に接する周辺部を除いた部分である。理想的には、「開口部又は切り欠き部」の平面形状としては、中央を中心とする矩形若しくは多角形又は円形若しくは楕円形であるが、各画素を通過する光が中央を通過する光と視覚上で同一視できる程度の範囲内にあれば、中央からいずれかの縁寄りに多少ずれていてもよく、形状についても任意である。   In this aspect, the transmittance of the display light can be increased by disposing the opening or the notch in the center of the pixel. Here, the “center portion of the pixel” is a portion located near the center of each pixel from the contour or edge of each pixel, and is a portion excluding the peripheral portion in contact with the contour or edge of each pixel. Ideally, the planar shape of the “opening or notch” is a rectangle, a polygon, or a circle or an ellipse centered on the center, but the light passing through each pixel is the light passing through the center. As long as it is within the range where it can be visually identified, it may be slightly deviated from the center toward either edge, and the shape is also arbitrary.

上述のように、例えば、容量電極を透明な導電性材料で形成した場合であっても、容量電極が形成されている領域は、容量電極が形成されていない領域に比べて少なからず透過率の低下が生じてしまう。或いは、容量電極と誘電体膜と画素電極との三者或いはそれ以上の薄膜からなる積層構造から、特定波長の光に対する反射或いは多重反射が発生しかねない。一方、画素のうち中央部を透過する表示光は、画素のその他の領域（例えば、画素の境界領域付近）を透過する表示光に比べて、電気光学装置の表示画面の観察者にとって、視覚上の影響を与えやすい。本態様では、視覚上の影響への寄与度の高い画素の中央部を透過する表示光の透過率をより高めるべく、或いは特定波長の光に対する反射或いは多重反射の発生を低減すべく、開口部又は切り欠き部を画素の中央部に配置することで、より高品位な画像表示が可能な電気光学装置を実現することができる。   As described above, for example, even when the capacitor electrode is formed of a transparent conductive material, the region where the capacitor electrode is formed is not less transparent than the region where the capacitor electrode is not formed. A drop will occur. Alternatively, reflection or multiple reflection with respect to light of a specific wavelength may occur from a laminated structure composed of three or more thin films of a capacitor electrode, a dielectric film, and a pixel electrode. On the other hand, the display light transmitted through the central portion of the pixel is visually more observable for the observer of the display screen of the electro-optical device than the display light transmitted through the other region of the pixel (for example, near the boundary region of the pixel). It is easy to influence. In this aspect, the aperture is used to increase the transmittance of the display light that passes through the central portion of the pixel that has a high contribution to visual influence, or to reduce the occurrence of reflection or multiple reflection of light of a specific wavelength. Alternatively, an electro-optical device capable of displaying a higher quality image can be realized by disposing the notch portion at the center of the pixel.

上述の開口部又は切り欠き部を有する態様では、更に、前記容量電極より下層側に形成された導電層を備え、該導電層及び前記画素電極は、前記開口領域又は切り欠き領域内に配置されたコンタクトホールを介して、電気的に接続するとよい。   In the aspect having the opening or the notch described above, the semiconductor device further includes a conductive layer formed on a lower layer side than the capacitor electrode, and the conductive layer and the pixel electrode are disposed in the opening region or the notch region. Electrical connection may be made through the contact hole.

この態様によれば、容量電極に形成された開口領域又は切り欠き領域を、容量電極より上層側に形成されている画素電極と、容量電極より下層側に形成されている導電層との間を電気的に接続するためのコンタクトホールを形成するためのスペースとして利用することができる。その結果、容量電極を画素領域の広い範囲に渡って形成しつつ、開口領域又は切り欠き領域内にコンタクトホールを形成することにより、容量電極より上層側に形成された画素電極を、容量電極より下層側に形成された導電層に、効率的なレイアウトで接続することができる。コンタクトホールが本来必要であり且つ開口部又は切り欠き部を設けることに鑑みれば、このような配置は、実践的な意味で、限られた画像表示領域内における限られた開口領域を最大限に有効活用して、大きな容量値を実現しつつ明るい表示を実現する上で非常に有利である。   According to this aspect, the opening region or the notch region formed in the capacitor electrode is provided between the pixel electrode formed on the upper layer side of the capacitor electrode and the conductive layer formed on the lower layer side of the capacitor electrode. It can be used as a space for forming a contact hole for electrical connection. As a result, by forming a contact hole in the opening region or the cutout region while forming the capacitor electrode over a wide range of the pixel region, the pixel electrode formed on the upper layer side from the capacitor electrode It can be connected to the conductive layer formed on the lower layer side with an efficient layout. In view of the necessity of contact holes and the provision of openings or notches, such an arrangement, in a practical sense, maximizes the limited open area within the limited image display area. It is very advantageous to realize a bright display while effectively utilizing and realizing a large capacitance value.

導電層は、例えば画素領域で電気光学動作を行うための配線、電極及び電子素子の少なくとも一部を構成する。例えば、画像信号に対応する電圧信号をオンオフするトランジスタの半導体層であってもよいし、当該半導体層及び画素電極間を中継接続するための中継配線であってもよい。   The conductive layer constitutes at least a part of wiring, electrodes, and electronic elements for performing an electro-optical operation in the pixel region, for example. For example, it may be a semiconductor layer of a transistor that turns on and off a voltage signal corresponding to an image signal, or may be a relay wiring for relay connection between the semiconductor layer and the pixel electrode.

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記画像表示領域及び前記画像表示領域を除く周辺領域において、前記容量電極に冗長的且つ電気的に接続されることにより、前記容量電極に所定の電位を供給する電位線を備える。   In another aspect of the electro-optical device of the present invention, the capacitor electrode is redundantly and electrically connected to the capacitor electrode in a peripheral region excluding the image display region and the image display region, so that a predetermined potential is applied to the capacitor electrode. Is provided.

この態様では、電位線を容量電極に電気的に接続することで、容量電極の電位を、所定の電位に保持することができる。ここで、「所定の電位」とは、例えば、固定電位若しくは所定電位、又は所定周期で反転する電位である。典型的には、画素電極に対向配置される対向電極における電位や、接地電位である。   In this aspect, the potential of the capacitor electrode can be held at a predetermined potential by electrically connecting the potential line to the capacitor electrode. Here, the “predetermined potential” is, for example, a fixed potential or a predetermined potential, or a potential that is inverted at a predetermined cycle. Typically, it is a potential at a counter electrode arranged to face the pixel electrode or a ground potential.

また、画像表示領域及び周辺領域において（即ち、複数の箇所で）、冗長的に接続することで、容量電極の電位をより安定に保持することができる。容量電極は画像表示領域の一定範囲に渡って形成されているため、仮に１箇所のみにおいて、電位線を容量電極に接続したとしても、時定数の影響から、実際には容量電極全体を一定の電位に保持することは困難であり、容量電極の各ポイントにおいて少なからず電位にバラツキが生じてしまう可能性がある。本態様では、電位線を容量電極に複数の箇所で接続することにより、容量電極における電位のバラツキを軽減又は解消することができる。その結果、蓄積容量の容量値の最適化を容易に図ることができ、より高品位な画像表示ができる電気光学装置を実現することができる。   In addition, in the image display region and the peripheral region (that is, at a plurality of locations), the potential of the capacitor electrode can be held more stably by redundant connection. Since the capacitance electrode is formed over a certain range of the image display area, even if the potential line is connected to the capacitance electrode at only one location, the entire capacitance electrode is actually constant due to the influence of the time constant. It is difficult to maintain the potential, and there is a possibility that the potential varies in various ways at each point of the capacitor electrode. In this aspect, by connecting the potential line to the capacitor electrode at a plurality of locations, the potential variation in the capacitor electrode can be reduced or eliminated. As a result, the capacitance value of the storage capacitor can be easily optimized, and an electro-optical device capable of displaying a higher quality image can be realized.

上述の電位線を備える態様では、前記電位線は、前記画像表示領域において、前記画素毎に前記容量電極と電気的に接続するとよい。   In the aspect including the above-described potential line, the potential line may be electrically connected to the capacitor electrode for each pixel in the image display region.

この態様では、画素毎に電位線が容量電極に電気的に接続されているので、より確実に容量電極における電位のバラツキを軽減又は解消することができる。即ち、画像表示領域全体についての、明るさ等に係る、面内ムラ或いはバラツキを低減できる。   In this aspect, since the potential line is electrically connected to the capacitor electrode for each pixel, the potential variation in the capacitor electrode can be reduced or eliminated more reliably. That is, it is possible to reduce in-plane unevenness or variation related to brightness or the like for the entire image display area.

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記画素電極及び前記容量電極は、透明導電材料から形成される。   In another aspect of the electro-optical device of the present invention, the pixel electrode and the capacitor electrode are formed of a transparent conductive material.

この態様によれば、画素電極及び容量電極は、透明な材料で形成されていることから、仮に両者が開口領域に配置されたとしても、表示光を遮ることがない。従って、蓄積容量が開口領域となるべき領域に配置される必要がある場合であっても、開口率を低下させることはない。   According to this aspect, since the pixel electrode and the capacitor electrode are formed of a transparent material, the display light is not blocked even if both are arranged in the opening region. Therefore, even when the storage capacitor needs to be arranged in a region to be an opening region, the aperture ratio is not lowered.

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記透明導電材料は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）である。   In another aspect of the electro-optical device of the present invention, the transparent conductive material is ITO (Indium Tin Oxide).

この態様によれば、画素電極及び容量電極は、透明導電材料の一例であるＩＴＯ（Indium Tin Oxide）で形成されることにより、容量電極が開口領域に配置されたとしても、表示光を遮ることがない。   According to this aspect, the pixel electrode and the capacitor electrode are made of ITO (Indium Tin Oxide), which is an example of a transparent conductive material, so that the display light is blocked even if the capacitor electrode is arranged in the opening region. There is no.

本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置（但し、その各種態様を含む）を備える。   In order to solve the above problems, an electronic apparatus according to the present invention includes the above-described electro-optical device according to the present invention (including various aspects thereof).

本発明の電子機器によれば、上述した本発明の電気光学装置を備えてなるので、高品質な画像表示を行うことが可能な、投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明の電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置、電子放出装置（Field Emission Display及びConduction Electron-Emitter Display）、これら電気泳動装置、電子放出装置を用いた表示装置を実現することも可能である。   According to the electronic apparatus of the present invention, since it includes the electro-optical device of the present invention described above, a projection display device, a television, a mobile phone, an electronic notebook, a word processor, capable of performing high-quality image display, Various electronic devices such as a viewfinder type or a monitor direct-view type video tape recorder, a workstation, a videophone, a POS terminal, and a touch panel can be realized. In addition, as an electronic apparatus of the present invention, for example, an electrophoretic device such as electronic paper, an electron emission device (Field Emission Display and Conduction Electron-Emitter Display), and a display device using these electrophoretic device and electron emission device Is also possible.

本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための最良の形態から明らかにされる。   The operation and other advantages of the present invention will become apparent from the best mode for carrying out the invention described below.

本実施形態に係る液晶装置の全体構成を示す平面図である。It is a top view which shows the whole structure of the liquid crystal device which concerns on this embodiment. 図１のＨ−Ｈ´断面図である。It is HH 'sectional drawing of FIG. 本実施形態に係る液晶装置の電気的な構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the electrical structure of the liquid crystal device which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域における配線等の位置関係を透過的に示す模式図である。It is a schematic diagram which shows transparently the positional relationship of wiring etc. in the image display area of the liquid crystal device concerning this embodiment. 図４のＡ−Ａ´断面図である。It is AA 'sectional drawing of FIG. 本実施形態に係る液晶装置の基板上における容量電極の位置関係を周辺配線と共に透過的に示した模式図である。It is the schematic diagram which showed transparently the positional relationship of the capacitive electrode on the board | substrate of the liquid crystal device which concerns on this embodiment with peripheral wiring. 第１変形例に係る液晶装置の基板上における容量電極の位置関係を周辺配線と共に透過的に示した模式図である。It is the schematic diagram which showed transparently the positional relationship of the capacitive electrode on the board | substrate of the liquid crystal device which concerns on a 1st modification with peripheral wiring. 第２変形例に係る液晶装置の基板上における容量電極の位置関係を周辺配線と共に透過的に示した模式図である。It is the schematic diagram which showed transparently the positional relationship of the capacitive electrode on the board | substrate of the liquid crystal device which concerns on a 2nd modification with peripheral wiring. 本実施形態の電気光学装置を適用した電子機器の例である。It is an example of an electronic apparatus to which the electro-optical device of the present embodiment is applied.

以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態では、本発明の電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following embodiments, a driving circuit built-in type TFT active matrix driving type liquid crystal device, which is an example of the electro-optical device of the present invention, is taken as an example.

＜液晶装置＞
先ず、本実施形態に係る液晶装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。 <Liquid crystal device>
First, the overall configuration of the liquid crystal device according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. 1 and 2.

図１は、ＴＦＴアレイ基板１０を、その上に形成された各構成要素と共に、対向基板２０の側から見た液晶装置の構成を示す概略的な平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ´断面図である。   FIG. 1 is a schematic plan view showing a configuration of a liquid crystal device when the TFT array substrate 10 is viewed from the counter substrate 20 side together with each component formed thereon, and FIG. 2 is a plan view of FIG. It is HH 'sectional drawing.

図１及び図２において、本実施形態に係る液晶装置は、対向配置されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とを備えている。ＴＦＴアレイ基板１０は例えば石英基板、ガラス基板等の透明基板又はシリコン基板である。対向基板２０も例えばＴＦＴアレイ基板１０と同様の材料からなる基板である。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、電気光学動作の行われる画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。   1 and 2, the liquid crystal device according to the present embodiment includes a TFT array substrate 10 and a counter substrate 20 that are arranged to face each other. The TFT array substrate 10 is, for example, a transparent substrate such as a quartz substrate or a glass substrate, or a silicon substrate. The counter substrate 20 is also a substrate made of the same material as the TFT array substrate 10, for example. A liquid crystal layer 50 is sealed between the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20, and the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 are sealed around the image display region 10a where the electro-optical operation is performed. They are bonded to each other by a sealing material 52 provided in the region.

シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。また、例えばシール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材５６が散布されている。   The sealing material 52 is made of, for example, an ultraviolet curable resin, a thermosetting resin, or the like for bonding the two substrates, and is applied on the TFT array substrate 10 in the manufacturing process and then cured by ultraviolet irradiation, heating, or the like. It is. Further, for example, in the sealing material 52, a gap material 56 such as a glass fiber or a glass bead for dispersing the distance (inter-substrate gap) between the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 to a predetermined value is dispersed.

シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。   A light-shielding frame light-shielding film 53 that defines the frame area of the image display area 10a is provided on the counter substrate 20 side in parallel with the inside of the seal area where the sealing material 52 is disposed. However, part or all of the frame light shielding film 53 may be provided as a built-in light shielding film on the TFT array substrate 10 side.

ＴＦＴアレイ基板１０上における、画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域１０ｂには、データ線駆動回路１０１、サンプリング回路７、走査線駆動回路１０４及び外部回路接続端子１０２が夫々形成されている。   On the TFT array substrate 10, a data line driving circuit 101, a sampling circuit 7, a scanning line driving circuit 104, and an external circuit connection terminal 102 are formed in the peripheral area 10b located around the image display area 10a.

ＴＦＴアレイ基板１０上における周辺領域１０ｂにおいて、シール領域より外周側に、データ線駆動回路１０１及び複数の外部回路接続端子１０２が、ＴＦＴアレイ基板１０の一辺に夫々沿って設けられている。   In the peripheral region 10 b on the TFT array substrate 10, the data line driving circuit 101 and a plurality of external circuit connection terminals 102 are provided along one side of the TFT array substrate 10 on the outer peripheral side from the seal region.

また、ＴＦＴアレイ基板１０上の周辺領域１０ｂのうちシール領域より内側に位置する領域には、ＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿う画像表示領域１０ａの一辺に沿って且つ額縁遮光膜５３に覆われるようにしてサンプリング回路７が配置されている。   Further, a region located inside the seal region in the peripheral region 10b on the TFT array substrate 10 is covered with the frame light shielding film 53 along one side of the image display region 10a along one side of the TFT array substrate 10. Thus, the sampling circuit 7 is arranged.

また、走査線駆動回路１０４は、ＴＦＴアレイ基板１０の一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。更に、このように画像表示領域１０ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間を電気的に接続するため、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿い、且つ額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設けられている。   The scanning line driving circuit 104 is provided along two sides adjacent to one side of the TFT array substrate 10 so as to be covered with the frame light shielding film 53. Further, in order to electrically connect the two scanning line driving circuits 104 provided on both sides of the image display region 10a in this way, the TFT array substrate 10 is covered with the frame light shielding film 53 along the remaining side. A plurality of wirings 105 are provided.

また、ＴＦＴアレイ基板１０上の周辺領域１０ｂにおいて、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、上下導通端子１０６が配置されると共に、このＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間には上下導通材が上下導通端子１０６に対応して該端子１０６に電気的に接続されて設けられている。   Further, in the peripheral region 10 b on the TFT array substrate 10, vertical conduction terminals 106 are arranged in regions facing the four corners of the counter substrate 20, and the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 are vertically connected. A conductive material is provided corresponding to the vertical conductive terminal 106 and electrically connected to the terminal 106.

図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成されている。画像表示領域１０ａには、画素スイッチング用ＴＦＴや走査線、データ線等の配線の上層に画素電極９がマトリクス状に設けられている。画素電極９は、ＩＴＯ膜からなる透明電極として形成されている。画素電極９上には、配向膜１６が形成されている。   In FIG. 2, on the TFT array substrate 10, a laminated structure is formed in which wirings such as TFTs for pixel switching, scanning lines, and data lines are formed. In the image display area 10a, pixel electrodes 9 are provided in a matrix form on the upper layer of wiring such as pixel switching TFTs, scanning lines, and data lines. The pixel electrode 9 is formed as a transparent electrode made of an ITO film. An alignment film 16 is formed on the pixel electrode 9.

他方、対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上に、遮光膜２３が形成されている。遮光膜２３は、例えば遮光性金属膜等から形成されており、対向基板２０上の画像表示領域１０ａ内で、例えば格子状等にパターニングされている。そして、遮光膜２３上（図２中遮光膜２３より下側）に、ＩＴＯ膜からなる対向電極２１が複数の画素電極９と対向して例えばベタ状に形成され、更に対向電極２１上（図２中対向電極２１より下側）には配向膜２２が形成されている。   On the other hand, a light shielding film 23 is formed on the surface of the counter substrate 20 facing the TFT array substrate 10. The light shielding film 23 is formed of, for example, a light shielding metal film or the like, and is patterned, for example, in a lattice shape in the image display region 10a on the counter substrate 20. On the light shielding film 23 (below the light shielding film 23 in FIG. 2), the counter electrode 21 made of an ITO film is formed, for example, in a solid shape so as to face the plurality of pixel electrodes 9, and further on the counter electrode 21 (FIG. 2, below the counter electrode 21), an alignment film 22 is formed.

液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。そして、液晶装置の駆動時、夫々に電圧が印加されることで、画素電極９と対向電極２１との間には液晶保持容量が形成される。   The liquid crystal layer 50 is made of, for example, a liquid crystal in which one or several types of nematic liquid crystals are mixed, and takes a predetermined alignment state between the pair of alignment films. A liquid crystal storage capacitor is formed between the pixel electrode 9 and the counter electrode 21 by applying a voltage to each of the liquid crystal devices during driving.

尚、ここでは図示しないが、ＴＦＴアレイ基板１０上には、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４の他に、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等が形成されていてもよい。   Although not shown here, on the TFT array substrate 10, in addition to the data line driving circuit 101 and the scanning line driving circuit 104, a plurality of data lines are precharged at a predetermined voltage level prior to the image signal. A precharge circuit to be supplied, an inspection circuit for inspecting the quality, defects, etc. of the liquid crystal device during manufacture or at the time of shipment may be formed.

次に、本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域の電気的な構成について、図３を参照して説明する。ここに図３は、本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。   Next, the electrical configuration of the image display area of the liquid crystal device according to the present embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of various elements, wirings, and the like in a plurality of pixels formed in a matrix forming the image display area of the liquid crystal device according to this embodiment.

図３において、画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素の
各々には、画素電極９及び画素スイッチング用のＴＦＴ３０が形成されている。ＴＦＴ３０は、画素電極９に電気的に接続されており、本実施形態に係る液晶装置の動作時に画素電極９をスイッチング制御する。画像信号が供給されるデータ線６は、ＴＦＴ３０のソース領域に電気的に接続されている。データ線６に書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、互いに隣り合う複数のデータ線６同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。 In FIG. 3, a pixel electrode 9 and a pixel switching TFT 30 are formed in each of a plurality of pixels formed in a matrix that forms the image display region 10a. The TFT 30 is electrically connected to the pixel electrode 9, and performs switching control of the pixel electrode 9 when the liquid crystal device according to the present embodiment operates. The data line 6 to which the image signal is supplied is electrically connected to the source region of the TFT 30. Image signals S1, S2,..., Sn to be written to the data lines 6 may be supplied line-sequentially in this order, or may be supplied for each group to a plurality of adjacent data lines 6. Good.

ＴＦＴ３０のゲートには走査線１１が電気的に接続されており、本実施形態に係る液晶装置は、所定のタイミングで、走査線１１にパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９は、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６から供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが所定のタイミングで書き込まれる。画素電極９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板２０（図２参照）に形成された対向電極２１（図２参照）との間で一定期間保持される。   The scanning line 11 is electrically connected to the gate of the TFT 30, and the liquid crystal device according to the present embodiment applies the scanning signals G1, G2,..., Gm to the scanning line 11 in a pulsed manner at a predetermined timing. It is configured to apply in a line sequential order. The pixel electrode 9 is electrically connected to the drain of the TFT 30, and the image signal S1, S2,..., Sn supplied from the data line 6 is obtained by closing the switch of the TFT 30 serving as a switching element for a certain period. It is written at a predetermined timing. A predetermined level of image signals S1, S2,..., Sn written to the liquid crystal via the pixel electrode 9 is constant between the counter electrode 21 (see FIG. 2) formed on the counter substrate 20 (see FIG. 2). Hold for a period.

液晶層５０（図２参照）を構成する液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射される。   The liquid crystal constituting the liquid crystal layer 50 (see FIG. 2) modulates light and enables gradation display by changing the orientation and order of the molecular assembly depending on the applied voltage level. In the normally white mode, the transmittance for incident light is reduced according to the voltage applied in units of each pixel, and in the normally black mode, the light is incident according to the voltage applied in units of each pixel. The transmittance for light is increased, and light having a contrast corresponding to an image signal is emitted from the liquid crystal device as a whole.

ここで保持された画像信号がリークすることを防ぐために、画素電極９と対向電極２１（図２参照）との間に形成される液晶容量に対して電気的に並列に蓄積容量７０が付加されている。蓄積容量７０の一方の電極は、後に詳述するように、所定電位となるように、画像表示領域１０ａ及び周辺領域１０ｂにおいて、冗長的に、電位固定の電位線３００に接続されている。   In order to prevent the image signal held here from leaking, a storage capacitor 70 is added electrically in parallel with the liquid crystal capacitor formed between the pixel electrode 9 and the counter electrode 21 (see FIG. 2). ing. As will be described later in detail, one electrode of the storage capacitor 70 is redundantly connected to the potential line 300 with a fixed potential in the image display region 10a and the peripheral region 10b so as to have a predetermined potential.

次に、本実施形態に係る液晶装置において、画像表示領域１０ａにおける具体的な積層構造について、図４及び図５を参照して詳しく説明する。図４は、本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域１０ａにおける、電気光学動作を行うために配置された電極及び配線等の位置関係を透過的に示した模式図である。図５は、図４のＡ−Ａ´線断面における積層構造を示す断面図である。尚、図４及び図５では、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。   Next, in the liquid crystal device according to the present embodiment, a specific stacked structure in the image display region 10a will be described in detail with reference to FIGS. FIG. 4 is a schematic diagram transparently showing the positional relationship between electrodes and wirings arranged for performing an electro-optical operation in the image display region 10a of the liquid crystal device according to the present embodiment. FIG. 5 is a cross-sectional view showing a laminated structure taken along the line AA ′ of FIG. In FIGS. 4 and 5, the scale of each layer / member is different for each layer / member to have a size that can be recognized on the drawing.

ＴＦＴアレイ基板１０上には、走査線１１及びデータ線６が、夫々Ｘ方向及びＹ方向に沿って配置されており、データ線６と走査線１１の交差付近にＴＦＴ３０（即ち、半導体層３０ａ及びゲート電極３０ｂ）が形成されている。   On the TFT array substrate 10, scanning lines 11 and data lines 6 are arranged along the X direction and the Y direction, respectively. The TFTs 30 (that is, the semiconductor layers 30 a and A gate electrode 30b) is formed.

走査線１１は、遮光性の導電材料、例えば、Ｗ（タングステン）、Ｔｉ（チタン）、ＴｉＮ（窒化チタン）等から形成されており、ＴＦＴ３０の半導体層３０aを含むように半導体層ａより幅広に形成されている。走査線１１は半導体層３０ａより下層側に配置されているので、このように走査線１１をＴＦＴ３０の半導体層３０ａよりも幅広に形成することによって、ＴＦＴアレイ基板１０における裏面反射や、複板式のプロジェクタ等で他の液晶装置から発せられ合成光学系を突き抜けてくる光などの、戻り光に対してＴＦＴ３０のチャネル領域３０ｂを殆ど或いは完全に遮光できる。その結果、液晶装置の動作時に、ＴＦＴ３０における光リーク電流は低減され、コントラスト比を向上させることができ、高品位の画像表示が可能となる。   The scanning line 11 is made of a light-shielding conductive material, for example, W (tungsten), Ti (titanium), TiN (titanium nitride) or the like, and is wider than the semiconductor layer a so as to include the semiconductor layer 30a of the TFT 30. Is formed. Since the scanning line 11 is arranged on the lower layer side than the semiconductor layer 30a, the scanning line 11 is formed wider than the semiconductor layer 30a of the TFT 30 in this way, thereby reflecting the back surface of the TFT array substrate 10 or a double-plate type. The channel region 30b of the TFT 30 can be almost or completely shielded from return light such as light emitted from another liquid crystal device by a projector or the like and penetrating through the composite optical system. As a result, the light leakage current in the TFT 30 is reduced during the operation of the liquid crystal device, the contrast ratio can be improved, and high-quality image display can be performed.

図５に示すように、走査線１１は下地絶縁膜１２によって覆われており、その表面が平坦化されている。尚、下地絶縁膜１２は、ＴＦＴアレイ基板１０の表面研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用のＴＦＴ３０の特性変化を防止する機能も有している。   As shown in FIG. 5, the scanning line 11 is covered with a base insulating film 12, and the surface thereof is flattened. The underlying insulating film 12 also has a function of preventing changes in the characteristics of the TFT 30 for pixel switching due to roughness during the surface polishing of the TFT array substrate 10 and dirt remaining after cleaning.

また、図４及び図５に示すように、ＴＦＴ３０は、半導体層３０ａと、ゲート電極３０ｂとを有して構成されている。半導体層３０ａは、ソース領域３０ａ１、チャネル領域３０ａ２、ドレイン領域３０ａ３含んで形成されている。ここで、 チャネル領域３０ａ２とソース領域３０ａ１、又は、チャネル領域３０ａ２とドレイン領域３０ａ３との界面にはＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ）領域が形成されていてもよい。   As shown in FIGS. 4 and 5, the TFT 30 includes a semiconductor layer 30a and a gate electrode 30b. The semiconductor layer 30a is formed including a source region 30a1, a channel region 30a2, and a drain region 30a3. Here, an LDD (Lightly Doped Drain) region may be formed at the interface between the channel region 30a2 and the source region 30a1 or between the channel region 30a2 and the drain region 30a3.

ゲート電極３０ｂは、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、半導体層３０ａのチャネル領域と重なる領域にゲート絶縁膜を介して形成されている。例えば導電性ポリシリコンから形成されており、ゲート絶縁膜１３に開口されたコンタクトホール３４を介して、走査線１１に電気的に接続されており（図４参照）、走査信号が印加されることによってＴＦＴ３０をオン／オフ制御している。   The gate electrode 30b is formed through a gate insulating film in a region overlapping the channel region of the semiconductor layer 30a when viewed in plan on the TFT array substrate 10. For example, it is made of conductive polysilicon, and is electrically connected to the scanning line 11 through a contact hole 34 opened in the gate insulating film 13 (see FIG. 4), and a scanning signal is applied. Thus, the TFT 30 is controlled to be turned on / off.

画像信号が供給されるデータ線６は、ゲート絶縁膜１３及び第１層間絶縁膜１４に開口されたコンタクトホール３１を介してソース領域３０ａ１と電気的に接続されている。一方、ドレイン領域３０ａ３は、上層側に形成された画素電極９に、コンタクトホール３２に形成された中継層７を介して電気的に接続されている。更に中継層７は、コンタクトホール３３を介して画素電極９が電気的に接続されている。   The data line 6 to which the image signal is supplied is electrically connected to the source region 30a1 through the contact hole 31 opened in the gate insulating film 13 and the first interlayer insulating film 14. On the other hand, the drain region 30 a 3 is electrically connected to the pixel electrode 9 formed on the upper layer side via the relay layer 7 formed in the contact hole 32. Further, the relay layer 7 is electrically connected to the pixel electrode 9 through the contact hole 33.

データ線６上には第２層間絶縁膜１５が積層されており、その上に周辺領域１０ｂから延在して設けられた電位線３００が形成されている。電位線３００には周辺領域１０ｂに配置された電源回路から固定電位が供給され、次に述べる容量電極７１に接続されることにより、容量電極７１を固定電位に保持している。   A second interlayer insulating film 15 is laminated on the data line 6, and a potential line 300 extending from the peripheral region 10 b is formed thereon. A fixed potential is supplied to the potential line 300 from a power supply circuit arranged in the peripheral region 10b, and is connected to the capacitor electrode 71 described below, thereby holding the capacitor electrode 71 at a fixed potential.

電位線３００上には第３層間絶縁膜１６が積層され、その上に本発明における「容量電極」の一例である容量電極７１が形成されている。容量電極７１には、後述する、更に上層側に形成された画素電極９を下層側に形成された中継層７に電気的に接続するためのコンタクトホール３３を形成するスペースを確保するために、開口部１が設けられている。   A third interlayer insulating film 16 is laminated on the potential line 300, and a capacitor electrode 71, which is an example of the “capacitance electrode” in the present invention, is formed thereon. In order to secure a space in the capacitor electrode 71 for forming a contact hole 33 for electrically connecting the pixel electrode 9 formed on the upper layer side, which will be described later, to the relay layer 7 formed on the lower layer side. An opening 1 is provided.

また、容量電極７１上には、本発明に係る「誘電体膜」の一例である容量絶縁膜７２が形成されている。そして、容量絶縁膜７２上には画素電極９が形成されており、画素電極９及び容量電極７１は、蓄積容量７０を構成する一対の容量電極として機能するように形成されている。即ち、画素電極９は、蓄積容量７０を構成する一対の容量電極のうち一方の容量電極を兼ねるように形成されている。このように本実施形態では、画素電極９は、液晶５０を構成する液晶分子の配向状態を制御するという本来の画素電極としての機能を有することに加えて、蓄積容量７０の一方の容量電極としても機能する。従って、例えば仮に一対の容量電極を有する蓄積容量と画素電極とを別個に設ける場合に比べて、ＴＦＴアレイ基板１０上の積層構造をシンプルにすることができる。   On the capacitor electrode 71, a capacitor insulating film 72, which is an example of the “dielectric film” according to the present invention, is formed. A pixel electrode 9 is formed on the capacitor insulating film 72, and the pixel electrode 9 and the capacitor electrode 71 are formed so as to function as a pair of capacitor electrodes constituting the storage capacitor 70. That is, the pixel electrode 9 is formed so as to serve as one of the pair of capacitor electrodes constituting the storage capacitor 70. As described above, in the present embodiment, the pixel electrode 9 has a function as an original pixel electrode for controlling the alignment state of the liquid crystal molecules constituting the liquid crystal 50, and also serves as one capacitor electrode of the storage capacitor 70. Also works. Therefore, for example, the stacked structure on the TFT array substrate 10 can be simplified as compared with a case where a storage capacitor having a pair of capacitor electrodes and a pixel electrode are provided separately.

尚、画像信号に対応する電圧が印加される画素電極に接続される蓄積容量７０を設けることによって、画素電極９の電圧を、実際に画像信号が印加されている時間よりも、例えば３桁も長い時間だけ保持することが可能となり、液晶素子の保持特性が改善されるため、高コントラスト比を有する液晶装置を実現することができる。   In addition, by providing the storage capacitor 70 connected to the pixel electrode to which the voltage corresponding to the image signal is applied, the voltage of the pixel electrode 9 is set to, for example, three digits longer than the time when the image signal is actually applied. Since the liquid crystal element can be held for a long time and the holding characteristics of the liquid crystal element are improved, a liquid crystal device having a high contrast ratio can be realized.

ここで、容量電極７１の平面構造について、図６を参照して説明する。図６は、画像表示領域における容量電極７１の平面構造を示す模式図である。尚、図６では、説明の便宜上、容量電極７１より下層側に形成されているデータ線６及び走査線１１等の構成要素の詳細な図示を省略している。また、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。   Here, the planar structure of the capacitor electrode 71 will be described with reference to FIG. FIG. 6 is a schematic diagram showing a planar structure of the capacitor electrode 71 in the image display area. In FIG. 6, for convenience of explanation, detailed illustration of components such as the data line 6 and the scanning line 11 formed on the lower layer side of the capacitor electrode 71 is omitted. Further, in order to make each layer and each member recognizable on the drawing, the scale is different for each layer and each member.

データ線６及び走査線１１は夫々、Ｙ方向及びＸ方向に延在している。各画素は、データ線６及び走査線１１によって区分けされている。容量電極７１に設けられた開口部１は、「開口部又は切り欠き部」の一例であり、図６（ａ）に示すように画素毎に形成されている。容量電極７１は開口部１を除いたＴＦＴアレイ基板１０上の領域にベタ状に形成されている。このように、容量電極７１はＴＦＴアレイ基板１０上の広い領域に形成されており、画素の各々における開口領域を画像表示領域全体に渡って合計した合計面積よりも広くなるように形成されている。   The data line 6 and the scanning line 11 extend in the Y direction and the X direction, respectively. Each pixel is divided by a data line 6 and a scanning line 11. The opening 1 provided in the capacitor electrode 71 is an example of an “opening or notch”, and is formed for each pixel as shown in FIG. The capacitor electrode 71 is formed in a solid shape in a region on the TFT array substrate 10 excluding the opening 1. As described above, the capacitor electrode 71 is formed in a wide area on the TFT array substrate 10 and is formed so as to be wider than the total area obtained by adding the opening areas in each pixel over the entire image display area. .

ここで、容量電極７１は透明な導電性材料であるＩＴＯから形成されているため、開口領域に容量電極７１が配置されても、透過光を遮断することはない。そのため、開口領域及び非開口領域の両者に渡って形成することができるので、背景技術に示した液晶装置に比べて大きな容量値を有する蓄積容量を形成することができる。   Here, since the capacitive electrode 71 is made of ITO, which is a transparent conductive material, transmitted light is not blocked even if the capacitive electrode 71 is arranged in the opening region. Therefore, since it can be formed over both the open region and the non-open region, a storage capacitor having a larger capacitance value than the liquid crystal device described in the background art can be formed.

また、本実施形態では、容量電極７１に開口部１を形成することによって、蓄積容量７０の容量値の大きさを調整している。画素の保持特性を向上させる観点からは、容量電極７１をできるだけ広く形成することによって蓄積容量７０の容量値を大きくすることが好ましいが、容量値が大きくなりすぎると、例えば画素に駆動電圧を供給するための駆動回路（例えば、周辺領域１０ｂに配置されるデータ線駆動回路１０１、サンプリング回路７など）のサイズが増大してしまい、液晶装置等の電気光学装置に一般的に要求される高精細化等の要請に応えることが困難になってしまう。このように、実際には単純に容量値を大きくするのではなく、適度な大きさの容量値を有するように調整することが必要となる場合がある。そこで、本実施形態では、容量電極７１に適度な大きさを有する開口部１を設けることで、蓄積容量７０の容量値を最適な値に調整している。   In the present embodiment, the size of the capacitance value of the storage capacitor 70 is adjusted by forming the opening 1 in the capacitor electrode 71. From the viewpoint of improving the retention characteristics of the pixel, it is preferable to increase the capacitance value of the storage capacitor 70 by forming the capacitor electrode 71 as wide as possible. However, if the capacitance value becomes too large, for example, a driving voltage is supplied to the pixel. Driving circuit (for example, the data line driving circuit 101 and the sampling circuit 7 disposed in the peripheral region 10b) increases in size, and high definition generally required for an electro-optical device such as a liquid crystal device. It becomes difficult to respond to requests for conversion. As described above, in practice, it may be necessary to adjust the capacitance value to have an appropriate capacitance value instead of simply increasing the capacitance value. Therefore, in this embodiment, the capacitance value of the storage capacitor 70 is adjusted to an optimum value by providing the opening 1 having an appropriate size in the capacitor electrode 71.

また、容量電極７１に形成された開口部１は、容量電極７１より上層側に形成されている画素電極９と、容量電極７１より下層側に形成されている「導電層」の一例である中継層７との間を電気的に接続するためのコンタクトホール３３を形成するためのスペースとして利用している。これにより、容量電極７１を画像表示領域１０ａの広い範囲に渡って形成しつつ、画素電極９を、中継層７に、効率的なレイアウトで接続することができる。   The opening 1 formed in the capacitor electrode 71 is a relay that is an example of the pixel electrode 9 formed on the upper layer side of the capacitor electrode 71 and the “conductive layer” formed on the lower layer side of the capacitor electrode 71. This is used as a space for forming a contact hole 33 for electrical connection with the layer 7. Accordingly, the pixel electrode 9 can be connected to the relay layer 7 with an efficient layout while the capacitor electrode 71 is formed over a wide range of the image display region 10a.

再び、図４及び図５に戻って、画素電極９とドレイン領域３０ａとは、中継層７を介して電気的に接続されている。仮に画素電極９及びドレイン領域３０ａ３間を直接接続しようとすると、両者の層間に存在する絶縁膜（即ち、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１４及び第２層間絶縁膜１５）の膜厚が大きいために、良好な電気的接続を行うことが困難である。つまり、画素電極９及びドレイン領域３０ａ３が夫々離れた層に形成されているため、深い一つのコンタクトホールを介して直接接続しようとすると、本来良好な導電性を有すべきコンタクトホールにその製造過程において欠陥等が生じ、コンタクトホールの導電性が低下してしまう。その点、本実施形態のように、中継層７を設けることによって、深さの浅いコンタクトホール（即ち、コンタクトホール３２及び３３）を用いて画素電極９及びドレイン領域３０ａ３間の電気的な接続を良好な状態に形成することができる。   4 and 5 again, the pixel electrode 9 and the drain region 30a are electrically connected via the relay layer 7. If an attempt is made to directly connect the pixel electrode 9 and the drain region 30a3, the film thickness of the insulating film (that is, the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 14, and the second interlayer insulating film 15) existing between the two layers is increased. Due to its large size, it is difficult to make a good electrical connection. In other words, since the pixel electrode 9 and the drain region 30a3 are formed in separate layers, when a direct connection is made through a deep contact hole, the manufacturing process of the contact hole that should originally have good conductivity is performed. In this case, defects or the like occur, and the conductivity of the contact hole decreases. In this regard, as in the present embodiment, by providing the relay layer 7, the electrical connection between the pixel electrode 9 and the drain region 30 a 3 can be achieved using the contact holes with a shallow depth (that is, the contact holes 32 and 33). It can be formed in a good state.

容量電極７１は、固定電位を供給する電位線３００（図３参照）が電気的に接続されている。本実施形態では特に、画像表示領域１０ａ及び周辺領域１０ｂにおいて（即ち、容量電極７１の複数の箇所で）、容量電極７１は電位線３００に冗長的に接続されている。仮に容量電極７１の１箇所のみにおいて、電位線３００を接続すると、容量電極７１の各ポイントにおいて電位にバラツキが生じてしまう可能性があるが、このように、複数の箇所で電位線３００に電気的に接続することで、容量電極７１に電位のバラツキが生じることを防止することができる。   The capacitor electrode 71 is electrically connected to a potential line 300 (see FIG. 3) that supplies a fixed potential. Particularly in the present embodiment, the capacitor electrode 71 is redundantly connected to the potential line 300 in the image display region 10 a and the peripheral region 10 b (that is, at a plurality of locations of the capacitor electrode 71). If the potential line 300 is connected only at one location of the capacitive electrode 71, the potential may vary at each point of the capacitive electrode 71. In this way, the electrical potential line 300 is electrically connected to multiple locations. By connecting them electrically, it is possible to prevent the potential variation in the capacitor electrode 71.

＜第１変形例＞
以上の実施形態では、容量電極７１をＴＦＴアレイ基板１０上に概ねベタ状に（即ちベタ一面に）形成したが、図７に示すように、画素毎に島状に、且つ、部分的に切欠かれた切欠部１９０を有するように形成してもよい。 <First Modification>
In the above embodiment, the capacitor electrode 71 is formed on the TFT array substrate 10 so as to be substantially solid (that is, on the entire surface). However, as shown in FIG. You may form so that it may have the notch part 190 opened.

図７は、第２変形例に係る液晶装置における、画像表示領域における容量電極７１の平面構造を示す模式図である。尚、図７では、説明の便宜上、容量電極７１より下層側に形成されているデータ線６及び走査線１１等の構成要素の詳細な図示を省略している。また、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。   FIG. 7 is a schematic diagram illustrating a planar structure of the capacitor electrode 71 in the image display region in the liquid crystal device according to the second modification. In FIG. 7, for convenience of explanation, detailed illustration of components such as the data line 6 and the scanning line 11 formed on the lower layer side than the capacitor electrode 71 is omitted. Further, in order to make each layer and each member recognizable on the drawing, the scale is different for each layer and each member.

容量電極７１に設けられた切欠部１９０は、「開口部又は切り欠き部」の一例であり、図７に示すように画素毎に形成されている。容量電極７１は切欠部１９０を除いたＴＦＴアレイ基板１０上の領域にベタ状に形成されている。   The notch 190 provided in the capacitor electrode 71 is an example of an “opening or notch”, and is formed for each pixel as shown in FIG. The capacitor electrode 71 is formed in a solid shape in a region on the TFT array substrate 10 excluding the notch 190.

＜第２変形例＞
図８は、第２変形例に係る液晶装置における、画像表示領域における容量電極７１の平面構造を示す模式図である。尚、図８では、説明の便宜上、容量電極７１より下層側に形成されているデータ線６及び走査線１１等の構成要素の詳細な図示を省略している。また、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。 <Second Modification>
FIG. 8 is a schematic diagram showing a planar structure of the capacitor electrode 71 in the image display area in the liquid crystal device according to the second modification. In FIG. 8, for convenience of explanation, detailed illustration of components such as the data line 6 and the scanning line 11 formed on the lower layer side than the capacitor electrode 71 is omitted. Further, in order to make each layer and each member recognizable on the drawing, the scale is different for each layer and each member.

本変形例では、図８に示すように、容量電極７１の開口部１は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、画素の中央部（即ち、データ線６及び走査線１１で区画された各画素の真ん中近辺の領域）を含むように配置されている。このように開口部１を配置することで、視覚上の影響への寄与度の高い画素の中央部を透過する表示光の透過率をより高めることができる。本変形例では、容量電極７１は透明な導電性材料であるＩＴＯによって形成されているが、容量電極７１が形成されている領域は、容量電極７１が形成されていない領域に比べて少なからず透過率の低下が生じてしまう。また、画素のうち中央部を透過する表示光は、画素のその他の領域（例えば、画素の境界領域付近）を透過する表示光に比べて、表示画面の観察者に対して、視覚上の影響を与えやすいとされている。そこで、本変形例では、視覚上の影響への寄与度の高い画素の中央部を透過する表示光の透過率をより高めるべく、開口部１を画素の中央部に配置することで、より高品位な画像表示が可能な液晶装置を実現することができる。   In the present modification, as shown in FIG. 8, the opening 1 of the capacitor electrode 71 is partitioned by the central portion of the pixel (that is, the data line 6 and the scanning line 11) when viewed in plan on the TFT array substrate 10. In addition, the pixels are arranged so as to include a region near the center of each pixel. By arranging the opening 1 in this way, it is possible to further increase the transmittance of display light transmitted through the central portion of the pixel having a high degree of contribution to visual influence. In this modification, the capacitor electrode 71 is formed of ITO, which is a transparent conductive material, but the region where the capacitor electrode 71 is formed is not less transparent than the region where the capacitor electrode 71 is not formed. The rate will drop. In addition, the display light transmitted through the central portion of the pixel has a visual influence on the viewer of the display screen as compared to the display light transmitted through the other region of the pixel (for example, near the boundary region of the pixel). It is said that it is easy to give. Therefore, in this modification, in order to further increase the transmittance of display light transmitted through the central portion of the pixel having a high degree of contribution to the visual influence, the opening 1 is disposed at the central portion of the pixel, thereby increasing the higher efficiency. A liquid crystal device capable of displaying a high-quality image can be realized.

また、本変形例では、電位線３００は、画像表示領域１０ａにおいて、各画素に島状に分かれて形成された容量電極７１の各々に対して、個々に接続するとよい。すると、容量電極７１と電位線３００との接続箇所が増えるので、より確実に容量電極７１における電位のバラツキを軽減又は解消することができる。   In the present modification, the potential lines 300 may be individually connected to the capacitor electrodes 71 formed in the shape of islands in each pixel in the image display region 10a. As a result, the number of connection points between the capacitor electrode 71 and the potential line 300 increases, so that the potential variation in the capacitor electrode 71 can be reduced or eliminated more reliably.

＜電子機器＞
次に、上述した電気光学装置である液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について説明する。 <Electronic equipment>
Next, the case where the liquid crystal device which is the above-described electro-optical device is applied to various electronic devices will be described.

図９は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。以下では、この液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。   FIG. 9 is a plan view showing a configuration example of the projector. Hereinafter, a projector using the liquid crystal device as a light valve will be described.

図９に示されるように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇに入射される。   As shown in FIG. 9, a projector 1100 includes a lamp unit 1102 made of a white light source such as a halogen lamp. The projection light emitted from the lamp unit 1102 is separated into three primary colors of RGB by four mirrors 1106 and two dichroic mirrors 1108 arranged in the light guide 1104, and serves as a light valve corresponding to each primary color. The light enters the liquid crystal panels 1110R, 1110B, and 1110G.

液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等であり、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、Ｒ及びＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。従って、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。   The configurations of the liquid crystal panels 1110R, 1110B, and 1110G are the same as those of the liquid crystal device described above, and are driven by R, G, and B primary color signals supplied from the image signal processing circuit. The light modulated by these liquid crystal panels enters the dichroic prism 1112 from three directions. In the dichroic prism 1112, R and B light is refracted at 90 degrees, while G light travels straight. Therefore, as a result of the synthesis of the images of the respective colors, a color image is projected onto the screen or the like via the projection lens 1114.

ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要となる。   Here, paying attention to the display images by the liquid crystal panels 1110R, 1110B, and 1110G, the display image by the liquid crystal panel 1110G needs to be horizontally reversed with respect to the display images by the liquid crystal panels 1110R and 1110B.

尚、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。   In addition, since light corresponding to each primary color of R, G, and B is incident on the liquid crystal panels 1110R, 1110B, and 1110G by the dichroic mirror 1108, it is not necessary to provide a color filter.

尚、図９を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピュータや、携帯電話、液晶テレビや、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。   In addition to the electronic device described with reference to FIG. 9, a mobile personal computer, a mobile phone, a liquid crystal television, a viewfinder type, a monitor direct view type video tape recorder, a car navigation device, a pager, an electronic device Examples include a notebook, a calculator, a word processor, a workstation, a videophone, a POS terminal, and a device equipped with a touch panel. Needless to say, the present invention can be applied to these various electronic devices.

また、本発明は上述の各実施形態で説明した液晶装置以外にも反射型液晶装置（ＬＣＯＳ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、電界放出型ディスプレイ（ＦＥＤ、ＳＥＤ）、有機ＥＬディスプレイ、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、電気泳動装置等にも適用可能である。   In addition to the liquid crystal devices described in the above embodiments, the present invention includes a reflective liquid crystal device (LCOS), a plasma display (PDP), a field emission display (FED, SED), an organic EL display, and a digital micromirror device. (DMD), electrophoresis apparatus and the like are also applicable.

本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。   The present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be appropriately changed without departing from the spirit or idea of the invention that can be read from the claims and the entire specification, and an electro-optical device with such a change, In addition, an electronic apparatus including the electro-optical device is also included in the technical scope of the present invention.

１ 開口部、 ６ データ線、 ７ 中継層、 ９ 画素電極、 １０ ＴＦＴアレイ基板、 １０ａ 画像表示領域、 １１ 走査線、 １２ 下地絶縁膜、 ３０ ＴＦＴ、 ３０ａ 半導体層、 ５０ 液晶、 ７０ 蓄積容量、 ７１ 容量電極、 ７２ 容量絶縁膜、 １９０ 切欠部、 ３００ 電位線   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Opening part, 6 Data line, 7 Relay layer, 9 Pixel electrode, 10 TFT array substrate, 10a Image display area, 11 Scan line, 12 Base insulating film, 30 TFT, 30a Semiconductor layer, 50 Liquid crystal, 70 Storage capacity, 71 Capacitive electrode, 72 capacitive insulating film, 190 notch, 300 potential line

Claims (10)

基板上に、
画素毎に配置された画素電極と、
前記画素電極の下層側に誘電体膜を介して前記画素電極に対向するように設けられ、前記基板上で平面的に見て、前記画素の各々において光が透過可能な開口領域を、前記画素が配列された画像表示領域全体に渡って合計した合計面積よりも広く形成された容量電極と
を備えることを特徴とする電気光学装置。 On the board
A pixel electrode arranged for each pixel;
An opening region that is provided on the lower layer side of the pixel electrode so as to face the pixel electrode with a dielectric film interposed therebetween and allows light to pass through each pixel when viewed in plan on the substrate. And a capacitive electrode formed wider than the total area totaled over the entire image display area in which the electrodes are arranged. 前記容量電極は、前記画素の各々において、前記開口領域よりも広く形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。   The electro-optical device according to claim 1, wherein the capacitor electrode is formed wider than the opening region in each of the pixels. 前記容量電極は、前記画素毎に開口部又は切り欠き部を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。   The electro-optical device according to claim 1, wherein the capacitive electrode has an opening or a notch for each pixel. 前記開口部又は切り欠き部は、前記基板上で平面的に見て、前記画素の中央部を含むように配置されていることを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。   4. The electro-optical device according to claim 3, wherein the opening or the notch is disposed so as to include a central portion of the pixel when viewed in plan on the substrate. 前記容量電極より下層側に形成された導電層を備え、
該導電層及び前記画素電極は、前記開口領域又は切り欠き領域内に配置されたコンタクトホールを介して、電気的に接続されていることを特徴とする請求項３又は４に記載の電気光学装置。 A conductive layer formed on the lower layer side than the capacitive electrode,
5. The electro-optical device according to claim 3, wherein the conductive layer and the pixel electrode are electrically connected via a contact hole disposed in the opening region or the cutout region. . 前記画像表示領域及び前記画像表示領域を除く周辺領域において、前記容量電極に冗長的且つ電気的に接続されることにより、前記容量電極に所定の電位を供給する電位線を備えることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の電気光学装置。   A potential line for supplying a predetermined potential to the capacitor electrode by being redundantly and electrically connected to the capacitor electrode in the image display region and a peripheral region excluding the image display region is provided. The electro-optical device according to claim 1. 前記電位線は、前記画像表示領域において、前記画素毎に前記容量電極と電気的に接続されていることを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置。   The electro-optical device according to claim 6, wherein the potential line is electrically connected to the capacitor electrode for each pixel in the image display region. 前記画素電極及び前記容量電極は、透明導電材料から形成されることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の電気光学装置。   The electro-optical device according to claim 1, wherein the pixel electrode and the capacitor electrode are made of a transparent conductive material. 前記透明導電材料は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）であることを特徴とする請求項８に記載の電気光学装置。   The electro-optical device according to claim 8, wherein the transparent conductive material is ITO (Indium Tin Oxide). 請求項１から９のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。   An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to claim 1.
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