JP2010177928A5 - - Google Patents

Description

上記目的を達成するために、本発明の撮像素子は、入射光に応じた電荷を発生する光電変換手段を各々が備え、２次元に配置された複数の画素と、各列に配置された前記複数の画素からの出力信号を出力する出力線と、前記出力線に出力された前記複数の画素の出力信号を増幅する増幅手段と、前記増幅手段のゲインが予め決められたゲイン以上の場合に、前記予め決められたゲインより低い場合よりも大きい電流を前記出力線に供給する第１の電流源とを有する。

ＦＤ２０４及び増幅ＭＯＳアンプ２０５の他、垂直信号線２０８に定電流を供給する定電流源２０９（第１の電流源）によってフローティングディフュージョンアンプが構成される。選択スイッチ２０６で選択された行を構成する各画素において、ＦＤ２０４に転送された電荷がＦＤ２０４で電圧信号に変換されて、フローティングディフュージョンアンプを通じて読み出し回路１０３の内の対応する回路に出力される。

スイッチ２１８は、アンプ２１１（増幅手段）のオフセットを読み出すためのスイッチであり、水平選択回路１０４から供給されるオフセット読み出しパルスφＴＮにより駆動される。オフセット蓄積容量２１９には、画素信号の読み出しの直前にアンプのオフセット信号が蓄積される。

アンプ２１１のゲインは容量２１０と容量２１２の比で決定される。図示しないが、容量２１２は複数の選択的に接続可能な容量で構成され、その容量値を切り替えることによって、アンプ２１１でかけるゲインを変更することができる。複数の容量が接続されて、容量２１２の容量値が大きいときは低ゲインとなり、逆に、接続された容量が少なく、容量値が小さいときは高ゲインとなる。

Claims (6)

1. 入射光に応じた電荷を発生する光電変換手段を各々が備え、２次元に配置された複数の画素と、
   各列に配置された前記複数の画素からの出力信号を出力する出力線と、
   前記出力線に出力された前記複数の画素の出力信号を増幅する増幅手段と、
   前記増幅手段のゲインが予め決められたゲイン以上の場合に、前記予め決められたゲインより低い場合よりも大きい電流を前記出力線に供給する第１の電流源と
   を有することを特徴とする撮像素子。
2. 前記増幅手段は、前記ゲインが予め決められたゲイン以上の場合に、前記予め決められたゲインより低い場合よりも大きい電流を前記増幅手段に供給する第２の電流源を含むことを特徴とする請求項１に記載の撮像素子。
3. 前記増幅手段は、前記各列の出力線毎に設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載の撮像素子。
4. 請求項１乃至３のいずれか１項に記載の撮像素子を搭載したことを特徴とする撮像装置。
5. 測光手段と、
   前記測光手段の測光結果に基づいて、前記増幅手段のゲインを変更するように制御する制御手段とを有することを特徴とする請求項４に記載の撮像装置。
6. 外部から感度の設定を受け付ける感度設定手段と、
   前記感度設定手段により設定された感度に基づいて、前記増幅手段のゲインを変更するように制御する制御手段とを有することを特徴とする請求項４または５に記載の撮像装置。