JP2010171246A - 多波長半導体レーザの製造方法 - Google Patents

多波長半導体レーザの製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】２つの半導体レーザを高精度に位置合わせでき、高い信頼性を確保できる多波長半導体レーザの製造方法を得る。
【解決手段】波長が異なる赤色半導体レーザ１４と赤外半導体レーザ１６がモノリシックに形成された第１の半導体チップが複数個並んだ第１のバー７４を形成する。赤色半導体レーザ１４と赤外半導体レーザ１６とは波長が異なる青色半導体レーザ１２が形成された第２の半導体チップが複数個並んだ第２のバー７８を形成する。第１のバー７４のレーザ形成面を第２のバー７８に向かい合わせて第１のバー７４と第２のバー７８をチップごとに接合して第３のバー８６を形成する。第３のバー８６のチップ同士の境界にレーザ光を照射してスクライブライン９２，９６を形成する。第３のバー８６をスクライブライン９２，９６に沿ってチップごとに分離する。
【選択図】図１４

Description

本発明は、波長の異なる２つの半導体レーザを接合した多波長半導体レーザの製造方法に関し、特に２つの半導体レーザを高精度に位置合わせでき、高い信頼性を確保できる多波長半導体レーザの製造方法に関するものである。
ＣＤ、ＤＶＤ、Ｂｌｕ−ｒａｙ（ＢＤ）などの光ディスクは、大容量の記録媒体として現在盛んに利用されている。これらの光ディスクの機器に用いられる半導体レーザの発振波長は、記録容量に応じてＣＤ、ＤＶＤ、ＢＤの順に短くなる。ＣＤ用のレーザの発振波長は７８０ｎｍ帯（赤外半導体レーザ）、ＤＶＤ用レーザの発振波長は６５０ｎｍ帯（赤色半導体レーザ）、ＢＤ用レーザの発振波長は４００ｎｍ帯（青色半導体レーザ）である。１つの光ディスク装置でＣＤ、ＤＶＤ及びＢＤの情報を取り扱うためには、赤外レーザ、赤色レーザ及び青色半導体レーザの３つの光源が必要である。
近年、光ディスク装置を構成する光ピックアップ装置の小型化・軽量化のために、１つの半導体チップの中に赤外半導体レーザと赤色半導体レーザがモノリシックに形成された二波長半導体レーザが開発され普及しつつある。さらに、ＢＤに対応するため、青色半導体レーザと二波長半導体レーザを組み合わせた三波長半導体レーザの開発が行われている。
三波長半導体レーザは、二波長半導体レーザと青色半導体レーザを重ねて接合することで製造される（例えば、特許文献１の図１参照）。しかし、二波長半導体レーザと青色半導体レーザの接合時の位置合わせが難しいという問題があった。
これに対して、２つの半導体レーザをバー状態で接合した後に、カッティングソーによりチップごとに分離する方法が提案されている（例えば、特許文献２の図１参照）。この方法により、２つの半導体レーザを高精度に位置合わせできることができる。ただし、特許文献２には、一波長半導体レーザのバーを接合することは記載されているが、二波長半導体レーザのバーを接合することは記載されていない。
特許３４８６９００号公報 特開２００２−２３２０６１号公報
二波長半導体レーザは、基板上において赤外半導体レーザと赤色半導体レーザが並んでいる。このため、二波長半導体レーザのバーのレーザ形成面を青色半導体レーザのバーに向かい合わせて両者を接合すると、バー同士の接合部に大きな隙間ができる。従って、特許文献２のようにチップ分離をカッティングソーにより行うと、中空に浮いているバーに大きな圧力がかかるため、チップ欠けや半田部の剥離が発生する。なお、針状のスクライバを用いてバーにキズを付けた後に分離する方法でも、バーに大きな圧力がかかるため、同様の問題が生じる。
また、カッティングソーを用いる場合、チップとソーを水冷しながらチップの切断を行う必要がある。このため、チップ分離後に水分がバー同士の接合部の隙間に入り込み、パッケージ後に露点が下がらないという問題が生じる。そして、カッティングソーを用いると、チップ分離時の切粉が電極やレーザ端面に飛んで付着して汚れや傷が発生する。
よって、特許文献１の三波長半導体レーザを製造するために特許文献２の方法を適用すると上記のような問題が生じるため、高い信頼性を確保できないという問題があった。
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的は、２つの半導体レーザを高精度に位置合わせでき、高い信頼性を確保できる多波長半導体レーザの製造方法を得るものである。
本発明は、波長が異なる少なくとも２つの半導体レーザがモノリシックに形成された第１の半導体チップが複数個並んだ第１のバーを形成する工程と、前記第１の半導体チップの半導体レーザとは波長が異なる半導体レーザが形成された第２の半導体チップが複数個並んだ第２のバーを形成する工程と、前記第１のバーのレーザ形成面を前記第２のバーに向かい合わせて前記第１のバーと前記第２のバーをチップごとに接合して第３のバーを形成する工程と、前記第３のバーのチップ同士の境界にレーザ光を照射してスクライブラインを形成する工程と、前記第３のバーを前記スクライブラインに沿ってチップごとに分離する工程とを備えることを特徴とする多波長半導体レーザの製造方法である。本発明のその他の特徴は以下に明らかにする。
本発明により、２つの半導体レーザを高精度に位置合わせでき、高い信頼性を確保できる。
実施の形態１．
［実施の形態１に係る多波長半導体レーザの構造］
図１は、実施の形態１に係る多波長半導体レーザを示す断面図である。この多波長半導体レーザは、二波長半導体レーザ１０と青色半導体レーザ１２を接合した三波長半導体レーザである。二波長半導体レーザ１０は、赤色半導体レーザ１４と赤外半導体レーザ１６をモノリシックに形成したものである。
赤色半導体レーザ１４はＡｌＧａＩｎＰ系の半導体レーザである。ＧａＡｓ基板１８上にｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２０、ＩｎＧａＰ／ＡｌＧａＩｎＰ多重量子井戸構造の活性層２２、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２４が順番に形成されている。ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２４にリッジ２６が形成されている。リッジ２６の側面及びリッジ２６の両側のｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２４上に絶縁膜２８が形成されている。リッジ２６上にｐ電極３０が形成されている。
赤外半導体レーザ１６はＡｌＧａＡｓ系の半導体レーザである。ＧａＡｓ基板１８上にｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層３２、ＡｌＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多重量子井戸構造の活性層３４、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層３６が順番に形成されている。ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層３６にリッジ３８が形成されている。リッジ３８の側面及びリッジ３８の両側のｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層３６上に絶縁膜４０が形成されている。リッジ３８上にｐ電極４２が形成されている。ＧａＡｓ基板１８の裏面に、赤色半導体レーザ１４と赤外半導体レーザ１６の共通のｎ電極４４が形成されている。
青色半導体レーザ１２は窒化ガリウム系の半導体レーザである。ＧａＮ基板４６上にｎ型ＡｌＧａＮクラッド層４８、アンドープのＩｎｘＧａ１−ｘＮ／ＩｎｙＧａ１−ｙＮ多重量子井戸構造の活性層５０、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層５２が順番に形成されている。ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層５２にリッジ５４が形成されている。リッジ５４の側面及びリッジ５４の両側のｐ型ＡｌＧａＮクラッド層５２上に絶縁膜５６が形成されている。リッジ５４上にｐ電極５８が形成され、ＧａＮ基板４６の裏面にｎ電極６０が形成されている。
青色半導体レーザ１２の基板裏面のｎ電極６０上には、赤色半導体レーザ１４側に第１の電極６２が直接に形成され、赤外半導体レーザ１６側に絶縁層６４を介して第２の電極６６が形成されている。赤色半導体レーザ１４のｐ電極３０が半田６８を介して第１の電極６２に接合され、赤外半導体レーザ１６のｐ電極４２が半田７０を介して第２の電極６６に接合されている。なお、この例とは逆に、赤色半導体レーザ１４側に絶縁層６４を介して第１の電極６２を形成し、赤外半導体レーザ１６側に第２の電極６６を直接に形成しても良い。
この青色半導体レーザ１２と二波長半導体レーザ１０を接合した三波長半導体レーザは、青色半導体レーザ１２のｐ電極５８側を下にしてサブマウントにダイボンドされ、パッケージに実装される（図示せず）。また、第１の電極６２、第２の電極６６及びｎ電極４４にはワイヤボンドが打たれ、パッケージの電極ピンに接続される。ｐ電極５８はサブマウント上の金属層と金属層に打たれたワイヤボンドを介してパッケージの電極ピンに接続される（図示せず）。
青色半導体レーザ１２にはｐ電極５８と第１の電極６２のワイヤボンドを介して駆動電流が供給される。赤色半導体レーザ１４には第１の電極６２とｎ電極４４のワイヤボンドを介して駆動電流が供給される。赤外半導体レーザ１６には第２の電極６６とｎ電極４４のワイヤボンドを介して駆動電流が供給される。
［実施の形態１に係る多波長半導体レーザの製造方法］
実施の形態１に係る多波長半導体レーザの製造方法について説明する。
［二波長半導体レーザの製造］
まず、図２に示すように、予めサーマルクリーニングなどにより表面を清浄化したＧａＡｓ基板１８上に、有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）によりｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層３２、ＡｌＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多重量子井戸構造の活性層３４、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層３６を順番に形成する。次に、ウェハ全面にレジストを塗布し、リソグラフィーにより図中左半分に対応した形状のレジストパターン（図示せず）を形成する。このレジストパターンをマスクとして、積層した層の図中右半分をエッチング除去する。
次に、図３に示すように、ＧａＡｓ基板１８上に、ＭＯＣＶＤ法によりｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２０、ＩｎＧａＰ／ＡｌＧａＩｎＰ多重量子井戸構造の活性層２２、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２４を順番に形成する。
次に、ウェハ全面にレジストを塗布し、リソグラフィーにより図中右半分に対応した形状のレジストパターン（図示せず）を形成する。このレジストパターンをマスクとして、図４に示すように、積層したｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２０、活性層２２及びｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２４の図中左半分をエッチング除去する。
次に、ウェハ全面にレジストを塗布し、リソグラフィーによりメサ部の形状に対応した形状のレジストパターン（図示せず）を形成する。このレジストパターンをマスクとして、ＲＩＥ法によりｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層３６及びｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２４をエッチングする。これにより、図５に示すように、光導波構造となるリッジ２６，３８を形成する。
次に、マスクとして用いたレジストパターン（図示せず）を残したまま、再び基板全面に例えばＣＶＤ法、真空蒸着法、スパッタリング法などによりＳｉＯ２から成る絶縁膜を形成し、レジスト除去と同時にリッジ２６，３８上にある絶縁膜を除去する、いわゆるリフトオフを行う。これにより、図６に示すように、リッジ２６，３８上に開口を有する絶縁膜２８，４０を形成する。
次に、ウェハ全面に例えば真空蒸着法によりＴｉ膜及びＡｕ膜を順番に形成した後、レジスト塗布、リソグラフィー、及び、ウエットエッチング又はドライエッチングを行って、二波長半導体レーザ１０のレーザ形成面に赤色半導体レーザ１４のｐ電極３０と赤外半導体レーザ１６のｐ電極４２をそれぞれ形成する。次に、基板裏面に真空蒸着法によりＡｕＧｅ及びＡｕ膜を順番に形成してｎ電極４４を形成する。
以上のウェハプロセスにより、波長が異なる赤色半導体レーザ１４と赤外半導体レーザ１６を含む二波長半導体レーザ１０が形成された半導体チップ（第１の半導体チップ）がウェハ７２に行列状に形成される。次に、図７に示すように、ウェハ７２を劈開により分離して、二波長半導体レーザ１０の半導体チップが複数個並んだ第１のバー７４を形成する。劈開を行うことで、欠けや段差などが無いレーザ端面を形成することができる。
次に、図８に示すように、レーザ端面を上に向けて複数の第１のバー７４を冶具に固定して真空装置内に置く。そして、真空蒸着法やスパッタ法により前後のレーザ端面にコーティング膜を形成する。
［青色半導体レーザの製造］
まず、図９に示すように、予めサーマルクリーニングなどにより表面を清浄化したＧａＮ基板４６上に、ＭＯＣＶＤ法によりｎ型ＡｌＧａＮクラッド層４８、アンドープのＩｎｘＧａ１−ｘＮ／ＩｎｙＧａ１−ｙＮ多重量子井戸構造の活性層５０、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層５２を順番に形成する。例えば、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層４８の成長温度は１０００℃、活性層５０の成長温度は７４０℃、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層５２の成長温度は１０００℃である。
次に、ウェハ全面にレジストを塗布し、リソグラフィーによりメサ部の形状に対応した形状のレジストパターン（図示せず）を形成する。このレジストパターンをマスクとして、例えばＲＩＥ法によりｐ型ＡｌＧａＮクラッド層５２をエッチングする。これにより、図１０に示すように、光導波構造となるリッジ５４を形成する。
次に、マスクとして用いたレジストパターン（図示せず）を残したまま、再び基板全面に例えばＣＶＤ法、真空蒸着法、スパッタリング法などによりＳｉＯ２から成る絶縁膜を形成し、レジスト除去と同時にリッジ５４上にある絶縁膜を除去する、いわゆるリフトオフを行う。これにより、図１１に示すように、リッジ５４上に開口を有する絶縁膜５６を形成する。
次に、ウェハ全面に例えば真空蒸着法によりＰｄ、Ｔａ及びＡｕ膜を順番に形成した後、レジスト塗布、リソグラフィー、及び、ウエットエッチング又はドライエッチングを行って、ｐ電極５８を形成する。次に、基板裏面に真空蒸着法によりＴｉ及びＡｕ膜を順番に形成してｎ電極６０を形成する。青色半導体レーザ１２の基板裏面のｎ電極６０上には、電気的に分離した第１の電極６２と第２の電極６６を形成する。
以上のウェハプロセスにより、赤色半導体レーザ１４や赤外半導体レーザ１６とは波長が異なる青色半導体レーザ１２が形成された半導体チップ（第２の半導体チップ）がウェハ７６に行列状に形成される。次に、図１２に示すように、ウェハ７６を劈開により分離して、青色半導体レーザ１２の半導体チップが複数個並んだ第２のバー７８を形成する。また、二波長半導体レーザ１０と同様に、前後のレーザ端面にコーティング膜を形成する。
［三波長半導体レーザの製造］
まず、図１３に示すように、第１のバー７４をボンディング装置の加熱台８０に真空吸着して置く。次に、第２のバー７８をコレット８２に真空吸着させる。第１のバー７４及び第２のバー７８の端に形成したアラインメントマーク８４を目印にして第２のバー７８を第１のバー７４の上に移動させ、第１のバー７４のレーザ形成面を第２のバー７８の基板裏面に向かい合わせ、二波長半導体レーザ１０と青色半導体レーザ１２のレーザ光出射面が同一平面になるように位置合わせする。そして、第１のバー７４と第２のバー７８をチップごとに接合して第３のバー８６を形成する。この際、赤色半導体レーザ１４のｐ電極３０と赤外半導体レーザ１６のｐ電極４２を青色半導体レーザ１２の第１の電極６２と第２の電極６６にそれぞれ半田６８，７０により接合する。なお、アラインメントマーク８４の代わりに半導体レーザの電極パターンを目印にしてもよい。
次に、図１４に示すように、青色半導体レーザ１２を上側にして第３のバー８６をテープ８８に貼り付ける。そして、青色半導体レーザ１２のチップ同士の境界にレーザ光９０を照射してスクライブライン９２を形成する。
次に、図１５に示すように、青色半導体レーザ１２を下側にして第３のバー８６をテープ９４に貼り付け、テープ８８を取り外す。そして、図１６に示すように、二波長半導体レーザ１０のチップ同士の境界（青色半導体レーザ１２のスクライブライン９２に対向する位置）にレーザ光９０を照射してスクライブライン９６を形成する。次に、テープ９４をエキスパンドすることで、第３のバー８６をスクライブライン９２，９６に沿ってチップごとに分離する。最後に、チップをテープ９４から取り外すと、三波長半導体レーザが完成する。
［実施の形態１の効果］
実施の形態１では、青色半導体レーザと二波長半導体レーザをバー状態で接合した後にチップごとに分離する。このため、チップ状態の青色半導体レーザと二波長半導体レーザを接合する従来の方法に比べて、２つの半導体レーザを高精度に位置合わせできる。そして、一度に多数のチップを接合できるので、工程が簡略化でき生産性が向上する。
また、レーザスクライバを用いることにより、従来のカッティングソーを用いたチップ分離や針状のスクライバを用いてバーにキズを付けるのに比べて、中空に浮いているバーに圧力がかからない。従って、チップ欠けや半田部の剥離を防ぐことができる。そして、カッティングソーを使わないので、水分がバー同士の接合部の隙間に入り込む心配も無い。さらに、テープに貼り付けた状態でエキスパンドするので、切粉の飛散が少なく、電極やレーザ端面の汚れや傷も少ない。よって、本実施の形態の製造方法を用いれば、高い信頼性を確保できる。
実施の形態２．
実施の形態２では、レーザスクライブの際にレーザ光の焦点をずらすことのできる光学系を用いる。その他の工程は実施の形態１と同様である。以下、実施の形態２のレーザスクライブ工程について説明する。
まず、図１７に示すように、青色半導体レーザ１２を上側にして第３のバー８６にテープ９４を貼り付ける。そして、二波長半導体レーザ１０にレーザ光の焦点を合わせて、第３のバー８６の二波長半導体レーザ１０のチップ同士の境界にレーザ光を照射してスクライブライン９６を形成する。この際、青色半導体レーザ１２にレーザ光があたるが、焦点があっていないため、青色半導体レーザ１２にはキズが付かない。
次に、図１８に示すように、テープ９４を張り直しすることなく、レーザ光の焦点をずらして青色半導体レーザ１２に合わせて、第３のバー８６の青色半導体レーザ１２のチップ同士の境界にレーザ光を照射してスクライブライン９２を形成する。その後、実施の形態１と同様にテープ９４をエキスパンドして、チップに分離する。
実施の形態２では、実施の形態１のようにテープを貼り直しする必要がないため、工程を簡略化できる。
実施の形態３．
第１のバー７４と第２のバー７８を接合する際に、コレット８２のみでボンディングの圧力を調整すると、第１のバー７４と第２のバー７８の両端の平行度や圧力が片寄る。そこで、実施の形態３では、図１９に示すように、第１のバー７４と第２のバー７８の両端にスペーサ９８を挿入して、第１のバー７４と第２のバー７８の間隔を一定に保つ。これにより第１のバー７４と第２のバー７８の両端が平行になり、圧力の片寄りも無くなる。その他の工程及び効果は実施の形態１と同様である。
実施の形態４．
二波長半導体レーザ１０の共振器長と青色半導体レーザ１２の共振器長を同一にすると、青色半導体レーザ１２と二波長半導体レーザ１０の狭い隙間領域で第１の電極６２及び第２の電極６６へのワイヤボンドを行わなければならない。そこで、実施の形態４では、図２０に示すように、二波長半導体レーザ１０の共振器長を青色半導体レーザ１２の共振器長より短くして、青色半導体レーザ１２の基板側にワイヤボンド領域を設ける。そして、青色半導体レーザ１２の第１の電極６２と第２の電極６６にそれぞれワイヤボンドを行う。これにより、ワイヤボンドが容易に打てるようになり、生産性が向上する。なお、第１の電極６２及び第２の電極６６上にメッキ層を形成すると、電流容量が増えるとともに、ワイヤボンドの密着性が向上する。
実施の形態５．
実施の形態５では、図２１に示すように、二波長半導体レーザ１０の共振器長を青色半導体レーザ１２の共振器長より長くして、二波長半導体レーザ１０のリッジ側にワイヤボンド領域を設ける。そして、赤色半導体レーザ１４のｐ電極３０と赤外半導体レーザ１６のｐ電極４２にそれぞれワイヤボンドを行う。この場合は、ｐ電極３０，４２にワイヤボンドのためのパッド領域を形成する必要がある。これにより、実施の形態４と同様の効果を得ることができる。
以上の実施の形態では青色／赤色／赤外の三波長半導体レーザの例を示したが、本発明は他の多波長半導体レーザに適用することもできる。
実施の形態１に係る多波長半導体レーザを示す断面図である。 実施の形態１に係る多波長半導体レーザの製造方法を説明するための図である。 実施の形態１に係る多波長半導体レーザの製造方法を説明するための図である。 実施の形態１に係る多波長半導体レーザの製造方法を説明するための図である。 実施の形態１に係る多波長半導体レーザの製造方法を説明するための図である。 実施の形態１に係る多波長半導体レーザの製造方法を説明するための図である。 実施の形態１に係る多波長半導体レーザの製造方法を説明するための図である。 実施の形態１に係る多波長半導体レーザの製造方法を説明するための図である。 実施の形態１に係る多波長半導体レーザの製造方法を説明するための図である。 実施の形態１に係る多波長半導体レーザの製造方法を説明するための図である。 実施の形態１に係る多波長半導体レーザの製造方法を説明するための図である。 実施の形態１に係る多波長半導体レーザの製造方法を説明するための図である。 実施の形態１に係る多波長半導体レーザの製造方法を説明するための図である。 実施の形態１に係る多波長半導体レーザの製造方法を説明するための図である。 実施の形態１に係る多波長半導体レーザの製造方法を説明するための図である。 実施の形態１に係る多波長半導体レーザの製造方法を説明するための図である。 実施の形態２に係る多波長半導体レーザの製造方法を説明するための図である。 実施の形態２に係る多波長半導体レーザの製造方法を説明するための図である。 実施の形態３に係る多波長半導体レーザの製造方法を説明するための図である。 実施の形態４に係る多波長半導体レーザの製造方法を説明するための図である。 実施の形態５に係る多波長半導体レーザの製造方法を説明するための図である。
１０ 二波長半導体レーザ
１２ 青色半導体レーザ
１４ 赤色半導体レーザ
１６ 赤外半導体レーザ
３０，４２ ｐ電極
６２ 第１の電極
６６ 第２の電極
７４ 第１のバー
７８ 第２のバー
８６ 第３のバー
９０ レーザ光
９２，９６ スクライブライン
９４ テープ
９８ スペーサ

Claims (7)

  1. 波長が異なる少なくとも２つの半導体レーザがモノリシックに形成された第１の半導体チップが複数個並んだ第１のバーを形成する工程と、
    前記第１の半導体チップの半導体レーザとは波長が異なる半導体レーザが形成された第２の半導体チップが複数個並んだ第２のバーを形成する工程と、
    前記第１のバーのレーザ形成面を前記第２のバーに向かい合わせて前記第１のバーと前記第２のバーをチップごとに接合して第３のバーを形成する工程と、
    前記第３のバーのチップ同士の境界にレーザ光を照射してスクライブラインを形成する工程と、
    前記第３のバーを前記スクライブラインに沿ってチップごとに分離する工程とを備えることを特徴とする多波長半導体レーザの製造方法。
  2. 前記第３のバーを劈開する際に、前記第３のバーにテープを貼り付け、前記テープをエキスパンドすることで、前記第３のバーを前記スクライブラインに沿ってチップごとに分離することを特徴とする請求項１に記載の多波長半導体レーザの製造方法。
  3. 前記スクライブラインを形成する際に、前記第３のバーに前記テープを貼り付け、前記第３のバーの前記第１の半導体チップ及び前記第２の半導体チップの一方のチップ同士の境界に前記レーザ光を照射して前記スクライブラインを形成し、前記テープを張り直しすることなく、前記レーザ光の焦点をずらして、前記第３のバーの前記第１の半導体チップ及び前記第２の半導体チップの他方のチップ同士の境界に前記レーザ光を照射して前記スクライブラインを形成することを特徴とする請求項１又は２に記載の多波長半導体レーザの製造方法。
  4. 前記第１のバーと前記第２のバーを接合する際に、前記第１のバーと前記第２のバーの両端にスペーサを挿入して、前記第１のバーと前記第２のバーの間隔を一定に保つことを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の多波長半導体レーザの製造方法。
  5. 前記第１の半導体チップには赤色半導体レーザと赤外半導体レーザを含む二波長半導体レーザが形成され、
    前記第２の半導体チップには青色半導体レーザが形成されていることを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の多波長半導体レーザの製造方法。
  6. 前記二波長半導体レーザの共振器長を前記青色半導体レーザの共振器長より短くし、
    前記二波長半導体レーザのレーザ形成面に前記赤色半導体レーザのｐ電極と前記赤外半導体レーザのｐ電極をそれぞれ形成し、
    前記青色半導体レーザの基板裏面に、電気的に分離した第１の電極と第２の電極を形成し、
    前記第３のバーを形成する際に、前記二波長半導体レーザと前記青色半導体レーザのレーザ光出射面が同一平面になるように位置合わせして、前記赤色半導体レーザの前記ｐ電極と前記赤外半導体レーザの前記ｐ電極を前記青色半導体レーザの前記第１の電極と前記第２の電極にそれぞれ接合し、
    前記青色半導体レーザの前記第１の電極と前記第２の電極にそれぞれワイヤボンドを行うことを特徴とする請求項５に記載の多波長半導体レーザの製造方法。
  7. 前記二波長半導体レーザの共振器長を前記青色半導体レーザの共振器長より長くし、
    前記二波長半導体レーザのレーザ形成面に前記赤色半導体レーザのｐ電極と前記赤外半導体レーザのｐ電極をそれぞれ形成し、
    前記青色半導体レーザの基板裏面に、電気的に分離した第１の電極と第２の電極を形成し、
    前記第３のバーを形成する際に、前記二波長半導体レーザと前記青色半導体レーザのレーザ光出射面が同一平面になるように位置合わせして、前記赤色半導体レーザの前記ｐ電極と前記赤外半導体レーザの前記ｐ電極を前記青色半導体レーザの前記第１の電極と前記第２の電極にそれぞれ接合し、
    前記赤色半導体レーザの前記ｐ電極と前記赤外半導体レーザの前記ｐ電極にそれぞれワイヤボンドを行うことを特徴とする請求項５に記載の多波長半導体レーザの製造方法。
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